Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

发布时间：2025-06-19 10:36
作者：AMEYA360
来源：Littelfuse
阅读量：2011

　　碳化硅(SiC)MOSFET在电源和电力电子领域的应用越来越广泛。随着功率半导体领域的发展，开关损耗也在不断降低。随着开关速度的不断提高，设计人员应更加关注MOSFET的栅极驱动电路，确保对MOSFET的安全控制，防止寄生导通，避免损坏功率半导体。必须保护敏感的MOSFET栅极结构免受过高电压的影响。Littelfuse提供高效的保护解决方案，有助于最大限度地延长电源的使用寿命、可靠性和鲁棒性。

　　1.栅极驱动器设计措施

　　关于SiC-MOSFET驱动器电路的稳健性，有几个问题值得考虑。除了驱动器安全切换半导体的主要任务外，各种驱动器还提供短路保护功能。此外，采用适当的设计措施(如在关断状态下施加负栅极电压)来防止寄生开关是至关重要的。负栅极电压可确保增加MOSFET栅极阈值电压的偏移量，并提高开关单元对电压斜坡的抗扰度。另一项强制性措施是保护MOSFET的栅极，防止静电放电 (ESD)事件或电路中的寄生效应造成过压浪涌。

　　硅基功率半导体，如Si-IGBT和Si-MOSFET通常具有对称的栅极额定电压。这种额定值允许使用对称TVS二极管进行栅极保护，但这是不必要的，因为硅栅极电压的最大额定值足以高于应用的驱动电压。与硅器件不同，SiC-MOSFET的负栅极电压额定值通常明显低于正栅极电压额定值。因此，使用两个独立的TVS二极管(如图1所示)进行非对称保护是很常见的。Littelfuse现在提供SMFA型集成式非对称双向TVS二极管。这种解决方案有助于有效减少寄生效应和PCB面积，尤其是在快速开关SiC应用中。

　

Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

图1 使用两个独立TVS二极管的标准栅极保护与一个集成非对称SMFA型TVS二极管的对比

　　2.产品选择

　　Littelfuse SMFA非对称系列TVS二极管可保护SiC-MOSFET栅极免受正向和负向过电压浪涌的影响。根据所需的SiC-MOSFET最大栅极额定电压，SMFA封装可从17.6~23.4 V的正击穿电压中选择，同时负向击穿电压被设置在7.15V。有关元件的详细信息，请参见表1。SMFA非对称TVS根据IEC 61000-4-2标准进行测试，采用SOD-123FL扁平封装。

表1 SMFA系列产品组合

Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

　　图2显示了SMFA型非对称TVS二极管的静态和动态箝位性能。出于测试目的，提高了驱动器电压以显示TVS二极管的动态箝位。SMFATVS二极管不适合永久限制过高的驱动器电压。

Littelfuse：利用SMFA系列非对称TVS二极管实现高效SiC MOSFET栅极保护

图2 SMFA型集成非对称TVS二极管的钳位特性

　　3结论

　　凭借新型集成非对称TVS SMFA系列，Littelfuse提供了一种创新的解决方案，可最大限度地提高SiC MOSFET栅极驱动器电路的稳健性，同时实现具有成本效益、所需PCB空间更小、寄生效应最小的设计。


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　　随着系统工作电压持续升高，瞬态保护器件必须提供更低的钳位电压，以防止敏感电子元件过应力。传统雪崩 TVS 二极管可以有效抑制浪涌事件;然而，其钳位电压随浪涌电流增加而升高，在高能瞬变期间降低了保护余量。　　Littelfuse FlatSuppressX™ TVS 二极管采用专有的瞬态抑制架构，将钳位电压的回扫深度进行了有效的设计及控制。　　触发后，器件转入稳定的低阻抗状态，并在宽浪涌电流范围内保持近乎恒定并且更低的钳位电压。与传统雪崩 TVS 技术相比，这种受控工作模式可实现显著更低的钳位电压和更小的瞬态应力。　　与传统雪崩 TVS 保护器件不同，FlatSuppressX™ TVS 兼具低钳位电压、稳定瞬态响应和无闩锁风险操作，提高了系统稳健性，并使得在严苛电气环境中使用更低额定电压的元件成为可能。　　特性　　FlatSuppressX™ TVS 采用专有的浅回扫设计。与传统雪崩 TVS 器件(其钳位电压随浪涌电流显著增加)不同，FlatSuppressX™ TVS 二极管在宽电流范围内保持稳定的、近乎平坦的钳位特性。这种行为最大限度地减少了电压过冲并降低了对被保护电路的瞬态应力。　　该架构专为实现低钳位性能而设计，且无 DC 闩锁风险。　　PPPM 峰值脉冲功率耗散 (IPP x VC) —— 最大功率耗散　　VR 关断电压 —— 可施加到 TVS 上而不使其工作的最大电压　　VBR 击穿电压 —— 在指定测试电流 (IT) 下流过 TVS 的最大电压　　VC 钳位电压 —— 在指定 IPPM(峰值脉冲电流)下，TVS 两端测得的峰值电压　　IR 反向漏电流 —— 在 VR 下测得的电流　　VCMIN 双向的 Snap 电压　　低钳位性能　　FlatSuppressX™ TVS 通过在以受控回弹导通模式下工作，实现了比传统雪崩 TVS 器件显著更低的钳位电压。　　图 3 比较了 TP5.0SMD60CA-FL FlatSuppressX™ TVS 和传统 5 kW 汽车 TVS xxxxx60CA 在等效浪涌条件下的瞬态性能。TP5.0SMD60CA-FL 在整个浪涌事件期间保持显著更低的钳位电压，降低了下游电路的电压应力并增加了系统保护余量。　　系统级优势　　FlatSuppressX™ TVS 提供的更低钳位电压降低了对敏感电子元件的瞬态过应力，并提高了整体系统可靠性。　　通过限制瞬态电压暴露，FlatSuppressX™ TVS 使得使用更低额定电压的元件成为可能，包括电容器、功率 MOSFET、反向极性保护器件、负载开关 IC、电压调节器和 PMIC。这一能力支持改善功率密度、优化元件利用率和降低系统成本。　　结论　　FlatSuppressX™ TVS 二极管结合专有浅回扫设计，实现了稳定的、近乎平坦的钳位特性。与传统雪崩 TVS 器件相比，它提供显著更低的钳位电压、更大的保护余量和更高的浪涌电流能力且无直流闩锁风险。它为汽车、工业和其他高可靠性电子系统提供了稳健的保护解决方案。
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