罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

发布时间:2023-08-16 11:51
作者:AMEYA360
来源:网络
阅读量:3468

  检流电阻器的基础知识电路中的电流检测技术多种多样。其中最简单和最常见的方法之一是使用专用的检流电阻器。如下图所示,这种电阻器有两种用法。其一是图左侧的分流配置,其中大部分电流流经检流电阻器,而已知比例的电流流经电流表。该比例是已知电流表电阻和已知分流电阻的比例函数,因此可以计算出电路中的总电流。其二是图右侧的串联感测拓扑结构,其中所有电流都流经阻值较低的检流电阻器,再用高阻抗万用表测量其两端的电压。这样,电路中的总电流就可以运用欧姆定律轻松计算出来。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  很明显在这两种检流电阻拓扑中,电阻器会以热量的形式损耗部分功率。为了尽量减少功率损耗,应该尽量缩小检流电阻器的尺寸,不过这样会增加检测电路中的噪声。为实现令人满意的设计性能,必须谨慎权衡检测精度与功耗。

  在选择检流电阻器时,还必须根据高温条件下的二阶效应仔细衡量。器件本身的电阻值会随着温度的升高而增大,如果电阻器无法得到充分冷却,那么必须考虑到在检测过程中的这种非理想状态。同样,当检流电阻器发热升温,达到特定温度后,必须降低容许的总功率损耗。通过仔细选择电阻器结构、封装几何结构和PCB布局等,可减轻温升所带来的不良影响。

  检流电阻器的应用检流电阻器可用在从低电流穿戴式设备到大功率电动汽车等众多应用中。然而,无论在哪种应用中,都适用一些通用的原则。选择电阻器时必须考虑合适的阻抗和检测范围。此外,还要全面考虑电阻因发热而产生的功率损耗问题。下图展示了两种常见的应用,一种用于电流较大的多相电机驱动器,另一种用于低电流的电池监控器。

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  在图2左侧的电机驱动电路中,检流电阻器用于监测经过低边晶体管流经电机绕组各相的电流。差分放大器用于检测感应电压并将其馈送至控制器IC中的模数转换器(ADC)。控制器IC使用该电压反馈来计算电机电流的大小和相位,进而控制晶体管驱动器的时序。

  在图2右侧的电池监控电路中,通过专用电池管理IC上的ADC来测量流入和流出锂电池组的电流。这通常用来控制电池的充电,让充电过程遵照特定电流曲线。此外,同一电阻器也可以用来检测电池释放的总电量,为上游用户界面提供剩余电量读数。

  大功率检流电阻器的分类检流电阻器有两种不同的制造方式。第一种是基于传统的厚膜电阻结构,如下图所示,即在陶瓷衬底上印刷电阻膏经过烧结后,用激光调阻使电阻达到目标阻值,再经过涂装和组装,最终制成表面贴装型电阻器。

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  第二种方式是使用金属合金作为电阻结构,将其直接焊接到接触电极上。合金配方对于确定阻值及其热特性至关重要。这种电阻结构具有出色的功率和热性能表现,但其制造成本较高。下图给出了一个示例。

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  除基本结构不同外,检流电阻器还具有多种封装形式,以满足不同的应用需求。传统的Top Mount封装形式成本最低,但额定功率也最低。Rear Mount封装形式可以使电阻元件与下层PCB之间直接接触散热,散热性能更出色。最后,长边电极型电阻则采用反向长宽比,这更大程度地扩大了引脚表面积。引脚可以提供良好的散热路径,因此在所有检流电阻器中这类产品的额定功率最高。

  ROHM的大功率检流电阻器产品阵容ROHM提供了丰富的产品阵容,可以满足各种应用对额定功率和电阻值等性能变量的不同需求。下图展示了ROHM的各系列分流电阻器及其性能范围。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  在金属板型分流电阻器领域,ROHM拥有PSR、GMR、PML和PMR系列产品。PSR系列主要是0.1mΩ~3mΩ范围的大电流、超低阻值电阻器。GMR系列支持5mΩ~220mΩ的更大阻值范围,并具有优异的温度特性。PM(PML和PMR)系列涵盖的阻值范围更宽,是适用于低功率应用的通用设计。

  在厚膜分流电阻器领域,ROHM推出了LTR/LHR和UCR系列产品。LTR/LHR系列电阻器是1W~4W的低功率产品,具有优异的温度特性。LTR/LHR系列进一步优化了温度特性,仍然专注于低功率应用领域。而UCR系列则是适用于0.5W以下应用的通用产品。

  ROHM开发并确立了一系列创新型结构和设计技术,打造出性能显著优于普通产品的出色产品群。例如GMR系列电阻器的热性能,通过采用ROHM自有的触点结构和特有的合金材料,实现了出色的温度系数。相较于普通产品,在3W功耗耗散功率条件下ROHM产品的表面温度降低了57%。这使得在设计阶段就可以采用更低的温度降额,从而可以节省空间并降低成本。

  不仅如此,ROHM还开发出特殊的封装技术,例如长边电极和背面贴装(face-down)技术。如下图所示,长边电极产品优化了散热路径,通过接触散热将热量释放到周围路径中,这样就可以获得更高的额定功率并改进温度降额曲线。

罗姆 | 大功率、低阻值检流电阻器的基础与应用

  结语检流电阻器是用来监控众多电子设备中的电流的常见电路元件。ROHM已经开发出多种材料、结构和封装技术,打造了丰富的检流电阻器产品阵容,支持从低功率的通用设计到大电流高精度配置的各种应用领域。用户可根据总功率、总阻值和温度系数,在厚膜拓扑和金属拓扑结构中进行选择。在这些系列产品中,ROHM通过优化长宽比和封装结构,致力于更大程度地降低总成本并减少电路板面积,同时更大程度地提高性能。

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交期拉长、涨价在即,熊本地震再添变数!AMEYA360开启罗姆“预购锁定产能”专项通道
  据新华社消息,当地时间7月28日16时27分(北京时间15时27分)许,日本熊本县发生7.1级地震,辖区内观测到最大震度7(日本震度分级最高等级)。日本气象厅对震中附近海域沿岸发布海啸预警,预计最大浪高可达1米。随后余震不断,日本气象厅警告未来2至3天内仍可能发生同等规模强震。  这场地震,直接震在了全球半导体供应链的关键节点上。  01熊本——“硅岛”心脏,半导体企业密集  熊本县所在的九州地区素有日本“硅岛”之称,半导体产值占日本全国比重超过五成。从2021年到2024年6月,九州共有100个半导体相关投资项目,熊本一县独占52个。熊本已构建起覆盖晶圆制造、设备、材料及零部件的完整产业链。  核心企业包括:台积电熊本合资厂(JASM,月产5.5万片12英寸晶圆,主打28至12纳米车规芯片)、索尼半导体制造SCK(全球图像传感器主要基地)、瑞萨电子(车规MCU)、三菱电机(车规IGBT及8英寸SiC功率器件)以及东京电子(全球第二大前道设备商)等。  02强震突袭,核心工厂紧急停工  地震发生后,多家半导体巨头紧急启动应急机制:  台积电:熊本工厂因震度达“5强”触发疏散标准,员工疏散至室外,产线停工、复产时间未知;在建第二工厂部分暂停施工。  瑞萨电子:熊本市川尻工厂和锦町锦工厂两处工厂已暂停生产,确认天花板面板掉落、漏水等损害。  三菱电机:功率半导体基地——车规IGBT和8英寸SiC产线——正在评估重启生产所需校准时长。  东京电子:熊本县内两家工厂7月29日全天停工,开展系统性安全与设备检测。  索尼:CMOS传感器工厂紧急疏散,暂未爆出结构性损坏。  此外,堀场制作所阿苏工厂停止运转,凸版控股暂停封装工厂运营,物流方面九州新干线停运、熊本机场航班暂停——区域物流的短暂中断可能对半导体材料运输产生连锁反应。  03交期本已拉长,地震雪上加霜  实际上,在地震发生之前,全球半导体供应就已经持续趋紧。  投资机构Susquehanna数据显示,6月全球半导体行业交货时间创下本轮周期以来最大单月增幅,环比增加5天至19.4周;行业定价6月出现“最大单月涨幅”,环比扩大5%。功率分立器件领域依然紧张,功率集成电路和MOSFET交期上涨超过10天。罗姆半导体(ROHM)、瑞萨电子等企业交期大幅增加。  功率器件方面,罗姆半导体、英飞凌、安森美等自2026年3至4月已启动首轮调价,幅度在10%上下。薄膜电阻交期已拉长至26至32周。  地震的突发,无疑是在本就紧绷的供需关系上又加了一把力。即便按行业测算检修周期为3至7天,但半导体设备对震动极度敏感,光刻机、涂胶显影设备等精密仪器在强震下极易触发自动安全联锁,即便设备未受物理损坏,纳米级的重新校准和洁净室复检也需要漫长周期。2016年熊本地震的经验是,供给缺口2到4周就会传导到整车端。  04LED、IGBT、MOSFET——供应风险正在积聚  综合来看,以下品类的供应风险正在快速上升:  LED:熊本产业链中断叠加整体交期拉长,后续缺货风险显著;  IGBT:三菱电机功率半导体基地停工评估,车规IGBT供给首当其冲;  MOSFET:功率集成电路和MOSFET交期本已上涨超10天,地震冲击将进一步加剧供需矛盾。  05罗姆半导体——功率器件领域的可靠之选  在全球功率半导体供应持续趋紧的背景下,罗姆半导体(ROHM) 作为行业领军企业,值得客户重点关注和提前布局:  产品布局全面,覆盖关键赛道。 罗姆不仅提供以Si、SiC为材料的功率元件,还将GaN元件投入量产。其“Power Eco Family”品牌概念涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群,全面覆盖IGBT、MOSFET、SiC功率器件等当前最紧缺的品类。罗姆是业内首家量产SiC功率元器件的公司,在SiC功率器件和模块开发方面处于领先地位。此外,罗姆在电阻业务方面绑定SiC/GaN功率器件协同配套,车规级AECQ200金属板合金电阻主攻BMS、主驱电控、ADAS等关键应用。  产能持续扩张,保障长期供应。 罗姆在九州福冈县筑后工厂扩大SiC生产,计划引入8寸晶圆产线,并投资2892亿日元在宫崎市建设第二工厂,预计2029年产能将大幅超越现有基地。同时,罗姆加强GaN功率器件供应能力,融合台积电工艺技术在集团内部建立一体化生产体系。在熊本地区(大津町),罗姆还拥有车规封装产线。这些扩产举措为客户的长期供应提供了坚实保障。  交期压力之下,早下单就是早锁定。 当前罗姆等功率半导体大厂的高压MOSFET、IGBT、SiC与GaN等高阶功率元件,正迎来新一轮结构性供需失衡,部分产品交期已拉长至半年甚至一年以上。罗姆已启动首轮调价。在此背景下,提前下单罗姆产品,就是提前锁定产能、锁定价格、锁定交付。
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