上海贝岭直流充电桩电源模块功率器件解决方案

发布时间:2024-09-09 13:08
作者:AMEYA360
来源:上海贝岭
阅读量:1109

  一、概述

  随着新能源汽车的深度普及,用户对公共充电设施的便利性、安全性、智能化程度等方面均提出了更高要求。公共直流充电桩向着更大功率、更高功率密度、更智能化等方向快速演进,作为直流充电桩的核心部件,充电桩电源模块的功率等级和功率密度亦不断提升,从20kW/30kW逐步提高至40kW/50kW及以上,为用户提供更安全、快速的充电服务。

  二、直流充电桩电源模块工作原理及拓扑结构

  直流充电桩的系统结构如图1所示:包括电源模块、控制系统、用户界面、充电线缆等部件。其中电源模块的主要功能是实现电能转换,将电网侧的交流电转换为适合用户需求的直流电,确保稳定、高效地输出。

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  图1 直流充电桩系统组成框图

  直流充电桩电源模块典型结构如图2所示:主要由两级结构组成,包括前级的AC/DC环节,实现功率因数校正,降低谐波,提升电能质量;后级的DC/DC环节,实现宽范围的直流电压输出,满足不同类型电池的充电需求。

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  三相维也纳PFC是直流充电桩电源模块中AC/DC变换器的常用拓扑,如图3所示。电路通过控制Sa、Sb、Sc的通断,来控制PFC电感的充放电。由于 PFC变换器的PF值接近1,可认为电感电流和输入电压同相,三相平衡,各相差120度。

  三相PFC变换器每相包括一个双向开关,双向开关由共源极的开关管相连接,两个开关管共用一个驱动信号,不存在桥臂直通问题,无需设置死区时间,降低了控制和驱动的难度,具有工作效率高、器件电压应力低的优点。

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  三、贝岭BLG80T65FDK7产品介绍

  针对直流充电桩电源模块应用,上海贝岭推出80A /650V IGBT产品BLG80T65FDK7。80A/650V IGBT工艺平台采用第三代微沟槽多层场截止技术,优化了饱和压降和开关损耗,适用于50kHz及以上的高频应用,利于提升系统的功率密度和效率。其工艺特点如图4所示。

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  图4 BLG80T65FDK7-F工艺特点

  BLG80T65FDK7合封全电流FRD,针对三相维也纳PFC电路的特点,通过优化合封二极管的VF值,降低二极管的通态损耗,提升变换器的工作效率。其实物图如图5所示。

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  图5 BLG80T65FDK7-F实物图

  四、贝岭BLG80T65FDK7性能优势

  1、饱和压降Vce(sat)

  对三相维也纳PFC拓扑结构而言,功率器件的通态损耗是其总损耗中占比较大的一个损耗源,降低开关器件的通态损耗是提升变换器工作效率的一个有效手段。作为评估IGBT性能的一个重要指标, 在器件允许的工作温度范围内,BLG80T65FDK7拥有较低的饱和压降,可有效降低IGBT的通态损耗。其Vce(sat)-温度变化曲线如图6所示。

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  图6 Vce(sat)随温度变换曲线

  2、开关损耗

  为减小磁性元器件的体积,提升变换器的功率密度,三相维也纳PFC应用中IGBT的开关频率一般高于50kHz。BLG80T65FDK7在全电流范围内均具备较低的开关损耗,在高频应用场景中,具备更优异的性能。开关损耗对比如图7所示,与竞品相比,BLG80T65FDK7的Eon/Eoff/Etotal值分别下降了约6.7%/6.8%/6.8%。

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  3、反向恢复能力

  Qrr体现了二极管的反向恢复能力。Qrr值低,峰值电流更低,尖峰持续时间更短,因而振铃/谐振减少,利于减少EMI,同时,可进一步提高效率。如图8所示,与竞品相比,BLG80T65FDK7的Qrr值下降了约18%。

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  4、产品竞争力

  基于直流充电桩电源模块的应用需求,BLG80T65FDK7综合考虑器件的各项参数,重点对IGBT的饱和压降、开关损耗及合封二极管的反向恢复能力和VF值进行优化。参数对比如图9所示,同比于竞品器件,重点参数具备优势,可以更好发挥器件性能,助力提升变换器的工作效率和系统的功率密度。

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  五、贝岭功率器件选型方案

  上海贝岭功率器件产品线齐全,包含MOSFET、IGBT等系列产品,为直流充电桩电源模块设计提供助力,欢迎垂询!具体型号参考表1。

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  表1 功率器件选型列表

  贝岭拥有完善的电源管理、信号链等系列产品可供选择,助力更完全、可靠的充电桩设计和应用。具体型号参考表2。

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  低噪声运算放大器是运放放大器系列中应用比较广泛的一个系列。相比于通用运放,此系列的运放它的独特之处在于它的噪声很小,这使得它非常适合应用在需要高精度、低噪声信号放大的场合。在本文中,我们将深入探讨低噪声运算放大器的关键指标特点、优势和应用场景。  1、低噪声  应用场景1:  在大部分高精度放大的应用中,都需要外部增加一款运放进行电流采样放大,而在电路应用系统中一般输入信号幅值比较小,这样就要求运放自身的噪声要远低于输入信号的幅值(降低信噪比),BL370x/371x具有极低的等效输入噪声1.2uV如下图1(测试电路采用低通滤波放大100000倍)所示。  图1 低频输入噪声测试图  2、低失调电压VOS  应用场景2:  针对在一些小信号放大的应用时(见图2),如运放自身的失调电压VOS太大,会影响电路的静态输出,导致信号动态输出范围缩小。  图2 小信号放大器应用图  在不考虑运放自身的VOS的情况下如Vin输入10mV的信号放大100倍理论上输出电压Vout应该是1000mV,如果运放的自身失调电压VOS过大比如5mV的话这样输出只有500mV,低于实际输出电压导致后级电路工作异常。因此需要选择更低VOS的运放。BL370x/371X系列运放的VOS低至±0.6mV,可以满足大部分应用。  3、输入轨到轨  应用场景3:  在许多单电源供电的应用要求输入共模电压范围扩展到一个电源轨(通常为地)。低边电流检测应用就是这样的例子(如图3)。  图3 低边检测应用原理图  在单电源供电的应用中,通常没有足够多的电源给芯片提供+VS/2的共模电压(运放理想工作状态)。一般共模工作电压通常为地,这样就要求芯片能够工作比较宽的输入共模电压范围,BL370x/371x可以支持-0.1~+VS+0.1的宽共模输入电压范围。  4、超强的驱动能力  应用场景4:  在部分应用领域的负载有可能是比较大的容性负载,如果运放自身的驱动能力不够,这样就要额外增加一级驱动放大电路,BL370x/371x具有高达100mA(Typ)超强的电流驱动能力,无需增加驱动放大电路。全温度范围驱动能力如下图4。  图4 全温度范围驱动能力测试结果  5、宽工作温度范围  应用场景5:  在大部分工业应领域对芯片的工作温度范围要求极高。BL370x/371x系列在-40~125℃的工作温度范围内的关键电性能指标(IQ、Vos、Isink、Isoure、VOH、VOL)随温度变化很小,满足工业应用需求。  6、多种封装形式  BL370x/371x系列提供一系列市场上主流封装形式可供客户选择,如下图5所示。  上海贝岭推出的低噪声运放系列支持输入、输出轨到轨,宽工作电压范围:2.1V-5.5V,具有低至0.25mV(典型值)的失调电压以及6.5nV/ @1kHz的噪声谱密度,这些优异的特性使得BL370x/371x系列运放成为低噪声系统设计的理想选择(表1低噪声运放系列选型表),可以支持工业级温度范围(-40℃至+125℃),适应于更苛刻的工作环境。  主要应用领域:  电机控制  大家电  储能电源  激光测距仪  工业自动化
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