森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

Release time：2026-06-29
author：AMEYA360
source：森国科
reading：168

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆

　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。

森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　01

　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心

　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。

　　高耐压与低导通损耗：

　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。

　　高频开关与低电容：

　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。

　　优异的体二极管特性：

　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。

　　02

　　TOLT封装：为高性能而生

　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。

　　极致的散热能力：

　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。

　　更低的寄生效应：

　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。

　　坚固与可靠：

　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。

　　03

　　应用领域：赋能绿色科技

　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。

　　太阳能逆变器：

　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。

　　电动汽车电机驱动：

　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。

　　高压直流变换器与开关电源：

　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。

　　结语

　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。

森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元


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电机控制省钱神“芯”：森国科 SGK32G023X 无刷电机 MCU
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电机控制省钱神“芯”：森国科 SGK32G023X 无刷电机 MCU

　　森国科经济型 SGK32G023xxxx 是基于 ARM Cortex-M0 内核的电机专用 MCU ，工作电压为 3V - 28V ， 工作温度范围在 - 40°C 至+105 °C，CPU 工作频率最高可达 48MHz 。具备 16KBytes 的 Flash 、以及 4KBytes 的SRAM ，Flash 的擦写寿命可达 10 万次，数据保持时间达 10 年。 拥有 2路UART ，支持在 MCU 停机模式下数据接收唤醒; 1 路高速(最高 1MHz )I2C ，同样 支持停机模式下数据接收唤醒;以及 1 路高速(最高 18Mbps )SPI ，支持 I2S 协议。 包含 1 个16-bit 高级 PWM 定时器，其中 3 路带死区互补输出; 1 个16-bit 通用 PWM 定时器，共 4 路PWM 输出; 1 个16-bit 基本定时器，支持 CPU 中断;还有 1 个MCU 停机模式下工作的自动唤醒定时器 AWU 和1 个MCU 待机模式下工作的自动唤醒定时器 STBAWU 。集成 1 个12 位1Msps ADC ，共7路模拟信号输入通道，支持差分对输入，可实现多种模拟信号的 快速精确转换。配备 1 个Beeper 蜂鸣器，可输出 1、2、4、8kHz 频率脉冲，即便在 MCU 停机模式下， Beeper 也可继续工作并可定时触发 ADC 采样。具有 CRC 计算单元、独立看门狗 IWDG 、窗口看门狗 WWDG 等功能，还提供唯一的 96 位ID 标识，具备高可靠性和安全性。　　八位机替代的省钱“芯”　　在国产芯片崛起的大背景下，森国科 SGK32G023xxxx 凭借着自身出色的产品性能，成为了国产替 代浪潮中的省钱“芯”。该芯片使用 32 位 ARM Cortex-M0 内核，内嵌 ARM 的 SWJ-DP 接口， 其结合了单线调试接口，大大降低了企业的研发成本和风险，缩短了产品上市周期，为国内企业 提供了一个高性价比的选择。它在多个方面展现了强大的竞争力。　　技术实力过硬：　　采用先进的 ARM Cortex-M0 处理器，确保了芯片在运算速度、功耗控制 以及实时性等方面的出色表现，能够满足不同应用场景下的需求。　　高性价比优势：　　在同等性能指标下，相较于一些国内外同类产品， SGK32G023xxxx 的价格更 具竞争力，能够为用户带来更高的性价比，有效降低了产品的成本，这对于推动国产芯片 的广泛应用具有重要意义。　　主要推广市场　　森国科 SGK32G023X 凭借其卓越的性能、丰富的产品特色和突出的竞品优势，成为了电机控制、工 业自动化、消费电子、智能家居等领域理想的芯片解决方案。它不仅满足了市场对高性能、 低功耗、高可靠性芯片的需求，还推动了国产芯片在相关领域的广泛应用和快速发展。　　在主要推广市场方面，森国科 SGK32G023X 系列 MCU 可应用于以下领域：　　家电市场：　　如风扇、空净、迷你洗衣机等家电产品的电机控制，实现高效节能的变频控制，提升 家电产品的性能和用户体验。　　工业自动化市场：　　适用于各种工业风机、水泵、压缩机等设备的电机驱动控制，提高工业生 产效率和设备运行的稳定性。　　电动工具市场：　　为电动工具提供强劲的动力控制，满足电动工具对高转速、大扭矩和长续航 的要求，提升电动工具的性能和使用寿命。　　智能家居市场：　　可用于智能窗帘、智能门锁、智能灯具等设备的控制和驱动，实现设备的智 能化控制和互联互通，打造智能家居生态系统。　　医疗设备市场：　　满足医疗设备对芯片的高可靠性和低功耗要求，可用于医疗仪器、康复设备 等的控制和监测，为医疗设备的正常运行提供保障。　　暴力风扇方案　　功能参数　　控制方式：无霍尔 BLDC控制　　过流保护，过压保护，欠压保护，堵转保护　　优化的起步控制算法　　输入电压： 3V~24V　　连续工作电流：最大可达 22A　　电机：无霍尔传感器三相 BLDC高速电机　　优化的起步算法，启动成功率 100%　　电机噪音低，无金属异响，控制稳定　　方波控制转速达 13万转以上(一对极电机) MCU:SGK32G0233
2026-02-02 15:18 reading：1098
森国科丨吸尘器方案：高效节能的“心脏”，实现吸力与 能效双重突破！技术创新，让清洁电器更智能更高效
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森国科丨吸尘器方案：高效节能的“心脏”，实现吸力与 能效双重突破！技术创新，让清洁电器更智能更高效

　　在智能家居日益普及的今天，吸尘器作为家庭清洁的核心工具，正朝着更智能、更高效、更节能的方向发展。而这一切，离不开一颗强大的“心脏”——电机控制芯片。森国科推出的SGK32G03X系列芯片，正是为现代吸尘器量身定制的高性能解决方案。　　1、森国科芯片核心技术：高度集成，专为电机控制而生　　森国科的SGK32G03X系列芯片是一款32位M0内核的专用处理器，SGK32G032K6Q8, SGK32G034G6Q8,SGK32G035K6Q8拥有电机控制所需的全套资源模块。这款芯片采用高度集成化设计，将三相N/N MOS栅极驱动模块直接集成在芯片内部，可直接驱动三路双N MOS功率模块。　　芯片采用双电源设计，驱动部分直接接入高压(5~28V)并通过LDO输出5V电压给内核部分和外围电路供电。这种设计大大简化了吸尘器的电源架构，减少了外部元件数量，提高了系统可靠性。　　主要性能参数包括：　　32位M0内核处理器，内部时钟可达60MHz　　32K字节主闪存模块，4K字节内置静态SRAM　　1个12bit ADC(1MHz)，实现精准采样　　5~28V单电源供电，适应多种电池配置　　拥有欠压、限流、过温等多重保护措施　　2、强劲性能：吸尘器效率提升显著　　基于森国科芯片的吸尘器方案，在效率方面表现卓越。芯片的高频开关特性使其能够快速响应不同的清洁需求，同时保持较低的功耗。　　与传统吸尘器方案相比，森国科芯片方案可实现更精细的电机控制。以下是不同方案的性能对比表：　　3、智能保护：全方位保障系统稳定运行　　森国科吸尘器芯片方案集成了多重保护机制，确保系统在各种异常情况下都能稳定运行。这些保护措施包括：　　欠压保护：当电池电压过低时自动保护，防止电池过放　　过流保护：检测电机电流，防止电机堵转损坏　　过温保护：监控芯片温度，避免过热运行　　硬件设计: 原理图　　4、应用前景：推动吸尘器技术创新　　森国科的吸尘器芯片方案可广泛应用于各类清洁电器，包括但不限于：　　手持无线吸尘器：凭借高效能电机驱动，延长电池寿命　　扫地机器人：精准的电机控制有助于优化清洁路径　　智能洗地机：配合水泵控制，实现清洁一体化　　随着物联网技术的发展，未来吸尘器芯片将集成更多智能功能，如尘袋检测(部分吸尘器采用尘袋设计，方便清理)、智能功率调节等，进一步提升用户体验。　　5、结语　　森国科的吸尘器芯片方案，通过高度集成的设计和先进的电机控制算法，为吸尘器制造商提供了高性能、高可靠性的解决方案。这不仅有助于提升产品竞争力，也推动了整个清洁电器行业的技术进步。　　未来，随着技术的不断进步，森国科将继续为吸尘器行业提供更多创新解决方案，助力制造商打造更具市场竞争力的产品，共同推动智能清洁时代的发展。
2026-01-28 10:10 reading：3069
以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
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以小搏大，以硅基成本享碳化硅性能：森国科微型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道

　　在功率半导体领域，碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而，市场普及始终面临一个核心挑战：如何在不牺牲性能的前提下，将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品，以其革命性的微型化芯片设计，给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size，实现系统级成本与性能的双重优势，直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。　　01技术深潜：微型化Die引发的性能与成本革命　　这两颗晶圆最引人注目的特点，是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm)，而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件，奠定了其颠覆性优势的基础。　　热性能的先天优势：更稳定，更高效　　与传统硅基MOSFET相比，SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着，在同等体积下，SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计，其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。　　--热阻稳定性：硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大，而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示，即使在175°C的高结温下，KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω，变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。　　--高效散热：小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短，热量能更高效地散发，从而允许器件在更高的功率密度下运行，或减少散热系统的体积与成本。　　电气性能的极致化：支持高频、高可靠性应用　　高开关速度与低损耗：两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss)，例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡，为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。　　--750V耐压的可靠性裕量：相较于传统的600V-650V硅基MOSFET，750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力，在PFC电路、反激式拓扑等应用中，系统可靠性得到显著提升。　　--快速体二极管：内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低)，在桥式电路或硬开关条件下，能有效降低反向恢复损耗，提升整体效率。　　成本结构的颠覆：从“芯片成本”到“系统成本”的胜利　　这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是：　　单颗芯片成本大幅降低：在同等晶圆上，更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长，直接摊薄了单片晶圆的制造成本。　　--封装成本显著下降：小芯片可采用更小、更简单的封装，封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。　　--系统级成本优化：由于SiC的高频、高效特性，电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻，从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。　　02应用蓝图：灵活封装策略覆盖广阔市场　　森国科此次提供晶圆形态的产品，赋予了下游客户极大的设计灵活性，精准瞄准两大应用方向：　　合封(Chip-in-Package)：赋能超紧凑电源　　对于追求极致功率密度的应用，如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等，这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数，提升频率和效率，是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。　　独立封装：替代传统硅基MOSFET　　对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用，这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET)，让终端产品在几乎不增加成本的情况下，轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。　　03市场展望：开启“硅基成本，碳化硅性能”的新纪元　　森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出，具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品，而是可以通过创新的设计与制造工艺，下沉到主流功率市场，成为替代硅基产品的“性价比之选”。　　森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆，是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数，而是通过芯片尺寸的微型化革命，巧妙地平衡了性能、可靠性与成本，精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品，更代表了一种清晰的市场战略：让碳化硅的强大性能，以客户乐于接受的成本，渗透到每一个可能的电力电子角落，加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言，这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
2026-01-26 17:43 reading：1224
森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准
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森国科发布创新TOLL+Cu-Clip封装SiC MOSFET，重新定义功率密度与散热新标准

　　在追求更高效率、更高功率密度的电力电子领域，碳化硅(SiC)功率器件的性能优势已得到广泛认可。然而，传统的封装技术正成为限制其潜能全面释放的关键瓶颈。森国科(SGKS)近日创新性地推出KM025065K1(650V/25mΩ)与 KM040120K1(1200V/40mΩ)两款SiC MOSFET产品，率先将TOLL封装与铜夹片(Cu-Clip)技术深度融合，为下一代高性能电源方案树立了新标杆。　　01 技术基石：为何选择TOLL封装?　　TOLL(TO-Leaded，L-type)封装是一种专为大电流、高散热需求设计的表面贴装(SMD)封装。其外形与标准的TO-LL规范兼容，具备以下核心优势：　　低外形与高功率密度：　　TOLL封装的高度通常极低(如规格书中标注的典型值为2.30mm)，非常适合在空间受限的应用中实现高功率密度布局。　　出色的散热能力：　　封装底部具有大面积的可焊接散热焊盘，为芯片到PCB(或散热器)提供了极低的热阻路径。规格书中KM025065K1的结壳热阻(RθJC)低至0.46°C/W，KM040120K1更是达到0.42°C/W，为高效散热奠定了基础。　　低寄生电感：　　多个开尔文源极引脚和功率引脚的优化布局，有助于减小开关回路中的寄生电感，这对于发挥SiC高频开关优势、抑制电压过冲和振铃至关重要。　　02 性能跃迁：Cu-Clip技术如何赋能TOLL封装?　　森国科的创新之处在于，在TOLL封装内部，用铜夹片(Cu-Clip) 替代了传统的铝键合线(Bonding Wires)。　　彻底告别键合线瓶颈：　　传统键合线存在寄生电感较大、载流能力有限、热机械可靠性等问题。Cu-Clip通过一块扁平的铜片直接连接芯片源极和引线框架，实现了面接触。　　实现“三位一体”的性能提升：　　超低导通电阻：　　铜的导电性远优于铝，Clip结构提供了更广阔的电流通道，显著降低了封装内部的导通电阻。　　极致散热性能：　　铜片成为高效的导热桥梁，将芯片产生的热量快速、均匀地传导至整个引线框架和封装外壳，这正是实现超低RθJC的关键。　　更高的可靠性与电流能力：　　消除了键合线可能因热疲劳而脱落的风险，载流能力大幅提升，规格书中KM025065K1的连续漏极电流在Tc=25°C时高达91A。　　03 强强联合：TOLL+Cu-Clip与SiC晶圆的完美协同　　当优化的TOLL封装、先进的Cu-Clip互联技术与高性能SiC晶圆相结合，产生了“1+1+1>3”的协同效应：　　充分发挥SiC高频特性：　　低寄生电感的封装允许SiC芯片以更快的速度开关(如KM025065K1的上升时间tr=28ns)，从而显著降低开关损耗，提升系统频率和效率。　　最大化功率密度：　　优异的散热能力使得器件能在更高结温(Tj=175°C)下持续输出大电流，允许使用更小的散热器，最终实现系统体积和重量的大幅缩减。　　提升系统鲁棒性：　　KM040120K1规格书中特别提到“带有单独驱动源引脚的优化封装”，这有助于进一步改善开关性能，减少栅极振荡，使系统运行更稳定可靠。　　04 应用场景：为高效能源未来而生　　这款创新封装的SiC MOSFET非常适合对效率、功率密度和可靠性有严苛要求的应用：　　光伏/储能逆变器：　　高开关频率可减小无源元件体积，高效率直接提升发电收益。　　电动汽车车载电源(OBC/DCDC)与电机驱动：　　高功率密度和卓越散热是满足紧凑空间和高温环境要求的关键。　　服务器电源/通信电源：　　助力打造效率超过80 Plus钛金标准的高密度电源模块。　　工业电机驱动与不间断电源(UPS)：　　高可靠性和高频特性满足工业环境的严苛需求。　　森国科KM025065K1与KM040120K1的推出，不仅是两款新产品的面世，更是一次针对功率封装瓶颈的精准突破。它证明了通过封装-互联-芯片的协同设计与创新，能够充分释放第三代半导体的巨大潜力。这为设计工程师在面对未来能源挑战时，提供了一把兼具高性能、高可靠性与高功率密度的利器，必将加速光伏、电动汽车、数据中心等关键领域的技术革新。
2026-01-26 17:39 reading：1412
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