手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

Release time：2025-10-27
author：AMEYA360
source：力芯微
reading：274

　　产品概述

　　随着手机快充技术的飞速迭代，“充电5分钟，通话两小时”早已不是新鲜事——各大厂商为追求更快充电速度，纷纷加码高压大电流方案，这也给充电电路的核心元器件提出了更高要求。而力芯微最新推出的EM14DN30Z 30V共源级双N MOS，正是为解决手机快充痛点而来，堪称智能手机快充的“理想搭档”。

　　为什么现在的手机快充，离不开这款双N MOS?如今的手机充电场景早已不单一：既要支持有线快充，又要兼容无线充电，还得兼顾充电口的安全防护与低功耗。过去依赖OVP(过压保护)电路的方案，逐渐跟不上“高压大电流+双充电路径”的需求——而EM14DN30Z的出现，恰好补上了这一缺口。

　　它专为手机快充设计，采用背靠背共源级双N MOS结构，能完美实现有线充电与无线充电的路径隔离，避免不同充电模式切换时的电路冲突;同时配合Switched Capacitor Direct Charger(开关电容直充技术)的GATE驱动与过压检测，直接替代传统OVP电路，既简化了设计，又提升了防护可靠性。

　　EM14DN30Z产品介绍

　　产品特性

　　· 漏源电压：30V;

　　· 最大通流：14A;

　　· 超低导通内阻(RON)：R_DSON(D1,D2) = 7.2mΩ @ VGS = 10V

　　· 背靠背双向阻断功能;

　　· 小型化封装CSP22L (2.0mm*2.0mm, ball pitch=0.4mm)

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图1. EM14DN30Z封装信息

　　EM14DN30Z三大核心亮点

　　一款优秀的快充元器件，既要“能扛压”，又要“低损耗”，还得“不占地”——EM14DN30Z在这三点上做到了全面突破：

　　亮点1

　　强性能：30V耐压+14A大电流，扛住高压大电流冲击作为快充电路的“核心关卡”，EM14DN30Z的漏源电压高达30V，能轻松应对主流手机快充的高压需求;同时支持最大14A通流，即便是65W、120W级别的大电流快充，也能稳定承载，避免因电流过载导致的发热或性能衰减。

　　亮点2

　　低损耗：超低导通内阻，充电更快、更省电

　　导通内阻(RON)是影响充电效率的关键指标——内阻越小，电能损耗越少，充电时的发热也越低。EM14DN30Z在这一指标上表现惊艳：

　　- 当VGS=10V时，RD1D2(on)仅7.2mΩ;

　　- 即便在VGS=4.5V的低电压驱动下，RD1D2(on)也仅9.5mΩ。

　　超低内阻不仅能减少充电过程中的能量损耗，让充电速度再提一档，还能降低元器件发热，间接提升手机充电时的安全性与续航表现。

　　亮点3

　　小尺寸：2.0mm×2.0mm封装，给手机内部“省空间”如今的智能手机追求轻薄化，内部元器件的封装尺寸至关重要。EM14DN30Z采用CSP22L小型化封装，尺寸仅为2.0mm×2.0mm，球间距0.4mm——相比传统封装，能大幅节省PCB板空间，为手机厂商设计更轻薄的机身、更大容量的电池留出更多余地。

　　EM14DN30Z典型应用

　　硬核防护+广泛适配，覆盖主流快充场景。除了核心性能出众，EM14DN30Z的安全防护与场景适配能力也不容小觑：

　　浪涌防护升级

　　配合力芯微30V TVS(型号ES30P4N3LX)使用时，可实现±300V 8/20μs的浪涌防护，轻松应对充电过程中可能出现的电压波动，为手机充电口和内部电路筑起“安全屏障”;

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图2. EM14DN30配合TVS和驱动器的浪涌测试线路图(过压点配置7.2V)

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图3. EM14DN30配合TVS和驱动器300V 8/20us浪涌测试波形

　　场景全面覆盖

　　无论是单Type-C有线快充方案，还是Type-C有线+无线充的双输入方案，EM14DN30Z都能完美适配，满足不同手机机型的设计需求。

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图4. 单Type C 有线充典型应用图

手机快充“芯”突破！力芯微EM14DN30Z双N MOS，解决高压大电流充电痛点

图5. Type C 有线充与无线充双输入应用

　　从“能充电”到“快充电、安全充电、高效充电”，手机快充技术的每一步升级，都离不开核心元器件的突破。力芯微EM14DN30Z以“高压耐压大电流承载、超低内阻、小型化封装”为三大亮点，为智能手机快充提供了更优越的解决方案——如果你是手机行业从业者，或是对快充技术感兴趣的科技爱好者，这款MOS管绝对值得关注!


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力芯微推出新品微光充PMIC
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力芯微推出新品微光充PMIC

　　2025年10月21日，KES韩国电子展正式开幕。力芯微于A馆A104展位展示了其高性能微光充PMIC ET95640，并提供了详细的产品演示视频与技术讲解　　产品介绍　　ET95640是一款高度集成的超低功耗微光充电池管理芯片，专为物联网、可穿戴设备等低功耗应用设计。该芯片能够从光伏(太阳能)、热电发生器(TEG)等高阻抗微弱能源中高效提取能量，并支持对锂离子、锂聚合物、超级电容等多种可充电电池进行充放电管理。　　芯片内置冷启动电路，最低仅需275mV或5µW的输入即可启动工作，有效解决了微弱能量环境下的设备供电难题。同时具备Buck架构、5V线性充电器，以及灵活的GPIO配置资源，可大幅延长电池寿命，甚至实现设备的“免维护”长期运行。　　产品特性　　超低功耗冷启动能力　　启动电压最低至275mV　　启动功率仅需5µW　　支持能量收集源电压调节(MPPT)　　可从能量收集源提取高达110mA电流　　完善的电池保护机制　　可配置过放与过充保护电压　　支持多种可充电电池(锂电容、锂离子、锂聚合物等)　　高效降压转换器　　转换效率高于90%　　输出电流可达135mA　　输出电压可通过GPIO配置　　极低功耗运输模式　　电池漏电流小于10nA　　5V线性充电器　　支持预充电/恒流/恒压充电模式　　可在无能量收集源时快速充电　　支持封装：QFN24 (4mm×4mm)　　管脚定义　　典型应用
2025-10-21 15:23 reading：426
力芯微LED驱动芯片ET6142｜点亮米家三区洗衣机Pro的智能交互新体验
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力芯微LED驱动芯片ET6142｜点亮米家三区洗衣机Pro的智能交互新体验

　　产品概述　　在智能家电飞速发展的今天，一款优秀的显示驱动芯片往往是人机交互的核心所在。力芯微电子以显示驱动芯片领域15余年的技术沉淀，赢得了市场与众多知名品牌的广泛认可。在近日备受关注的小米新品发布会上，全新米家三区洗衣机 Pro 以其创新的三区健康洗护功能成为焦点，其轩晶镜面触控面板更暗藏玄机——搭载力芯微 ET6142 恒流显示驱动芯片，配合彩色 UI 界面，让智能操控既流畅又清晰。　　ET6142是一款专为LED矩阵显示系统设计的恒流驱动控制芯片，旨在满足家电及便携设备对高集成度、多像素点精细控制的显示需求。其核心设计背景源于市场对中小型点阵屏在亮度均匀性、功耗控制及空间利用率上的严苛要求，通过集成化方案替代传统分立驱动电路，显著简化系统设计复杂度。　　该芯片具备12路独立恒流驱动通道，每路输出电流最高达50mA，可稳定驱动最大6×12 LED点阵。产品亮点在于支持整体输出电流32级可调，单点256级PWM可调，赋予显示内容细腻的灰度表现力。其采用标准I²C通信接口，支持连续读写功能，配合内置RC振荡器(默认1MHz±10%)及自动消隐电路，在确保高刷新率的同时降低显示残影。芯片提供SOP24(7.5mm ×15.34mm)SSOP24(3.9mm ×8.65mm)QFN24(4mm × 4mm)三种封装，适配不同空间约束场景。　　ET6142主要面向白色家电控制面板(如冰箱、洗衣机状态屏)、小家电交互界面(咖啡机、空气净化器)及智能设备显示单元(便携音响、玩具LED矩阵)。其低功耗特性(关断电流仅2μA左右)与-40℃至+85℃的宽温工作范围，特别契合电池供电设备及严苛环境的应用需求，为紧凑型电子设备提供高效可靠的显示驱动解决方案。　　产品特性　　12路恒流驱动，输出电流最大50mA支持1～6扫应用　　最大应用点阵6×12每点支持256级辉度调节　　I²C通讯接口　　内置RC振荡(默认值1MHz±10%)刷新频率高　　内置上电复位电路,内置自动消隐电路　　管脚定义
2025-10-16 16:35 reading：313
替代NVT4857——力芯微全集成电平转换解决方案介绍
行业新闻

替代NVT4857——力芯微全集成电平转换解决方案介绍

　　产品概述　　在移动智能设备追求极致性能与轻薄设计的今天，高速存储接口的稳定性和集成度至关重要。力芯微推出的ET4857，是一款完全符合SD 3.0标准的高集成度、双向自动方向控制电平转换器。它不仅是连接主机处理器与存储卡的桥梁，更是一站式的信号完整性、电源管理和系统保护专家，助力您的产品在竞争中脱颖而出。　　其核心价值在于解决现代移动设备中低电压主机(1.2V-1.8V)与标准电压存储卡(1.8V/3.0V)之间的通信障碍。且集成了电平转换器、LDO、EMI滤波器和高强度ESD保护于一体，是嵌入式存储接口的“全能卫士”。与NVT4857完全兼容。　　产品特性　　支持高达 208MHz 的时钟频率　　符合 SD3.0 规范的电压转换，以支持 SDR104、SDR50、DDR50、SDR25、SDR12、高速模式和默认速度模式　　支持 1.2V 至 1.8V 的主机侧接口电压　　用于时钟同步的反馈通道　　支持100mA 负载的LDO为卡侧的 I/O 提供电源　　采用“先断后接”架构的推挽式输出级实现了低功耗　　通过 VSD 实现自动启用和禁用　　内部集成上拉和下拉电阻：无需外部电阻　　集成式电磁干扰滤波器可抑制数字输入/输出的高次谐波。　　在卡侧集成 8kV 的 ESD 保护，符合 IEC 61000-4-2 标准　　电平转换缓冲器能够将静电放电应力隔离在主机之外(采用零钳位原理)　　管脚定义　　典型应用　　新品预发布　　为了满足更小封装,更低工作电压范围和SD卡超频应用，力芯微即将推出300MHZ时钟频率的SD3.0电平转换ET4860，性能领先友商产品NXS0506/NVT4858，敬请期待。　　管脚定义
2025-10-16 16:30 reading：320
力芯微推出内置200V浪涌保护的大载流能力OVP芯片
行业新闻

力芯微推出内置200V浪涌保护的大载流能力OVP芯片

　　概述　　ET9668是一款内置9mΩ功率开关管的OVP芯片，最高支持28V工作电压。其内置的过压保护关断模块可以保证关断响应时间低于50ns，常规表现在10ns左右，这种响应速度是“OVP控制芯片+外置FET”的方案所无法达到的。同时，该芯片还内置了200V浪涌保护模块，这样能够最大程度的减少产品电源接口保护电路的元件数量，降低设计难度。　　该产品已经通过客户全套测试并开始批量上市，为客户的旗舰AI智能手机保驾护航。　　ET9668典型特性　　全温度范围6A持续电流能力　　内置9mΩ(典型值)N型功率管　　输入电压范围：2.8V至28V　　内置21.9V和12.4V过压阈值可选　　最大50ns过压关断响应时间　　内置±200V浪涌保护　　定制的OTG模式　　VBUS动态放电管理　　±4KV ESD保护能力(HBM)　　WLCSP20封装　　ET9668引脚信息　　采用WLCSP20球封装，尺寸1.88mm * 2.34mm，工作温度范围为-40℃至85℃。
2025-10-09 15:43 reading：324
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