三星V-NAND正式挺进96层 2018资本支出或达64亿美元

Release time：2018-07-17
author：
source： 集微网
reading：1404

自3D NAND Flash工艺诞生以来，各大存储厂商之间一直进行着堆叠“大战”。近日，三星电子宣布，已经开始批量生产第五代V-NAND 3D堆叠闪存，同时拥有超大容量和超高速度，欲打破各厂商3D NAND 64层竞争的平衡。

三星V-NAND正式挺进96层 2018资本支出或达64亿美元


3D NAND是通过把存储单元堆叠在一起的方式，来解决2D NAND闪存带来的限制。通俗地讲，2D NAND到3D NAND就像平房到高楼大厦，且理论上3D NAND可以无限堆叠，但由于技术和材料限制，目前大多数厂商（东芝、SK海力士、美光/Intel）的3D NAND技术都限于64层。

有分析人士指出，三星此次宣布量产96层3D NAND产品（单Die 32GB容量），必然会打破各厂商在64层竞争的平衡。接下来，其他厂商必然鼎力跟进，东芝在今年3月上海慕尼黑电子展期间就公布已经具备生产96层3D NAND的能力；2017年，SK海力士也已宣布其72层堆叠技术走向量产；美光/Intel虽是量产3D NAND最晚的厂商，但其追赶的速度已超预期，64层3D NAND技术已然成熟。

记者获悉，三星第五代V-NAND内部集成了超过850亿个3D TLC CTF闪存存储单元，每单元可保存3比特数据，单Die容量达256Gb(32GB)，且在业界首次采用Toggle DDR 4.0接口，传输速率提升至1.4Gbps，与前代64层堆栈的V-NAND闪存相比提升了40%。数据写入延迟仅为500微秒，比上代提升30%，而读取信号响应时间也大幅缩短到50微秒。

相比上一代技术，新一代V-NAND在结构上有何创新？据了解，三星新一代96层堆叠设计，在结构上呈金字塔状，中间有微小孔，这些小孔用作通道，尺度仅有几百微米宽。据悉，这种制造方法包括了许多先进技术，比如电路设计、新工艺技术等。三星对外称，V-NAND的改进让每个存储层的厚度已经削薄了20%，并使其生产效率提高了30%以上。

目前，三星正在全力扩大第五代V-NAND 3D堆叠闪存的生产线以增加产量。亦有消息称，三星正在计划开发1TB（128GB）容量的QLC V-NAND闪存颗粒，来降低超大容量的SSD产品售价，以满足服务器、超算等高密度存储领域需求。

事实上，三星领先业界发布96层3D NAND并不意外，三星从最初的3D NAND开始量产就领先行业两年左右，其每年用于3D NAND的投资金额更是业内领先。据Chosun Ilbo报道，有韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。这些投入首先是用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术。

不过，有业界人士对闪存表现出“产能过剩”的担忧。IC Insights就分析指出，三星释放信号仅是个开端，未来几年，SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能，由此可能会出现“供过于求”的产能风险。至于将来谁能够在新一轮的竞争中胜出，还得看企业的综合实力。

我们知道，在半导体产品中，存储器所占比重达到20%以上，是最为重要的半导体产品类型之一。目前，全球闪存市场份额几乎被三星、海力士、东芝和美光/Intel瓜分完毕。在全球NAND Flash市场高度垄断且全面开启堆叠技术“军备竞赛”的前提下，国内长江存储/武汉新芯若想突破重围，可能还有很长一段路要走。不过有分析指出，中国大陆2019年有望实现32层3D NAND的量产，不仅打破了国产闪存“零”的局限，更有可能在不久的将来参与到世界一线厂商的竞争中去。

（"Note: The information presented in this article is gathered from the internet and is provided as a reference for educational purposes. It does not signify the endorsement or standpoint of our website. If you find any content that violates copyright or intellectual property rights, please inform us for prompt removal."）

Previous：硅晶圆全球大缺货、新昇产能陆续开出,大陆产品却遭台抵制?

Next：高通延长对恩智浦半导体现金收购要约期限至7月20日

Online messageinquiry

reading
三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD
行业新闻

三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”
2024-09-24 10:07 reading：724
三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统
行业新闻

三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统

　　三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证　　强大的车载存储解决方案产品阵容　　将确保供应链长久、稳定、可靠。　　2024年8月27日，三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙® 数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。　　▲三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)　　和高级驾驶员辅助系统(ADAS)　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100¹ 验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴，三星凭借在存储器解决方案领域的设计、生产和封装能力的领先优势，不仅能够提供快速的开发周期，同时能够保障可靠性、验证和卓越的产品控制，满足汽车行业的严格要求。　　AEC-Q100标准是针对车载封装集成电路产品的应力测试标准。　　三星正在开发下一代LPDDR5车规芯片，预计今年第四季度可以提供样品。LPDDR5将能够支持三星车轨内存能达到的最高数据传输速度，即每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在极端温度条件下，依旧保持卓越性能。
2024-08-27 11:02 reading：811
三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证
行业新闻

三星于联发科技天玑旗舰移动平台完成其最快LPDDR5X验证

　　三星的10.7Gbps LPDDR5X　　在联发科技下一代天玑移动平台上完成验证　　新款DRAM的功耗降低　　和性能提升均达25%左右，　　可延长移动设备的电池续航时间，　　并显著提升设备端AI功能的性能　　三星今日宣布，已成功在联发科技的下一代天玑旗舰移动平台完成其最快的10.7千兆比特/秒(Gbps)LPDDR5X DRAM验证。　　此次10.7Gbps运行速度的验证，使用三星的16GB LPDDR5X封装规格，基于联发科技计划于下半年发布的天玑9400旗舰移动平台进行。两家公司保持密切合作，仅用三个月就完成了验证。　　三星电子内存产品规划　　执行副总裁YongCheol Bae表示：　　通过与联发科技的战略合作，三星已验证了其最快的LPDDR5X DRAM，该内存有望推动人工智能(AI)智能手机市场。三星将继续通过与客户的积极合作进行创新，并为设备端人工智能时代提供优秀解决方案。　　联发科技资深副总经理暨无线通信　　事业部总经理徐敬全博士表示：　　通过与三星电子的合作，联发科技的下一代天玑旗舰移动平台成为首个在三星高达10.7Gbps LPDDR5X运行速度下得到验证的产品，为即将推出的设备带来惊艳的AI功能和移动性能。这种更新的架构将为开发人员和用户带来更好的体验，在提升AI能力和丰富设备功能的同时，有效降低对电池寿命的影响。　　三星的10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度(如语音文本生成)，而无需服务器或云访问。　　随着设备端AI市场的扩展，尤其是AI智能手机，节能、高性能的LPDDR DRAM解决方案变得越来越重要。通过与联发科技的验证，三星正在巩固其在低功耗、高性能DRAM市场的技术前沿地位，并有望将应用范围从移动设备扩展到服务器、PC和汽车设备。
2024-07-16 09:18 reading：634
三星美国厂或于2026年生产2nm
行业新闻

三星美国厂或于2026年生产2nm

　　随着行业竞争演变，三星或将调整其先进制程生产战略。据报道，三星正采取措施，将其位于德克萨斯州泰勒市的晶圆厂的生产开始时间定在2026年(而不是2024年)，并可能从2nm制造工艺开始。　　三星泰勒晶圆厂原计划将于2024年底开始生产4nm节点，但三星可能会在2024年第三季度做出转向2nm的决定。目前，三星正在放缓芯片制造设备订单，等待决定是否启动2nm制造工艺。　　此前，三星曾于2021年11月宣布斥资170亿美元建造其第一家泰勒工厂，以及其位于德克萨斯州的第二家工厂，但据称该预算已上涨至约200亿美元。　　行业分析认为，三星泰勒工厂初始生产节点以及开始生产的时间的一个考虑因素可能是，市场采用人工智能的速度以及对尖端芯片的需求。目前，三星的代工竞争对手台积电已经在为市场领导者英伟达生产3nm尖端工艺制程。　　与此同时，苹果、AMD、高通、英特尔、联发科等大厂都投产台积电3nm，为了应对产能供不应求，台积电规划今年3nm产能将比去年增加三倍。　　另据报道，三星电子最新的3nm芯片Exynos2500良率，相比第一季的“个位数”有所提升，但目前良率仍略低于20%，难以达到量产标准，未来能否用于GalaxyS25系列旗舰智能手机还尚未确定。但三星正在全力提高良率，以在今年10月之前将Exynos2500芯片良率提升至60%。　　此外，与其他代工厂的竞争形势也可能是三星调整泰勒工厂生产规划的一个因素。目前，英特尔预计将在2024年推出其20A和18A(2nm和1.8nm)工艺。台积电预计将在2025上半年推出2nm工艺，而Rapidus表示计划于2025年4月在试验线上使用IBM授权的2nm工艺生产芯片，并于2027年实现量产。　　三星最近根据《CHIPS法案》获得美国政府66亿美元的奖励，作为回报，三星承诺投资240亿美元在泰勒建造第二座晶圆厂。无论如何，泰勒晶圆厂将在三星产能规划中变得更为重要，但三星最终是否会将最先进的工艺在美国投产还有待观察。
2024-07-01 13:34 reading：629
Popular categories
Boxes, Enclosures, Racks Cables, Wires Circuit Protection Connectors, Interconnects Development Kits Electromechanical Embedded Solutions Fans, Thermal Management Optoelectronics Others Passive Components Power Semiconductors Sensors, Transducers Test and Measurement
  • Week of hot material
  • Material in short supply seckilling
model brand Quote
MC33074DR2G onsemi
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
model brand To snap up
BP3621 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
Hot labels
ROHM
IC
Averlogic
Intel
Samsung
IoT
AI
Sensor
Chip
Original authorized brand
More Licensed Brands>>
Information leaderboard
  • Week of ranking
  • Month ranking

About us

Qr code of ameya360 official account

Identify TWO-DIMENSIONAL code, you can pay attention to

AMEYA360 weixin Service Account AMEYA360 weixin Service Account
AMEYA360 mall (www.ameya360.com) was launched in 2011. Now there are more than 3,500 high-quality suppliers, including 6 million product model data, and more than 1 million component stocks for purchase. Products cover MCU+ memory + power chip +IGBT+MOS tube + op amp + RF Bluetooth + sensor + resistor capacitance inductor + connector and other fields. main business of platform covers spot sales of electronic components, BOM distribution and product supporting materials, providing one-stop purchasing and sales services for our customers.

Please enter the verification code in the image below：

verification code