纳芯微丨SafeNovo® | 车载电源系统功能安全系统方案

发布时间:2026-08-04 14:31
作者:AMEYA360
来源:纳芯微
阅读量:652

  在智能驾驶向高阶演进的过程中,高压直流转换器(DC-DC)作为车载电源系统的核心组成部分,承担着将动力电池高压直流电转换为低压稳定电压的关键功能,持续为激光雷达、域控制器及电子门把手等低压负载供电,其输出电压的稳定性与可靠性直接决定上述设备能否正常工作。DC-DC 处于新能源汽车高压电气架构的关键节点,除完成电压变换外,还须集成过压、欠压保护及诊断功能。

  本文将围绕车载电源系统的低压安全目标,阐述其功能安全方案的设计思路与实现路径。

  01

  车载电源的功能安全要求

  车载充电机(OBC)负责将外部交流电转换为高压直流电,为动力电池充电,并在 V2L/V2V/V2G 等场景下实现反向逆变;DC-DC 转换器则将电池高压直流电转换为低压为整车低压网络供电,并在整车上电时通过低压电池对高压电容进行反向预充(上高压)。两者在高压电气架构中共享高压直流母线接口,且在功率拓扑、开关器件及磁性元件上存在复用空间,这为集成化设计提供了技术基础。

  基于上述特性,OBC 与 DC-DC 转换器的集成化已成为行业主流设计。此类“二合一”乃至“多合一”方案通过共享结构壳体、冷却流道及控制电路,或在功率拓扑层面进一步复用开关器件或磁性元件,有效提升了功率密度,降低了整机重量。集成后的电源系统需同时满足充电高压安全、热安全与低压供电安全等多重目标。尽管现行国标尚未要求低压系统按功能安全流程开发,但高阶智驾与线控底盘等应用的渗透率不断提升,行业实践已对其提出更严苛的要求。

  整车安全目标的导出,须基于危害分析与风险评估(HARA),分析故障行为对人员的影响,通过标准化流程评定风险等级,进而推导出整车层面的安全目标。

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  以车载电源系统的低压安全为例,若 DC-DC 低压侧输出过压,可能对下游低压负载造成直接且不可逆的损害。典型受影响的关键负载包括域控制器、激光雷达、摄像头等智能驾驶感知与决策单元,ABS/ESP 等线控制动执行模块,电动转向助力系统(EPS)控制器,以及行车大灯、制动灯等照明系统。一旦发生过压,上述负载可能在瞬间被击穿或烧毁,进而引发 ADAS 感知与决策功能完全丧失、转向与制动助力异常退出、全车灯光失效、车门锁止系统失控等连锁高危场景。依据 SAE J2980 给出的风险评估方法,可结合故障行为对人身安全影响的严重度、暴露概率与可控性三个维度,对上述场景进行危害分析与等级评定。

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  图二 低压安全目标推导示例

  基于上述危害分析,国内外主流车企已形成技术共识:低压网络功能安全水平实质上构成了整车安全能力的上限。因此,DC-DC 须集成低压过压与欠压的检测及保护功能,一旦检测到相关事件,系统须在故障容错时间间隔(FTTI)内主动进入安全状态,以最大限度阻断故障对后端敏感负载的冲击。

  在安全等级分配上,过压检测与关断功能通常按最高等级 ASIL D 进行开发。而在欠压工况下,由于整车低压蓄电池具备一定的储能容量,能在 DC-DC 输出跌落时短期维持关键负载供电,事故可控性相对较高,因此一般遵循 ASIL B 的要求予以实现。

  根据上述安全目标,可进一步导出 DC-DC 输出过欠压分级保护的功能安全需求(本文中阈值相关参数仅为示例,具体定义应按主机厂要求):

  1. 过压保护

  需依据过压幅值定义分层响应策略:

  第一级阈值(16V~17V):要求系统在百毫秒级完成检测与关断。该设计允许短时轻度过压不被误触发,以提升系统在负载动态及纹波扰动下的鲁棒性。

  第二级阈值(21V及以上):要求系统在微秒级快速响应并立即关断输出,以防止敏感低压负载瞬间击穿。

  2. 欠压保护

  同样采用分级策略,并根据故障严重程度施加额外的隔离措施:

  第一级阈值(低于9V):系统通过毫秒级检测进行故障报告。

  第二级阈值(7V及以下):低压蓄电池能量可能反向倒灌进入 DC-DC 输出端,需由硬件电路实现反向过流检测并立即触发保护。

  强制隔离要求:与过压保护仅关断输出不同,欠压保护还要求 DC-DC 在停止工作的同时,主动断开与低压蓄电池之间的电气连接,以防止输出端口内部短路时反灌回路无法被安全切断。

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  未来随着整车低压网络向48V演进,过压与欠压的保护阈值及故障容错时间间隔(FTTI)窗口需重新标定,但分层保护的基本逻辑保持不变。该策略同样可应用于双 DC-DC 冗余供电架构中:当某一路 DC-DC 出现异常过压时,可在规定的时间窗口内关闭故障通道,并由另一路无故障通道持续供电,从而实现故障隔离与功能维持。这种双 DC-DC 冗余设计(例如两路独立的 DC-DC 分别供电或互为备份)在智驾、线控底盘控制器等高安全等级系统中已较为常见,可有效防止单点过压故障导致系统掉电。

  02

  低压过压保护功能安全方案

  在当前的 OBC/DC-DC 控制架构中,主要存在几种不同的架构方案。一种方案采用单颗高性能 MCU 完成全部控制。另一种方案采用 DSP+MCU 的芯片架构:DSP 仅专注于 OBC、DC-DC 的功率算法控制,低压功能及系统相关控制则由 MCU 实现。在功能划分上,还有一种实践是将与交流桩、直流桩、充电插座、充电盖板的复杂交互功能全部集成到 BMS 或 VCU 中,此时 OBC/DC-DC 只需用 DSP 进行功率算法控制,无需 MCU。

  上述不同的控制架构在芯片选型及功能集成度上差异显著,这直接决定了 DC-DC 两级过压保护(如第一级慢速保护与第二级硬件快速保护)在实现 ASIL D 系统功能安全时需要采取截然不同的分解与冗余策略。下文将分别围绕上述不同的架构方案,逐一探讨如何通过安全功能设计满足 DC-DC 两级过压保护的 ASIL D 要求。

  架构一:单颗高性能 MCU

  该架构升级功能安全的核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”,即 DC-DC 系统的 MCU、PMIC/SBC 等核心器件本身需要具备对应的 ASIL 等级。OBC 的控制功能视 MCU 资源而定,可以和 DC-DC 控制共用 MCU,或单独用 DSP 进行控制。

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  图三 单颗高性能 MCU 功能安全升级措施

  通过单颗 ASIL D MCU 实现电压监控功能,部分关键安全机制如下:

  冗余电压采样

  低压电压采样故障在 DC-DC 系统中构成典型的单点失效:一旦采样值偏低,控制环路会误判输出电压不足而持续升压,导致实际电压过冲,同时依赖该采样值的过压保护功能也会随之失效。为消除这一单点风险,需设置两路独立的低压电压采样通道(图四.a),其中一路供应用层软件实现控制功能,监控层软件则同时接入这两路采样信号,执行电压采样合理性校验,从而有效诊断并覆盖该单点故障。

  控制与冗余关断

  应用层软件专注于功率算法;监控层软件则作为独立安全通道,利用独立的采样与判断逻辑持续监测第一级慢速过压。一旦识别到故障,监控层直接控制安全状态输出信号(图四.b)。在此基础上,引入硬件过压比较器作为第二级快速过压检测,当输出电压超过硬件设定阈值时,比较器直接通过纯硬件链路触发关断,从而以极低延迟(微秒级)响应过压事件(图四.c),与第一级过压保护形成时间域上的分层覆盖,满足对故障容错时间间隔的要求。

  关键供电和基础设施安全

  关键电源轨(采样参考供电、MCU 主核供电)及硬件比较器电路需由 ASIL D 等级的 PMIC/SBC 供电保障。该 PMIC/SBC 与 MCU 需建立相互看门狗机制,并对各自内部状态进行持续监控,同时通过上电自检确认硬件关断路径完好。任一监控项异常,均触发独立的故障关断路径使系统进入安全状态(图四.d),避免因关键供电、芯片或安全机制失效导致安全目标被违背。

  关断路径

  故障汇总使能硬件单元(基于或门逻辑),集中汇聚 MCU 监控层软件触发的安全状态、MCU/PMIC 硬件监控层触发的安全状态以及硬件故障相关的安全状态,并直接控制驱动芯片的使能端执行关断(图四.e)。任意一路信号有效,即触发硬件关断。

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  图四 架构一 功能安全系统框图

  架构二:DSP+MCU 组合架构

  该架构将功率控制、低压功能与功能安全进行了解耦拆分:两颗 DSP 芯片仅专注于功率算法控制,另由一颗独立的功能安全 MCU 承担低压功能管理、故障检测及安全状态使能。

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  图五 DSP+MCU 组合功能安全升级措施

  与架构一相比,该方案将监控相关功能全部移植到 MCU 中。监控功能的安全等级可依据 DC-DC DSP 是否为功能安全芯片进行灵活分解:图六所示方案中,DC-DC DSP 自身仅执行基本看门狗等监控,达到 ASIL A(D) 等级;而核心监控功能则按照 ASIL C(D) 开发:

  冗余电压采样(图六.a);

  MCU 监控层检测第一级慢速过压,两路合理性故障过压触发安全状态(图六.b);

  硬件第二级快速过压检测触发安全状态(图六.c);

  硬件监控层触发安全状态(图六.d);

  安全状态汇总触发驱动芯片关闭(图六.e);

  与单 MCU 架构的唯一区别在于,该方案将功率相关的 PWM 控制放入了 DC-DC DSP。

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  图六 架构二 功能安全系统框图

  架构三:纯 DSP 组合

  升级方案一

  当 OBC/DC-DC 的低压相关功能均集成到整车其他控制器的时候,对于 OBC/DC-DC 来说就仅需执行功率控制,这个时候功能安全实现也就转移到了 DSP 中。

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  图七 纯 DSP 组合功能安全升级措施一

  在该双 DSP 冗余架构下,DC-DC 输出级的“检测—判断—执行”安全功能被分解至两颗 DSP,并通过 PMIC/SBC 及外围电路满足相应安全等级,以 DSP 冗余实现系统级高功能安全。关键安全机制细化为以下四个层面:

  冗余电压采样

  DC-DC 输出电压两路采样信号同时接入 DC-DC DSP 与 OBC DSP,第一路采样仅需提供给 DC-DC DSP 用于功率算法控制,另外两颗 DSP 监控层软件均采样两路进行合理性校验(图八.a)。

  控制与冗余关断

  正常工作时,由 DC-DC DSP 负责实现输出功率算法控制。与此同时,DC-DC DSP 与 OBC DSP 均具备独立检测第一级慢速过压的能力,并各自控制一路安全状态输出信号。任一 DSP 识别到过压,会通过监控层软件触发关断(图八.b/c),即使 DC-DC DSP 发生失效,冗余 DSP 仍能可靠地使系统进入安全状态。同时第二级快速过压检测和前述架构保持一致(图八.d)。

  关键供电与基础设施安全

  两颗 DSP 的关键电源轨(包括采样参考供电、主核供电等)、硬件比较器电路均由满足 ASIL D 等级的 PMIC/SBC 提供。该 PMIC/SBC 与 DSP 需建立看门狗机制,并对各自内部状态进行持续监控。DC-DC DSP 也应具备上电自检功能检查硬件关断路径是否正常。任何监控机制检测到异常,都需触发安全状态输出(图八.e)。

  关断路径

  所有安全状态信号包括:两颗 DSP 监控层软件触发的故障、PMIC/SBC、两颗 DSP 硬件监控层触发的故障以及硬件过压比较器信号,统一汇入一个基于或门逻辑的故障汇总硬件单元,该单元直接控制驱动芯片的使能端执行关断(图八.f)。

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  图八 架构三 功能安全系统框图一

  升级方案二

  鉴于基于 DSP 的功能安全监控软件开发存在一定难度(需构建严格的软件分区隔离、双通道交叉比较、程序流检测与窗口看门狗等复杂冗余机制),且对该软件监控自身的鲁棒性(如发生共因失效或软件本身缺陷时可能无法可靠关断)存在顾虑,下述方案完全摒弃 DSP 内部自带的安全机制,转而通过增加独立外部硬件电路来实现第一级电压监控,从而简化系统安全架构的设计。

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  图九 纯 DSP 组合功能安全升级措施二

  与架构三的升级方案一相比,该方案将第一级过压检测移植到硬件比较器进行实现。图十所示方案中,DC-DC DSP 自身仅执行基本看门狗等监控,达到 ASIL A(D) 等级;两级的过压检测均由硬件实现:

  控制用电压采样(图十.a);

  硬件检测用电压采样(图十.b);

  硬件第一级慢速过压检测触发安全状态(图十.c);

  硬件第二级快速过压检测触发安全状态(图十.d);

  硬件监控层触发安全状态(图十.e);

  安全状态汇总触发驱动芯片关闭(图十.f);

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  图十 架构三 功能安全系统框图二

  该方案有三个局限性:

  硬件冗余关断与自检

  硬件过压慢速保护提供冗余关断路径,必须通过关断路径自检覆盖潜伏失效;该保护路径的自检可能显著延长上电时间,需在安全覆盖与启动性能间取得平衡。

  硬件过压滤波的响应

  硬件 RC 滤波下,触发时间随过压幅值增大而缩短,无法实现软件的延时一致性;若采用该方案则滤波参数须与客户共同定义并达成一致,避免因响应差异导致鲁棒性问题。

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  图十一 硬件滤波时间示例

  欠压保护功能安全实现

  欠压保护采用冗余硬件实现难度较大,部分 DC-DC 要求不带小电池启动,一般由软件实现故障检测。

  在电源系统升级的实际落地中,升级方案一采用系统集成与开发简化的设计思路:通过复用现有 MCU 资源实现高功能安全要求,无需额外使用高安全等级的 MCU,从而降低 BOM 成本和开发投入。该方案将软件及系统架构的改动限制在可控范围内,显著缩短开发周期。此外,该设计支持 OBC 系统后续平滑升级功能安全等级,具备良好的架构扩展性。

  03

  低压欠压保护功能安全方案

  在基于上述架构的前提下,第一级欠压故障的检测方法与过压基本一致,但欠压无法采用硬件比较器进行快速检测。第二级欠压故障因 DC-DC 输出端口与小电池之间的压差较大,可利用低压侧反向过流检测实现快速判断。在故障响应中,为避免内部短路导致能量反灌,除停止 DC-DC 功率输出外,还需断开 DC-DC 输出端口与小电池的连接,这就要求在 DC-DC 输出端口配置一个安全开关。同时,DC-DC 还可利用该安全开关断开与闭合前后的电压变化,来判别故障属于 DC-DC 内部还是外部,进而采取不同的关断措施。

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  图十二 欠压检测功能安全系统框图

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2026-10-29 17:04 阅读量:293
大电流、高集成、小尺寸,纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动
  随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富,系统对大电流驱动的需求日益增长,这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战:传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大,而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题,系统调试复杂、故障定位困难,制约了整机模块的小型化与可靠性提升。  NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流,内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS),输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置,并内置电流采样,提供全面的诊断与保护功能,包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本,无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸,还是完备故障诊断能力,均表现出色,可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。  NSD7308系列提供车规和工规两种版本,车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准,可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。  大电流驱动,具备强大带载能力  NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ,峰值输出电流可达12A,可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案,直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。  实际对比测试表明,相较于国产同类产品,NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现,在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时,无论直流还是PWM工况下,NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高,展现出更强的冲击电流承载能力,为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。  1. 常温下直流带载温升测试:Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V),带载后待IC温度稳定30分钟以上,使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示,温升明显优于国产友商的同类产品。  图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比  2. 85°C环温下直流带载温升测试:Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V),带载后待IC温度稳定30分钟以上,使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示,温升优于国产友商的同类产品。  图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比  3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试:Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V),如下图示,最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。  图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比  4. 不触发OCP的最大冲击电流测试:Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V),如下图所示,不论是DC负载还是PWM带载,OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。  图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比  (图中:紫色为IPROPI电压,绿色为负载电流,蓝色为OUT1电压,黄色为OUT2电压)  图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比  (图中:紫色为IPROPI电压,绿色为负载电流,蓝色为OUT1电压,黄色为OUT2电压)  内部集成电流采样和电流调节功能,  减少系统面积和成本  NSD7308集成电流采样功能,无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术,NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸,特别适用于紧凑空间。  NSD7308可通过IPROPI管脚,按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下,IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号,即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下,IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号,即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。  此外,NSD7308还集成了电流调节功能,且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时,芯片会自动执行电流调节功能,抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流,降低芯片过热风险;同时,该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。  支持多工况负载状态诊断,精准定位故障  NSD7308支持输出端负载状态诊断,可在电机启动前或运行过程中及时发现异常,提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式:待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。  待机模式下的负载检测(OLP)  芯片通过配置输入引脚状态,依次使能内部上拉和下拉电阻,测量OUTx端电压,并与内部比较器的电压阈值进行比较,从而检测诊断以下异常:  输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)  全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)  半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)  工作模式下的负载开路检测(OLA)  支持高边续流和低边续流两种工况,可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测:  全桥模式(Full-Bridge): 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  半桥模式(Half-Bridge),驱动对地负载: 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  半桥模式(Half-Bridge),驱动对电源负载: 芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降,并与内部VOLA电压阈值进行比较,实现实时开路检测。  封装与选型  纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产,具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样,产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性,可在有限空间内实现更大负载的驱动。
2026-10-22 10:26 阅读量:275
支持1.5W功率输出满足多场景供电需求,纳芯微推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列
  纳芯微近日宣布推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列。该系列产品输出功率可达1.5W,满载条件下5V转5V转换效率接近60%,可充分满足光储充、工控、AI服务器电源等领域客户在多接口供电、MCU及采样电路单板供电、GaN驱动供电、STO安全电源等场景下的多样化需求。作为传统电源模块的IC化替代方案,该系列产品在保证隔离可靠性的前提下,能够实现更小体积与更高效率。  1.5W足额输出与高效转换兼顾  从容应对重载启动与多样化供电架构  NSIP505S15系列在提供1.5W高输出功率的同时,实现了优异的转换效率:5V转5V效率接近60%,5V转3.3V效率接近50%,3.3V转3.3V效率同样接近60%,覆盖主流系统供电架构,帮助客户在不同应用场景中实现功耗与性能的均衡。此外,该系列器件静态功耗低至10μA,在待机或轻载工况下可助力降低系统整体功耗。  表-1:NSIP505S15系列5V-5V、5V-3.3V、3.3V-3.3V效率转换图  强容性负载带载能力  为系统可靠供电保驾护航  在光储充、工控、AI服务器电源等应用中,隔离电源输出侧往往需要挂载多颗滤波电容以保障后级电路稳定工作,但大容量电容上电瞬间近似短路,极易触发电源过流保护导致启动失败。NSIP505S15系列针对这一痛点进行了专门优化,满载条件下容性负载能力超过2.5mF,能够从容驱动GaN栅极容性负载、多路采样电路并联电容等重容性负载场景,确保系统冷启动可靠、不反复打嗝。  集成多维度全面保护  强化系统鲁棒性  NSIP505S15系列集成了完备的保护功能:输入/输出过压保护(VDD OVP、VISO OVP) 防止电压异常冲击,输入/输出欠压锁定(VDD UVLO、VISO UVLO) 确保供电窗口安全,短路保护与过温保护在异常工况下及时关断,避免器件损坏;采用软启动机制,在上电时限制浪涌电流,确保启动可靠,若软启动超时(如输出短路或负载异常),器件将进入保护性关断模式,持续保障系统安全。  EMC性能优化  轻松通过CISPR32 Class B测试  NSIP505S15系列针对EMC性能进行了大幅优化:在EMI方面,两层PCB板、外围电路仅串联2个磁珠的测试条件下,可轻松通过CISPR32 Class B测试并保有5dB以上裕量,显著简化系统EMI设计难度,降低外围滤波器件成本;在EMS方面,系统级ESD接触放电能力超过±10kV,从容应对生产组装与现场安装中的静电风险,进一步提升系统鲁棒性。  封装与选型  NSIP505S15系列器件提供两种封装版本:LGA14封装为紧凑型设计,隔离耐压达3kVrms,爬电距离4.1mm,可实现与竞品同类器件的pin-to-pin兼容,适用于体积受限的高密度布局场景;SSOW20封装隔离耐压达5kVrms,爬电距离8.2mm,为需要更大隔离耐压或特定PCB布局的应用提供了灵活选择。同时,该系列支持250kV/μs(典型值)的共模瞬态抗扰度(CMTI),并可在-40℃~125℃宽温范围内稳定工作,充分满足工业及汽车级应用的可靠性要求,客户可根据系统空间、安规要求及布板策略灵活选用。  持续丰富隔离电源产品矩阵  覆盖多元应用场景  NSIP505系列的发布进一步丰富了纳芯微隔离电源产品组合。目前,纳芯微可提供一系列高集成度的隔离电源方案,包括:  集成隔离电源与数字隔离器的二合一产品NSIP95/98系列;  集成隔离电源与隔离接口的NSIP93086(隔离RS485收发器)和NSIP9042(隔离CAN收发器);  可自选配置外部变压器的推挽式变压器驱动NSIP605x系列,为需要更灵活变压器选型的应用提供了高性价比选择;  专为隔离驱动供电设计的全桥变压器驱动NSIP3266/E,集成晶振与多种保护功能,并支持软启动,进一步满足驱动供电场景的严苛需求。  从高集成方案到灵活驱动方案,纳芯微持续完善隔离电源产品生态,为工业、汽车、光储充等应用提供更多高可靠性选择。  丰富的“隔离+”产品  引领隔离芯片标杆  凭借在隔离技术方面的积累和领先优势,纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品,以全生态“隔离+”产品矩阵,为高压系统筑造安全可靠的防线:  “+”代表增强安全:纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级,为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。  “+”代表全产品生态:纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心,拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合,为客户提供隔离器件的一站式解决方案。  “+”代表深度赋能应用:纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统,以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求,实现系统级安全、可靠与高效。  截至2025年,纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗,作为全球领先的隔离芯片供应商,纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局,以核心技术IP和全产品生态,引领隔离芯片标杆,为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
2026-10-21 09:54 阅读量:307
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