安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

Release time:2023-05-09
author:Ameya360
source:网络
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  随着人们对电动汽车 (EV) 和混动汽车 (HEV) 的兴趣和市场支持不断增加,汽车制造商为向不断扩大的客户群提供优质产品,竞争日益激烈。由于 EV 的电机需要高千瓦时电源来驱动,传统的 12 V 电池已让位于 400-450 V DC 数量级的电池组,成为 EV 和 HEV 的主流电池电压。

  市场已经在推动向更高电压电池的转变。800 V DC 和更大的电池将变得更占优势,因为使用更高的电压意味着系统可以在更低的电流下运行,同时实现相同的功率输出。较低电流的优点是损耗较低,需要管理的热耗散较少,还有利于使用更小的电缆为整个车辆供电。

  不断发展的电动汽车技术对于在全球范围内实现更可持续的交通运输至关重要。到 2024 年底,道路上将有超过 700 万辆汽车搭载安森美 (onsemi) VE-Trac?功率模块,仅这些车辆就可以每年减少 2900 万吨的二氧化碳排放量(见图 1)。

  安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

  图 1.减少车辆搭载安森美 VE-Trac 功率模块后可减少的二氧化碳排放量

  

  主驱逆变器

  电池的主要负载是车辆的电机,使用交流电机的 EV 和 HEV 依赖于主驱逆变器将直流电池电源转换为交流电(见图 2)。主驱逆变器是电动汽车的心脏,提供驱动汽车前进所需的扭矩和加速度。主驱逆变器的两个主要设计考虑因素包括转换效率和峰值功率。

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  图 2. 主驱逆变器将直流电池电源转换为交流电源,提供扭矩和加速度

  从 DC 到 AC 的电源转换效率越高,车辆就可以使用更小的电池做更多的事情。更高的效率还意味着系统可以提供更多的功率,并减少需要管理的散热。

  峰值功率决定了车辆的整体性能,特别是车辆的瞬时扭矩和加速能力。效率(续航里程)和峰值功率(性能)共同决定了车辆的应用和使用场景。

  如今,许多 EV 和 HEV 都是基于 IGBT 技术构建的。随着碳化硅 (SiC) 技术的问世,更高的效率和性能成为可能。

  碳化硅的优势

  IGBT 技术通常为中低档车辆提供更具成本效益的解决方案,SiC 提供出色的效率和峰值功率,尤其是在较高电压下,适用于非常重视续航里程和性能的车辆,系统成本也更加灵活。每个芯片阻抗更低,可实现出色的效率和热优化。在这些功能的共同作用下,每英里的电池消耗得以降低。虽然 SiC 的成本高于 IGBT,但在许多应用中,这被 SiC 提高的能效所带来的整车其他方面的成本节省所抵消。

  图 3 到图 6比较了 IGBT 效率与 SiC 效率。在图 3 和图 4中,NVH820S75L4SPB 是 IGBT 模块(方形连线图),而 NVXR17S90M2SPB 是 SiC 模块(圆形连线图)。这两张图显示了 IGBT 因开关频率和 RMS 负载电流具有更高的功率损耗。图 5 和图 6 显示,以更高频率运行的 SiC 可实现出色的效率增益。

 安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

  就本质而言,当前的 IGBT 技术会随着电压的增加而变得更厚且效率更低,从而导致需要更高的阻断电压。可以基于 IGBT 构建更高电压的逆变器,但随着电动汽车的电压达到 800 V 及以上,SiC 的效率将大大高于 IGBT。在更高电压下,SiC 不必像 IGBT 一样厚也能实现阻断电压。在标准负载下,IGBT 的效率约为 94%。然而,在较低负载下,其效率下降至 92%,例如当车辆以巡航速度运行时。相比之下,SiC 在标准负载下可达到 98%,增益为 4%。SiC 在较低负载下具有 95% 的效率,增益为 3%。

  增加行驶里程:

  一个 100 千瓦时的电池和基于 IGBT 的逆变器解决方案,可以产生 300 英里的最大行驶里程。使用 SiC ,效率提高 3% 以上,将使车辆的续航里程增加 9 英里或更多。对于具有更大电池的车辆,例如长途运输卡车,续航里程会更远。

  更小直径的布线:

  电机可以用较低的电流驱动,因为基于 SiC 的主驱逆变器在较高电压下运行效率更高。这样,就可以使用直径较小的电缆。贯穿车辆的布线的直径变小,减少了整体重量,这样只需更少的电力就能驱动车辆并增加总的行驶里程。此外,更小直径的布线成本更低,抵消了使用高压 SiC 主驱逆变器的成本。

  系统尺寸:

  SiC 技术的效率更高,使高压主驱逆变器在尺寸上更加紧凑,而不会影响效率或峰值功率。较小的逆变器使设计人员在逆变器的放置方面具有更大的灵活性,并最大限度地增加了车内的乘客空间和可用空间。

  热管理:

  管理车辆内的热量对于维持整体系统效率至关重要。基于 SiC 的主驱逆变器具有更高的热效率,可产生更低的损耗和更少的散热。这意味着逆变器在较低的温度下运行,带来双重好处:牵引系统可以实现更高的峰值功率,同时降低散热系统整体成本。

  VE-Trac 高度集成功率模块

  IGBT 和 SiC 都是主驱逆变器系统的可行方案。然而,许多因素会影响整个牵引系统中主驱逆变器的效率和性能,没有一个简单的方程式可以确定适合给定应用的最佳方法。

  通过与安森美合作,工程师可以探索各种选择。安森美拥有完整的主驱逆变器解决方案组合,包括 IGBT 和 SiC 技术,因此 OEM 和一级供应商可以为其应用找到合适的逆变器半导体解决方案。安森美为 EV 和 HEV 应用提供广泛的牵引逆变器解决方案,VE-Trac 系列就是用于汽车功能电子化的高度集成功率模块。这些模块采用创新的封装、先进的散热技术并具备出色的可靠性。

  安森美旗下的整个 IGBT 和 SiC 主驱逆变器产品线均采用标准的外壳模块封装和外形。通过标准封装,OEM 可以使用同等的模块外形,将现有的基于 IGBT 的系统迁移到 SiC。这使 OEM 只需对逆变器系统设计进行少量修改,即可在现有应用中获得 SiC 的全部优势。

  然而,随着行业朝着提高可靠性的方向发展,安森美也提供压铸模封装 (TMP) 以实现更出色的可靠性。随着 OEM 向市场推出新设计,TMP 可将器件封装在非常坚固的塑封压铸模封装中,提高电动汽车在恶劣运行环境中电气连接的可靠性。安森美提供半桥解决方案。

  在封装选项中,安森美提供先进的直接散热技术以最大限度地提高导热性,从而提高系统性能和可靠性。模块在冷却剂和 IGBT / SiC 芯片之间具有直接散热路径,无需额外的热元件,例如热界面材料 (TIM) 或散热片。对于需要更多散热的应用,双面散热允许冷却剂在模块的顶面和底面流动,以更快地散热。

  可靠性是 EV 和 HEV 的一个重要因素。通过使用先进散热技术改进散热并采用刚性封装来保护电气连接,OEM 可以设计出能够在更长距离内运行而不会出现主驱系统故障的电动汽车。为了进一步提高可靠性,安森美采用压合式引脚技术来连接功率模块和栅极驱动板之间的信号引脚。压合式引脚是在其他汽车应用中经过验证的技术,例如 TPMS 和电机控制。压合式引脚可确保稳固连接,而且牢固、可靠、无焊料、可重复,且针对自动化和大批量制造进行了优化。

  各种 VE-Trac 模块还集成了智能 IGBT 芯片,使模块能够自我监控自身的运行状况,以应对过热和过流等保护事件。在片上执行自我监控而不是通过外部 NTC 热敏电阻进行监控,可以使模块响应更快,并最大限度地减少此类事件发生时的影响。

  安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

  图 7. VE-Trac 系列是高度集成的功率模块,整合一系列电压、功率和制造技术,为各种混动和电动汽车应用提供合适的解决方案。

  图 7显示了 VE-Trac 系列中 OEM 可用的许多选项。采用直接水冷技术的 VE-Trac Direct 模块可轻松与压合式标准外壳模块封装相集成,以提高灵活性和可靠性(见图 8)。借助 IGBT 和 SiC 选项,VE-Trac Direct 模块可提供 100 kW 以上的功率级可扩展性。

安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

  图 8. VE-Trac Direct 模块可扩展到 100 kW 以上且易于集成

  VE-Trac Dual 模块采用紧凑型 TMP 外形尺寸,体积缩小 30%,同时为需要扩展至 300 kW 的空间受限应用提供相当的输出功率(见图 9)。VE-Trac 的使用寿命比标准模块长 3 倍以上,还提供出色的电气和热性能、极低的封装电感 (<7 nH) 和出色的 $/kW 值。集成了智能的 IGBT 片上温度和电流传感器,可实现更严格的容差(± 7°,而基于 NTC 的传感为 ± 14°)和更快的故障检测(200 ns,而 DESAT 为 2 μs+)。

  安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

  图 9. VE-Trac Dual 模块采用紧凑型 TMP 外形,提供出色的电气和热性能及 $/kW 值。

  VE-Trac B2-Direct SiC 模块采用新技术,提供 SiC 的效率和高峰值功率,含下一代封装、直接散热和热性能技术,可延长整体寿命性能(见图 10)。其他主要特性包括:通过银烧结将芯片连接到 DBC 上、源夹具互连、与 AHPM DSC 的封装兼容性,以及从中功率到高功率的可扩展功率输出。

  安森美:相较IGBT,SiC如何优化混动和电动汽车的能效和性能

  图 10. VE-Trac B2-Direct SiC 模块通过下一代封装、直接散热、和热性能技术提供出色的效率和高峰值功率。

  可扩展集成

  凭借多功能和可扩展的封装选项,安森美可为每个应用提供合适的模块。VE-Trac Direct 功率模块提供 100 至 180 kW 的可扩展解决方案,具有适用于三相电机应用的相同机械封装。VE-Trac Dual 解决方案提供了极高的灵活性,功率模块可以垂直横向排列,可根据应用调整逆变器系统,使之更长更薄或更短更厚。此外,逆变器系统可以在同一相上并联放置两个多功率模块,以增加峰值功率,从而在类似的紧凑外形中提供高达 2 倍的功率。

  作为功率半导体市场的领导者,安森美了解设计高效、可靠和可持续的电源解决方案的重要性。VE-Trac 系列等广泛而灵活的集成模块产品组合使 OEM 能够为应用选择合适的解决方案,从低电压、具有成本效益的 IGBT 模块,到提供高效率和高峰值功率的高压 SiC 模块等。安森美也是一家 SiC 供应商,提供全面的垂直整合量产服务。

  凭借在汽车行业的悠久历史(40 多年),安森美还提供完整的设计支持,包括全面的应用笔记和仿真模型,用户还可获得安森美功能安全专家和全球开发支持团队的帮助。除了对 SiC 制造等技术进行大量投资外,安森美还以可靠的封装、完整的垂直电源整合和先进的散热方案等创新,不断推动整个行业的进步。安森美了解汽车行业的发展方向,并致力于提供 OEM 所需的技术,为混动和电动汽车提供可靠、优质的电力驱动。

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安森美:Hypelux IDXXXA系列让3D深度测量技术轻松落地
  现代工业自动化的成功离不开3D视觉技术的强大功能。传统的2D传感器只能提供平面图像,这使其在设备检测等应用中的效能大打折扣。2D传感器可以读取包含物品尺寸的条形码,但无法独立测量物体的实际形状和大小,更难以独立识别潜在的凹痕、缺陷或不规则之处。此外,2D传感器读取的数据易受光照条件的影响,不理想的光线往往会使关键区域变得模糊或失真。  然而,深度感知技术通过模拟人类视觉,以3D方式处理Z轴,为突破这些限制带来了曙光。现在,深度摄像头可以分辨物体的完整性,对设备进行精确检查,甚至可以捕捉细微的面部特征,为门禁控制等应用提供强大支持。凭借这些出色性能,3D视觉成为了重塑市场格局的关键力量,给国防、航空航天、医疗、汽车、消费电子等各行各业带来了深远影响。无论是障碍物检测、面部识别、自动驾驶还是机器人助手,深度感知都已经成为了现代工业自动化领域不可或缺的重要技术。  各种各样的深度感知技术都依赖于主动或被动视觉照明。基于被动照明的深度感知通常需要高度校准的立体传感器和视差,这与人眼的视觉机制非常相似。主动感知则会向目标发射光束,并利用反射的能量确定深度信息。这种技术需要一个能量发射器,但它优势明显,例如能够穿透云雾和烟尘、可以全天候工作,测量结果更加精准可靠。  主动照明技术有以下几种:直接飞行时间(dToF)、间接飞行时间(iToF)、结构光和主动立体视觉。间接飞行时间(iToF)技术利用发射信号和接收信号之间的相位差来计算距离。这种方法准确性很高,并且照明硬件非常简单。  本文将介绍安森美(onsemi)最新推出的产品系列——Hypelux ID。该系列在iToF技术领域取得了重大进展,能够提升当前工业和消费应用中的深度感知能力。  现有iToF技术局限性导致其难以大规模普及  iToF感知是许多应用的核心技术。常见的用例包括各种智能手机都支持的面部识别功能。然而,这种访问控制功能只能在近距离范围内发挥作用。除此之外,iToF技术还被广泛应用于机器视觉(MV)、机器人、增强现实/虚拟现实(AR/VR)、生物识别、患者监测等领域。目前,这些应用仅限于室内近距离(5米内)环境,针对不需要高分辨率的静止目标使用。iToF技术的潜在应用范围受到多重挑战的制约,具体涉及到运动问题,硬件和数据处理架构的开销与复杂性,以及对精密校准的需求。  这些重大障碍迫使工程师们要么采用复杂且昂贵的3D方案来获取深度信息,要么彻底放弃获取深度信息方案。安森美凭借杰出的创新实力,强势推出Hyperlux ID 系列,成功突破了以往的技术限制,充分释放了iToF技术的核心优势。Hyperlux ID 的iToF实现方案将有望促使这项重要技术得到更广泛的应用。  Hyperlux ID 技术进展详情介绍  安森美的Hyperlux ID 感知系列首两款120万分辨率(MP) iToF 产品,即AF0130和AF0131。该系列将从以下四个关键方面改善传感器性能以及优化相关开发流程:  1.获取移动目标的可靠深度信息  2.优化分辨率和深度距离,提高准确性  3.降低成本并减小尺寸  4.减少校准时间  下面将展开详细探讨以上四点。  减少运动伪影  为了实现更广泛的应用,iToF传感器必须能够有效处理移动目标,产生无运动伪影的准确结果。前文提到,iToF感知依赖于光反射,需利用四个或更多不同相位来计算深度。市面上现有的 iToF感知方案几乎都无法同时捕获和处理这些相位,因而难以应对移动目标的应用。Hyperlux ID深度传感器采用独特的专有集成和读出结构设计,可以通过兼具片上存储和实时处理能力的全局快门捕获快速移动目标,支持传送带操作、机械臂、监控、防撞、手势检测等应用。  更高分辨率=更高准确性和更大深度  目前市场上的大多数iToF传感器仅支持VGA分辨率,这导致其准确性不足,进而限制了其应用范围。前文提到,VGA之所以更为盛行,主要归因于其复杂的相位捕获机制以及数据密集型处理需求。  相比之下,Hyperlux ID 传感器采用高性能3.5 µm 背照(BSI)像素设计,分辨率达1.2 MP (1280x960)。比VGA更高的分辨率给Hyperlux ID 传感器带来了更多优势,不仅扩展了其深度范围,在近距离使用时,它还能实现非常高的准确性,并支持使用广角光学元件。  凭借更高的分辨率,Hyperlux ID传感器还进一步提高了量子效率,降低了深度抖动。所有这些性能改进的结合,为iToF传感器在高分辨率和深度需求突出的应用领域开辟了新的应用前景,比如手势识别、质量检测与控制、访问控制等。  现有iToF方案(左)与安森美的新型先进Hyperlux ID iToF(右)  更大范围  得益于分辨率的提升,Hyperlux ID 深度传感器的深度测量范围优于当前市场上的其他iToF传感器。目前iToF产品的室内测量范围普遍小于10米,而Hyperlux ID iToF 传感器系列可以达到30米。高性能全局快门像素的采用,使得整个传感器阵列能够与主动红外光精准对齐,从而有效抑制其他红外源(包括常见的室内灯光和最具挑战性的太阳光)产生的干扰。  校准和开发更加轻松  要准确记录和计算相位差,必须先精确校准iToF传感器,这一过程通常非常耗时。为了简化此过程,我们开发了一种专有方法,使Hyperlux ID 传感器更便于校准,从而大幅缩短了设置时间。  为了协助开发,安森美还打造了一套易于使用的开发套件,其中包括一个主板、一个传感器主板和一个激光板。此套件可在室内和室外使用,支持的范围为0.5 - 30 米,能够分析图像,进而生成深度图、3D点云以及相关的相位和深度数据。  最后,通过使用扩频技术,许多iToF传感器和其他支持红外的设备可以在同一系统中协同工作,完全无需担心设备间的信号干扰。  安森美的iToF传感器以更低成本实现更强大功能  iToF传感器以其精准的3D深度测量能力,在工业和消费应用中占据了重要地位。安森美的Hyperlux ID 深度传感器显著提升了iToF深度感知技术的性能并简化了相关设计,为此类技术开创了崭新的应用未来。  与目前市面上的iToF传感器相比,Hyperlux ID 深度传感器能够更有效地处理运动中、户外环境和更远距离的目标。此外,新颖的设计降低了Hyperlux ID 深度传感器的成本,减少了对电路板空间的需求,而且还更易于使用。  Hyperlux ID 系列深度传感器目前包括两款产品:AF0130和AF0131。AF0130内置了深度处理功能,而AF0131则无此功能,更适合希望使用自有原创算法的客户。
2025-04-01 09:41 reading:185
线控技术驱动汽车智能化跃迁,安森美全链路技术护航
  随着汽车电子技术的进步,电子控制系统的应用范围越来越广,汽车也越来越趋向于集成化、模块化、机电一体化及智能化方向发展。线控技术(Drive-by-wire)通过在刹车、油门、转向、挡位、悬挂等关键部分,由“电线”或者电信号来传递控制,取代了传统机械连接装置的硬连接来实现操控,正逐渐改变着车辆的控制方式和性能表现,为电动汽车发展提供了关键支撑。  以汽车转向系统为例,过去十年在机械液压助力(HPS)、电动液压助力(EHPS)到电动助力转向(EPS)的迭代中,始终未能突破机械转向柱和传动机构的桎梏。  而线控技术由传感器、计算控制单元和驱动芯片等关键部件组成,传感器负责收集车辆的各种状态信息,如车速、转向角度、加速度等,并将这些信息转化为电信号传输给计算控制单元。计算控制单元则根据预设的算法和接收到的信号进行快速运算和决策,生成相应的控制指令,再通过驱动芯片将电信号放大并传输给执行机构,如电机或电磁阀,从而实现了对车辆转向、制动和加速等系统的精准控制。  线控技术得以被广大厂商所接纳的更深层次原因在于整车架构层面所发生的变革,符合汽车电子电气架构从传统分布式ECU架构转向基于中央计算平台+区域控制器实现的更灵活物理架构。这种重构带来的好处不仅是节省了车内空间、减轻了车辆重量,更让线控技术作为软件定义汽车(SDV)的重要组成,带来了汽车功能的全面数字化和智能化。  此外,自动驾驶的终极需求则让线控技术革命加速进入深水区。高阶自动驾驶算法每秒产生数万次决策,传统机械系统的响应延迟可能让毫米级路径规划功亏一篑,而线控技术可以使车辆动态控制从模糊的机械反馈进化到电信号的精确可控。  尤其是线控转向系统与其他车辆控制系统如电子稳定控制ESC协同工作,能够在车辆出现不稳定状态时,迅速、精准地调整车轮转向角度,及时稳定车辆,避免事故发生。即使在部分电子设备出现故障的情况下,系统的冗余设计也能确保车辆保持一定的转向控制能力,保障行车安全。  对于驾驶员而言,在SDV架构下利用线控技术,方向盘和转向机构之间通过以太网进行实时通信,因此在不同驾驶场景下转向比是可调的,能够实现"千人千面"的个性化驾驶体验。  从感知、通信到驱动控制,安森美(onsemi)构筑线控系统的技术护城河  看似简单的电信号替代机械控制背后,是安森美构建的从感知、通信,到驱动与控制的全链路技术护城河,覆盖了高性能传感器、电源、信号链与隔离保护等多类产品。  线控技术感知层面,安森美的研究与相关产品应用已颇有历史,例如向国际汽车零部件供应商海拉(HELLA)交付第10亿颗感应传感器,便是被用于海拉的汽车线控系统非接触型感应位置传感器(CIPOS®)技术。  安森美针对汽车应用的电感位置传感器NCV77320可测量角度或线性位置,特殊结构让它在汽车复杂的环境中,免受其他杂散磁场的影响,抗干扰性强,因此在踏板、油门、底盘高度、执行器位置反馈等地方都可应用NCV77320。  在通信层面,目前汽车网络架构下,高速千兆、万兆以太网,低速的CAN/LIN多种协议并存,需要复杂的网关和线束才能组成完整的全车通讯架构,总线利用率也比较低。10BAESE-T1S可以把全车的通讯架构,从高速骨干到终端节点,都无缝整合为完整的局域以太网。  而安森美提供了汽车10BASE-T1S技术的NVN7410等系列芯片,支持半双工点对点模式以及多点模式,在物理层有冲突避免机制(PLCA),无论网络中的节点数量多少,或数据包大小如何,系统都能以确定的顺序进行通信,不会受到随机冲突的影响。PLCA技术可以提高多节点网络的总线利用率,保证所有节点的最大通讯延时(Latency)。  在线控技术系统的驱动与控制上,安森美与代理商富昌电子FDC设计中心合作开发三相桥驱动板采用了安森美的T10 MOSFET系列。T10系列基于全新的屏蔽栅极沟槽技术,相较于传统设计,显著提升了效率并有效降低了输出电容、RDS(ON)和栅极电荷。特别是在桥臂位置,使用了专为此类应用优化的T10-M版本,它在设计上具有极低的RDS(ON),并配备了软恢复体二极管,进一步提高了整体性能和效率。此外,T10-M还有效减少了开关过程中的振铃、过冲和电磁干扰噪声,特别适用于电机驱动和负载开关等对开关速度和效率要求较高的应用场景。  汽车应用中的中低压MOSFET应用安森美同样拥有丰富的产品线,例如这块板子在桥臂开关,相电流断路开关和电源防反向保护等关键部分也采用了安森美高性能MOSFET产品,比如桥臂开关采用了低RDS(ON),增强SOA的T10M技术Power56封装,相电流断路开关采用了TCPAK封装,并结合了Top Cooling顶散热设计,优化了散热性能。在高功率密度应用中,这种设计能有效降低热积聚,提升了系统的可靠性和长期运行稳定性。整体来看,这些技术和设计的结合不仅确保了高效能的电机驱动,同时还大幅度提高了系统的整体可靠性和性能表现。  为提升汽车智能化和能效,同时满足线控技术的多样化功率需求,安森美发布Treo平台,基于65纳米节点的BCD工艺,支持同行业领先的1- 90V宽电压范围和高达175°C的工作温度。基于Treo平台,安森美将构建多个产品系列,包括应用于线控系统中的电感式位置传感器、多相控制器、单对以太网控制器以及电压转换器、超低功耗模拟前端(AFE)、LDO、超声波传感器等,将在未来市场中发挥越来越重要的价值。
2025-03-21 09:09 reading:284
开关性能大幅提升!安森美M3S 与M2 SiC MOSFET直观对比
  安森美 (onsemi)的1200V 分立器件和模块中的 M3S 技术已经发布。M3S MOSFET 的导通电阻和开关损耗均较低,提供 650 V 和 1200 V 两种电压等级选项。本白皮书侧重于探讨专为低电池电压领域的高速开关应用而设计的先进 onsemi M3S 650 V SiC MOSFET 技术。通过各种特性测试和仿真,评估了 MOSFET 相对于同等竞争产品的性能。第一篇介绍SiC MOSFET的基础知识、M3S 技术和产品组合。本文为第二篇,将介绍电气特性、参数和品质因数、拓扑与仿真等。  电气特性、参数和品质因数  在本小节中,我们将比较 M3S SiC MOSFET (NVBG023N065M3S) 与 M2 器件 (NVBG060N065SC1) 以及竞争器件。我们选择了导通电阻和峰值电流均非常相似的表面贴装器件 (SMD) 作为开关,并在不同条件下进行了特性测试,以比较各器件的重要参数。  a. 静态参数  器件的导通损耗可以用关键参数 RDS(on)来衡量。因此,本小节在 25°C 和 175°C 结温下测量了器件的 RDS(on)特性。此外还在 15 V 和 18 V 两个不同的栅极-源极电压下进行了测量,其中导通脉冲宽度为 300 µs。  测试得出的主要结论是NVBG023N065M3S 器件在各种电流水平下均具有稳定的 RDS(on)。NVBG023N065M3S 的 RDS(on)从 5 A 到 100 A 的偏差为 13%,而 NVBG060N065SC1 和竞争产品 A 的对应数值分别为 25% 和 26%。  b. 动态参数  SiC 器件的反向恢复电荷比 Si MOSFET 少,因此开通峰值电流更小,开通开关损耗也更低。为了更好地理解和量化开关损耗,通常使用 Ciss、Coss、Crss和 Qrr等关键参数进行评估。在大多数高功率应用中,Ciss、Coss、Crss的电压水平一般都超过 10 V。米勒电容 (Crss) 至关重要,因为它可以耦合漏极和栅极电压。  在开关过程中,较低的 Crss减少了改变 MOSFET 状态所需提供或从栅极移除的电荷量。这使器件能够更快地在开通和关断状态之间进行转换,从而缩短电压电流同时较高的时间,减少开关损耗。图3比较了 M3S、M2 和竞争产品 A 之间的电容。  安森美的新一代产品 NVBG023N065M3S 在 VDS≥ 11V 时的 Crss值较低,这有助于减少导通和关断开关损耗。此外,NVBG023N065M3S 的 Coss值非常接近竞争产品,并且在某些电压水平下优于其他器件。  本文测量了几种负载电流条件下两种器件的开关损耗。测量过程采用双脉冲测试设置,测试条件设定如下:  Vin= 400 V,  Rg= 2 Ω − 4.7 Ω,  Vgs_on= +18 V,  Vgs_off= −3 V,  开关电流 = [5A, 100A]  每个器件的内部栅极电阻不同,因此总栅极电阻匹配为 6 Ω。下图为这三个器件在 25°C 时的开通、关断和总开关损耗。  可以得出结论,与其他两款器件相比,NVBG023N065M3S 的开通和关断损耗更低。在 5 A 至 100 A 的负载电流范围内,NVBG023N065M3S 的平均总损耗与上一代器件 NVBG060N065SC1 相比减少了 31%,与竞争产品 A 相比减少了 42%。  进行反向恢复测试时,漏极电流为 ID= {20 A, 40 A, 60 A},总栅极电阻为 Rg, tot= 8.5 Ω,栅极电压为 Vgs= −3 V/18 V,温度为 25 °C。根据图 5 中的结果,与竞争产品 A 相比,安森美新一代 NVBG023N065M3S 的反向恢复时间更短、反向恢复电荷更少且反向恢复能量也更低,因此具有更优异的反向恢复性能。  c. 参数和品质因数比较  下表总结了各器件主要属性的比较情况。各数值的每个属性已根据 M3S 器件值进行归一化。  根据上图,可以得出关于 NVBG023N065M3S 的以下结论:  与竞争产品器件相比,开关损耗降低 35%。  175°C 时,特定导通电阻比竞争产品器件低 28%。  与竞争产品器件相比,反向恢复电荷低 26%。  这证明 M3S 是适用于硬开关应用的出色技术。  拓扑与仿真  a. 基准拓扑  安森美的 M3S SiC MOSFET 专为高频开关应用而设计,是车载充电器应用和 HV DC/DC 转换器的理想选择。相关器件经过专门定制,具有超低开关损耗,同时保持非常低的导通损耗,因此成为了图腾柱功率因数校正 (PFC) 转换器等硬开关应用的理想选择。此外,由于导通电阻 RDS(on)较低、开关损耗非常小,M3S 器件也是LLC 转换器、CLLC 转换器和相移全桥等软开关应用的优选。  图腾柱 PFC 转换器是一种简单且高效的拓扑,广泛应用于需要高密度设计的领域。需要更高的功率和更高的能效时,可采用三相交错式图腾柱 PFC 转换器(如下图)。  b. PFC 转换器的功率损耗比较示例  在前面几小节中,我们通过测量值评估了导通和开关损耗,然后使用 PSIM 仿真程序对比了损耗情况。选择三相图腾柱 PFC 转换器作为拓扑,并采用以下测试条件(如图6所示)。  Vin= 230 Vrms  Vout= 400 V  Rg, tot= 6.1 Ω  Vgs= −5/18 V  Fsw= 100 kHz  Pout= 11 kW  下表展示了每种器件满负荷(11 kW)时的功率损耗。可以观察到,NVBG023N065M3S 器件受益于较低的导通损耗以及较低的开关损耗,最终实现了更高的系统能效。  结论  安森美M3S 650V SiC MOSFET 技术在电力电子领域取得了重大进展,尤其适用于电动汽车 (EV) 和其他节能系统中的高速开关应用。从 M1 到 M3 的演进将特定导通电阻 (RSP) 降低 50% 以上,并引入了四引脚 TO-247-4 等封装创新,逐步提高了开关性能,这彰显了安森美致力于优化 MOSFET 设计的承诺。M3S 产品组合以低 RDS(on)和出色的开关性能而闻名,在车载充电器和 DC-DC 转换器等成本敏感型市场中占据领先技术地位。  特性分析结果表明,M3S 与安森美前几代产品的性能优于竞争产品,开关损耗降低 31-42%,总开关损耗降低 35%。M3S的输出和反向电容较低,有助于加快开关速度,也因此成为了图腾柱 PFC 转换器等硬开关拓扑和 LLC 转换器等软开关拓扑的理想选择。此外,M3S SiC MOSFET 表现出优异的反向恢复性能,与竞争产品相比,恢复电荷和能量显著降低,进一步提高了系统能效。  随着电动汽车系统对功率密度、能效和热性能的要求不断提高,M3S 技术解决了行业面临的关键挑战。搭配全面的产品组合,安森美M3S MOSFET 为高能效电源转换提供了多功能的可靠解决方案。
2025-03-18 15:30 reading:323
安森美:一文解读ADAS 系统中的关键传感器技术
  交通安全是一项巨大的挑战--每年有 110 多万人因道路交通事故丧生,另有约2000万到5000万人受伤。  造成这些事故的一个主要原因是驾驶员失误。汽车制造商和政府监管机构一直在寻找提高安全性的方法,近年来,先进驾驶辅助系统(ADAS)在帮助减少道路伤亡方面取得了巨大进步。  安森美在开发ADAS所需的传感器技术方面发挥了重要作用。安森美发明了双转换增益像素技术和HDR(高动态范围)模式,这些技术现在被业界许多传感器采用,并开创了创新的超级曝光设计,使传感器既能提供出色的低照度性能,又能通过单个光电二极管捕捉 HDR 场景而不会出现饱和现象。  由于这种市场和技术领导地位,因此目前道路上大多数ADAS图像传感器都是由安森美开发的。这些创新使安森美能够在过去的二十年里为汽车应用提供高性能的传感器,进而使ADAS在提高车辆安全方面产生了显著的影响。  在本文中,我们将探讨 ADAS 在提高道路安全方面的作用,以及各种对实现这一目标至关重要的传感器技术。  ADAS 的演变和重要性  自上世纪 70 年代首次引入防抱死制动系统(ABS)以来,ADAS 技术在乘用车中的应用稳步增加,安全性也相应提高。据美国国家安全委员会(NSC)估计,仅在美国,ADAS就有可能避免约62%的交通死亡事故,每年可挽救超过20,000人的生命3。近年来,自动紧急制动(AEB)和前撞预警(FCW)等ADAS功能已变得越来越普及,超过四分之一的车辆都配备了这些功能,以帮助驾驶员预防事故并最终挽救生命。  ADAS 需要多种技术协同工作。一套感知套件充当系统的“眼睛”,检测车辆周围环境并为系统的 “大脑 ”提供数据,后者利用这些数据计算出车辆的执行决策,以辅助驾驶员——例如,当检测到前方有车辆且驾驶员未踩下刹车时,AEB会自动刹车,使车辆及时停下,避免追尾碰撞。  ADAS 感知套件由一个视觉系统组成,该系统包括一个车规级摄像头,其核心是一个高性能图像传感器,可捕捉车辆周围环境的视频流,用于检测车辆、行人、交通标志等,在低速行驶和停车情况下显示这些图像以辅助驾驶员。  摄像头通常与毫米波雷达、激光雷达(LiDAR)或超声波传感器等深度感知系统匹配应用,这些传感器提供深度信息以增强摄像头的二维图像,增加冗余度并消除物体距离测量的模糊性。  对于汽车制造商及其一级系统供应商来说,实施 ADAS 系统可能是一个挑战:处理多个传感器产生的所有数据的处理能力有限,而且传感器本身也有性能限制。汽车行业的要求决定了每个组件都必须具有极高的可靠性,不仅包括硬件,还包括相关的软件算法,因此需要进行大量测试以确保安全。系统还必须在最恶劣的照明和天气条件下保持稳定的性能,能够应对极端温度,并在整个车辆生命周期内可靠运行。  ADAS 系统中的关键传感器技术  现在让我们来详细了解一下 ADAS 中使用的一些关键传感器技术,包括图像传感器、激光雷达(LiDAR)和超声波传感器。每种传感器都会提供特定类型的数据,通过软件算法对这些数据进行处理,并将这些数据相互结合,从而生成对环境的准确而全面的了解。  这一过程被称为传感器融合,它可以通过多种传感器模式的冗余来提高软件感知算法的准确性和可靠性,从而通过更高的置信度决策实现更高级别的安全。这些多传感器套件的复杂性可能会迅速上升,算法需要越来越强大的处理能力。与此同时,传感器本身也在变得越来越先进,从而可以在传感器级而不是在中央 ADAS 处理器上进行本地处理。  汽车图像传感器  图像传感器是车辆的 “眼睛”--可以说是任何配备 ADAS 的车辆中最重要的传感器类型。从自动紧急制动、前方碰撞预警和车道偏离警告等 “机器视觉 ”驾驶辅助功能,到用于泊车辅助的 360 度环视摄像头和用于电子后视镜的摄像头监控系统等 “人类视角 ”功能,再到可检测到分心或疲劳的驾驶员并发出警报以防止事故发生的驾驶员监控系统,图像传感器提供的图像数据可用于实现各种 ADAS 功能。  安森美提供包括 Hyperlux 系列在内的各种图像传感器,这些传感器以低功耗提供出色的图像质量。Hyperlux 传感器像素架构包括创新的超级曝光成像方案,可通过 LED 闪烁缓解 (LFM) 捕获高动态范围 (HDR) 帧,克服了 LED 前后车灯或 LED 交通标志因为脉冲频闪造成的误读问题。  Hyperlux图像传感器设计用于应对具有挑战性的汽车场景条件,例如在高架桥上方的直射阳光下,能够捕捉高达150分贝(dB)的动态范围。配备Hyperlux图像传感器的摄像头在处理极端情况时的表现远优于人眼,在远低于1 lux的光照水平下也能正常工作。  安森美的 Hyperlux 图像传感器包括 800 万像素的 AR0823AT 和 300 万像素的 AR0341AT。这些数字 CMOS 图像传感器采用 Hyperlux 2.1 µm 超曝光单光电二极管像素技术,具有出色的低照度性能,同时还能在同一帧图像中捕捉高照度和低照度场景中的宽动态范围。超级曝光像素可在一帧图像中实现足够大的动态范围,从而实现 “无忧设置”的曝光方案,有效消除了在光线条件发生变化时自动调节曝光的需要,例如在晴天驶出隧道或停车场时。  深度传感器(激光雷达)  精确测量物体与传感器之间的距离被称为深度感知。深度信息可以消除场景中的模糊性,对于各种 ADAS 功能以及实现更高级别的 ADAS 和全自动驾驶至关重要。  有多种技术可用于深度感知。如果要考虑深度性能,光探测和测距(激光雷达,LiDAR)是最佳选择。LiDAR 能够以高深度和角度分辨率进行深度感知,并且由于系统通过近红外(NIR)激光与传感器的配合实现了主动照明,因此可以在所有环境光条件下工作。它既适用于近距应用,也适用于远距应用。虽然低成本的毫米波雷达传感器在当今的汽车应用中更为普遍,但它们缺乏LiDAR 的角度分辨率,无法提供超出基本ADAS需求的更高级别自动驾驶所需的那种高分辨率三维点云环境信息。  最常见的LiDAR架构是直接飞行时间(ToF)法,它通过发射一个短红外光脉冲,并测量信号从物体反射回到传感器所需的时间,从而能够直接计算出距离。LiDAR传感器通过在其视野范围内扫描光线来复制这一测量过程,以捕捉整个场景。  安森美的ARRAYRDM-0112A20硅光电倍增管(SiPM)阵列是一种单光子敏感传感器,在单片阵列中具有 12 个通道,在近红外波长如905nm处具有高光子探测效率(PDE),用于检测返回的脉冲。此SiPM阵列已被集成到一款LiDAR中4,该LiDAR装备在世界上首批提供真正“视线离开”的自动驾驶功能的乘用车上,使车辆具备了超越基础驾驶辅助的自动驾驶能力,即驾驶员可以不再关注路面情况。这种水平的自动驾驶功能,没有LiDAR深度感知的支持,至今尚未能在消费级车辆上可靠地实现。  超声波传感器  另一种用于距离测量的技术是超声波检测,即通过传感器发射频率超出人类听觉范围的声波,然后检测反弹回来的声音,从而通过飞行时间测量距离。  超声波传感器可用于泊车辅助等近距离障碍物探测和低速操控应用。超声波传感器的一个优点是声音比光慢得多,因此反射声波返回传感器的时间通常为几微秒,而光的时间为纳秒,这意味着超声波传感器所需的处理性能要低得多,从而降低了系统成本。  超声波传感器的一个例子是安森美 NCV75215 泊车距离测量 ASSP。在车辆停放过程中,该元件通过压电超声波变换器对障碍物的距离进行飞行时间测量。它可检测距离为 0.25 米至 4.5 米的物体,并具有高灵敏度和低噪声特点。  结语  车行业正持续大力投资于 ADAS,并追求车辆全自动驾驶的目标--超越由SAE定义的基本驾驶辅助功能(即L1级和L2级)6,迈向真正的自动驾驶能力(即SAE定义的L3级、L4级和L5级)。减少道路伤亡是这一趋势背后的主要动力之一,安森美的传感器技术将在这一汽车安全变革中发挥至关重要的作用。
2025-03-18 15:19 reading:324
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