ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

Release time:2022-10-08
author:Ameya360
source:网络
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    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出一款设备端学习*AI芯片(配备设备端学习AI加速器的SoC),该产品利用 AI(人工智能)技术,能以超低功耗实时预测内置电机和传感器等的电子设备的故障(故障迹象检测),非常适用于IoT领域的边缘计算设备和端点*1。

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

    通常,AI芯片要实现其功能,需要进行设置判断标准的“训练”,以及通过学到的信息来判断如何处理的“推理”。在这种情况下,“训练”需要汇集庞大的数据量形成数据库并随时更新,因此进行训练的AI芯片需要具备很高的运算能力,而其功耗也会随之增加。正因如此,面向云计算设备开发的高性能、昂贵的AI芯片层出不穷,而适用于边缘计算设备和端点(更有效地构建物联网社会的关键)的低功耗、可在设备端学习的AI芯片开发却困难重重。

    此次开发出的AI芯片,是ROHM在基于日本庆应义塾大学松谷教授开发的“设备端学习算法”,面向商业化开发的AI加速器*2(AI专用硬件计算电路)和ROHM8位高效CPU“tinyMicon MatisseCORE(以下简称“Matisse”)”构成。通过将2万门超小型AI加速器与高效CPU相结合,能以仅几十mW(仅为以往AI训练芯片的1/1000)的超低功耗实现训练和推理。利用本产品,无需连接云服务器,就可以在设备终端将未知的输入数据和模式形成“不同于以往”的数值并输出,因此可在众多应用中实现实时故障预测。

    未来,ROHM计划将该AI芯片的AI加速器应用在IC产品中,以实现电机和传感器的故障预测。计划于2023年度推出产品,于2024年度投入量产。

    日本庆应义塾大学 理工学部信息工学科 松谷 宏纪 教授表示:“随着5G通信和数字孪生*3等物联网技术的发展,对云计算的要求也越来越高,而在云服务器上处理所有数据,从负载、成本和功耗方面看并不现实。我们研究的‘设备端学习’和开发的‘设备端学习算法’,是为了提高边缘端的数据处理效率,创建更好的物联网社会。这次,我校通过与ROHM公司进行联合研究,进一步改进了设备端学习电路技术,并有望以高性价比的方式推出产品。我们预计在不久的将来,这种原型AI芯片将会成功嵌入ROHM的IC产品中,为实现更高效的物联网社会做出贡献。”

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

    <关于tinyMicon MatisseCORE™>

    tinyMicon MatisseCORE(Matisse: Micro arithmetic unit for tiny size sequencer)是ROHM自主开发的8位微处理器(CPU),该产品旨在随着物联网技术的发展来提高模拟IC的智能化程度。凭借针对嵌入式应用而优化的指令集和最新的编译器技术,以高标准实现了更小的芯片面积和程序代码、以及更高速的运算处理能力。此外,该产品还符合汽车功能安全标准“ISO 26262”、ASIL-D等的要求,适用于对可靠性要求高的应用。另外,利用内置的自有“实时调试功能”,在调试时的处理可以完全不影响应用程序的运行,因此能在应用产品工作的同时进行调试。

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

    Matisse和普通小型CPU的性能比较

    <AI芯片(配备设备端学习AI加速器的SoC)详细介绍>

    这次开发出的设备端学习AI芯片原型(产品型号:BD15035)在人工智能技术的基础上,采用了庆应义塾大学松谷教授开发的“设备端学习算法(三层神经网络*4的AI电路)”。为了推出可以投放市场的产品,ROHM将这种AI电路的大小从500万门缩小为2万门,仅为原来的0.4%,并将其重新构建为自有的AI加速器“AxlCORE-ODL”,同时,利用ROHM的8位高效微处理器“tinyMicon MatisseCORE”进行AI加速器的运算控制,使得仅数十毫瓦的超低功耗AI训练和推理成为可能。利用本产品,无需连接云服务器和事先进行AI训练,就可以设备终端将未知的输入数据和模式(例如加速度、电流、照度、声音等)形成“不同于以往(异常度)”的数值并输出,因此不仅可以降低云服务器和通信成本,还能通过终端AI进行实时故障预测(故障迹象检测)。

    另外,ROHM还提供可安装微控制器开发板“Arduino*5”用扩展板(配备Arduino兼容引脚)的评估板,以方便客户评估这款AI芯片。评估板上装有无线通信模块(Wi-Fi和Bluetooth®)以及64kbit EEPROM(内存),只需将该评估板与传感器等单元相连接,将传感器装在监控对象上,即可在显示屏上确认AI芯片的效果。

ROHM开发出数十毫瓦超低功耗的设备端学习AI芯片

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ROHM推出兼具低FET发热量和低EMI特性的三相无刷电机驱动器IC
  2025年10月23日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出适用于中等耐压系统( 12V ~ 48V 系统) 的采用“TriC3™” 技术的三相无刷直流电机驱动器 IC“BD67871MWV-Z”。通过配备ROHM自有的驱动逻辑,该电机驱动器IC成功地在降低FET发热量的同时实现了低EMI*1特性,而这两项之间存在此消彼长的关系,通常很难同时兼顾。  电机的耗电量约占全球耗电量的60%,从能源效率的角度来看,进一步提升其控制技术越来越重要。尤其是在12V~48V电压等级的应用产品中,电机驱动的主流方案通常采用通过MCU控制3个栅极驱动器的简单架构。然而近年来,对高效率控制且精密控制的需求日益高涨,MCU与一体化三相电机驱动器相结合的解决方案正在加速普及。另一方面,三相电机驱动器还存在技术课题—“抑制功耗”与“降低噪声”之间存在着此消彼长的权衡关系,长期以来被认为两者很难同时兼顾。针对这些课题,ROHM充分利用其在电机驱动器等各种栅极驱动器IC开发过程中积累的先进电路控制技术,成功开发出可同时抑制“功耗”和 “噪声”的新技术“TriC3™”。  新产品采用ROHM自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”,能够高速感测来自FET的电压信息,并实时进行栅极控制。采用这种控制方式,不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量,同时还抑制了振铃*2的产生,实现了低EMI特性。经实际电机验证,与ROHM以往的恒流驱动产品相比,新产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外,新产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形(UQFN28)和引脚排列,有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。  新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个,不含税)。此外,ROHM还提供可助力应用产品开发和设计的评估板(BD67871MWV-EVK-003)。本产品也已开通电商销售路径,可通过AMEYA360购买。  另外, ROHM 还推出了与新产品采用相同封装和引脚配置的恒压驱动通用电机驱动器(BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z)。从通用型到此次采用TriC3™技术的高附加值型产品,ROHM可 提供满足客户多样化需求的丰富产品群,未来ROHM将继续致力于提升电机效率、助力应用产品增强功能、提升性能并降低能耗。  <产品阵容>  <应用示例>  ・工业设备:电动钻头、电动螺丝刀、工业风扇等设备所用的各种电机  ・消费电子:吸尘器、空气净化器、空调、换气扇等设备所用的各种电机、电助力自行车  <TriC3™>  ROHM开发的适时细分恒流控制驱动技术。通过三段式精确设定控制栅极电流,实现高速且高效运行,同时抑制振铃现象,有助于降低噪声并实现稳定工作。  “TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。  <术语解说>  *1) EMI(Electromagnetic Interference:电磁干扰)  EMI是用来衡量对象产品的运行产生多少噪声、是否给外围IC和系统带来问题的指标。“低EMI特性”意味着产生的噪声很少。  *2) 振铃  开关时产生的高频振荡和过冲现象。这是由MOSFET在开、关动作时,电路中的寄生电感和寄生电容发生的谐振所导致的现象。
2025-10-23 14:15 reading:283
体积更小且支持大功率!ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET
  2025年10月16日,全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布,已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比,其散热性提升约39%,虽然体型小且薄,却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。  与以往封装产品相比,新产品的体积更小更薄,器件面积削减了约26%,厚度减半,仅为2.3mm。另外,很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V,而ROHM新产品则达到750V。因此,即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻,从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品,并已于2025年9月开始量产(样品价格:5,500日元/个,不含税)。另外,新产品也已开始电商销售,可从Ameya360平台购买。另外,ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型,助力客户快速推进电路设计。  <开发背景>  在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中,功率呈日益提高的趋势,同时,与之相矛盾的小型化需求也与日俱增,这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源,其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求,ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。  <产品阵容>  <应用示例>  ・工业设备:AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)  ・消费电子:一般电源  <电商销售信息>  电商平台:Ameya360  开始销售时间:2025年9月起逐步发售  <术语解说>  *1) 图腾柱型PFC电路  一种高效率的功率因数校正电路方式,通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET,可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。  <关于“EcoSiC™”品牌>  EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法,ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外,ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系,已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。
2025-10-20 11:02 reading:355
实现业界超高额定功率!ROHM开发出金属烧结分流电阻器UCR10C系列
  全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布成功开发出在2012尺寸分流电阻器(10mΩ~100mΩ)领域实现业界超高额定功率的“UCR10C系列”产品。  在电流检测领域,无论是车载市场还是工业设备市场,都要求分流电阻器能够应对更大功率。另外,车载市场对高接合可靠性的需求、工业设备市场对更高精度的需求也逐年高涨。ROHM为满足这些多样化的需求,一直在大力开发适配度高的分流电阻器,为客户提供电流检测方面的出色解决方案。  新产品是利用烧结工艺在氧化铝基板上形成铜基电阻体制作而成的。通过优化散热结构,与包括厚膜型*1和金属板型*2产品在内的同等尺寸产品相比,其额定功率高1倍,达到1.0W和1.25W。这不仅能满足客户替换长边电极结构*3产品和更大尺寸产品的需求,还可实现设备小型化并减少元器件数量。  而且,通过采用金属电阻体,还实现了低TCR*4(0 to +60ppm / ℃)特性。由于能够抑制温度变化导致的误差,因此可实现高精度的电流检测。  此外,在温度循环可靠性方面,新产品也实现了与金属板型同等的耐久性(-55℃ /+155℃ 1000次循环)。因此,即使在车载等温度变化剧烈的应用场景中,也能确保高接合可靠性,可长期稳定使用。另外,新产品还完全无铅,在RoHS不要求的部位也不含铅材料,可减轻环境负荷。  新产品已于2025年9月份开始提供样品。如需样品或了解相关事宜,欢迎联系AMEYA咨询。  ROHM也已开始着手开发3216尺寸(2W)金属烧结分流电阻器“UCR18C系列”,不断扩充大功率、高精度、高可靠性兼具的产品阵容。  <应用示例>  车载、工业设备、消费电子等各种电流检测用途  <术语解说>  *1) 厚膜型  采用金属玻璃材料作为电阻体的贴片电阻器。除成本优势外,因其电阻体覆膜较厚,在应对脉冲和浪涌方面具有出色的耐受性。  *2) 金属板型  采用金属板作为电阻体的贴片电阻器。其散热性能出色,因低TCR特性而可实现高精度,在性能方面更具优势。  *3) 长边电极结构  沿贴片电阻器本体的长边配置电极的结构。相较于沿短边配置电极的一般结构,这种结构的散热效率更好,可支持大功率应用。  *4) TCR(Temperature Coefficient of Resistance:电阻温度系数)  表示电阻器的阻值随温度变化而变化多少的指标。数值越低,相对环境温度变化的电阻值变化越小,性能越稳定。  UCR10C的TCR因阻值而异。另外,所提供的TCR为10mΩ产品在+25/+155℃范围内的保证值。
2025-10-15 13:11 reading:472
ROHM开发出低VF且低IR的保护用肖特基势垒二极管
  中国上海,2025年10月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出一款创新型保护用肖特基势垒二极管“RBE01VYM6AFH”,该产品在低VF(正向电压)和低IR(反向电流)这对此消彼长的特性之间实现了高维度平衡,可为ADAS摄像头等配备了像素日益提高的各种图像传感器的应用,提供高可靠性的保护解决方案。  近年来,随着ADAS摄像头等应用的精度提升,其搭载的图像传感器的像素也越来越高。这使得产品无法对电源关断时图像传感器感光产生的光生电压进行充分控制,从而存在对应用产品造成损坏的风险,而采用具有低VF特性的肖特基势垒二极管进行保护被认为是行之有效的方案。另一方面,为了防止运行时的热失控,还需要具备低IR特性。但由于VF与IR之间存在此消彼长的权衡关系,因此如何兼顾二者一直是个难题。在这种背景下,ROHM通过从根本上重新改进器件结构,成功开发出兼具低VF和低IR特性的肖特基势垒二极管,使其能够胜任保护工作。  “RBE01VYM6AFH”是一款突破常规思维的产品,它创新性地将通常用于整流用途的肖特基势垒二极管的低VF特性用在了保护用途中。通过采用基于ROHM自有技术的创新型器件结构,同时实现了通常难以兼顾的低VF和低IR特性。凭借这些优异的特性,新产品即使在严苛的环境条件(VF:Ta=- 40℃、IR:Ta=125℃)下,仍同时满足市场VF<300mV(IF=7.5mA)和IR<20mA(VR=3V)的特性要求。因此,新产品不仅能够防止应用产品停止运行时的高光生电压*1导致的电路损坏,还能大大降低运行过程中出现热失控和误动作的风险。  新产品的封装采用小型扁平引脚SOD-323HE(2.5mm × 1.4mm)封装形式,兼具出色的可安装性和节省空间优势。在需要在狭小空间中安装的车载摄像头、工业设备、安防设备等众多应用中,均可灵活使用。  另外,新产品还符合车载电子元器件可靠性标准(AEC-Q101),在要求高可靠性和长期稳定运行的下一代电子设备设计中,可作为理想的保护器件运用。  新产品已经在稳定的供应体系下开始量产供应(样品价格:130日元/个,不含税)。另外,新产品已经开始通过电商进行销售,通过Ameya360可购买。  未来,ROHM将通过不断扩充小型封装的产品阵容,进一步满足应用产品日益增长的小型化需求。  <产品主要特性>  <应用示例>  ・ADAS摄像头、智能对讲系统、安防摄像头、家庭物联网设备等配备图像传感器的应用  <电商销售信息>  网售平台:Ameya360  ・产品型号:RBE01VYM6AFHTR  <术语解说>  *1) 光生电压  光传感器等领域的常用术语,指因光照产生的电压。通常而言,光照强度越大或传感器像素越高,所产生的电压就越大。
2025-10-09 15:00 reading:340
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