东芝“卖血记”后续:迅速提升3D NAND产能追赶三星

Release time：2017-09-22
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东芝公司已正式在9月20日决定将旗下半导体事业以2兆日圆出售给由美国私募股权业者贝恩资本（Bain Capital）代表的美日联盟，由于此出售案较预期延宕，对于NAND Flash市场的产能影响，预期要到明年上半年才会趋于明显；中长期而言，在资金到位的情况下，将有助东芝在3D-NAND产能与技术上力拼三星。

DRAMeXchange资深研究经理陈玠玮指出，此次出售案的收购对象日美韩联盟成员中包括日本政府支持的产业革新机构（INCJ）财团、日本发展银行（DBJ）、贝恩资本（Bain Capital）及韩国的SK Hynix集团等资金来源，加上苹果等业者，此阵营若能取得东芝经营权，在国家力量的支持下，管理高层的变动性与公司未来经营方向的变化性预料不会有太大的变化。

新成员加入对于东芝/西数阵营，未来在新技术研发方向与新产能建设上无疑是注入一剂强心针。平均而言，一座NAND Flash新厂耗资约80亿美元（月产能约8-10万片），若是只靠东芝或是西数单一财务能力来看，长期而言，无论是在扩产或是技术研发皆难以与龙头三星比拼。

就全球3D-NAND产能分布来看，东芝/西数阵营今年第二季的3D-NAND月产能只占总产能的10-15%水平，反观其主要竞争对手三星，其3D-NAND月产能占比已超过40%；美光/英特尔阵营的3D-NAND产能从去年下半年量产后，预期今年第三季占比将会突破40%。造成东芝/西数阵营落后的原因，即在于东芝母公司的财务问题。

观察东芝/西数阵营在3D-NAND的布局状况，今年上半年主流制程为48层3D-NAND，预期今年第四季3D-NAND的占比将会占东芝/西数阵营整体产能约30%水平。在产能规划上，新的半导体厂房Fab6在2017年3月已开始动工兴建，预计在2019年才会开始量产最新的3D-NAND产品。值得注意的是，由于东芝与西数目前对于新厂的合作态度与先前有所不同，所以日后可能仍有变数存在。

就短期的影响来看，陈玠玮表示，因为股权标案落幕时间较原先东芝规划来得晚，所以对市场的影响也会后推至明年上半年。预估在东芝3D-NAND产能扩充与良率提升速度可望优于预期下，加上明年上半年市场需求能见度不高的情形下，市场预期会转变成供过于求的状况，进而导致NAND Flash价格反转向下。

中长期影响：资本支出不再受制母公司，大幅改善决策效率与积极度

观察中长期的影响，东芝经过这次股权标案后，将独立于东芝集团之外成为百分之百的NAND Flash半导体公司，未来新公司的资本支出结构将不用再受到东芝母公司过去财务问题与内部间资源分配不均的拖累，而能更专注在NAND Flash相关的技术与产能投入，未来无论是在策略积极度、决策效率上都将较以往提升。

最后，观察本次的出售案，若要顺利成行，关键的决定因素仍在于西数的态度以及双方未来可能的协商状况。目前东芝与西数仍共同出资持有生产工厂，东芝与西数持有比重为55:45，东芝若确定出售，未来与西数的合作模式与状况，以及新厂产能如何分配，也将成为重要的观察指标。

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东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器
行业新闻

东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”，具备+6.8 A/–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。　　在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中，当下桥臂[2]关闭时，米勒电流[1]可能会产生栅极电压，进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有，在栅极关闭时，对栅极施加负电压。　　对于部分SiC MOSFET而言，具有比硅(Si)MOSFET更高的电压、更低的导通电阻以及更快的开关特性，但栅极和源极之间可能无法施加足够的负电压。在这种情况下，有源米勒钳位电路的应用使米勒电流从栅极流向地，无需施加负电压即可防止短路。然而由于部分削减成本的设计，导致其在IGBT关断时减少用于栅极的负电压。而且在这种情况下，内建有源米勒钳位的栅极驱动器是可以考虑的选项。　　TLP5814H内建有源米勒钳位电路，因此无需为负电压和外部有源米勒钳位电路提供额外的电源。这不仅为系统提供安全功能，而且还可通过减少外部电路来助力实现系统的最小化。有源米勒钳位电路的导通电阻典型值为0.69 Ω，峰值钳位灌电流额定值为6.8 A，因此非常适合作为SiC MOSFET的栅极驱动器，SiC MOSFET对栅极电压变化非常敏感。　　TLP5814H通过增强输入端红外发射二极管的光输出并优化光电检测器件(光电二极管阵列)的设计实现了–40 °C至125 °C的额定工作温度，从而可提高光耦合效率。因此，面对严格热管理的工业设备，比如光伏(PV)逆变器和不间断电源(UPS)等是十分适合的。此外，其传输延迟时间和传输延迟偏差也规定在工作温度额定值范围内。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm(典型值)的小型SO8L封装有助于提高系统电路板的部件布局灵活性。此外，它还支持8.0 mm的最小爬电距离，进而可将其用于需要高绝缘性能的应用。　　未来东芝将继续开发光电耦合器产品，助力增强工业设备的安全功能。　　应用　　工业设备　　● 光伏逆变器、UPS、工业逆变器以及AC伺服驱动等　　　　● 内建有源米勒钳位功能　　● 额定峰值输出电流：IOP=+6.8 A/–4.8 A　　● 高工作温度额定值：Topr(最大值)=125 °C　　主要规格　　(除非另有说明，否则Ta=-40°C至125°C)　　注：　　[1] 米勒电流：当高dv/dt电压应用于MOSFET的漏极和栅极之间的电容或IGBT的集电极和栅极之间的电容时，产生的电流。　　[2] 下桥臂是从使用电源器件的电路的负载中吸收电流的部件，例如串联至电源负极(或接地)的逆变器，而上桥臂则是从电源为负载提供电流的部件。　　[3] 上桥臂和下桥臂短路：由于噪声引起的故障或开关过程中米勒电流引起的故障，上下电源器件同时接通的现象。
2025-03-14 10:55 reading：387
东芝功率半导体后道生产新厂房竣工
行业新闻

东芝功率半导体后道生产新厂房竣工

　　日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上，并将于2025财年上半年开始全面生产。　　新厂房旨在通过采用RFID[1]标签提高工作效率，并提高库存管理的准确性来推动智能工厂计划。该设施将100%由可再生能源供电，包括根据购电协议在建筑物屋顶上安装太阳能电池板等。　　功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件，在电力供应和能耗控制方面发挥着至关重要的作用。汽车的持续电气化和工业设备对更高效率的要求预计将推动市场对功率半导体的长期需求。东芝将通过对前道和后道生产设施的投资来应对这一挑战，并将通过稳定供应高效、高可靠性产品来满足市场增长。　　新生产设施将使姬路工厂的车载功率半导体生产能力较2022财年增加一倍以上，为推进碳中和作贡献。　　       新生产厂房概况　　建筑面积：4,760.31 m2　　总建筑面积：9,388.65 m2　　结构：钢架结构，地上2层　　竣工时间：2025年3月　　用途：功率半导体制造(后道工艺)　　姬路工厂 - 半导体工厂概况　　地点：日本兵库县揖保郡太子町鵤-300　　占地面积：246,800.08 m2　　总经理：Kyozo Takeo　　员工：约1,400人(截至2025年1月)　　主要产品：分立半导体(功率器件、小信号器件)　　[1]射频识别(RFID)是指利用小型IC芯片和天线记录信息的自动识别技术。
2025-03-14 09:31 reading：313
东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸
行业新闻

东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC，助力缩小设备尺寸

　　东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”，其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机[2]和锁定电机[3]，以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。　　汽车部件现已基本实现电气化，电机的需求以及在汽车中集成的电机数量都在增加。随着电动机中使用的驱动IC数量的增加，人们更倾向采用高集成度和小型化的系统解决方案。此外，有些电机应用不需要控制转速，只需具有简单功能和性能的驱动IC。　　TB9103FTG可为无需控制速度的直流有刷电机提供优化的栅极驱动IC功能和性能，为实现更紧凑设计开辟了道路。它具有内置的电荷泵电路[4]，可确保为驱动电机外部MOSFET供电所需的电压。此外，它还具有栅极监控功能，可通过为高低侧外部MOSFET自动控制栅极信号输出时序，防止生成直通电流。与此同时，该IC还内置睡眠功能，可在待机时降低功耗。　　这款全新IC既可用作单通道H桥，也可用作双通道半桥。除了作为电机驱动IC外，它还能与外部MOSFET结合，替代机械式继电器以及其它机械开关，有助于实现更安静的运行以及更高的设备可靠性。　　TB9103FTG采用4.0 mm×4.0 mm(典型值)VQFN24封装，有助于缩小设备尺寸。　　东芝网站上现已发布“使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路”的参考设计。　　未来东芝将继续扩大其车载电机驱动IC的产品线，为车载设备的电气化和安全性提高做出贡献。　　应用：　　车载设备　　用于电动后门及电动滑门使用的闩锁电机和锁定电机的驱动器;用于车窗和电动座椅等的电机的驱动器　　特性：　　精简的功能和性能有助于小型化　　小型封装　　低待机功耗(内置睡眠功能)　　可用作单通道H桥或双通道半桥的栅极驱动IC　　符合AEC-Q100(Grade 1)标准　　主要规格：　　注：　　[1] 栅极驱动IC：驱动MOSFET的驱动IC。　　[2] 闩锁电机：系统中用于保持车门关闭的电机。　　[3] 锁定电机：系统中与钥匙配合工作，为车门上锁和开锁，以防出现犯罪行为而使用的电机。　　[4] 电荷泵电路：使用电容器和开关升压的电路。
2025-03-14 09:11 reading：270
东芝12寸晶圆工厂竣工！
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东芝12寸晶圆工厂竣工！

　　5月26日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本石川县的主要分立半导体生产基地—加贺东芝电子株式会社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)举行仪式，庆祝新的300mm功率半导体晶圆制造工厂和办公楼竣工。　　建设的完成是东芝多年投资计划第一阶段的一个重要里程碑。东芝目前将进行设备安装，争取在2024财年下半年开始量产。　　一旦一期工程全面投产，东芝功率半导体(主要是MOSFET和IGBT)的产能将是2021财年制定投资计划时的2.5倍。关于二期建设和开始运营的决定将反映市场趋势。　　新的制造大楼遵循东芝的业务连续性计划(BCP)，并将为东芝的业务连续性计划(BCP)做出重大贡献：它具有吸收地震冲击的隔震结构和冗余电源。　　来自可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源(现场PPA模式)将使该设施能够通过可再生能源满足100%的电力需求。　　人工智能(AI)的使用将提高产品质量和生产效率。东芝还将获得日本经济产业省的拨款，以补贴其部分制造设备的投资。　　功率半导体在电力供应和控制中发挥着至关重要的作用，是电气设备提高能源效率的重要器件。随着汽车的持续电气化和工业机械的自动化，需求将持续强劲增长。　　东芝于2022财年下半年在加贺东芝电子现有工厂开始在一条新的300毫米晶圆生产线上开始功率半导体生产。展望未来，该公司将通过新工厂扩大产能，进一步为碳中和做出贡献。
2024-05-27 15:22 reading：844
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