更低Rdson,更强动力!捷捷微电MOSFET让您的UPS甩开能效焦虑!

发布时间:2025-07-02 16:19
作者:AMEYA360
来源:捷捷微电
阅读量:229

  UPS的“芯”动力

  在数据中心、医疗设备、工业自动化等关键领域,不间断电源 (UPS) 如同“电力卫士”,保障着系统的稳定运行。而作为UPS核心“开关”的功率器件——MOSFET,其性能直接影响着整机的效率、可靠性与成本。捷捷微电深耕功率半导体,推出多款高性能MOSFET产品,为各类UPS系统提供强劲“芯”动力!

  Part.01 UPS系统的“心脏”守护者

  UPS系统的“心脏”守护者—UPS系统根据工作方式主要分为离线/待机式、线上交互式、在线/双转换式等。无论哪种类型,其逆变器、整流器等核心功率转换单元都高度依赖高性能的功率MOSFET作为开关器件。这些MOSFET承担着高电压、大电流的切换任务,其导通电阻 (Rdson)、耐压 (V_{DS})、电流能力 (ID) 等参数,直接决定了UPS的转换效率、输出能力、散热表现乃至整机体积和成本。

更低Rdson,更强动力!捷捷微电MOSFET让您的UPS甩开能效焦虑!

  Part.02 捷捷微电的UPS效能重构方程式

  捷捷微电凭借深厚的技术积累,针对UPS应用的严苛需求,精心打造了一系列高性能MOSFET产品。这些产品覆盖了从60V到200V的常用电压平台,具备超低导通电阻 (Rdson)、高电流承载能力 (ID) 以及优异的开关特性,特别适用于UPS中的半桥/全桥拓扑结构。

  Part.03 明星产品阵容,性能对标国际领先水平

  让我们聚焦几款在UPS领域表现出色的JJM MOSFET代表产品:

更低Rdson,更强动力!捷捷微电MOSFET让您的UPS甩开能效焦虑!

  80V 平台尖兵:JMSH0803PCQ

  核心优势: 超低 Rdson (典型值1.8mΩ, Max@10V 2.6mΩ),电流能力高达147A (TO-220AB封装)。

  应用场景: 高效率、紧凑型UPS的逆变/整流级。

  对标竞品: 性能媲美甚至超越国际知名型号。

  60V 平台能手:JMTC3206S核心优势: 低 Rdson (典型值2.2mΩ, Max@10V 2.4mΩ),120A 电流输出 (TO-220AB封装)。

  应用场景: 对成本与效率有均衡要求的UPS功率模块。

  对标竞品: 可直接对标国际知名型号,提供可靠替代方案。

  100V/200V 高功率担当:JMSH1001N (100V):195A 超大电流能力,Rdson 仅2.0mΩ (Max@10V),采用散热更优的TO-247AC封装,满足大功率UPS需求。

  JMTS4668S (200V) / JMTS130N20S (200V):专为高压应用设计。

  JMTS130N20S 提供超低 Rdson (典型值7mΩ) 和130A电流能力,是国际知名型号的有力竞争者,适用于在线式UPS的PFC或逆变输出级。

  Part.04 为什么选择捷捷微电MOSFET?

  卓越性能: 超低导通电阻带来更低损耗,提升整机效率,减少发热。

  高可靠性: 严格的品质管控和工艺保障,确保器件在UPS严苛工况下的长期稳定运行。

  高性价比: 在同等甚至更优性能下,提供具有竞争力的成本优势。

  本土化支持: 快速响应的技术支持和供应链保障,助力客户产品快速上市。

  在保障关键设备电力安全的道路上,一颗高效、可靠的“芯”至关重要。捷捷微电持续专注于功率半导体技术的创新与突破,其UPS专用MOSFET产品线凭借优异的性能参数和稳定性,已成功应用于各类UPS解决方案中,为客户打造更高效、更可靠、更具成本竞争力的电源系统提供坚实的“芯”保障!


(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

在线留言询价

相关阅读
1.8mΩ极低导阻!捷捷微电JMSL0303AU助力华为100W车充登顶功率密度巅峰!
  近日,华为新品发布了100W全能充车载充电器,它体内两颗关键的VBUS开关管,正是来自我们捷捷微电的“超能战士”——JMSL0303AU!  为什么说它是“超能战士”?  想象一下,在飞驰的车内,同时给笔记本和手机极速回血,100W大功率输出带来的畅快感背后,对核心功率器件的考验堪称严苛!发热、效率、空间、安全…一个都不能掉链子。而JMSL0303AU,就是为征服这些挑战而生:  01.“冷面”效率王:1.8mΩ 超低导阻!  导阻低,损耗就小,发热就少!JMSL0303AU的 1.8mΩ 超低导通电阻(业内顶尖水平),意味着能量几乎“无损”通过,把更多电力高效送达你的设备。华为100W车充即使双设备满载,也能保持“冷静”输出,告别烫手降速的尴尬!  02.“米粒”身材,巨能扛!PDFN3x3-8L 超紧凑封装!  华为车充设计极致紧凑,内部空间寸土寸金。我们的JMSL0303AU采用 PDFN3x3-8L封装 (只有3mm x 3mm,比一粒米还小!),却集成了8个引脚(其中4个专用于强力散热)。小身材大能量,完美适配华为的高密度设计,成就了掌心握持的百瓦快充奇迹!  03.“硬汉”品质:30V高耐压 + 车规级可靠!  汽车环境复杂多变,电压波动、颠簸震动、高温严寒都是常态。JMSL0303AU拥有 30V高耐压,轻松应对汽车电路中的各种浪涌冲击。同时,它满足严苛的车规级可靠性要求,从-40℃到150℃宽温域稳定工作,经得起长途跋涉和四季考验,安全耐用,让你充电无忧!  智慧出行的“隐形守护者”  能被华为这样的全球科技领导者选中,应用于其旗舰车充产品,我们倍感荣幸!这不仅是市场对JMSL0303AU单款产品性能的认可,更是对捷捷微电在高性能功率半导体领域技术实力的高度肯定。  在追求极速充电、绿色高效的今天,我们深知功率器件是能源转换的“咽喉要道”。捷捷微电始终致力于用创新的芯片技术和先进的制造工艺,打造更高效率、更小体积、更可靠的功率解决方案。从手机快充头到车载充电器,从智能家居到工业电源,为千万设备的顺畅运行和用户的便捷体验保驾护航。
2025-06-05 14:40 阅读量:338
捷捷微电MOSFET&IGBT双杀,微型逆变器效率狂飙200%
  微型逆变器作为光伏发电系统的核心组件,其性能与功率器件的选型密切相关。捷捷微电针对不同功率需求,提供了基于MOSFET和IGBT的多样化解决方案。本文结合两种典型架构,分析其器件选型特点及适用场景。  宽功率范围(250W-2000W)  架构1采用MOSFET实现高效调制,覆盖功率范围广,支持反激拓扑等设计。关键器件参数如下:  特点:  高压MOSFET(650V):如JMH65R系列,支持高功率密度设计,适用于调制电路。  低压低阻MOSFET(150V):如JMSH15系列,导通电阻低至9.9mΩ,优化反激拓扑效率。  针对高功率段(>800W),架构1引入IGBT以降低导通损耗,提升系统可靠性:  特点:  高耐压(650V)与低饱和压降(1.7V),平衡开关损耗与导通性能,适用于高频调制场景。  中低功率范围(250W-800W)  架构2专注于中低功率段,采用全桥拓扑设计,全系使用MOSFET以实现更高效率:  特点:  低压MOSFET(80V):如JMSL/JMSH系列,导通电阻低至2.4mΩ,支持全桥拓扑的高频开关需求。  紧凑封装(TO-252/PDFN):优化空间布局,适配小型化设计。  对比与选型建议  功率覆盖:  架构1(250W-2000W):MOSFET+IGBT组合,适合宽范围功率需求,高功率段依赖IGBT的低损耗特性。  架构2(250W-800W):全MOSFET方案,以高集成度满足中低功率场景。  拓扑适配:  架构1支持反激拓扑,架构2适配全桥拓扑,需根据系统设计要求选择。  效率与成本:  低压MOSFET(如80V/150V)在低功率段效率更优,而IGBT在高功率段更具成本效益。  捷捷微电始终致力于为工程师伙伴提供更灵活、更贴心的产品选择。无论是中小功率的轻量化设计,还是高功率场景下的稳定需求,我们通过多样化的MOSFET与IGBT组合方案,让您能够轻松匹配项目中的功率目标、电路结构以及成本规划。选型时,只需聚焦核心需求——高效率的MOSFET可赋能轻载场景,而高可靠性的IGBT则能扛起大功率重任。两种技术路线相辅相成,助您在性能与成本之间找到最优解,让每一款微型逆变器都能高效运行、长久稳定。
2025-05-30 10:13 阅读量:314
捷捷微电可控硅BTA16-600CW助力徕芬高速电吹风SE 02
无线充电 触手可及 | 捷捷微电子打造便捷智能生活!
  随着科技的不断进步,无线充电技术已经成为现代生活中不可或缺的一部分。从智能手机到电动汽车,无线充电的应用场景越来越广泛。高效、紧凑的功率器件成为了市场的迫切需求。今天捷捷微电将深入探讨几款在无线充电领域表现出色的产品:MOSFET、JSFET和ESD静电防护器件,以及它们的技术优势和应用场景。  无线充电的核心元器件—JSFET  JSFET( Junction Field-Effect Transistor)是一种场效应晶体管,广泛应用于无线充电器中。它通过控制电流的流动来实现高效的能量传输。  JSFET在无线充电器中的优势  先进SGT工艺提供更优RDS(ON)及EAS  JSFET采用了先进的SGT(Shielded Gate Trench)工艺,这种工艺不仅提供了更优的RDS(ON)(导通电阻),还显著提升了EAS(单脉冲雪崩能量)。这意味着在相同的电压和电流条件下,JSFET能够减少能量损耗,提高充电效率。  成熟工艺带来的高可靠性  JSFET的生产工艺已经非常成熟,确保了产品的高可靠性。无论是在高温还是高湿环境下,JSFET都能稳定工作,延长了无线充电器的使用寿命。  双芯片封装,节省PCB尺寸及成本  JSFET采用双芯片封装技术,不仅节省了PCB(印刷电路板)的尺寸,还降低了生产成本。这对于追求轻薄设计的现代电子设备来说,无疑是一个巨大的优势。  无线充电器的工作原理  无线充电器的核心部件包括Gate Driver(栅极驱动器)、SBD(肖特基势垒二极管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和Feed Coil(馈电线圈)。这些部件协同工作,确保电能能够高效地从充电器传输到设备。  Gate Driver:控制MOSFET的开关,确保电流的精确控制。  SBD:用于防止电流反向流动,保护电路。  MOSFET:作为开关元件,控制电流的通断。  Feed Coil:通过电磁感应将电能传输到接收设备。  无线充电的核心元器件—MOSFET  MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)在无线充电技术中扮演着至关重要的角色。无线充电系统通常包括发射端(充电器)和接收端(设备),而 MOSFET 在这两个部分中都有广泛应用。  MOSFET-JMSL0315ARD 在无线充电中的应用  高效功率转换与能量传输  发射端与接收端:在无线充电系统中,MOSFET 用于发射端的高频逆变器电路,将直流电转换为交流电,并通过接收端的整流电路将交流电转换回直流电。高效的 MOSFET 能够显著减少能量损耗,提高充电效率。  低导通阻抗与快速开关:低导通阻抗(如 JMSL0315ARD 的 6.5mΩ)和快速开关特性(低 Ciss 和 Qg)是实现高效能量传输的关键,减少导通和开关损耗,提升系统整体性能。  热管理与系统可靠性  宽结温范围:MOSFET 的宽结温范围(如 -55°C 至 150°C)确保在各种环境条件下稳定工作,增强系统的可靠性。  散热与封装设计:小型化封装(如 DFN3030-8L)不仅节省空间,还优化散热性能,减少热阻,提高散热效率,确保系统长时间稳定运行。  系统集成与性能优化  紧凑型设计:MOSFET 的小型化封装和双芯半桥方案(如 JMSL0315ARD)简化电路设计,减少元件数量,满足现代无线充电设备的小型化和便携化需求。  低损耗与兼容性:通过优化 MOSFET 的电气参数(低 Rdson、低 Ciss 和低 Qg),降低导通和开关损耗,提高效率。同时,确保与市场上其他产品的兼容性,便于设计中的互换性和性能一致性。  JMSL0315ARD 凭借其紧凑型设计、优异的电气性能和可控的封装技术,成为无线充电应用中高性能 MOSFET 的理想选择。  无线充电的核心元器件—ESD静电防护器件  在无线充电场景中,Type-C接口常用于充电和数据传输的双重功能。无线充电系统通常需要高效的功率管理和稳定的数据传输,而Type-C接口的高集成度和快速充电能力使其成为理想选择。然而,无线充电设备在使用过程中频繁插拔Type-C接口,增加了静电放电的风险。因此,在设计无线充电设备时,必须充分考虑ESD保护措施,以确保Type-C接口在高速数据传输和高功率充电中的稳定性和耐用性。捷捷微电ESD静电防护器件通过优化电路设计和采用先进的ESD防护技术,可以有效提升Type-C接口在无线充电应用中的可靠性和用户体验。  ESD静电防护器件在无线充电中的典型特性  采用标准表面贴装式DFN2510封装  快速的响应时间  出色的箝位能力  漏电流小  不含卤素且符合RoHS及Reach测试标准  产品电容低至0.3pF以下,满足对Type-C的高速传输要求  ESD防护器件、JSFET和MOSFET在无线充电器中的应用,不仅显著提升了充电效率,还大幅增强了设备的可靠性和耐用性。ESD防护器件有效防止静电放电对敏感电路的损害,确保设备在频繁插拔和复杂环境下的稳定运行。JSFET和MOSFET则通过其低导通阻抗和快速开关特性,优化了功率转换效率,减少了能量损耗,从而提高了无线充电的整体性能。
2025-03-12 15:25 阅读量:489
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BP3621 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码