东芝将建设一个新的功率半导体后端生产设施,以提高其产能。
东芝将在其位于日本西部兵库县建造一个新的功率半导体后端生产设施。建设将于2024年6月开工,计划于2025年春季投产。与2022财年相比,该项目将使东芝在姬路的汽车功率半导体产能增加一倍以上。
功率器件是各种电子设备管理和降低功耗、节约能源的重要组成部分。最重要的是,随着汽车电气化和工业设备自动化的进步,对东芝重点技术低压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的需求预计将持续增长。东芝已决定通过建设新的后端设施来满足这一需求增长。
展望未来,东芝将通过提供高效率、高可靠性的产品来扩大其功率半导体业务并提高竞争力,以满足快速增长的需求,并为碳中和做出贡献。
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model | brand | Quote |
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CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
MC33074DR2G | onsemi | |
RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
TL431ACLPR | Texas Instruments |
model | brand | To snap up |
---|---|---|
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
BP3621 | ROHM Semiconductor |
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