英飞凌推出全新HYPERRAM™存储芯片,可将高性能低引脚数解决方案的带宽提高一倍

发布时间:2022-09-15 10:07
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:3092

    英飞凌科技推出新型HYPERRAM™ 3.0器件,进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口,可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后,英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用,包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)和汽车车联网(V2X),以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。

英飞凌推出全新HYPERRAM™存储芯片,可将高性能低引脚数解决方案的带宽提高一倍

    英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示:“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀,我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM™ 3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”

    英飞凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
英飞凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模块
英飞凌:用于CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的双脉冲测试评估板
英飞凌:EasyDUAL™ 1B和2B,1200V共发射极IGBT模块
英飞凌:储能用1200V 500A NPC2 三电平IGBT EasyPACK™ 3B模块
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码