疫情导致旺季效应递延，2020全球晶圆代工产值或现个位数成长

Release time：2020-04-30
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source：与非网
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据集邦咨询旗下拓墣产业研究院最新调查，受新冠肺炎疫情影响，若导致供应链断裂将增加半导体业者的营运难度，而商业活动及社会活动力的下降将引发旺季效应递延或弱化的可能，使得 2020 年全球晶圆代工产值的成长幅度将面临修正。有别于在疫情爆发前业者提出的双位数成长预估，考量疫情受控时程递延及需求复苏不明朗，我们认为 2020 年全球晶圆代工市场产值可能下修至 5%~9%的个位数成长，中位数目前预估为 6.8%。


首先分析晶圆代工业者 2020 上半年的订单状况：在第一季客户端保留对疫情趋缓后市场出现需求反弹的可能性，为避免缺料而并未出现订单大幅缩减情形，加上承接自 2019 年第四季末的库存回补，基本上支撑晶圆代工业者 2020 年第一季营收表现。


第二季，我们预估疫情对订单的影响较前一季略为显著，部分消费性产品订单或将进行调整，而从疫情催生出如远距办公、医疗应用的相关芯片需求则有增加，因此第二季订单状况虽有变动但幅度不大，加上去年同期基期低，即便业者第二季的营收出现季度衰退，尚能维持年度成长。

 

不过，对晶圆代工业者而言，第二季的订单在芯片产出后虽有部分营收认列进第三季，但比重相对有限，此外，考虑疫情受控时程递延与需求复苏时程不明朗，客户可能在第三季评估较大幅度的订单缩减以避免累积库存，旺季效应或有递延或弱化可能，恐将对业者下半年的营收造成冲击。


回归市场需求面分析，消费力衰退恐难以避免，即便晶圆代工业者冀望由 5G 基础建设、远端通讯推升之服务器或资料中心需求，以及工业物联网自动化等中长期支撑动能，然而新应用的营收贡献比例仍不足以取代传统大量的消费性电子产品，故晶圆代工业者需视供应链与市场受疫情冲击的程度，动态调整营运策略与营收预估。


考量旺季效应递延或弱化的可能性，并以疫情不易在下半年即获得稳定控制为前提，对 2020 年的晶圆代工产值表现抱持审慎保守的态度，后续仍需视疫情的可控时程与消费市场的复苏状况而定。



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全球晶圆代工厂最新排名：台积电第一！
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全球晶圆代工厂最新排名：台积电第一！

　　根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第一季，全球晶圆代工产业受国际形势变化影响而提前备货，部分厂商接获客户急单，加上中国延续2024年推出的旧换新补贴政策，抵消部分淡季冲击，整体产业营收季减约5.4%，收敛至364亿美元。　　展望第二季营收表现，整体动能逐步放缓，唯中国旧换新的补贴政策拉货潮有望延续，加上下半年智能手机新品上市前备货陆续启动，以及AI HPC需求稳定，将成为带动第二季产能利用率和出货的关键，预期前十大晶圆代工厂营收将呈现季增。　　观察第一季各晶圆代工企业营收情况，TSMC(台积电)以67.6%市占率稳居第一，其晶圆出货虽因智能手机备货淡季而下滑，部分影响被稳健的AI HPC需求和电视急单抵消，营收为255亿美元，季减5%。　　财报显示，台积电在先进制程领域的技术壁垒是其业绩增长的核心驱动力。2025年第一季度，3纳米制程占晶圆销售收入的22%，5纳米占36%，7纳米占15%，三者合计贡献73%的晶圆销售额，较2024年第四季度的67%进一步提升。这种结构性的营收增长凸显了台积电在高端芯片市场的竞争优势，尤其是在AI加速器和HPC芯片领域。　　AI芯片需求是台积电2025年业绩的最大亮点。HPC相关收入同比增长超过70%，占总营收近60%，主要得益于NVIDIA、AMD等客户的AI加速器订单，以及微软、亚马逊等云计算厂商的扩产需求。台积电预计2025年AI加速器芯片销售同比增长100%，2024-2029年复合年增长率(CAGR)达45%，成为长期增长的支柱。　　但是CoWoS封装技术的产能瓶颈限制了部分出货潜力。为应对这一挑战，台积电正加速扩建CoWoS产能，预计2025年底前产能将翻倍，以满足AI芯片的爆发式需求。　　日前，台积电召开股东常会。台积电董事长暨总裁魏哲家在会上表示，2025 年将是台积电稳健成长的一年，全年营收预计将实现“中段二位数百分比的增长”。　　第二名的Samsung Foundry(三星)营收季减11.3%，为28.9亿美元，市占微减至7.7%。三星晶圆代工业务在2025年第一季度表现低迷，主要受到移动端芯片需求疲软导致订单量减少、晶圆厂产能利用率不足拖累盈利以及库存调整周期尚未结束等因素的影响。　　三星在技术推进方面仍有不少亮点，特别是在2nm GAA(Gate-All-Around)工艺的研发上取得了阶段性进展，在良率提升和客户拓展方面有所突破，而且其2nm制程已获得了多个AI与高性能计算(HPC)领域的订单。　　SMIC(中芯国际)受惠于客户提前备货，和中国消费补贴提前拉货等因素，削弱ASP下滑的负面效应，营收季增1.8%，达22.5亿美元，排名第三。对于业绩增长原因，联合首席执行官(联席CEO)赵海军表示，主要受益于国际形势变化引起的客户提拉出货，国内以旧换新消费补贴等政策推动的大宗类产品需求上升，以及工业与汽车产业触底补货。　　中芯国际给出的二季度收入指引为，环比下降4%到6%，毛利率指引为18%到20%。中芯国际表示下半年是机遇与挑战并存。　　联合首席执行官赵海军表示，公司整体出货数量达到229万片(折合八英寸标准)逻辑晶圆，出货量环比增长15%。不过，由于一季度出现引起生产性波动的突发事件，公司收入增长未及预期，并且影响还将延续至第二季度。　　UMC(联电)排名维持第四，上游客户提前备货抵消淡季因素，助其晶圆出货与产能利用率大致持平前一季，ASP则因年度一次性调价而下滑，营收小幅季减5.8%，为17.6亿美元。　　GlobalFoundries(格芯)营收季减13.9%，收敛至15.8亿美元，市占也微幅缩减。　　HuaHong Group(华虹集团)第一季营收排名第六，营收10.11亿美元，市占2.7%。　　Vanguard(世界先进)营收季增1.7%，达3.63亿美元，排名上升至第七名。　　退居第八名的Tower(高塔半导体)第一季营收季减7.4%，下滑至3.58亿美元。　　Nexchip(合肥晶合)第一季亦接获客户的急单，投片产出季增，带动营收成长2.6%，上升至3.53亿美元，排名第九。　　PSMC(力积电)第一季营收为3.27亿美元，微幅季减1.8%，排在第十名。
2025-06-10 16:07 reading：222
十大晶圆代工排名！
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十大晶圆代工排名！

　　9月3日消息，据TrendForce 集邦咨询报告，全球前十大晶圆代工企业 2024Q2 产值环比增长 9.6%，整体达 319.62 亿美元。　　二季度营收环比增长的主要动力来自客户陆续启动消费性零部件备货或库存回补，推动晶圆代工厂接获急单，产能利用率较 2024 年一季度显著提升。而这背后是中国 618 购物季与消费性终端库存水位回归的双重影响。　　此外 AI 服务器相关需求延续强劲也从另一个角度对十大晶圆代工企业的业绩提供了支撑。　　全球前十大晶圆代工企业的名单并未在 2024 年 2 季度发生变化。不过 VIS 世界先进得益于 DDI 急单和 PMIC 客户增加，营收环比增幅达 11.6%，排名超越力积电与合肥晶合升至第八。　　对于曾在 2023 年三季度跻身本份榜单的英特尔代工，TrendForce 集邦咨询表示该业务虽然营收规模不小，但 98%~99% 订单来自内部，按外部客户计未达全球前十。　　TrendForce 集邦咨询表示三季度是传统备货旺季且 AI HPC 订单仍在高速成长，预计 2024 年三季度代工产能利用率将进一步提升，全球前十大晶圆代工企业有望实现与二季度相同水平的产值环比增长。
2024-09-03 15:00 reading：1015
晶圆抛光都有哪些方法？
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晶圆抛光都有哪些方法？

　　晶圆的最终命运是被切成一枚枚芯片(die)，封装在暗无天日的小盒子里，只露出几枚引脚，芯片会看阈值，阻值，电流值，电压值，就是没人看它的颜值，我们在制程中，反复给晶圆打磨抛光，还是为了满足生产中的平坦化需要，尤其是在每次做光刻时，晶圆的表面一定要极致的平坦，这是因为随着芯片制程的缩小，光刻机的镜头要实现纳米级的成像分辨率，就得拼命增大镜片的数值孔径(Numerical Aperture)，但这同时会导致焦深(DoF)的下降，焦深是指光学成像的聚焦深度，要想保证光刻图像清晰不失焦，晶圆表面的高低起伏，就必须落在焦深范围之内。简单说就是光刻机为了提高成像精度，牺牲了对焦能力，像新一代的EUV光刻机，数值孔径0.55，但垂直方向上的焦深，总共只有45纳米，光刻时的最佳成像区间则会更小。假如放上去的晶圆不够平坦，厚度不平均，表面有起伏，就会导致高低处的光刻出问题。　　当然也不只有光刻才会要求晶圆表面的丝滑，还有很多造芯片的工序，都需要打磨晶圆，湿法刻蚀后要打磨，紧致腐蚀的粗糙面，方便涂胶沉积，浅槽隔离(STI)后要打磨，磨平多余的氧化硅完成沟槽填充，金属沉积后要打磨，去除溢出的金属层，防止器件短路。因此一枚芯片的诞生，中间要经历很多次打磨来降低晶圆的粗糙度和高低起伏，去除表面多余的物质，另外晶圆上各种工艺问题，导致的表面缺陷(defect)，经常也要等到每次打磨完成后，才会暴露出来，所以负责研磨的工程师责任重大，他们既是芯片制程中承上启下的C位，也是生产会议中接盘背锅的T位，他们既要会湿法刻蚀，又得懂物理输出，因为芯片厂最主要的抛光技术。晶圆的抛光方法有哪些?　　抛光工艺根据抛光液和硅片表面间的作用在原理上可分为以下3大类｡机械抛光法机械抛光是靠切削、材料表面塑性变形去掉被抛光后的凸部而得到平滑面的抛光方法，一般使用油石条、羊毛轮、砂纸等，以手工操作为主，特殊零件如回转体表面，可使用转台等辅助工具，表面质量要求高的可采用超精研抛的方法。超精研抛是采用特制的磨具，在含有磨料的研抛液中，紧压在工件被加工表面上，作高速旋转运动。利用该技术可以达到Ra0.008μm的表面粗糙度，是各种抛光方法中高的。光学镜片模具常采用这种方法。2.化学抛光法化学抛光是让材料在化学介质中表面微观凸出的部分较凹部分优先溶解，从而得到平滑面。这种方法的主要优点是不需复杂设备，可以抛光形状复杂的工件，可以同时抛光很多工件，效率高。化学抛光的核心问题是抛光液的配制。化学抛光得到的表面粗糙度一般为数10μm。3.化学机械抛光法(CMP)前两种抛光法都有自己独特的优点，若将这两种方法结合起来，则可在工艺上达到优缺互补的效果。化学机械抛光采用将机械摩擦和化学腐蚀相结合的工艺，在CMP工作过程中，CMP用的抛光液中的化学试剂将使被抛光基底材料氧化，生成一层较软的氧化膜层，然后再通过机械摩擦作用去除氧化膜层，这样通过反复的氧化成膜-机械去除过程，从而达到了有效抛光的目的。　　当前化学机械抛光(CMP)领域面临一些挑战和问题，这些问题包括技术性、经济性和环境可持续性等方面：　　(1)工艺一致性：实现CMP过程的高度一致性仍然是一个挑战。即使在同一生产线上，不同批次之间或不同设备之间的工艺参数可能存在微小差异，影响最终产品的一致性。(2)新材料适应性:随着新材料的不断涌现，CMP技术需要不断适应新材料的特性。一些先进材料可能对传统CMP工艺不够兼容，需要开发适应性更强的抛光液和磨料。(3)尺寸效应：随着半导体器件尺寸的不断缩小，尺寸效应带来的问题变得更为显著。在微小尺寸下，表面平整度的要求更高，因此需要更精密的CMP工艺。(4)材料去除率控制：在一些应用中，对不同材料的精确去除率控制变得尤为关键。确保不同层材料在CMP过程中的去除率一致性对于制造高性能器件至关重要。(5)环境友好:CMP过程中使用的抛光液体和磨料可能包含一些环境有害的成分。研究和开发更环保、可持续的CMP工艺和材料是一个重要的挑战。(6)智能化与自动化:CMP系统的智能化和自动化程度逐渐提高，但仍需应对复杂多变的生产环境。如何实现更高程度的自动化和智能监测，以提高生产效率，是一个需要解决的问题。(7)成本控制：CMP工艺涉及到高昂的设备和材料成本。制造商需要在提高工艺性能的同时，努力降低生产成本，以保持市场竞争力。
2024-05-27 16:23 reading：1230
衬底和晶圆的区别是什么 衬底晶圆分类
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衬底和晶圆的区别是什么 衬底晶圆分类

　　衬底是指在半导体制造过程中作为基础层的物质。它通常是一个硅片或其他材料的薄片，作为承载芯片和电子器件的基础。衬底可以看作是半导体器件的“地基”。　　衬底的结构根据具体应用和需求而有所不同。最常见的衬底材料是单晶硅(Silicon)，通常以硅(Si)的形式存在。衬底的硅片通常具有圆形或方形的形状，其表面是平坦的。　　除了硅衬底外，也使用过其他材料作为衬底，如蓝宝石(Sapphire)、碳化硅(Silicon Carbide)等。这些材料在特定应用中具有特殊的性质和优势。　　一、晶圆的定义和结构　　晶圆是指从衬底中切割出来的圆形硅片。它被广泛应用于半导体制造过程中，是半导体芯片的主要基板。晶圆可以看作是半导体器件的“原材料”。　　晶圆的结构主要由两个方面决定：尺寸和方向。晶圆的尺寸通常以直径来表示，最常见的尺寸是4英寸(100毫米)和8英寸(200毫米)，但也有其他尺寸可用。　　晶圆的方向由其晶格结构决定。晶圆可以分为不同的晶向，如<100>、<110>、<111>等。这些晶向决定了晶圆上晶格的排列方式，对器件性能和工艺步骤有重要影响。　　二、衬底与晶圆在半导体制造中的应用　　衬底的应用　　衬底在半导体制造中具有以下重要应用：　　承载半导体芯片：衬底是半导体芯片的基础，提供稳定的平台来构建电子器件和集成电路。　　基础层的沉积：在制造过程中，衬底上可能需要进行一系列的薄膜沉积，如氧化物、金属等。这些薄膜可以提供保护和功能性。　　背面处理：衬底的背面通常进行背刻和背面加工，以便使电流通过器件。　　晶圆的应用　　晶圆在半导体制造中具有以下重要应用：　　材料生长：晶圆作为基板，可以用来在其表面上生长单晶薄膜，如外延生长(Epitaxy)。　　芯片制造：晶圆上的电路设计和制造是半导体芯片制造的关键步骤。涉及到将电路图设计转化为实际的电子器件，并在晶圆上进行精确的制造和加工。　　光刻：晶圆上的光刻技术用于在薄膜上形成图案，以定义电子器件的结构和互连。　　清洗和处理：晶圆经常需要进行清洗和处理步骤，以去除表面污染物、改善品质和增强性能。　　包装和封装：完成芯片制造后，晶圆将进行切割和封装，形成最终的半导体器件或集成电路。　　衬底和晶圆是半导体制造过程中的两个重要概念。衬底是作为基础层的材料，承载着芯片和器件;而晶圆则是从衬底中切割出来的圆形硅片，作为半导体芯片的主要基板。衬底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圆则是衬底的一部分，具有特定的尺寸和方向。衬底用于承载和沉积薄膜，而晶圆用于生长材料、制造芯片和执行光刻等工艺步骤。
2023-11-09 09:39 reading：2420
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