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太阳诱电：扩充面向AI<span style='color:red'>服务器</span>的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

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太阳诱电：扩充面向AI服务器的产品阵容，实现2012尺寸下100μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出2012尺寸(2.0×1.25mm)下的100μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。在9月份商品化的1005尺寸基板内置型MLCC的基础上，进一步扩充的产品阵容。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了2012尺寸下100μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年11月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个120日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了2012尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到100μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途　　规格

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太阳诱电

发布时间：2025-12-12 16:16 阅读量：302 继续阅读>>

士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI<span style='color:red'>服务器</span>电源系统创新升级

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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。

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士兰微

发布时间：2025-12-10 17:20 阅读量：321 继续阅读>>

矽力杰AI<span style='color:red'>服务器</span>48V散热风扇解决方案

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矽力杰AI服务器48V散热风扇解决方案

　　随着AI算力需求爆发式增长与智能制造的持续升级，数据中心的热密度不断攀升，散热系统已成为保障关键基础设施稳定运行的“生命线”。无论是散热风扇还是水泵，其精准控制都离不开预驱芯片这一“神经中枢”。　　矽力杰SQ55560作为一款专为无传感器三相BLDC电机设计的驱动IC，集成了正弦电流控制与灵活闭环算法，不仅大幅减少外部元器件数量、简化电路结构，更在散热风扇小型化方面提供了关键技术支持。　　芯片简介　　矽力杰SQ55560是一款最高支持80V电压的三相无刷风扇驱动芯片，专为BLDC应用设计。其内置MTP内存，支持免MCU系统配置，集成单电流采样、无传感器控制算法和四线制功能，集成12V Buck，尽可能简化外围BOM，有力推动散热系统的小型化进程。　　矽力杰SQ55560具备过欠压、过流、短路、开路、堵转、过温等多重保护功能，支持顺逆风启动，显著提升设备运行可靠性。同时，支持多种转速控制方式，灵活适配多样化应用场景。内置的Buck DC-DC转换器具备抖频功能，有效优化芯片的EMC表现。　　◆ 电源电压范围：6-80V　　◆ 睡眠模式　　◆ 集成多种电源模块　　♢ 高效率12V Buck DC-DC带抖频功能　　♢ 电荷泵升压电路　　♢ 5V LDO　　◆ BLDC无传感器正弦电流控制　　♢ 单电阻采样　　♢ 支持正反转控制　　♢ 顺/逆风启动　　♢ 开闭环调速控制　　♢ FG转速反馈　　♢ MTP存储用户配置与速度曲线　　◆ 标准I2C通讯　　◆ 四线制支持SP/FG复用为I2C通讯端口　　◆ 多样的转速控制模式　　♢ PWM频率/占空比　　♢ 模拟VSP电压　　♢ I2C　　◆ 全面的保护功能　　♢ 可调节死区　　♢ 堵转检测　　♢ 短路/开路/过流/过欠压/过温保护　　◆ QFN4*4-32封装四线制解决方案应用框图　　服务器风扇测试板(直径22mm)　　核心优势　　集成BUCK，精简外围BOM　　矽力杰SQ55560内置12V BUCK电路，只需外接一个4.7uF电容及一个47uH电感即可工作，最大程度减少芯片外围BOM。整个应用电路，除三相桥6个MOS及母线电容外，最少只需1个4.7uF/25V电容，2个220nF/25V电容，1个1uF/10V电容，1个47uH电感及一个母线采样电阻，最大程度减少外围BOM，从而实现更小PCB设计并减少物料成本。最少系统应用　　三相无感正弦电流控制，重塑设备静谧体验　　通过精准的正弦电流跟踪，有效降低电机转矩脉动，从源头减少系统噪声与振动，为散热风扇与水泵注入“静音基因”，提升机房硬件稳定性、延长寿命、优化机房环境并降低运维成本，助力高效可靠的数据中心运营。　　极速响应，瞬间启动　　采用高效环路控制，动态响应速度快，可在3秒内完成从0到全速域的极速跃升。高并发任务不“降频”，急速热响应让服务器“满血输出”。　　顺风逆风皆稳启，保障设备极端环境可靠运行　　矽力杰独创算法，面对大型数据中心机柜布局、环境扰动与负载波动形成的极端气流环境亦能稳定启动——让复杂风况尽在掌控，确保服务器散热始终稳定可靠。　　引脚复用，四线制赋能免拆机调试　　矽力杰SQ55560具备四线制功能，通过SP/FG引脚复用为I2C通讯引脚(SCL/SDA)，实现了调试接口与功能接口的一体化整合。这一功能允许用户在设备组装完成后，直接通过原有风扇连接线进行参数配置与状态监控，无需拆卸外壳或额外部署通讯线缆，大幅提升调试与维护效率。　　结语　　矽力杰SQ55560以“高集成度、低振动、易配置”三大核心优势，推动无刷风扇驱动从“功能实现”向“智能化体验”升级，为下一代智能散热系统提供坚实的技术支撑。

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矽力杰

发布时间：2025-11-19 13:44 阅读量：403 继续阅读>>

ROHM推出适用于AI<span style='color:red'>服务器</span>的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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ROHM

发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：488 继续阅读>>

<span style='color:red'>服务器</span>DRAM暴涨50%！

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服务器DRAM暴涨50%！

　　由于人工智(AI)热潮所带来的服务器DRAM需求持续增长，DRAM市场的供应已经失衡，这也导致DRAM价格持续上涨。　　据台媒《电子时报》(DigiTimes)报道，美国和中国的主要超大规模云端企业目前只收到了他们订购的70%的服务器DRAM。与此同时，他们采购的DRAM价格也上涨了50%，远高于今年早些时候预计的30%的涨幅。　　目前AI数据中心所需的AI加速器对于HBM需求量很大、利润也更高，这也使得SK海力士、三星等头部DRAM大厂纷纷将更多的产能转向了生产HBM，而每产出一份HBM更是需要消耗三份的DDR产能，这也导致了对于包括消费类DDR内存在内其他类型DDR需求的排挤。即便是数据中心对于传统的DDR5 RDIMM 的需求也超过了供应。　　相关报道显示，三星最近已将服务器SSD价格提高了35%，RDIMM 合同费率提高了50%，理由是企业和云客户的持续需求超过了供应。　　自9月下旬以来，DRAM现货价格也在持续飙升。报道称，几家顶级供应商拒绝为10月份的分配报价。上个月交易价格为7至8美元的DDR5 16GB模块现在价格已经徘徊在13美元左右，供应将进一步收紧到11月。DRAM模组制造商正在为本季度末的缺货情况做好准备。　　其他市场表现更糟。DRAM渠道参与者和小型原始设备制造商的订单履行率只有接近35%至40%。随着超大规模企业锁定固定DRAM分配，优先级较低的客户被推到价格更高的现货市场，或被告知等到2026年才能获得一定的供应。　　美光在最近的财报电话会议上对此发出警告，DRAM 是一个“紧张的行业”，DRAM容量供应增长将滞后于2026年年底的需求。市场研究机构TrendForce指出，随着供应商转向中国的日常定价，并避免将自己锁定在糟糕的交易中，某些DRAM模块的报价可能会被冻结。这导致零售 DDR5 价格攀升，在年底前没有稳定的迹象。　　与此同时，DDR4价格正在缓慢下降。中国南亚科技最近表示，标准DDR4仅占DRAM市场总量的20%，不再优先量产。除非需求意外降温或收益率大幅提高，否则到2026 年，除顶级买家外的所客户的 DRAM 分配将受到限制。这也推动了客户加速转向DDR5。　　《电子时报》预测，明年服务器内存半导体需求将保持强劲，这可能导致DRAM短缺持续到年底。该报告还预测，即使供需缺口逐渐缩小，未来一到两年内，内存半导体制造商的供应能力也可能低于需求10%以上。

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DRAM

发布时间：2025-10-29 14:20 阅读量：593 继续阅读>>

传美光科技将退出中国数据中心<span style='color:red'>服务器</span>芯片业务！

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传美光科技将退出中国数据中心服务器芯片业务！

　　当地时间10月17日，路透社援引两名知情人士消息报道称，美国存储芯片巨头美光科技计划退出其在中国的数据中心服务器芯片业务。　　知情人士称，美光计划停止向中国数据中心供应服务器芯片，但将继续向两家在中国境外拥有重要数据中心业务的中国客户供货。知情人士还称，美光在上一财年来自中国大陆的收入约为34亿美元，占其全球总收入的12%。未来，美光仍将继续向中国市场的汽车和智能手机领域客户销售芯片。　　据了解，2023年用于计算的数据中心在中国的投资额激增九倍，达到247亿元人民币。而这一空白为中国本土存储行业企业带来了利好，在这期间，以长江存储、长鑫存储为代表的企业抓住机会积极扩张。　　据美光科技此前公布的财务数据，在截至8月28日的2025财年第四季度，美光科技营收113.2亿美元，同比增长46%，上年同期为1.18美元。2025财年全年，美光科技营收达到373.78亿美元。其中，用于AI数据处理的HBM是美光利润最高的产品之一。包括为数据中心客户提供HBM在内，美光专注为超大规模云计算客户服务的云存储业务(CMBU)营收45.43亿美元，同比增长213.5%。　　另一方面，知情人士还提到，美光在中国的数据中心团队雇员超过300人。但目前尚不清楚此次业务调整将影响到多少岗位。　　值得注意的是，《南华早报》在不久之前的8月份曾爆料称，美光科技启动了在华新一轮裁员，主要涉及移动NAND产品有关部门。此前，因移动NAND产品长期处于市场疲软状态，财务表现持续不佳，美光已宣布在全球范围内停止移动 NAND产品的开发。随后，该公司针对其中国大陆业务部门进行了裁员，涉及研发、测试及支持等岗位。一名不愿具名的员工当时透露称，该次裁员涉及了超过300个职位。　　此外，美光并非首家调整在华业务的跨国科技公司。今年以来，已有IBM、微软、亚马逊等多家知名科技公司对其在华业务进行了调整。

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美光

发布时间：2025-10-21 15:08 阅读量：536 继续阅读>>

太阳诱电：面向AI<span style='color:red'>服务器</span>，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

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太阳诱电：面向AI服务器，实现1005尺寸下22μF的基板内置型多层陶瓷电容器商品化

　　太阳诱电株式会社研发出1005尺寸(1.0×0.5mm)下的22μF电容基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称"MLCC")，在商品化，并已开始量产。　　该产品是一种用于IC电源线的去耦MLCC，主要应用于AI服务器等信息技术设备。　　内置在基板上的部件，为了与电路连接，要求外部电极具有高精度的平坦性。因此，本公司通过提升外部电极形成技术等多种关键技术，成功实现了1005尺寸下22μF的基板内置型MLCC的商品化。　　该商品已于2025年8月在玉村工厂(群马县佐波郡)开始量产。本公司的样品价格是1个20日元。　　以AI服务器为代表的具备高级信息处理能力的设备，搭载了功耗极高的IC。对于此类电源电路的去耦应用，需要采用小型且大容量的MLCC来满足大电流需求。　　此外，为了将电路上的损耗和噪声降至最低，将电源电路布置在IC附近至关重要。传统的电源电路布置在IC周围，但如今技术发展已实现在基板背面或IC正下方内置等更近距离的配置方式。特别是对于基板内置型MLCC，为实现与导线的连接，具备高精度外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电通过提升外部电极形成技术等工艺，成功实现了1005尺寸的基板内置型MLCC的商品化，其容量达到22μF。　　今后我们将继续推进MLCC的产品开发，并致力于实现更大容量等方面的进步。　　■用途　　以AI服务器为首的信息设备中用于IC电源线的去耦用途

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发布时间：2025-10-21 14:30 阅读量：436 继续阅读>>

瑞萨电子与奥海科技联合创新实验室正式揭牌，共拓高功率<span style='color:red'>服务器</span>电源技术新赛道

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瑞萨电子与奥海科技联合创新实验室正式揭牌，共拓高功率服务器电源技术新赛道

　　近日，瑞萨电子与东莞市奥海科技股份有限公司(以下简称“奥海科技”)联合创新实验室揭牌仪式在奥海科技总部隆重举行。联合创新实验室的成立标志着瑞萨电子与奥海科技围绕高功率电源技术的合作，正式迈向资源深度整合、技术协同攻关的实践新阶段，为双方后续实现技术突破、提升产品竞争力奠定坚实基础。　　合作动态瑞萨电子中国总裁赖长青(左二)奥海科技研发副总郭修根(右二)瑞萨电子中国区资深技术总监郑军(左一)奥海科技董事会秘书蔺政(右一)　　瑞萨电子与奥海科技双方核心团队出席联合创新实验室揭牌仪式。瑞萨电子中国总裁赖长青、中国区资深技术总监郑军，奥海科技研发副总郭修根、董事会秘书蔺政以及双方团队成员共同出席。此外，成之杰科技(Sotel)项目管理副总裁张永春受邀出席，共同见证这一重要时刻。双方代表深入交流合作规划，为联合创新实验室的未来发展凝聚共识。　　合作动态　　作为瑞萨电子深化与奥海科技合作的重要载体，联合实验室以“诚实互信、友好合作、互惠互利”为宗旨，瑞萨将依托自身在氮化镓(GaN)、微控制单元(MCU)、光耦等关键元器件领域的技术积累，与奥海科技在电源产品开发与产业化落地的丰富经验相结合，聚焦高功率服务器电源(PSU)、800V HVDC、直流变换(DCX)解决方案的核心研发任务，共同攻克技术难点，加快12KW服务器电源等前沿产品的开发速度，推动产品性能与性价比双重提升，进一步巩固瑞萨在半导体行业的技术领先地位。　　合作动态　　未来，瑞萨将持续深化与奥海科技的合作，在技术研发、产品迭代、市场推广等方面携手共进，充分整合双方资源优势，为全球客户提供更具竞争力的电源解决方案，共同推动高功率电源行业的创新发展。

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发布时间：2025-10-17 13:43 阅读量：481 继续阅读>>

搭载国民技术可信计算方案NS350的兆芯新款<span style='color:red'>服务器</span>CPU KH-50000发布

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搭载国民技术可信计算方案NS350的兆芯新款服务器CPU KH-50000发布

　　搭载国民技术可信计算方案NS350的兆芯新款服务器CPU KH-50000发布！

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国民技术

发布时间：2025-09-30 14:32 阅读量：568 继续阅读>>

太阳诱电：面向AI<span style='color:red'>服务器</span>的全新产品发布

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太阳诱电：面向AI服务器的全新产品发布

　　太阳诱电株式会社面向AI服务器的全新产品发布：0402英寸(1.0x0.5mm)实现静电容量22μF的基板内置型多层陶瓷电容器(以下简称“MLCC”)商品化，并开始量产。　　该产品是用于以AI服务器为首的信息设备的IC(注1)电源线的去耦(注2)用途的MLCC。　　由于与电路连接，内置于基板的部件在外部电极的平坦性等方面要求高精度。因此，本公司通过使外部电极形成技术等各种要素技术高度化，将0402英寸(1.0x0.5mm)实现22μF的内置基板对应的MLCC商品化。　　以AI服务器为首的具有高级信息处理能力的设备中，搭载了耗电量极高的IC。这种电源电路的去耦应用需要小型、大容量MLCC来应对大电流。　　此外，为了将电路损耗和噪声降到最小，将电源电路放置在IC附近非常重要。以往的电源电路配置在IC的周围，但内置在基板背面或IC正下方等更近配置的技术开发正在进行，特别是内置基板的MLCC与导线的连接，因此高精度的外部电极的MLCC不可或缺。　　因此，太阳诱电将外部电极形成技术等高度化，在0402英寸(1.0x0.5mm)的内置基板对应的MLCC中，将全球首个容量为22μF的MLCC商品化。　　今后将继续推进MLCC的产品开发，进一步实现大容量化等。　　■用途　　用于包括AI服务器在内的信息设备中的IC电源线去耦用途　　■术语解说　　(注1)IC：集成了电容器、晶体管、二极管、电阻等元件，具有各种功能的电子回路路。　　(注2)去耦：在IC等的电源线中，供给IC的动作所需的电，并且除去经由电源线进入的噪声等。

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太阳诱电

发布时间：2025-09-12 17:13 阅读量：592 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
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BP3621	ROHM Semiconductor
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TPS63050YFFR	Texas Instruments
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
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