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AMEYA360代理丨ROHM 实战篇:通过驱动器源极引脚改善开关损耗—有驱动器源极引脚的封装、有无驱动器源极引脚的差异及其效果

发布时间:2026-10-29 16:24
作者:AMEYA360
来源:ROHM
阅读量:339

  在上一篇文章中,我们了解了传统的MOSFET驱动方法,这也是了解主题中的驱动器源极引脚效果的前提。在本文中,我们将一起了解有驱动器源极引脚的实际封装、具有驱动器源极引脚的MOSFET的工作情况和驱动器源极引脚的效果。

  有驱动器源极引脚的封装

  目前,ROHM有驱动器源极引脚的封装包括TO-247-4L和TO-263-7L两种20261029163305_491.png

  作为参考,在这里给出了每种封装的外形尺寸和结构。

  TO-247-4L封装

  

20261029163319_737.png

  TO-263-7L封装

20261029163426_243.png

  有无驱动器源极引脚的差异及其效果

  左下图是以往MOSFET的驱动电路,右下图是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路。不同的是驱动电路的回流线的连接方式,以往MOSFET是连接到源极(Source)引脚,而具有驱动器源极引脚的MOSFET是连接到驱动器源极引脚(Driver Source)引脚,其源极是一个单独的电源(Power Source)引脚。此外,每个蓝色箭头表示开关工作中的电压。

  

20261029163452_498.png

  如蓝色箭头所示,两者在开关工作中的电压是相同的。再次提一下,MOSFET被施加VG并导通后,ID增加,LSOURCE沿图中(I)的方向产生VLSOURCE。由于电流IG流入栅极引脚,因RG_EXT产生压降VRG_EXT(I)。

  如上所述,两者产生的电压是一样的,但在以往MOSFET的情况下,VLSOURCE和VRG_EXT(I)被包含在导通时的驱动电路网中,因此MOSFET的导通工作所需的芯片上的电压VGS_INT会减少,最终导致导通速度降低。而在具有驱动器源极引脚的情况下,ID会流向电源(Power Source)引脚,不流向驱动器源极(Driver Source)引脚,这部分不包含在驱动电路网中,因此可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。

20261029163554_902.png

  如果具备驱动器源极引脚,则可以去掉

20261029163642_998.png

项(=VLSOURCE),可以看出这部分电压不会影响VGS_INT。这就是驱动器源极引脚的效果,可以提高导通速度。

20261029163659_874.jpg


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

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