内存价格结束“超级上涨周期” 海力士三星按下预警键-Ameya360 electronic components purchasing network

内存价格结束“超级上涨周期” 海力士三星按下预警键

Release time：2018-10-29

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source：第一财经日报

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上涨了两年多的内存市场近期开始出现波动。

近日，韩国存储器大厂SK海力士表示，为了应对2019年包括NAND Flash快闪存储器及DRAM的价格的下跌，公司决定不但将自2018年底前开始减少投资规模，还将监控并调整2019年的产能。同时，另一家内存市场巨型玩家三星也表示，将放缓存储器半导体业务的扩张步伐。据了解，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，但现在或将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资。

内存价格结束“超级上涨周期” 海力士三星按下预警键

目前三星、SK海力士、美光在DRAM产业的市占率达到90%以上，而中国更是全球最主要的存储芯片消费国，过去受存储芯片涨价因素，2017年，中国进口存储芯片889.21亿美元，同比2016年的637.14亿美元增长39.56%。

集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究副总经理郭祚荣对第一财经记者表示，内存价格下滑的主要原因在于客户的库存变高以及市场逐步走入淡季，而导致客户需求变低的原因在于终端需求不佳。

“整体第四季度价格已经下跌，预计明年整年下跌的趋势可能性高，上半年跌幅将较为剧烈。”郭祚荣对记者说。

根据集邦咨询半导体研究中心的最新调查显示，虽然下半年是产业旺季，但市场持续供过于求，DRAM第三季合约价格季涨幅缩小到仅有1%到2%，第四季可能反转下跌5%，也不排除跌幅持续扩大的可能性，终结价格连续九个季度上涨的超级周期(super cycle)。而NAND Flash均价在第三季下跌约10%之后，第四季因受中美贸易摩擦波及，预估跌幅将大于第三季，扩大至约10~15%，渠道市场主流3D TLC颗粒合约价跌幅甚至将超过15%。

对于中国市场的影响，郭祚荣认为，中国存储行业玩家明年才刚进入量产，投片无大幅增加下，价格下跌衝击不大。他对记者表示，厂商应该先视求品质上的稳定为首要任务。

这两年，随着智能手机等终端设备的崛起，中国市场对于全球DRAM和NAND的消化量已经高达20%与25%，为存储器最大需求国。

据记者了解，存储在手机中的成本已经达到25%-35%，同时，由于存储芯片涨价过快，已引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品的陆续涨价。其中，疯狂的内存条则是一年内涨幅300%。

而随之而来的内存价格飙涨也让不少投机者赚到了不少钱，炒内存条被称为“比炒房还要赚钱的生意”。”

从2016年第二季度开始，DRAM（主要包括PC内存、移动式内存、服务器内存）价格一路飙升，每个季度都在刷新销售额纪录。在2017年底、2018年5月，中国反垄断机构就以持续涨价问题分别约谈三星、美光。

根据美光、三星、海力士财报统计，2017年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

虽然对未来的芯片价格表现出了担忧，但SK海力士在7月至9月的营业利润同比依然增长73％至6.5万亿韩元（57亿美元）。根据信息巨头Refinitiv的数据，Sk第三季度的实际收益超出19位分析师的平均预测——6.3万亿韩元。与去年同期相比，SK海力士销售额增长41％，创下11.4万亿韩元的历史新高。

国内目前三大内存基地长江存储，合肥长鑫，福建晋华等由于技术原因，还未对三星造成威胁。但近日，传闻台积电也将进入内存领域，台积电表示，不排除收购内存芯片企业，这意味着台积电将有可能直接在DRAM领域中与三星正面较量。

有分析指出，虽然三星和海力士等有意控制上游出货节奏，但随着中国厂商的逐步量产以及台积电的规划都有可能对接下来的存储市场格局带来变数。

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行业新闻

均价微幅回升！一季度DRAM产值因疫情影响季减4.6%

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，第一季DRAM供应商库存去化得宜，季末的库存水位与年初相比已经显著下降，因此降价求售压力不再，整体DRAM（内存）均价相较前一季上涨约0-5%。然而，因应新冠肺炎疫情，各国祭出封城锁国政策，导致物流受阻，DRAM的位元出货也受到影响。所以虽然均价小幅上涨，但第一季DRAM整体产值季衰退4.6%，达148亿美元。集邦咨询指出，第一季受阻的出货将递延至第二季，因此在DRAM均价上涨幅度扩大且出货量同时提升的情况下，集邦咨询预测第二季DRAM整体产值将季增超过两成，原厂的营收与获利能力将持续成长。DRAM均价小涨带动原厂Q1获利能力厂商排名方面，三星以44.1%的市占排名第一；SK海力士位列第二，市占率为29.3%；美光则以20.8%的市场份额排名第三。由于产能规划大致相同，集邦预期第二季度市占不会有太大变化。此外，集邦分析了三大厂商的产能与技术能力。三星持续将部分产能 (Line13) 由 DRAM 转向影像感测器 (CMOS)，不过平泽二厂预计下半年投入 DRAM 生产，弥补 Line13 投片下滑，同时提高 1Z 制程比重，考虑到疫情对于需求的冲击，三星会审慎规划产出，今年产能增加幅度不高。SK 海力士持续将 M10 厂 DRAM 投片转向影像感测器，增加 M14 产出，并将于下半年小幅提高无锡厂的产能，但全年产能增幅不高。美光的投片与产能与去年相较没有太大改变，今年度资本支出将着重1Z制程的量产与产出提升，目前正值OEM积极验证阶段，很快就能导入实际量产。三大原厂的获利受惠于第一季DRAM均价上扬而维持成长。三星去年第四季的营业利益率受惠于一次性认列而大增，垫高基期，所以虽然第一季营业利益率下滑至32%，但实质的获利能力仍持续提升。SK海力士第一季营业利益率为26%，与上季的19%相比明显改善。美光本次财报季区间的报价涨幅小于韩厂，加上当前因开发1Z制程导致成本增加，使得营业利益率小幅下滑，但预计下次财报区间（3月至5月）会有明显改善。整体而言，三大原厂先进制程的开发与导入虽有递延，但大致顺利，没有重大质量异常情况发生。今年整体DRAM产能没有明显成长，资本支出也持续下降，供给位元成长主要来自于1Y与1Z纳米等先进制程的转进，并非实质投片增加。中国台湾厂商1季度表现南亚科第一季出货量双位数成长，带动营收较前一季增加近10%，加上研发费用的控制，营业利益率由上一季的11%升至12.7%。展望第二季，在均价上扬的挹注下，获利能力将持续进步；至于华邦第一季量价大致持平，因此DRAM营收变化幅度不大，成长力道以NAND Flash（闪存）较为明显；而力晶科技第一季仍以影像传感器需求较为强劲，排挤DRAM产能，因此营收小幅下滑3%（营收计算主要为力晶本身生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务）。

2020-05-14 00:00 reading：2134

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