替代NVT4857——力芯微全集成电平转换解决方案介绍

发布时间：2025-10-16 16:30
作者：AMEYA360
来源：网络
阅读量：545

　　产品概述

　　在移动智能设备追求极致性能与轻薄设计的今天，高速存储接口的稳定性和集成度至关重要。力芯微推出的ET4857，是一款完全符合SD 3.0标准的高集成度、双向自动方向控制电平转换器。它不仅是连接主机处理器与存储卡的桥梁，更是一站式的信号完整性、电源管理和系统保护专家，助力您的产品在竞争中脱颖而出。

　　其核心价值在于解决现代移动设备中低电压主机(1.2V-1.8V)与标准电压存储卡(1.8V/3.0V)之间的通信障碍。且集成了电平转换器、LDO、EMI滤波器和高强度ESD保护于一体，是嵌入式存储接口的“全能卫士”。与NVT4857完全兼容。

　　产品特性

　　支持高达 208MHz 的时钟频率

　　符合 SD3.0 规范的电压转换，以支持 SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速模式和默认速度模式

　　支持 1.2V 至 1.8V 的主机侧接口电压

　　用于时钟同步的反馈通道

　　支持100mA 负载的LDO为卡侧的 I/O 提供电源

　　采用“先断后接”架构的推挽式输出级实现了低功耗

　　通过 VSD 实现自动启用和禁用

　　内部集成上拉和下拉电阻：无需外部电阻

　　集成式电磁干扰滤波器可抑制数字输入/输出的高次谐波。

　　在卡侧集成 8kV 的 ESD 保护，符合 IEC 61000-4-2 标准

　　电平转换缓冲器能够将静电放电应力隔离在主机之外(采用零钳位原理)

　　管脚定义

替代NVT4857——力芯微全集成电平转换解决方案介绍

　　典型应用

替代NVT4857——力芯微全集成电平转换解决方案介绍

　　新品预发布

　　为了满足更小封装,更低工作电压范围和SD卡超频应用，力芯微即将推出300MHZ时钟频率的SD3.0电平转换ET4860，性能领先友商产品NXS0506/NVT4858，敬请期待。

　　管脚定义

替代NVT4857——力芯微全集成电平转换解决方案介绍



（备注：文章来源于网络，信息仅供参考，不代表本网站观点，如有侵权请联系删除！）

上一篇：力芯微LED驱动芯片ET6142｜点亮米家三区洗衣机Pro的智能交互新体验

下一篇：20KW直流充电模块拆解！优优绿能×捷捷微电共筑1600V国产“芯”防线

在线留言询价

相关阅读
单路单刀双掷模拟开关 | 力芯微推出高性能模拟开关
行业新闻

单路单刀双掷模拟开关 | 力芯微推出高性能模拟开关

　　产品概述　　力芯微推出了专门为TWS设计的，集成充电、通信和OVP功能的高性能模拟开关ET3328D，其充电通路开关CHG拥有超低导通内阻(0.1Ω)，能够减少发热并确保充电的高效性，通信通路开关UART 拥有4Ω 阻抗可支持1.8V通讯电平传输，配合-70dB通道隔离度，确保高速数据(65MHz带宽)传输的完整性，并且在ET3328上升级了支持1.2V 逻辑控制电平。　　ET3328D集成过压保护(5.8V)，适用于热插拔场景，如Type-C插拔、TWS耳机入盒等。其2.5us的先关后开延时确保开关快速切换的同时，也能够消除毛刺的的影响，而QFN16L封装(1.8mm×1.4mm)满足小型化设备需求。凭借低功耗(待机电流仅 5uA)与宽温工作范围(-40°C至+85°C)，ET3328D是TWS的理想解决方案。　　产品特性　　电源电压范围：1.65V~5.5V;　　超低导通内阻(RON)：　　--POGO~CHG：0.1Ω(Typ);　　--POGO~UART：4.0Ω(Typ);　　低待机功耗(ICC1)：5uA;　　POGO端口过压保护阈值：5.8V;　　通道持续通流能力(POGO~CHG)：2500mA;　　高关断隔离度(实测值)：　　--POGO-CHG：-65dB　　--POGO-UART：-85dB　　支持1.2V逻辑控制;　　扩展级工业温度范围：-40°C ~ 85°C;　　管脚定义　　应用框图　　核心特点　　POGO~CHG 具有超低内阻 (0.1Ω)　　POGO~UART 内阻小于 4 Ω　　POGO~UART 具有良好的-3dB 带宽 (65MHz)　　POGO~CHG 具有良好的隔离度 (-65dB@100kHz)　　POGO~UART 具有良好的隔离度 (-85dB@100kHz)
2025-12-10 10:29 阅读量：270
力芯微超低内阻负载开关产品介绍
行业新闻

力芯微超低内阻负载开关产品介绍

　　产品概述　　ET3565支持1.0 V至5.5 V的宽输入电压范围，集成电荷泵驱动NMOS管以实现更低的导通阻抗，最高持续电流可达3A。接口电路支持最新的1.2V I/O标准，以满足各类平台应用场景。　　ET3565可以选择IN/OUT双向供电，必要时可以通过关闭ON启动RCP来单侧供电，从而实现控制时序和降低功耗的效果。　　产品特性　　集成N-Channel FET　　输入电压范围：1.0V to 5.5V　　超低导通内阻：17mΩ @ VIN = 5.5V　　开关最大持续导通电流：4A　　支持防反灌功能：Off RCB　　支持1.2V GPIO控制电平　　带输出软起功能　　封装：　　CSP6(1.36mm*0.86mm*0.55mm)　　管脚定义　　典型应用
2025-11-17 14:13 阅读量：360
手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点
行业新闻

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

　　产品概述　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。　　EM14DN30Z产品介绍　　产品特性　　· 漏源电压：30V;　　· 最大通流：14A;　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V　　· 背靠背双向阻断功能;　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)图1. EM14DN30Z封装信息　　EM14DN30Z三大核心亮点　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：　　亮点1　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。　　亮点2　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。　　亮点3　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。　　EM14DN30Z典型应用　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：　　浪涌防护升级　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形　　场景全面覆盖　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。图4. 单Type C 有线充典型应用图图5. Type C 有线充与无线充双输入应用　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!
2025-10-27 15:28 阅读量：497
力芯微推出新品微光充PMIC
行业新闻

力芯微推出新品微光充PMIC

　　2025年10月21日，KES韩国电子展正式开幕。力芯微于A馆A104展位展示了其高性能微光充PMIC ET95640，并提供了详细的产品演示视频与技术讲解　　产品介绍　　ET95640是一款高度集成的超低功耗微光充电池管理芯片，专为物联网、可穿戴设备等低功耗应用设计。该芯片能够从光伏(太阳能)、热电发生器(TEG)等高阻抗微弱能源中高效提取能量，并支持对锂离子、锂聚合物、超级电容等多种可充电电池进行充放电管理。　　芯片内置冷启动电路，最低仅需275mV或5µW的输入即可启动工作，有效解决了微弱能量环境下的设备供电难题。同时具备Buck架构、5V线性充电器，以及灵活的GPIO配置资源，可大幅延长电池寿命，甚至实现设备的“免维护”长期运行。　　产品特性　　超低功耗冷启动能力　　启动电压最低至275mV　　启动功率仅需5µW　　支持能量收集源电压调节(MPPT)　　可从能量收集源提取高达110mA电流　　完善的电池保护机制　　可配置过放与过充保护电压　　支持多种可充电电池(锂电容、锂离子、锂聚合物等)　　高效降压转换器　　转换效率高于90%　　输出电流可达135mA　　输出电压可通过GPIO配置　　极低功耗运输模式　　电池漏电流小于10nA　　5V线性充电器　　支持预充电/恒流/恒压充电模式　　可在无能量收集源时快速充电　　支持封装：QFN24 (4mm×4mm)　　管脚定义　　典型应用
2025-10-21 15:23 阅读量：739
热门分类
盒子，外壳，机架 电缆，电线 电路保护 连接器，互连器件 开发套件 机电产品 嵌入式解决方案 风扇，热管理 光电元件 其它 无源元件 电源 半导体 传感器，变送器 测试与测量
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
型号 品牌 抢购
BP3621 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

相关百科
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现 有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100 多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码