核芯互联丨纯CMOS工艺 宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

发布时间：2026-05-20 09:24
作者：AMEYA360
来源：核芯互联
阅读量：1125

　　在微波射频领域，混频器是收发系统的核心器件。核芯互联依托自主研发的纯CMOS工艺，成功推出CLMX5548E与CLMX5549E两款高性能宽带混频器芯片，以超高集成度、超宽带宽和出色的线性度，为5G通信、探测感知、卫星调制解调等应用提供极具竞争力的国产化解决方案。

　　核心技术优势

　　纯CMOS工艺打造 · 高集成度设计

　　纯CMOS工艺    3.3V单电源    QFN 3mm×2mm    超宽温 -55℃~125℃

　　区别于传统的III-V族工艺(如GaAs)，核芯互联采用标准纯CMOS工艺实现微波混频器，带来显著的成本优势与供应链安全性。片上集成RF巴伦、LO放大链路、可选LO倍频器及偏置控制电路，大幅降低系统BOM成本和设计复杂度。

　　典型应用框图

　　CLMX5549E采用无源双平衡混频架构，RF与IF端口可互换，片上集成LO驱动放大器和可选倍频器，仅需0dBm本振输入即可驱动。下图展示了TDD收发链路中的典型应用及芯片内部框图。

核芯互联丨纯CMOS工艺 宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

　　图1. TDD收发链路典型应用(左)及CLMX5549E内部框图(右)

　　CLMX5548E · 差分IF宽带混频器

　　CLMX5548E是一款高性能无源双平衡宽带混频器，集成内部RF巴伦，支持2~15GHz超宽带RF频率。其突出特点是采用差分IF端口设计，支持DC~6GHz的IF带宽，特别适用于IF频率延伸至500MHz以下的低频应用场景。

　　▎核心性能指标

核芯互联丨纯CMOS工艺 宽带混频器芯片CLMX5548E / CLMX5549E · 2GHz~15GHz高性能无源双平衡混频器

　　适用场景

　　IF频率在500MHz以下的超宽带应用，如宽带探测、零中频/低中频接收机、DC耦合基带处理系统等。差分IF端口可直接对接差分IF放大器或差分滤波器，简化信号链设计。

　　CLMX5549E · 单端IF宽带混频器

　　CLMX5549E与CLMX5548E功能类似，区别在于集成了片上IF巴伦，所有RF、LO、IF端口均为单端50Ω匹配，使用更加便捷。推荐用于IF频率在500MHz以上的应用场景，覆盖2~14GHzRF带宽。

　　▎核心性能指标

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　　适用场景

　　IF频率在500MHz以上的标准中频应用，如5G微波回传、C/X/Ku波段探测、卫星通信调制解调器等。片上集成IF巴伦，无需外部巴伦器件，进一步减少外围元件数量。

　　实测性能曲线

　　下图展示了CLMX5549E在下混频模式下，全频段(4~15GHz)的变频损耗与IIP3随RF频率的变化曲线。在25℃典型温度下，变频损耗稳定在10~15dB范围内，IIP3保持在23~27dBm的高线性度水平，充分体现了纯CMOS工艺的高性能优势。

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　　图2. 下混频变频损耗与IIP3 vs RF频率(LO功率=0dBm，IF=100MHz，25℃/55℃/85℃/125℃)

　　线性度与端口隔离度

　　CLMX5549E具备出色的线性度和端口隔离性能。输入P-1dB在IF全频段内保持在13dBm以上，IF端口对RF和LO的隔离度分别优于45dB和55dB，有效抑制了信号泄漏和本振馈通。

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　　图3. 输入P-1dB vs IF频率

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　　图4. IF端口隔离度 vs IF频率(IF-RF / IF-LO)

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　　选型建议：IF频率在500MHz以下，或需要差分IF接口的场景，首选CLMX5548E;IF频率在500MHz以上、追求使用便捷性的场景，推荐CLMX5549E。两者均支持上/下变频、LO倍频器可选、双向RF/IF端口互换等灵活配置。

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　　核芯互联 · 让射频设计更简单

　　CLMX5548E与CLMX5549E以纯CMOS工艺实现高性能宽带混频功能，集成片上巴伦与LO驱动链路，以极小封装和极简外围，帮助工程师快速构建5G通信、探测感知、卫星链路等射频系统。核芯互联将持续深耕射频芯片领域，为客户提供更多高品质、高性价比的国产化射频解决方案。

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