东芝与西数和解,中国将展开反垄断调查

Release time:2017-12-18
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东芝与西部数据的存储器事业风波,2017年2月14日东芝宣布将其存储器事业出售,5月14日西部数据谈判不成提出国际仲裁,12月13日双方终于公开宣告和解。

12月13日上午,东芝公司、东芝半导体(TMC)和西部数据通过东芝官网联合发布声明表示,东芝与西部数据双方已在全球范围就此前的诉讼和仲裁达成和解,双方承诺重新构建并强化合作关系。此次和解协议达成,标志着东芝已扫除了向K.K.Pangea(贝恩财团为完成对TMC的收购而成立的收购公司)出售旗下东芝TMC的障碍。

作为和解协议的一部分,东芝TMC和西部数据将一同参与新建中的Fab 6闪存制造工厂未来数轮的投资,目前这一位于日本四日市的工厂还在建造之中。Fab 6工厂预计将于明年开始,启动东芝新一代3D闪存产品BiCS FLASH的大规模生产。

东芝曾在今年10月宣布了Fab 6工厂新一轮的投资计划,而依照此次新签协议,西部数据将和TMC一同参与此轮投资。此外,公告还透露,东芝TMC和西部数据也已接近达成协议,允许西部数据在未来参与到东芝位于日本岩手的新闪存晶圆工厂的投资之中。

此外,东芝和西部数据也将延长双方在闪存业务合作方面的多个合资公司契约。其中,Flash Alliance将延长至2029年12月31日,Flash Forward将延长至2027年12月31日,而Flash Partners此前已被延长至2029年12月31日。

此次和解协议的达成,将标志着东芝已扫除了向K.K.Pangea(贝恩财团为完成对TMC的收购而成立的收购公司)出售旗下东芝TMC的障碍。双方承诺将保护共有资产和情报信息在此次交易中的安全,并会通过合作确保TMC在未来通过IPO成功上市。

“我们对此次和解协议的达成倍感欣喜,这有利于各方的利益。随着诉讼与仲裁方面的担忧的解除,我们期望更新与西部数据间的合作关系,加速TMC的发展以迎合全球范围内闪存芯片需求的强劲增长。”东芝高级执行官、副总裁、东芝半导体CEO Yasuo Naruke表示道。

西部数据CEO Steve Milligan表示,西部数据的重心始终在于确保双方的合资公司能够长期稳定的实现NAND芯片的生产供应,以保障其在合资公司中的利益。“我们非常高兴,这些具有挑战性的目标都得以通过这些协议实现。”他表示,“我们期待在双方17年的成功合作关系之上迎来新的发展。”

不过,虽然出售芯片业务的最大阻力已消除,但东芝还需要各国通过反垄断批准之后,本次收购才能正式生效。

据路透社北京时间12月15日报道,《日经亚洲评论》星期五刊文称,中国监管机构已经启动对东芝出售Memory业务的交易展开调查,可能会推迟这一交易的完成时间。

《日经亚洲评论》表示,中国监管机构本月早些时候启动了对东芝出售Memory业务交易的审批工作。在9月份与贝恩资本及其合作伙伴达成交易后,东芝就向中国监管机构提交了审批材料。

中国监管机构对这类并购交易的审批通常需要约4个月,有时会延长至6个月,这给东芝能否按计划在明年3月完成交易增添了变数。

目前,东芝出售Memory业务交易已获得美国、日本监管机构批准,尚需获得中国大陆、中国台湾地区和韩国监管机构的批准。

东芝美国分部发言人未就此置评。

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东芝推出应用于工业设备的具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器
  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,最新推出一款可用于驱动碳化硅(SiC)MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”,具备+6.8 A/–4.8 A的输出电流,采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。  在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中,当下桥臂[2]关闭时,米勒电流[1]可能会产生栅极电压,进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有,在栅极关闭时,对栅极施加负电压。  对于部分SiC MOSFET而言,具有比硅(Si)MOSFET更高的电压、更低的导通电阻以及更快的开关特性,但栅极和源极之间可能无法施加足够的负电压。在这种情况下,有源米勒钳位电路的应用使米勒电流从栅极流向地,无需施加负电压即可防止短路。然而由于部分削减成本的设计,导致其在IGBT关断时减少用于栅极的负电压。而且在这种情况下,内建有源米勒钳位的栅极驱动器是可以考虑的选项。  TLP5814H内建有源米勒钳位电路,因此无需为负电压和外部有源米勒钳位电路提供额外的电源。这不仅为系统提供安全功能,而且还可通过减少外部电路来助力实现系统的最小化。有源米勒钳位电路的导通电阻典型值为0.69 Ω,峰值钳位灌电流额定值为6.8 A,因此非常适合作为SiC MOSFET的栅极驱动器,SiC MOSFET对栅极电压变化非常敏感。  TLP5814H通过增强输入端红外发射二极管的光输出并优化光电检测器件(光电二极管阵列)的设计实现了–40 °C至125 °C的额定工作温度,从而可提高光耦合效率。因此,面对严格热管理的工业设备,比如光伏(PV)逆变器和不间断电源(UPS)等是十分适合的。此外,其传输延迟时间和传输延迟偏差也规定在工作温度额定值范围内。其5.85 mm×10 mm×2.1 mm(典型值)的小型SO8L封装有助于提高系统电路板的部件布局灵活性。此外,它还支持8.0 mm的最小爬电距离,进而可将其用于需要高绝缘性能的应用。  未来东芝将继续开发光电耦合器产品,助力增强工业设备的安全功能。  应用  工业设备  ● 光伏逆变器、UPS、工业逆变器以及AC伺服驱动等    ● 内建有源米勒钳位功能  ● 额定峰值输出电流:IOP=+6.8 A/–4.8 A  ● 高工作温度额定值:Topr(最大值)=125 °C  主要规格  (除非另有说明,否则Ta=-40°C至125°C)  注:  [1] 米勒电流:当高dv/dt电压应用于MOSFET的漏极和栅极之间的电容或IGBT的集电极和栅极之间的电容时,产生的电流。  [2] 下桥臂是从使用电源器件的电路的负载中吸收电流的部件,例如串联至电源负极(或接地)的逆变器,而上桥臂则是从电源为负载提供电流的部件。  [3] 上桥臂和下桥臂短路:由于噪声引起的故障或开关过程中米勒电流引起的故障,上下电源器件同时接通的现象。
2025-03-14 10:55 reading:387
东芝功率半导体后道生产新厂房竣工
  日本川崎——东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本西部兵库县姬路半导体工厂的车载功率半导体后道生产新厂房举办了竣工庆祝仪式。新厂房的产能将比2022财年的水平增加一倍以上,并将于2025财年上半年开始全面生产。  新厂房旨在通过采用RFID[1]标签提高工作效率,并提高库存管理的准确性来推动智能工厂计划。该设施将100%由可再生能源供电,包括根据购电协议在建筑物屋顶上安装太阳能电池板等。  功率器件是提高各种电气和电子设备能源效率的重要元件,在电力供应和能耗控制方面发挥着至关重要的作用。汽车的持续电气化和工业设备对更高效率的要求预计将推动市场对功率半导体的长期需求。东芝将通过对前道和后道生产设施的投资来应对这一挑战,并将通过稳定供应高效、高可靠性产品来满足市场增长。  新生产设施将使姬路工厂的车载功率半导体生产能力较2022财年增加一倍以上,为推进碳中和作贡献。         新生产厂房概况  建筑面积:4,760.31 m2  总建筑面积:9,388.65 m2  结构:钢架结构,地上2层  竣工时间:2025年3月  用途:功率半导体制造(后道工艺)  姬路工厂 - 半导体工厂概况  地点:日本兵库县揖保郡太子町鵤-300  占地面积:246,800.08 m2  总经理:Kyozo Takeo  员工:约1,400人(截至2025年1月)  主要产品:分立半导体(功率器件、小信号器件)  [1]射频识别(RFID)是指利用小型IC芯片和天线记录信息的自动识别技术。
2025-03-14 09:31 reading:315
东芝推出面向车载直流有刷电机的栅极驱动IC,助力缩小设备尺寸
  东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,量产面向车载直流有刷电机应用的栅极驱动IC[1]——“TB9103FTG”,其典型应用包括用于电动后门和电动滑门的闩锁电机[2]和锁定电机[3],以及电动车窗和电动座椅的驱动电机等。  汽车部件现已基本实现电气化,电机的需求以及在汽车中集成的电机数量都在增加。随着电动机中使用的驱动IC数量的增加,人们更倾向采用高集成度和小型化的系统解决方案。此外,有些电机应用不需要控制转速,只需具有简单功能和性能的驱动IC。  TB9103FTG可为无需控制速度的直流有刷电机提供优化的栅极驱动IC功能和性能,为实现更紧凑设计开辟了道路。它具有内置的电荷泵电路[4],可确保为驱动电机外部MOSFET供电所需的电压。此外,它还具有栅极监控功能,可通过为高低侧外部MOSFET自动控制栅极信号输出时序,防止生成直通电流。与此同时,该IC还内置睡眠功能,可在待机时降低功耗。  这款全新IC既可用作单通道H桥,也可用作双通道半桥。除了作为电机驱动IC外,它还能与外部MOSFET结合,替代机械式继电器以及其它机械开关,有助于实现更安静的运行以及更高的设备可靠性。  TB9103FTG采用4.0 mm×4.0 mm(典型值)VQFN24封装,有助于缩小设备尺寸。  东芝网站上现已发布“使用TB9103FTG的车载直流有刷电机控制电路”的参考设计。  未来东芝将继续扩大其车载电机驱动IC的产品线,为车载设备的电气化和安全性提高做出贡献。  应用:  车载设备  用于电动后门及电动滑门使用的闩锁电机和锁定电机的驱动器;用于车窗和电动座椅等的电机的驱动器  特性:  精简的功能和性能有助于小型化  小型封装  低待机功耗(内置睡眠功能)  可用作单通道H桥或双通道半桥的栅极驱动IC  符合AEC-Q100(Grade 1)标准  主要规格:  注:  [1] 栅极驱动IC:驱动MOSFET的驱动IC。  [2] 闩锁电机:系统中用于保持车门关闭的电机。  [3] 锁定电机:系统中与钥匙配合工作,为车门上锁和开锁,以防出现犯罪行为而使用的电机。  [4] 电荷泵电路:使用电容器和开关升压的电路。
2025-03-14 09:11 reading:270
东芝12寸晶圆工厂竣工!
  5月26日消息,东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)近日在其位于日本石川县的主要分立半导体生产基地—加贺东芝电子株式会社(Kaga Toshiba Electronics Corporation)举行仪式,庆祝新的300mm功率半导体晶圆制造工厂和办公楼竣工。  建设的完成是东芝多年投资计划第一阶段的一个重要里程碑。东芝目前将进行设备安装,争取在2024财年下半年开始量产。  一旦一期工程全面投产,东芝功率半导体(主要是MOSFET和IGBT)的产能将是2021财年制定投资计划时的2.5倍。关于二期建设和开始运营的决定将反映市场趋势。  新的制造大楼遵循东芝的业务连续性计划(BCP),并将为东芝的业务连续性计划(BCP)做出重大贡献:它具有吸收地震冲击的隔震结构和冗余电源。  来自可再生能源和建筑物屋顶太阳能电池板的能源(现场PPA模式)将使该设施能够通过可再生能源满足100%的电力需求。  人工智能(AI)的使用将提高产品质量和生产效率。东芝还将获得日本经济产业省的拨款,以补贴其部分制造设备的投资。  功率半导体在电力供应和控制中发挥着至关重要的作用,是电气设备提高能源效率的重要器件。随着汽车的持续电气化和工业机械的自动化,需求将持续强劲增长。  东芝于2022财年下半年在加贺东芝电子现有工厂开始在一条新的300毫米晶圆生产线上开始功率半导体生产。展望未来,该公司将通过新工厂扩大产能,进一步为碳中和做出贡献。
2024-05-27 15:22 reading:845
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