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意法<span style='color:red'>半导体</span>全新一代主动保险丝熔断驱动器——L9965P

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意法半导体全新一代主动保险丝熔断驱动器——L9965P

　　L9965P产品背景　　随着汽车电子电气架构向智能化和安全化方向的不断发展，传统熔断器的局限性日益凸显：无法通过软件实现精准控制，也无法根据故障类型精确判断断路时机。此外，随着主机厂平台化设计逐渐成为主流，传统熔断器难以根据不同车型预设过流阈值，无法满足平台化应用的需求。因此，为了解决上述客户使用中的痛点，熔断器厂商开发了智能可控的Pyro-Fuse(主动式熔断器)，现已被广泛应用。　　与此同时，新能源汽车在续航里程和补能效率上的激烈竞争，推动了更高容量、更高电压电池包的应用，这对动力电池管理系统的安全性提出了更高要求。然而，传统熔断器以及基于高低边驱动的主动保险丝系统已难以满足日益严格的功能安全要求。　　在此背景下，Pyro-Fuse驱动器L9965P应运而生，凭借其卓越性能，已广泛应用于国内主机厂及Tier1的相关项目中，为车辆安全提供了更加可靠的保障。　　L9965P的主要应用场景举例　　BMS(电池管理系统)　　▲L9965P在BMS系统中的应用　　电池包过流场景：　　在电池系统发生过流或短路故障时，Pyro-Fuse能够根据BMS的检测信号通过L9965P快速点爆，避免高电流对电池包和其他电气系统造成不可逆损伤。　　车辆碰撞场景：　　当车辆发生碰撞时，为有效预防可能引发的起火爆燃事故对人体造成的二次伤害，并保护电池包免受不可逆的损害，主动保险丝能够根据有效碰撞信号快速切断高压回路。对比传统被动保险丝，Pyro-Fuse解决了被动保险丝在碰撞下无法零电流切断的痛点。　　电驱动系统　　▲L9965P电驱动系统中的应用　　在新能源汽车中，主驱系统(包括电池、电机和电控系统)是整车动力输出的核心部分，其安全性和可靠性直接关系到车辆的性能和用户的安全。随着新能源汽车向高电压、大功率方向发展，主驱系统面临更高的安全挑战。Pyro-Fuse作为一种高效的电路保护装置，已逐渐成为主驱系统的重要一环，在故障工况下可以切断三相电机中的两相，防止次生灾害发生。　　以下是Pyro-Fuse在新能源汽车主驱系统中的应用举例：在四驱车型中，带有Pyro-Fuse的系统可以在某一电机(前或后驱)系统发生故障时进行断开操作，并继续保持平稳运行;在两驱车型中，带有Pyro-Fuse的系统可以在碰撞发生或驱动系统异常时，切断主驱回路，防止非预期二次伤害——如碰撞后，车轮惯性会带动电机旋转，产生不利的反电动势高压。　　面对以上工况，L9965P可以在主驱系统异常时继续自主工作，保证电机驱动回路被切断，避免造成进一步损害，提高主驱系统的安全冗余性能。　　L9965P产品性能概览　　❖ AEC-Q100车规级产品　　❖ 深度睡眠模式(极低功耗<10uA)　　❖ 支持三种唤醒模式　　❖ 内部集成Boost升压模块用于外部储能电容充电，升压值可配　　❖ 硬件信号FENL、FENH兼容PWM模式(频率16kHz和125kHz可配)及高/低电平模式;软件信号支持SPI(24bit)独立点爆　　❖ 点爆路径支持请求和自动两种诊断方式　　❖ 最低工作电压支持6V　　❖ 可选的点爆配置——电流及持续时间，与LV-16和USCAR-28认证的高温保险丝相兼容　　❖ 内置NVM模块存储，支持诊断/点爆等信息存储，可实现无MCU运行　　❖ 可配置的连续点爆功能(Auto-retry)　　❖ 兼容配套L9965C等智能接线盒(BJB)高压采集芯片　　❖ 符合ISO26262开发流程，功能安全等级支持ASIL-D　　L9965P主要特点优势　　▲L9965P系统应用框图举例　　❖ 多种部署电流配置组合，匹配不同规格Pyro-Fuse的点爆要求　　❖ 内部集成Boost模块，有助减小储能电容容量需求，从而优化系统成本　　❖ 独立的软硬件点爆策略，满足系统的不同点爆需求。硬件点爆模式下电平或PWM模式可选，软件SPI点爆　　❖ 可选的多次自动点爆重试功能(Auto-retry)，提高点爆的安全冗余　　❖ 支持手动/自动诊断方式，确保点爆功能的正确实施，其中自动诊断可在无MCU时自主进行，实现不同故障的检测和判断　　❖ TQFP32和QFN32两种封装，符合优化面积的小型化设计　　意法半导体电池管理系统产品路线　　意法半导体拥有丰富的BMS系列产品，其功能包含有如：模拟前端采样芯片，高压采集智能接线盒芯片、通讯桥接芯片、以及主动保险丝驱动熔断器芯片，它们全面覆盖汽车级、工业级、高压应用及低压应用。汽车级L9963E、L9963T及工业级L99BM114、L99BM1T、L9961目前已在市场中大批量产，目前最新一代的车规级L9965系列产品也已全部量产面市。在未来规划中，意法半导体将进一步加强BMS领域的投入，致力于更加多样化的产品路线拓展，如多串数模拟前端采样芯片并集成电化学阻抗图谱检测功能、48V锂电应用等。

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意法半导体

发布时间：2025-06-16 10:05 阅读量：159 继续阅读>>

龙腾<span style='color:red'>半导体</span>：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

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龙腾半导体：车规级超结MOSFET LSB60R041GFA ，以极致能效驱动高功率应用新高度

　　1.产品概述　　本款产品采用新一代超结技术，专为汽车电子和高功率场景打造。在质量与可靠性方面，产品严格遵循 AEC - Q101 车规级可靠性认证标准以及 IATF 16949 汽车质量管理体系认证要求。凭借低导通电阻与高功率密度设计，确保在极端工况下稳定运行，为高效电机系统提供核心动力支持。封装形式产品可靠性测试报告　　2.核心特性　　导通损耗低：低阻值设计，减少发热并提升能效;　　开关损耗低：低栅极电荷，显著降低驱动损耗;　　功率密度高：卓越的热设计，适用于紧凑型高效能系统。　　3.产品优势　　车规品质：双重认证确保产品符合汽车行业严苛标准，可靠性与安全性行业先进;　　高效节能：通过降低RDS(on)与Qg，系统能耗显著降低的同时提升了运行性能;　　高可靠性：严苛测试保障恶劣环境下的长期稳定性。　　4.典型应用　　汽车领域：48V/12V DC/DC转换器、车载充电机(OBC)、电池管理系统(BMS);　　工业场景：工业开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS);　　新能源：光伏逆变器、储能系统解决方案。

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龙腾半导体

发布时间：2025-06-16 09:42 阅读量：160 继续阅读>>

类比<span style='color:red'>半导体</span>推出支持-0.3V-40V共模的车规级双向通用电流检测放大器

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类比半导体推出支持-0.3V-40V共模的车规级双向通用电流检测放大器

　　类比半导体(AnalogySemi)推出支持高侧或者低侧通用电流检测放大器，其通常用于优化系统精密电流测量或者电流环路控制电路。该系列产品供电电压范围2.7V-5.5V，-0.3V-40V输入共模电压范围可以更好的支持12V汽车应用。此外CSA52xQ可以提供4种固定增益，包括：20V/V,50V/V, 100V/V和200V/V。　　CSA521xQ支持通过REF引脚实现双向电流检测功能，在增益为20倍时，其带宽可达350kHz，压摆率为0.8V/us。在精度方面，CSA52x的Vos最大值为±80uV,温漂典型值为0.02uV/℃。在增益误差方面，增益误差典型值为±0.1%，最大值为±1.2%，温漂典型值为3ppm/℃, 最大值为13ppm/℃。　　封装支持方面　　CSA52xQ系列兼容市场主流封装，包括SC70-6和SOT23-6两种封装。　　CSA52xQ系列产品特征　　• 供电电压范围：2.7V-5.5V　　• 宽共模电压输入范围：-0.3V–40V　　• 4种增益：20/50/100/200V/V　　• 带宽：350kHz @20V/V　　• 低噪声：80nV/√Hz　　• 超高共模抑制比：140dB min，155dB typ　　• 低增益误差：全温±0.1% typ,±1.2% Max　　• 低增益误差温漂: 3ppm/℃ typ,13ppm/℃ max　　• 低偏移电压： ±80uV Max　　• 低偏移电压温漂：±0.2uV/℃ Max　　• 低静态电流：190uA typ　　典型应用　　OBC(ON-BOARD CHARGER)　　BMS低边电流检测　　智能配电盒

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类比半导体

发布时间：2025-06-13 16:15 阅读量：181 继续阅读>>

ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率<span style='color:red'>半导体</span>的仿真速度实现质的飞跃

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ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3（L3）” 功率半导体的仿真速度实现质的飞跃

　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”，该模型提升了收敛性和仿真速度。　　功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响，因此在设计阶段的仿真验证中，模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”，通过提高每种特性的复现性，满足了高精度仿真的需求。然而另一方面，该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题，亟待改进。　　新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式，能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时，将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此，能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析，从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。　　“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布，用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后，以往模型仍将继续提供。另外，ROHM还发布了详细的使用说明白皮书，以帮助用户顺利导入新模型。用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载　　<相关信息>　　- 白皮书　　- 设计模型支持页面　　- SiC MOSFET技术文档　　未来，ROHM将继续通过提升仿真技术，助力实现更高性能以及更高效率的应用设计，为电力转换技术的革新贡献力量。

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ROHM

发布时间：2025-06-10 15:57 阅读量：226 继续阅读>>

引线框架对<span style='color:red'>半导体</span>器件性能与可靠性的影响

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引线框架对半导体器件性能与可靠性的影响

　　一、什么是引线框架?　　引线框架(Lead Frame)是一种金属结构，主要用于半导体芯片的封装中，作用就像桥梁——它连接芯片内部的电信号到外部电路，实现电气连接，同时还承担机械支撑和散热任务。它广泛应用于中低引脚数的封装形式中，比如DIP、QFP、SOP、DFN等，是半导体封装的基础材料之一。　　二、引线框架对半导体的三大关键影响　　1. 影响电气性能　　导电路径：引线框架上的引脚负责把芯片信号传输到外部PCB。其尺寸(厚度、宽度)会影响电阻，进而影响电源电压降和信号完整性。　　寄生参数：不合理的引脚布局会引入寄生电感、电容，影响高速信号传输，尤其在射频、电源管理、接口电路中更为显著。　　设计一致性：引脚长度/间距的不均可能导致信号延迟差异，影响时序匹配。　　电源完整性(Power Integrity)：地线和电源引脚布局设计不合理，会带来噪声、压降和干扰问题。　　2. 影响热管理能力　　散热效率：高导热金属(如Cu、Cu合金)制成的引线框架可迅速把芯片产生的热量传导出去，降低芯片核心温度。　　结构设计：通过设计暴露焊盘(Expose Pad)或厚铜结构可提升散热路径，适用于高功率器件如MOSFET、功放、LED驱动等。　　封装集成度越高，芯片越容易发热，对引线框架的散热能力提出更高要求。　　3. 影响器件可靠性　　机械可靠性：引线框架与封装材料(如EMC)之间必须有良好的附着力，防止长期使用后出现分层、开裂。　　防潮抗氧化能力：若表面处理不当，水汽可能沿引线框架渗透，引起芯片失效。优质框架通常采用镀NiPdAu或SnAgCu等防氧层。　　应力控制：在冷热循环或高应力条件下，不同材料间热膨胀系数差异会产生应力，若结构设计或选材不当，可能导致封装开裂或焊点失效。　　三、随着半导体发展，引线框架面临的挑战也更大　　小型化：芯片功能变多、体积更小，引线数越来越多，引脚间距越来越密(如130μm以内)，制造精度要求高。　　多样化：封装形式日益丰富(如QFN、DFN、DROFN等)，引线框架设计也需高度定制化。　　高可靠性要求：应用从消费电子转向汽车、工业、新能源等领域，对产品寿命、抗湿、抗高温等提出更严格要求。　　先进工艺需求：包括选择性电镀、表面粗化、微结构蚀刻、湿度敏感等级MSL1要求等。　　四、结语：引线框架的不可替代性　　作为芯片与电路板之间的桥梁，引线框架不只是一个“金属支架”，它在电性能、热性能和可靠性三方面都发挥着关键作用。尤其是在汽车、工业、新能源等领域，它的作用越来越重要。未来引线框架的发展也将继续跟随芯片制程演进向更高密度、更高可靠、更低成本的方向推进。　　换句话说：一个优秀的封装，必须有一个强大而精密的引线框架作为基础。

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封装

发布时间：2025-06-09 15:00 阅读量：204 继续阅读>>

一文了解<span style='color:red'>半导体</span>和芯片的关系

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一文了解半导体和芯片的关系

　　在现代电子技术飞速发展的今天，半导体和芯片已经成为我们生活中不可或缺的关键技术元素。它们不仅推动了信息技术、通信技术、消费电子、新能源汽车等多个行业的繁荣，也深刻改变了人们的生活方式。　　什么是半导体　　01半导体的定义　　半导体是指具有导电性介于导体(如铜、金等)和绝缘体(如玻璃、塑料等)之间的材料。常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)等。半导体在纯净状态下导电性较低，但经过特殊加工(如掺杂)后，其电导性能可以被显著调节。　　02半导体的特性　　可控性强：通过掺杂不同的杂质元素，可以调整半导体的电导率，从而实现电子器件的各种功能。　　非线性特性：在一定条件下，半导体器件(如二极管、晶体管)可以表现出非线性特性，成为各种电子元件的基础。　　温度敏感：半导体导电性随着温度变化而变化，这也是它们在温度传感器中的应用基础。　　03半导体的重要性　　半导体是现代电子器件的基础材料，没有半导体，晶体管、二极管、集成电路等都无法制造。几乎所有现代电子设备都离不开半导体材料，它们是微电子技术的核心。　　什么是芯片　　01芯片的定义　　“芯片”是指由半导体材料制成的微型集成电路，是电子系统中的“心脏”。芯片通过在半导体晶圆上制造复杂的电子元件和线路，将大量电子元器件集成在一个微小的片状结构上，实现特定的电子功能。　　02芯片的类型　　微处理器芯片(CPU)：负责处理数据和指令，是计算机的核心。　　存储芯片(如DRAM、Flash)：用于存储数据。　　传感器芯片：检测环境参数，如温度、压力、加速度等。　　通信芯片：实现Wi-Fi、蓝牙等无线通信功能。　　专用集成电路(ASIC)：为特定应用设计的芯片。　　03芯片的制造　　芯片的制造流程非常复杂，包括晶圆生产、光刻、掺杂、蚀刻、金属互连、封装等多个环节。制造精度极高，需要先进的工艺技术，如7nm、5nm等微米级甚至纳米级工艺。　　半导体和芯片的关系　　01依存关系　　半导体材料是制造芯片的原材料，没有半导体就没有芯片。芯片的核心部分(晶体管、二极管等)都是由半导体材料构成的。这种关系就像钢铁与汽车的关系，钢铁是制造汽车的基础材料，没有钢铁，就难以制造汽车。　　02技术发展相辅相成　　随着半导体技术的发展(如掺杂技术、材料纯度提高、工艺节点不断缩小)，芯片的性能得到了极大改善。同样，芯片设计和制造的突破也带动了半导体材料技术的不断提升。　　03共同推动科技创新　　半导体和芯片的联合创新推动了智能手机、超级计算机、物联网、人工智能等多个前沿科技领域的突破，为现代社会带来了翻天覆地的变化。　　虽然半导体和芯片听起来相似，但它们实际上是两个不同的概念。两者之间的关系就像是“原料”和“制成品”的关系。半导体是原料，是制造电子器件的基础，它具有导电性可调、非线性、温度敏感等特性。芯片是制成品，是由半导体材料加工而成的微型集成电路，具有特定的电子功能，是现代电子设备的核心组成部分。

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半导体

发布时间：2025-06-05 14:01 阅读量：252 继续阅读>>

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意法半导体与高通合作开发的Wi-Fi/蓝牙二合一无线模块正式量产

　　意法半导体宣布Wi-Fi 6和低功耗蓝牙5.4二合一模块ST67W611M1正式进入量产阶段，与此同时，重要客户Siana采用该模块的设计项目已取得初步成功，大大缩短了无线连接解决方案的研发周期。　　该模块是意法半导体与高通科技公司于2024年宣布的合作项目的首款产品，能够降低在基于STM32微控制器(MCU)的应用系统中实现无线连接的难度。双方以芯片的形式实现了合作目标，将意法半导体在嵌入式设计方面的专业知识、STM32微控制器以及软件和开发工具的生态系统与高通科技的无线连接技术专长融为一体。　　意法半导体连接业务线总监Jerome Vanthournout指出：“无线连接是将智能边缘设备连接到云端的关键技术。消费电子和工业市场对智能物联网设备的需求不断增长，增速也越来越快，掌握复杂的Wi-Fi和蓝牙协议，并将其引入设备和物联网应用中是一个巨大的挑战。我们的模块化解决方案采用业界先进的技术知识，让产品开发人员能够集中资源和精力开发应用层，加快新产品的上市速度。”　　高通科技公司产品管理高级总监Shishir Gupta表示：“很高兴看到我们通过ST67W模块与意法半导体公司合作的影响。该模块包含高通的无线连接组件，不仅简化了Wi-Fi和蓝牙与STM32微控制器驱动的各种设备的集成，还提供了令人难以置信的灵活性和可扩展性。该模块证明了我们共同致力于推动物联网领域的创新和卓越性。”　　ST67W模块可以与任何一款STM32 MCU集成到一起，内置高通科技的多协议网络协处理器和2.4GHz射频收发器。模块内置所需的全部射频前端电路，包括功率放大器、低噪声放大器、射频开关、巴伦和集成PCB天线，并配备4MB代码和数据闪存，以及40MHz晶振。该模块预装Wi-Fi 6和蓝牙5.4协议栈，并获得了强制性规范预认证，不久将通过软件更新增加对Thread和Matter协议的支持。此外，新模块还提供同轴天线或板级外接天线连接器。安全保护功能包括加密加速器和安全服务，例如，达到PSA 1级认证的安全启动和安全调试，让客户能够轻松满足即将出台的《网络弹性法案》和RED指令的要求。　　产品开发人员无需掌握射频设计知识技能，就能够使用新模块开发可行的解决方案。该模块在32引脚LGA封装内集成了丰富功能，可直接安装到电路板上，并支持使用简单的低成本两层PCB板开发应用。　　Siana Systems作为首批探索该无线连接模块潜力的物联网技术公司，正通过深度挖掘其性能优势，以提升产品性能并加速产品上市进程。　　Siana Systems创始人、解决方案架构师Sylvain Bernard强调：“ST67W模块拓展了在STM32终端设备上实现Wi-Fi连接的可能性，让我们无需再担心系统的最低需求。只需集成该模块，即可快速获得蓝牙和Wi-Fi连接，几乎无需额外的开发测试工作，为我们的下一代产品设计提供了简单、完美的解决方案。该模块集成了射频收发器和射频前端电路，性能非常强大，灵活的电源管理和快速唤醒时间让我们能够开发出高能效的新产品。”　　ST67W611M1依托STM32生态系统的资源优势，该生态覆盖4,000多款微控制器，包括强大的STM32Cube开发工具和软件，以及支持边缘人工智能开发的增强功能。STM32是一个庞大的产品家族，涵盖经济实惠的Arm® Cortex®-M0+微控制器和搭载高性能内核的高端产品，例如，基于Cortex-M55的微控制器、带DSP扩展指令集的Cortex-M4微控制器和搭载Cortex-A7内核的STM32MP1/2微处理器。

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意法半导体

发布时间：2025-06-05 10:37 阅读量：254 继续阅读>>

意法<span style='color:red'>半导体</span>车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

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意法半导体车规栅极驱动器提升电动汽车电驱系统的可扩展性和性能

　　意法半导体的SiC MOSFET和IGBT电隔离车规栅极驱动器STGAP4S可以灵活地控制不同额定功率的逆变器，集成可设置的安全保护和丰富的诊断功能，确保电驱系统通过ISO 26262 ASIL D认证。STGAP4S驱动器集成模数转换器(ADC)和反激式电源控制器，功能丰富，取得了功能安全标准认证，适用于设计可扩展的电动汽车电驱系统。　　STGAP4S的设计灵活性归功于输出电路，该电路允许将高压功率级连接到外部MOSFET的推挽式缓冲电路，以调整栅极电流。这种架构让工程师能够利用STGAP4S及其丰富的功能来控制不同额定功率的逆变器，包括多个功率开关管并联的高功率设计。该驱动器仅用非常小的MOSFET，就可以产生高达几十安的栅极驱动电流，并能够处理高达1200V的电压。　　在驱动器的重要功能中，先进的诊断功能有助于对安全要求严苛的应用达到系统安全完整性标准ISO 26262 D级(ASIL-D)认证。自检功能可以验证连接的完整性、栅极驱动电压和去饱和以及过流检测等内部电路是否正常工作。主控制器通过芯片的SPI端口读取诊断状态寄存器内的数据。此外，两个硬件诊断引脚也可以提供故障状态信号。　　STGAP4S具有主动米勒箝位、欠压和过压锁定(UVLO、OVLO)以及去饱和、过电流和过热检测等保护功能，实现稳健可靠的设计，满足严格的可靠性要求。该产品具有很高的设计灵活性，准许设计人员通过SPI端口配置一些参数，包括保护阈值、死区时间、去毛刺滤波。　　STAGP4S还集成了一个带全面保护功能的反激电源控制器，为高压侧电路供电以生成正负栅极驱动电压，提高SiC MOSFET的开关速度和能效。高压侧和低压侧电路之间有6.4kV的电隔离能力。

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意法半导体

发布时间：2025-05-29 15:00 阅读量：252 继续阅读>>

全球<span style='color:red'>半导体</span>一季度收入1677亿！大涨18%！

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全球半导体一季度收入1677亿！大涨18%！

　　据WSTS 报告称，2025 年第一季度半导体市场收入为1677 亿美元，比去年同期增长 18.8%，比上一季度下降 2.8%。2025 年第一季度对于大多数主要半导体公司来说都是疲软的。　　下表中的 16 家公司中有 10 家的收入与 2024 年第四季度相比有所下降，从博通的 -0.1% 到意法半导体和铠侠的下降超过 20%。六家公司报告收入增长，从德州仪器的 1.5% 到英伟达的 12% 不等。2025 年第二季度的前景喜忧参半。在提供指引的 14 家公司中，有 9 家预计 2025 年第二季度的收入将较 2025 年第一季度增长，其中 SK 海力士的增长幅度最高，为 14.6%。联发科预计收入持平。四家公司预计收入将下降，其中铠侠的降幅最大，为 10.7%。　　大多数公司都将关税带来的经济不确定列为其前景的一个因素。依赖汽车和工业市场的公司正在复苏，强劲的人工智能需求正在推动英伟达和内存公司的增长。　　IDC 的数据显示，服务器市场是2024 年的主要驱动因素，以美元价值计算增长了 73%。预计 2025 年将呈现健康增长，但以美元计算的增长率将大大降低，为 26%。IDC 预测，2025 年智能手机出货量仅增长 2.3%，低于 2024 年的 6.1%。　　IDC 的数据显示，个人电脑是唯一一个预计在 2025 年增长率将有所增长的主要驱动因素，增长率将为 4.3%，高于 2024 年的 1.0%。尽管存在关税不确定，但对 Windows 10 的支持终止和人工智能计算的增加应该会推动个人电脑的增长。　　最近对2025年全球半导体市场增长的预测范围从Semiconductor Intelligence的7%到TechInsights的14%不等。尽管TechInsights的预测最高，但他们预计，中等程度的关税影响将使增长率降至8%，而严重的关税影响则将降至2%。　　我们对2025年7%的预测主要基于关税的不确定性。关税可能不会直接影响半导体，但可能会对汽车和智能手机等关键驱动因素产生影响。半导体市场的疲软可能会延续到2026年，导致增长率维持在低个位数。

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半导体

发布时间：2025-05-29 14:21 阅读量：257 继续阅读>>

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“AI+”推动，我国半导体器件专用设备制造利润大增105.1%！

　　5月27日，国家统计局发布2025年1—4月份全国规模以上工业企业利润数据。数据显示，1—4月份，全国规上工业企业实现利润总额21170.2亿元，同比增长1.4%。制造业实现利润总额15549.3亿元，增长8.6%。　　国家统计局工业司统计师于卫宁分析指出，4月份，各地区、各部门加快落实更加积极有为的宏观政策，有力有效应对外部挑战，工业生产实现较快增长，带动规模以上工业企业利润增长加快。特别是以装备制造业、高技术制造业为代表的新动能行业利润增长较快，彰显工业经济发展韧性。　　工业企业利润增长加快。1—4月份，规上工业企业利润增长1.4%，较1—3月份加快0.6个百分点，延续恢复向好态势。从行业看，在41个工业大类行业中，有23个行业利润同比增长，增长面近六成。4月份，全国规模以上工业企业利润同比增长3.0%，较3月份加快0.4个百分点。　　装备制造业引领作用突出。随着工业产业优化升级深入推进，装备制造业效益持续提升。1—4月份，装备制造业利润同比增长11.2%，较1—3月份加快4.8个百分点;拉动全部规模以上工业利润增长3.6个百分点，拉动作用较1—3月份增强1.6个百分点，对规模以上工业利润增长的引领作用突出。从行业看，装备制造业的8个行业中，有7个行业利润实现两位数增长，6个行业较1—3月份增速加快，其中，仪器仪表、电气机械、通用设备、电子等行业利润分别增长22.0%、15.4%、11.7%、11.6%，较1—3月份加快6.7个、7.9个、2.2个、8.4个百分点。　　高技术制造业利润增长加快。1—4月份，高技术制造业利润同比增长9.0%，较1—3月份加快5.5个百分点，增速高于全部规模以上工业平均水平7.6个百分点。从行业看，随着制造业高端化持续推进，生物药品制品制造、飞机制造等行业利润同比增长24.3%、27.0%;“人工智能+”行动深入推进，半导体器件专用设备制造、电子电路制造、集成电路制造等行业利润分别增长105.1%、43.1%、42.2%;智能化产品助力数智化转型，相关的智能车载设备制造、智能无人飞行器制造、可穿戴智能设备制造等行业利润分别增长177.4%、167.9%、80.9%。　　“两新”政策效应持续显现。1—4月份，各地区各有关部门用足用好超长期特别国债资金，推动“两新”加力扩围政策继续显效。在大规模设备更新相关政策带动下，专用设备、通用设备行业利润同比分别增长13.2%、11.7%，合计拉动规模以上工业利润增长0.9个百分点。其中，电子和电工机械专用设备制造、通用零部件制造、采矿冶金建筑专用设备制造等行业利润快速增长，增速分别为69.8%、24.7%、18.3%。消费品以旧换新政策加力扩围效果明显，家用电力器具专用配件制造、家用厨房电器具制造、非电力家用器具制造等行业利润分别增长17.2%、17.1%和15.1%。　　“总体看，1—4月份规模以上工业企业利润稳定恢复，展现出我国工业强大韧性和抗冲击能力。但也要看到，国际环境变数仍多，需求不足、价格下降等制约因素仍然存在，工业企业效益稳步恢复的基础还需继续巩固。”于卫宁表示，下阶段，要深入贯彻落实党中央、国务院决策部署，推动科技创新和产业创新融合发展，优化调整产业结构，加快传统产业转型升级，培育壮大新兴产业，促进工业企业效益持续恢复向好。

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发布时间：2025-05-29 11:40 阅读量：243 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BP3621	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor

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