新款光刻机,明年交付!

Release time:2025-07-25
author:AMEYA360
source:网络
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  日本光学巨头尼康近日宣布,从今年7月起正式接受其全新数字光刻系统DSP-100的订单,首批设备预计在2026财年内交付客户产线。这款专为半导体后道封装工艺设计的设备,瞄准了人工智能芯片爆发催生的先进封装需求。

新款光刻机,明年交付!

  DSP-100的最大突破在于能够处理600×600毫米的巨型方形基板,这一尺寸超越了目前行业普遍采用的510×515毫米标准。在技术参数上,它实现了1.0微米线宽分辨率以及±0.3微米的套刻精度,对510×515毫米规格基板,每小时产能达到50片。

  与传统光刻设备不同,DSP-100采用了一项关键创新——无掩模曝光技术。它取消了传统工艺中必不可少的物理光掩模板,转而通过空间光调制器(SLM)将电路图案直接投射到基板上。

  这一设计消除了光掩模的物理尺寸限制,使设备能够灵活应对大型封装基板的生产需求。同时省去光掩模制作环节,大幅缩短了芯片封装的设计迭代周期。

  设备核心采用了尼康独有的多镜头阵列技术,该技术移植自其平板显示面板曝光设备。通过精确控制多个投影镜头协同工作,系统实现了如同使用单一大镜头的曝光效果,在超大基板上完成无缝图案拼接。

  在效率方面,DSP-100展现了革命性的进步。以生产100毫米见方的大型封装为例,600×600毫米面板上可同时产出36个单元,其生产效率达到传统300毫米晶圆工艺的九倍。

  设备特别强化了对基板变形问题的处理能力。在面板级封装过程中,树脂或玻璃基板极易出现翘曲和变形,这曾是制约良率提升的关键因素。DSP-100通过高精度形变校正技术,有效解决了这一行业痛点。

  固态光源的采用是另一项实用创新,显著降低了设备的维护成本和使用门槛。整套系统通过优化设计,支持更环保的制造工艺,符合半导体产业可持续发展趋势。

  尼康进军半导体设备领域并非一日之功。这家创立于1917年7月25日的企业,最初以“日本光学工业株式会社”之名诞生。早期主要为日本军方生产光学仪器,直到二战后转向民用市场。

  1946年,公司首次采用“尼康”品牌名,该名称融合了“日本光学”的日文发音与德国蔡司相机“ZeissIkon”中的“kon”。尽管公众熟识尼康源自其相机产品,但它在半导体制造设备领域已有数十年积累。

  1980年,尼康推出首台半导体曝光设备“NSR-1010G”。1986年,它进一步开发出液晶曝光设备“NSR-L7501G”。2006年,公司发布液浸扫描曝光机“NSR-S609B ArF”,展示了在尖端光刻领域的技术实力。

  2017年,尼康做出战略调整,关闭了无锡相机生产基地,将资源更多投向高精尖设备制造。2024年4月,公司完成对美国专业摄像机制造商RED的收购,强化了影视制作领域布局。

  DSP-100的面世正值半导体行业向面板级封装(PLP)加速转型的关键时期。随着人工智能和高性能计算芯片复杂度飙升,传统300毫米晶圆已难以满足封装需求。

  台积电、英特尔和三星等巨头正积极布局面板级封装技术。台积电计划于2027年启动扇出面板级封装(FOPLP)的试点生产,初期将采用300×300毫米基板。

  三星已将该技术应用于Galaxy Watch的Exynos W920芯片和Pixel手机的Google Tensor G4芯片。但行业专家指出,三星目前的应用仍集中于移动芯片领域,需向AI和HPC领域扩展才能保持竞争力。

  随着物联网和生成式AI的爆发式增长,数据中心对**高性能半导体**需求激增。芯片封装技术正朝着更精细的电路图案和更大封装尺寸演进。使用树脂或玻璃基板的面板级封装,因能突破传统晶圆尺寸限制,成为行业突破的新方向。

  尼康DSP-100的推出,标志着这家百年光学企业在半导体制造关键环节的深度布局。当2026年首批设备交付产线时,全球芯片封装领域的竞争格局或将迎来新变量。

  随着2026年交付节点的临近,台积电、三星等芯片制造巨头对面板级封装技术的布局加速推进。尼康这款支持600毫米基板的设备,为芯片封装工艺突破物理限制提供了可能。

  光学大厂的技术底蕴与半导体产业的迫切需求在此交汇,芯片封装领域的技术竞赛已悄然升级。


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深入剖析光刻机的核心技术及特点
  光刻机,作为半导体制造过程中不可或缺的设备,是实现芯片高精度图案转移的关键工具。随着电子技术的快速发展,光刻技术已成为推动半导体行业进步的支柱。  光刻机的核心技术  光源技术  光源是光刻机核心部件之一,其波长直接影响光刻的分辨率。早期的光刻机使用汞灯等光源,随着技术的发展,深紫外光(DUV)和极紫外光(EUV)成为主流。DUV光源如波长为193nm的ArF准分子激光器和波长为248nm的KrF准分子激光器在工业上广泛应用。而EUV光源使用波长为13.5nm的极紫外光,能够支持制造3纳米及以下制程的芯片,极大提升了芯片计算能力。  光学系统技术  光学系统负责将掩模上的图案精确地缩小并投影到硅片上。它由一系列精密的透镜和反射镜组成,需要具备高度精确的光学特性和极低的畸变。现代光刻机采用的投影式光刻技术,通过优化光学系统的设计和制造工艺,不断提高分辨率和成像质量。此外,焦深控制和光学畸变校正技术也是光学系统的重要组成部分,它们共同确保了光刻图案的精确转移。  对位系统技术  对位系统确保掩模上的图案与硅片上的图案精确对齐,这对于多层光刻过程中的图案叠加至关重要。现代光刻机采用高精度的对位系统,如激光对准和图像识别技术,以实现亚纳米级的对准精度。这种高精度的对位系统能够有效减少图案叠加误差,提高芯片制造的成品率。  精密机械系统  光刻机的精密机械系统包括硅片传输系统、对准系统、抛光和清洗系统等。硅片传输系统由精密的机械臂、夹具和运动控制单元组成,确保硅片在曝光过程中的精确定位和快速传输。对准系统则通过高精度的激光对准和图像识别技术,实现亚纳米级的对准精度。抛光和清洗系统可以去除硅片表面的微粒、有机物和氧化物,减少光刻图案的缺陷。  环境控制技术  光刻过程对环境条件要求极高,包括温度、湿度、洁净度和振动控制等。光刻机通常配备有高精度的环境控制系统,以确保光刻过程的稳定性和准确性。这些系统通过精确控制环境参数,减少外界干扰,提高光刻质量和效率。  光刻胶技术  光刻胶是一种光敏感材料,其性能直接影响光刻的质量。随着光刻技术的发展,光刻胶的分辨率、灵敏度和化学稳定性等性能也在不断提高。新型光刻胶材料的研发和应用,为实现更小的特征尺寸和更高的图案精度提供了支持。  计算光刻技术  计算光刻技术通过模拟和优化光刻过程,提高光刻的分辨率和图案精度。它包括光源掩模联合优化(SMO)、光学邻近效应修正(OPC)等技术。这些技术通过数学模型和算法,对光源和掩模图形进行优化,以补偿光学系统的像差和光刻过程中的邻近效应,从而实现更小的特征尺寸和更高的图案精度。  掩模技术  掩模是光刻过程中的关键部件,其质量和精度直接影响光刻图案的转移效果。现代光刻机采用高精度的掩模制造技术,包括电子束光刻和激光写入等方法,以确保掩模图案的精确度和一致性。同时,掩模的清洗和修复技术也在不断发展,以延长掩模的使用寿命。  量测与检测技术  量测与检测技术用于实时监控和评估光刻过程的质量和效果。现代光刻机配备了先进的量测和检测系统,如光学量测、电子束量测和散射ometry等技术。这些系统能够快速、准确地测量光刻图案的尺寸、形状和位置等参数,并及时反馈给光刻机的控制系统,以实现过程的闭环控制和优化。  光刻机的特点  高精度  光刻机的精度直接决定了芯片的性能。其光学系统和对位系统的高精度设计,使得光刻机能够在硅片上实现亚微米甚至纳米级的图案转移。这种高精度的制造能力是现代半导体产业发展的基础。  高复杂性  光刻机是集光学、机械、电子、材料和计算机等多学科技术于一体的复杂系统。其光源、光学系统、对位系统、精密机械系统和环境控制系统的协同工作,确保了光刻过程的稳定性和准确性。这种高度的复杂性使得光刻机的研发和制造难度极高。  高成本  光刻机的研发和制造需要大量的资金投入。从基础研究到工程化开发,再到大规模生产,每一个环节都需要顶尖的技术和设备支持。此外,光刻机的维护和升级也需要高昂的费用,这使得光刻机成为半导体制造中最昂贵的设备之一。  高集成性  光刻机的光学系统、机械系统、电子控制系统和软件系统等各个子系统之间需要高度集成和协同工作。这种高度的集成性不仅提高了光刻机的整体性能,也增加了其设计和制造的难度。  高技术壁垒  光刻机技术涉及多个领域的前沿技术,其研发和制造需要跨学科的协作和长期的技术积累。目前,全球范围内能够制造高端光刻机的国家和企业非常有限,形成了较高的技术壁垒。  光刻机作为半导体制造的核心设备,其技术和市场的发展对全球科技产业格局具有重要影响。随着半导体制造工艺的不断进步,光刻机技术将继续面临新的挑战和机遇。未来,光刻机的发展将集中在提高分辨率、增加产能、降低成本和增强可靠性等方面。同时,新型光源技术、计算光刻技术、新型光刻胶材料和多光束光刻技术等也将成为光刻机技术发展的重要方向。
2025-04-15 15:58 reading:676
俄罗斯明年开始生产光刻机
  根据俄罗斯媒体报道指出,俄罗斯正在研发生产芯片的微影光刻机。其工业和贸易部副部长Vasily Shpak 在接受媒体访问时指出,2024 年将开始生产350 纳米微影光刻机,也就是说在明年俄罗斯就能拥有自己的光刻机了。此外,在2026年启动用于生产130 纳米制程芯片的微影光刻机。其生产将在莫斯科、泽列诺格勒、圣彼得堡和新西伯利亚的现有工厂进行。  Vasily Shpak 指出,当前全球只有两家公司生产此类设备,包括日本NIKON 和荷兰ASML。然而,其对于半导体的生产相当重要。Vasily Shpak 指出,一个简单的逻辑就是,如果没有半导体主权,那就没有技术主权,那么你在国防安全和政治主权方面就非常脆弱。而现在俄罗斯已经掌握了使用外国制造65 纳米微影光刻机的技术,但因为外国公司被禁止向俄罗斯出口先进的微影光刻机,所以俄罗斯正在匆忙开发自己的生产设备。  Vasily Shpak 表示,2024 年就将拨款2,114 亿卢布(约23亿美元)用于国内电子产品的开发。而俄罗斯决定开发350 纳米到65 纳米微影光刻机的原因,在于这一技术范围内的芯片多用于微控制器、电力电子、电信电路、汽车电子等方面上,这些应用大约占市场的60%。所以,这项设备在全世界市场的需求量很大,并且将在至少10 年内有持续的需求。  另外,当被问到可能遭遇的阻力时,Vasily Shpak 说,我不想抱怨,所有的问题都不是问题,因为这关系到我们拥有哪些机会,以及所设定的目标。
2023-11-06 11:18 reading:1864
ASML:仍可向中国出口部分高端光刻系统,已获荷兰批准
  8月31日下午,商务部举行例行记者会。有媒体提问,此前荷兰宣布实施半导体出口管制并将于9月1日正式生效,中荷双方对此事有没有更新的磋商结果?  对此,商务部新闻发言人束珏婷表示,中国政府与相关国家在出口管制领域保持沟通交流,中方希望包括荷兰在内的各方,秉持客观公正立场和市场原则,遵守契约精神和国际规则,维护自由开放的国际贸易秩序,保障企业合法权益。  与此同时,ASML发言人也表示,公司在DUV光刻机上拿到了政府的许可。  半导体设备制造商 ASML 周四证实,称该公司已获得荷兰政府的许可,可在年底前向中国客户出口部分先进工具。  该公司必须根据 6 月份与美国达成的一项协议引入的许可制度,寻求批准出口一些最先进的技术——美国以安全问题为由,试图通过这种方式阻碍北京制造自己的芯片的能力。  按估值计算,欧洲最大的科技公司 ASML 主导着光刻设备市场,该设备使用微小的光束来帮助创建芯片电路。  该公司发言人表示,ASML 将能够在 2023 年剩余时间内继续在其 NXT:2000i 和更先进的 DUV 型号中运送这些产品,这些型号自 9 月 1 日起受到限制。  使用深紫外光谱光波的光刻机,或“DUV”机器,是 ASML 的第二梯队产品线。其最先进的“极紫外线”或EUV机器从未出售给中国客户。  该公司发言人周四表示:“我们的客户了解出口管制法规,因此他们知道,自 2024 年 1 月 1 日起,我们不太可能获得向中国国内客户运送这些系统的出口许可证。”  并非所有的DUV光刻机都要许可证  今年六月,有关荷兰出口相关限制的新闻就已经出来的,大家对于其DUV的出口限制广泛关注。有见及此,ASML发表声明表示,这些新的出口管制条例针对对象为先进的芯片制造技术,包括最先进的沉积设备和浸润式光刻系统,并非部分媒体报道的所有浸润式DUV光刻系统。  根据新出口管制条例规定,ASML需要向荷兰政府申请出口许可证才能发运最先进的浸润式DUV系统(即TWINSCAN NXT:2000i及后续推出的浸润式光刻系统)。荷兰政府将决定是否授予或拒发出口许可证,并将向ASML提供许可证所附条件的细节。  ASML表示其EUV光刻系统在此前已经受到限制。ASML其他系统的发运未受荷兰政府管控。  ASML将继续遵守适用的出口管制条例,其中包括荷兰、欧盟及美国的出口管制条例。  ASML指出,该公司认为这些管制条例不会对已发布的 2023 年财务展望以及于2022年 11 月投资者日宣布的长期展望产生重大影响。  需要重点指出的是,荷兰政府新颁布的出口管制条例只涉及TWINSCAN NXT:2000i及后续推出的浸润式光刻系统。此外,ASML长期展望的基础是全球的长期需求和技术趋势。
2023-09-01 14:01 reading:2458
光刻机巨头ASML Q1净销售额67.5亿欧元
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