相约2026算博会|永铭电解电容展区前瞻:主供电源场景电容方案全解析

发布时间:2026-08-28 16:32
作者:AMEYA360
来源:上海永铭
阅读量:442

  2026年9月2-4日,2026开放数据中心大会(ODX)暨首届算博会将在北京国家会议中心二期盛大启幕。上海永铭电子股份有限公司将在B11超级电容展区、B12电解电容展区重磅亮相。

  本次展会,永铭电解电容展区将围绕AI服务器主供电源、SSD存储、主板算力三大核心应用场景,展示液态牛角型、液态插件型、高分子混合动力、高分子聚合物钽、叠层高分子固态电解电容等多品类产品矩阵。本文聚焦主供电源场景,详解永铭电容方案如何为AI服务器电源筑牢电力基石。

相约2026算博会|永铭电解电容展区前瞻:主供电源场景电容方案全解析

  主供电源场景:两大产品线协同,筑牢AI算力供电根基

  AI服务器功率密度正加速攀升,4.5kW、8.5kW乃至12kW成为主流。电源模块需在有限空间内实现更高功率输出,这对PFC后端DC-Link电路的母线滤波电容提出了耐高压、大容量、低ESR、耐大纹波的四重挑战。与此同时,SiC/GaN高频拓扑的普及,要求电容在更高开关频率下保持稳定的滤波性能与更低的发热。

  永铭针对主供电源场景,已形成液态牛角型(基板自立型)铝电解电容与高分子混合动力铝电解电容两大产品线,覆盖从AC-DC输入滤波到PSU输出端储能的全链路需求。

  展品亮点速览

  液态牛角型(基板自立型)铝电解电容 —— 激光焊接,小体积大容量

  永铭IDC3系列液态牛角型铝电解电容,专为AI服务器主供电源PFC后端DC-Link电路设计。通过12项技术革新,以激光焊接工艺替代传统点焊/铆接,实现低ESR与耐大纹波的双重突破。

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  核心优势:

  激光焊接工艺:接触电阻极致降低,ESR值相比常规产品降低30%

  纹波承载提升20%:相同条件下温升更低,可靠性与寿命显著提高

  体积缩减25%~36%:同规格下比传统产品体积更小,释放PCB空间

  AEC-Q200车规认证:通过汽车行业最严苛的质量标准

  已导入纳微4.5kW~8.5kW方案:与全球领先的SiC/GaN方案商深度合作,电源转换效率突破95%+

  覆盖16V~630V一站式选型:同步适用于SST固态变压器等场景

  高分子混合动力铝电解电容 —— 国产替代,Pin-to-Pin直替日系

  永铭NHX/NHT系列固液混合电容,融合电解液自愈性与高分子低ESR优势,专为AI服务器PSU(电源供应单元)主功率级输出端与48V DC-BUS直流母线的滤波与Hold-up(储能/掉电保持)设计。

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  核心优势:

  l Pin-to-Pin直替日系:电气性能、封装尺寸全面对标NCC、Nichicon等日系同规格主力型号,无需修改PCB

  l 4周快速交付:依托国内自有工厂生产,相比日系10周以上交期大幅缩短

  l 超低ESR:固液混合电解液+复合阳极工艺,强化高频滤波能力

  l 耐高温长寿命:NHT系列支持125℃环境下连续工作4000h

  l 抗大电流浪涌:单体可耐受20A+瞬时冲击电流,抑制设备过载与宕机

  l 综合降本:同等品质下采购价格优于日系,兼顾品质与量产成本

  两场主题演讲 · 深度技术分享

  除展品展示外,永铭电子还将在本次算博会的两场核心分论坛中发表主题演讲:

  9月2日 | 会场5 · 服务器分论坛

  永铭超级电容在服务器主(备用)电源中的解决方案

  9月4日 | 会场5 · 存储部件分论坛

  永铭电容在SSD中的应用

  相约北京,共赴算力盛宴

  2026算博会以"开放算力生态,Token普惠创新"为主题,超8,000㎡展区将汇聚算力芯片、液冷技术、智算集群等全链条产品与方案。

  永铭主供电源全场景电容方案均已就位。无论您正在设计下一代高密度AI服务器电源,还是为PSU输出端寻找国产替代方案——欢迎整机厂商、服务器电源方案设计商、数据中心架构师莅临B12电解电容展区,现场获取规格书、选型建议与FAE技术对接支持。

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  本文摘要  AI服务器电源中的DC Link直流母线与板级滤波电容,需要长期承受高温、大纹波和连续负载变化。漏电流若在运行中出现异常漂移,可能放大器件发热和失效风险,并进一步影响设备维护成本与交付稳定性。永铭IDC3系列围绕氧化膜、电解液、密封、连接工艺和出厂筛选建立控制路径,并提供全温区电气数据及Pin to Pin验证基础,帮助客户把可靠性评估前置到选型与导入阶段。  AI服务器高负荷运行下 为什么漏电流值得提前评估  在AI服务器中,牛角铝电解电容承担母线滤波、储能和板级滤波等任务。设备从启动到高负载计算,电容面对的不只是额定电压和容量,还包括温度循环、持续纹波、峰值电流以及多并联时的一致性要求。对于7×24小时运行的系统,可靠性判断不能只停留在出厂时的单点参数。  漏电流风险通常存在一条逐步发展的路径。阳极箔氧化膜的微小损伤、杂质带来的局部腐蚀、电解液修复能力不足,都会为电流异常提供起点。温度上升后,离子迁移和水合反应加快,氧化膜可能出现变薄、微裂纹或针孔;漏电流的增加又会带来额外焦耳热,使电解液挥发和膜层修复能力下降。对服务器客户而言,关键问题因此不只是“当前数值是否合格”,更是这一风险能否被识别、控制和验证。  IDC3如何从制造环节控制漏电流风险  IDC3的控制逻辑从失效诱因出发,将材料、结构与工艺串联起来。高纯度阳极铝箔和满足450至500V耐压要求的化成氧化膜,为膜层致密性提供基础;工作电解液兼顾导电和膜层修复作用,并对氯离子、硫酸根等有害杂质及水分含量进行控制。  在长期高温工况下,密封能力直接影响电解液保持状态。IDC3采用优质板材加膜的密封结构,降低电解液挥发干涸的风险。连接环节采用激光焊接替代传统点焊或铆接,资料显示可降低接触电阻,使ESR降低约30%,同时改善焊接一致性,为多并联应用中的电流分配控制提供支持。结合原材料、生产环境洁净度和杂质管控,风险控制不再只依赖终检,而是前移到关键制造环节。  IDC3关键规格与全温区电气特性  选型时,20℃下的额定容量只是起点。系统实际运行会经历低温启动、常温运行与高负荷升温,因此需要同时观察容量和ESR随温度变化的轨迹。IDC3两种常用规格的基础参数如下。  图1:IDC3 475V1670uF与475V2270uF规格、电气参数及漏电流内规格值  在120Hz测试条件下,475V 1670µF规格的容量平均值由−40℃的1261.58µF变化至105℃的1570.92µF,ESR平均值由1135.86mΩ降至18.82mΩ。475V 2270µF规格的容量平均值由1732.03µF变化至2111.30µF,ESR平均值则由984.24mΩ降至17.68mΩ。两个规格虽然容量等级和尺寸不同,但都建立了从低温到高温的连续数据观察基础。  图2:IDC3 475V 1670uF 30×100容量与ESR高低温测试结果  换到更大容量的IDC3 475V 2270uF 35×100,同样可以看到完整的温度变化过程。容量平均值从-40℃的1732.03uF逐步变化至105℃的2111.30uF;ESR平均值则从984.24mΩ下降至17.68mΩ。  图3:IDC3 475V 2270uF 35×100容量与ESR高低温测试结果  IDC3通过这两组规格的高低温测试数据,让客户能够更直观地看到器件从低温到高温的电气特性变化,为后续选型和应用验证提供依据。  当然,容量和ESR的温度特性解决的是“不同温度下电气参数如何变化”的问题,而AI服务器客户更加关注的漏电流异常,则需要从氧化膜质量、杂质控制、电解液修复能力以及高温加速机制等方面进一步判断。也就是说,只有把全温区电气特性与漏电流可靠性放在同一个应用场景中理解,才能更完整地评价牛角铝电解电容在AI服务器中的长期使用风险。  从出厂筛选到高温存储 用数据验证漏电流表现  IDC3的漏电流测试条件为20℃下施加额定电压5分钟后测量。针对服务器应用,内部以规格值的30%作为加严内控窗口,旨在进一步收窄潜在差异。高温存储验证则关注器件在严苛环境后的恢复表现:在105℃下存储1000小时,恢复至20℃后测试,漏电流维持在初始规格范围内。  图4:两种IDC3规格初始漏电流与105℃/1000h高温储存后漏电流数据  这些数据的意义并不在于替代完整的系统级验证,而在于为项目早期筛选提供可追溯的依据。客户仍应按照实际电压、纹波、散热条件与寿命目标开展应用验证。  永铭Pin to Pin替代,为第二供应源评估提供起点  对已采用日系同类方案的客户,第二供应源的价值不只是增加一个料号,更在于建立经过规格匹配和验证的供应选择。  IDC3 475V 1670µF Φ30×100mm  可对应475V 1600µF 30×100mm应用;  IDC3 475V 2270µF 35×100mm  可对应475V 2200µF 35×100mm应用。  两类规格引脚间距一致,可作为Pin to Pin替代验证的起点。  从样品申请、规格核对、台架测试到整机导入,客户可以分阶段推进评估,在确认可靠性要求的同时,降低单一供应来源带来的项目不确定性。具体替代关系及导入结论仍需结合客户的电路条件和验证流程确认。  Q&A  Q:永铭IDC3如何保证漏电流的稳定  A:通过氧化膜致密性、阳极箔与电解液杂质控制、电解液的膜层修复能力、密封可靠性、激光焊接一致性以及出厂前的加严筛选。  Q:全温区容量和ESR数据,选型该看什么?  A:AI服务器会经历低温启动、常温运行和高负载升温,20℃单点参数不能完全代表全温区表现。以475V/1670µF为例,120Hz下容量平均值从-40℃的1261.58µF到105℃的1570.92µF,ESR平均值从1135.86mΩ降至18.82mΩ。这些数据用于评估低温启动和高温负载时的电气裕量,实际选型还要结合纹波电流、散热条件和寿命目标。
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2026-09-29 10:53 阅读量:251
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