维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

发布时间：2026-04-21 10:26
作者：AMEYA360
来源：维安
阅读量：1049

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。

　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。

　　维安推出 双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。

　　双面散热与顶部散热：

　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。

　　2.双面散热的冷却效果最好。

　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。

　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。

　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。

　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：

　　1.Rthjc_Bottom 改善10%

　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%

　　3.Rthja 改善将近3.5倍

　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　顶部加散热片器件温升对比：

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　1/ 双面散热

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　2/ 顶部散热

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　产品特点

　　WAYON 双面散热MOSFET

　　卓越的品质因数(FOMs)

　　业界领先低导通电阻

　　高可靠性、高品质

　　先进的厚铜clip技术

　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060

　　热性能改善将近3.5倍

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　典型应用

　　WAYON 双面散热MOSFET

　　BMS

　　高性能开关电源DC转换与整流

　　机器人关节电机驱动

　　无人机电调

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　成功案例维安双面散热MOSFET：大功率应用首选


　　典型应用AGV(电机驱动器)

　　型号：WMBD030N10HG4

　　项目背景

　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;

　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。

　　项目结果

　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

维安双面散热MOSFET：大功率应用首选


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