英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET 为电力电子领域设定新标准
在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的关键因素。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准，引领着电力电子领域的发展。
与传统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上，进一步增强了其在各种应用中的性能表现。这些优势使得G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电以及UPS等多种运行模式下都能实现较低的功率损耗，为现场处理的每瓦特节能提供了强有力的支持。
值得一提的是，英飞凌独特的.XT互连技术也在其中发挥了重要作用。该技术有助于在保持热性能的同时提高半导体芯片的性能，从而克服了该领域的常见挑战。新一代产品的热性能提高了12%，将芯片的品质因数提升到了SiC性能的新水平。此外，CoolSiC G2 MOSFET产品组合还实现了SiC MOSFET市场中最低的导通电阻(Rdson)，进一步提高了能效和功率密度，并减少了零件数量。
除了卓越的性能表现，CoolSiC MOSFET G2还提升了可靠性，以确保在长期现场运行中达到最佳性能。其中，1200V产品组合可在150℃可靠运行，并具有高达200°C虚拟结温的过载操作能力，使得系统设计人员能够更灵活地应对电网波动等挑战，同时减少冷却工作并简化系统设计。
英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET G2技术的推出，开启了电力系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率，进一步促进了脱碳，而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的客户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时在不影响外形尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器可以进一步增加电动汽车的续航里程。在可再生能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸，从而降低每瓦成本。
英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更加优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”
英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术，进一步增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率技术，提供设计灵活性和领先的应用专业知识，满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor | |
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
请输入下方图片中的验证码：