维安双面散热MOSFET：大功率应用首选
随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。
新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。
维安推出 双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。
双面散热与顶部散热：
1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。
2.双面散热的冷却效果最好。
3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。
传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。
PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。
双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：
1.Rthjc_Bottom 改善10%
2.Rthjc_Top 改善将近 23%
3.Rthja 改善将近3.5倍
空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：
*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。
顶部加散热片器件温升对比：
* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：
*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。
1/ 双面散热
2/ 顶部散热
产品特点
WAYON 双面散热MOSFET
卓越的品质因数(FOMs)
业界领先低导通电阻
高可靠性、高品质
先进的厚铜clip技术
封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060
热性能改善将近3.5倍
典型应用
WAYON 双面散热MOSFET
BMS
高性能开关电源DC转换与整流
机器人关节电机驱动
无人机电调
成功案例
典型应用AGV(电机驱动器)
型号：WMBD030N10HG4
项目背景
一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;
二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。
项目结果
在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。
在线留言询价
- 一周热料
- 紧缺物料秒杀
| 型号 | 品牌 | 询价 |
|---|---|---|
| RB751G-40T2R | ROHM Semiconductor | |
| MC33074DR2G | onsemi | |
| TL431ACLPR | Texas Instruments | |
| CDZVT2R20B | ROHM Semiconductor | |
| BD71847AMWV-E2 | ROHM Semiconductor |
| 型号 | 品牌 | 抢购 |
|---|---|---|
| BP3621 | ROHM Semiconductor | |
| BU33JA2MNVX-CTL | ROHM Semiconductor | |
| STM32F429IGT6 | STMicroelectronics | |
| IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies | |
| TPS63050YFFR | Texas Instruments | |
| ESR03EZPJ151 | ROHM Semiconductor |
AMEYA360公众号二维码
识别二维码，即可关注
请输入下方图片中的验证码：