DRAM产业第三季营收增16.2%创新高,第四季价格平均涨幅10%

Release time:2017-11-15
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根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,2017年第三季度的 DRAM产业 营收表现又再度创下历史新高,受惠于传统销售旺季加上供给端成长有限,各类DRAM产品合约价普遍较前一季再上涨约5%。从市场面观察,第三季度DRAM总营收较上季再成长16.2%,整体产业仍处于供货吃紧的状态。
展望下一个季度,DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出,整体而言,第四季DRAM 价格 平均涨幅将落在10%。其中,PC-OEM厂已议定第四季度合约价格,就一线大厂定价来看,均价已正式突破30美元,落在30.5美元,较上一季平均涨幅约达7%;从市场面来观察,此波涨幅主要受到行动式内存接棒涨价带动,配合DRAM供给吃紧的状况延续,以及智能手机旗舰机种的旺季效应,以三星为首的DRAM厂决定调升行动式内存报价,而手机客户为了备有足够库存也只能接受,因此行动式内存在第四季涨幅约有10-20%(取决于不同的容量);而服务器内存拉货动能亦十分强劲,第四季度合约价继续上涨6-10%。
DRAM产业第三季营收增16.2%创新高,第四季价格平均涨幅10%
两大韩厂第三季合并市占率达74.5%,美光第四季可望缩小市占差距
综观第三季营收表现,三星依然稳坐DRAM产业的龙头,营收来到88亿美元,较第二季成长15.2%,再度创下历史新高;而SK海力士营收金额来到55亿美元,较前一季成长22.5%,成长动能显著,两大韩厂的市占各为45.8%与28.7%,合计已囊括74.5%的市占率。美光集团仍旧维持第三,营收金额为40亿美元,季增13.0%,市占21.0%。由于SK海力士本季平均销售单价高于美光,导致两者三季的市占差距持续扩张;展望第四季,由于美光逆势成为价格领导者,价格涨幅超越两大韩系厂,预计将缩减与第二名的市占差距。
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益,三星第三季度营业利益率冲破60%大关,来到62%历史新高;SK海力士亦从第二季度的54%再提升至56%;美光在17nm良率逐渐稳定下,营业利益率从44%来到50%,成长最为显著。展望第四季,受惠于DRAM价格持续上涨,各家获利可望进一步提升。
DRAM产业第三季营收增16.2%创新高,第四季价格平均涨幅10%
三星正思索扩产计划,SK海力士与美光专注良率与制程转进
观察各厂技术与产能布局,三星今年的目标除了专注于18nm制程的持续转进外,近几季DRAM同业的高获利,亦刺激三星开始思索可能的DRAM扩产计划,一方面应对供给吃紧状况,另一方面则期望提高DRAM产出量,压抑DRAM价格上涨幅度。三星此举将可巩固领先地位,维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。
反观SK海力士今年目标还是着重于21nm的良率提升与该制程占比,18nm制程产品则预计年底会有小量出货;至于扩厂计划,SK海力士在中国无锡新建的第二座12英寸厂最快要到2019年才会有产能开出;而美光方面,台湾美光内存(原瑞晶)目前仍致力于改善17nm产品的稳定度,预期到年底良率可达80%以上,而台湾美光晶圆科技(原华亚科)今年仍以20nm制程良率的提升为主,明年将可望有一半产能转往17nm生产。
台系厂商部分,南亚科第三季营收较前一季小幅成长5.3%,主要因为该公司以利基型产品为主,价格上扬幅度不及国际大厂较完整的产品线。展望未来,由于该公司20nm良率继续提升,将会持续改善成本结构,增加南亚科的获利空间。力晶科技方面,DRAM季营收下滑3.6%,主因是替晶豪科、爱普等代工的获利佳,排挤部分DRAM产能;华邦方面营收则成长8.7%,但由于后续制程转进状况不明,未来获利状况将完全受内存平均销售单价提升的牵动。
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服务器DRAM暴涨50%!
  由于人工智(AI)热潮所带来的服务器DRAM需求持续增长,DRAM市场的供应已经失衡,这也导致DRAM价格持续上涨。  据台媒《电子时报》(DigiTimes)报道,美国和中国的主要超大规模云端企业目前只收到了他们订购的70%的服务器DRAM。与此同时,他们采购的DRAM价格也上涨了50%,远高于今年早些时候预计的30%的涨幅。  目前AI数据中心所需的AI加速器对于HBM需求量很大、利润也更高,这也使得SK海力士、三星等头部DRAM大厂纷纷将更多的产能转向了生产HBM,而每产出一份HBM更是需要消耗三份的DDR产能,这也导致了对于包括消费类DDR内存在内其他类型DDR需求的排挤。即便是数据中心对于传统的DDR5 RDIMM 的需求也超过了供应。  相关报道显示,三星最近已将服务器SSD价格提高了35%,RDIMM 合同费率提高了50%,理由是企业和云客户的持续需求超过了供应。  自9月下旬以来,DRAM现货价格也在持续飙升。报道称,几家顶级供应商拒绝为10月份的分配报价。上个月交易价格为7至8美元的DDR5 16GB模块现在价格已经徘徊在13美元左右,供应将进一步收紧到11月。DRAM模组制造商正在为本季度末的缺货情况做好准备。  其他市场表现更糟。DRAM渠道参与者和小型原始设备制造商的订单履行率只有接近35%至40%。随着超大规模企业锁定固定DRAM分配,优先级较低的客户被推到价格更高的现货市场,或被告知等到2026年才能获得一定的供应。  美光在最近的财报电话会议上对此发出警告,DRAM 是一个“紧张的行业”,DRAM容量供应增长将滞后于2026年年底的需求。市场研究机构TrendForce指出,随着供应商转向中国的日常定价,并避免将自己锁定在糟糕的交易中,某些DRAM模块的报价可能会被冻结。这导致零售 DDR5 价格攀升,在年底前没有稳定的迹象。  与此同时,DDR4价格正在缓慢下降。中国南亚科技最近表示,标准DDR4仅占DRAM市场总量的20%,不再优先量产。除非需求意外降温或收益率大幅提高,否则到2026 年,除顶级买家外的所客户的 DRAM 分配将受到限制。这也推动了客户加速转向DDR5。  《电子时报》预测,明年服务器内存半导体需求将保持强劲,这可能导致DRAM短缺持续到年底。该报告还预测,即使供需缺口逐渐缩小,未来一到两年内,内存半导体制造商的供应能力也可能低于需求10%以上。
2025-10-29 14:20 reading:441
均价微幅回升!一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,第一季DRAM供应商库存去化得宜,季末的库存水位与年初相比已经显著下降,因此降价求售压力不再,整体DRAM(内存)均价相较前一季上涨约0-5%。然而,因应新冠肺炎疫情,各国祭出封城锁国政策,导致物流受阻,DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨,但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%,达148亿美元。集邦咨询指出,第一季受阻的出货将递延至第二季,因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下,集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成,原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面,三星以44.1%的市占排名第一;SK海力士位列第二,市占率为29.3%;美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同,集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外,集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS),不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产,弥补 Line13 投片下滑,同时提高 1Z 制程比重,考虑到疫情对于需求的冲击,三星会审慎规划产出,今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器,增加 M14 产出,并将于下半年小幅提高无锡厂的产能,但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变,今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升,目前正值OEM积极验证阶段,很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增,垫高基期,所以虽然第一季营业利益率下滑至32%,但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%,与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂,加上当前因开发1Z制程导致成本增加,使得营业利益率小幅下滑,但预计下次财报区间(3月至5月)会有明显改善。整体而言,三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延,但大致顺利,没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长,资本支出也持续下降,供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进,并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长,带动营收较前一季增加近10%,加上研发费用的控制,营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季,在均价上扬的挹注下,获利能力将持续进步;至于华邦第一季量价大致持平,因此DRAM营收变化幅度不大,成长力道以NAND Flash(闪存)较为明显;而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲,排挤DRAM产能,因此营收小幅下滑3%(营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品,不包含DRAM代工业务)。
2020-05-14 00:00 reading:2133
现货价格上扬,或带动DRAM合约价提前止跌
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查,DRAM现货价的翻扬,改变了市场氛围……在预期性心理因素下,有利于合约市场中买方的备货意愿提高,目前预估合约价可能提前至2020年第一季止跌。集邦咨询指出,之前1X纳米制程因为有退货状况,大量不良品以低价转销现货市场,导致现货价格走势格外疲弱。虽然退货状况仍在,但因为模组厂以及在渠道的经销商开始愿意增加库存准备,使得这些不良品数量有效的消耗,带动现货价格开始上调。从整体供需状况来看,在历经近五个季度的库存调整,2019年第四季DRAM市场仍处于微幅供过于求,即便明年第一季DRAM的拉货状况可能呈现淡季不淡,但供需态势最快仍要到明年年中才会正式反转。不过,根据历史经验,价格上涨一向快于供需反转,因此集邦咨询原先预估DRAM的平均销售单价将在明年第二季初止跌上涨。然而,受到目前现货报价大涨的激励,以及服务器内存1X纳米制程的生产状况普遍不顺畅,影响了整体供货量,因此集邦咨询对2020年价格预测进行修正,2020年第一季时,虽然标准型内存、利基型内存与行动式内存价格预估仍较前一季小幅下跌,但服务器内存有机会率先领涨,带动整体DRAM平均销售单价较前一季持平。服务器与图形处理内存价格领涨根据集邦咨询观察,目前主流服务器内存模组成交量已经明显大幅增加,均价欲跌不易,服务器业者在DRAM备货的态度转趋积极。展望2020年第一季,由于1X纳米产品供货不顺影响持续,加上短期需求面展望强劲,预估服务器内存单价将正式反弹,季增幅约5%。除了服务器内存以外,集邦咨询也同时调整图形处理内存的价格预测;图形处理内存尤其是GDDR5,因为主要GPU芯片供应商库存已经调整完毕,目前已恢复采购力道,加上最新一代的GDDR6需求也持续增加,在买方预期涨价心理影响下,整体价格也将于第一季小幅上调。
2019-12-18 00:00 reading:2245
韩企 DRAM 芯片库存减少,内存芯片有望转好?
2019-11-27 00:00 reading:2278
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