<span style='color:red'>ARK（方舟微）</span>200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D
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ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D

　　ARK（方舟微）200V N+P双沟道增强型MOSFET - FTE03R20D信息如下：       一、基本信息　　1. 产品名称：FTE03R20D　　2. 产品描述：200V N沟道和P沟道增强型MOSFET　　3. 产品电路图：　　4. 产品基本参数：　　二、产品特性　　集成栅源电阻和齐纳二极管　　可以避免二次击穿　　阈值、导通电阻和输入电容低　　开关速度快　　有独立且电气隔离的N沟道和P沟道　　三、产品介绍　　FTE03R20D是由高电压，低阈值的N沟道MOSFET和P沟道MOSFET组成的器件。该器件集成了栅源电阻和齐纳二极管，这对于高压脉冲应用至关重要。　　FTE03R20D是一款互补型、高速、高压、栅极钳位的N沟道和P沟道的MOSFET对管，采用先进的垂直双扩散MOSFET结构和成熟的硅栅制造工艺。这种设计使得器件既具备了双极晶体管的功率处理能力，又继承了MOSFET器件固有的高输入阻抗和快速的开关速度。　　与所有MOS结构一样，该器件不会发生热失控和热致二次击穿。VDMOSFET因其低阈值、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速的开关速度等特性，非常适合各种开关和放大应用。　　四、常见应用　　1. CMOS逻辑电路：N沟道和P沟道增强型MOSFET经常被集成在一起，用于构建CMOS反相器。这种反相器电路利用N沟道和P沟道MOSFET的互补特性，通过控制输入信号来实现逻辑功能的反转。　　       2. 功率开关应用：增强型VDMOSFET因其低导通电阻和高电流承载能力，在功率开关电路中扮演重要角色。　　3. 电源管理：在电源管理领域，N沟道和P沟道增强型MOSFET被用于构建高效的电源转换器和稳压器。由于它们能够提供快速的开关速度和较低的导通电阻，这些器件可以有效减少能量损耗并提高系统的整体效率。　　4. 放大器电路：在放大器电路设计中，N沟道和P沟道MOSFET也可以被用来构建共源共栅放大器结构。这种设计利用了两种沟道类型的互补特性，以实现更高的增益和更好的频率响应。　　N沟道和P沟道集成的增强型VDMOSFET在现代电子电路设计中具有广泛的应用前景，特别是在需要高效、快速响应和高可靠性的场合。这些器件的互补特性和优异的电气性能使其成为构建复杂电子系统的关键组件。
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发布时间：2025-03-24 10:00 阅读量：267 继续阅读>>
突破工业接口壁垒！<span style='color:red'>ARK（方舟微）</span>DMZ42C10S 让 PLC
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突破工业接口壁垒！ARK（方舟微）DMZ42C10S 让 PLC "万能适配" 成为现实！

　　一、行业背景：工业自动化升级，PLC接口兼容性成关键瓶颈　　随着工业4.0的推进，PLC(可编程逻辑控制器)作为自动化系统的“大脑”，需连接多种设备(如驱动器、传感器)。然而，不同厂商设备的接口电压标准各异(5V/12V/24V)，导致PLC与驱动器间的信号传输常需外置转接电路或特制电缆，成本高、布线复杂、占用空间大，严重制约系统灵活性与效率。　　根据数据统计，全球工业自动化设备市场规模已达5200亿美元(MarketsandMarkets 2025)，但PLC与驱动器、传感器间的多电压接口壁垒仍困扰着85%的制造企业。以汽车焊装产线为例，24V伺服系统、12V光电传感器、5V通信模块并存，传统方案需配置3组独立接口模块，导致以下问题：　　1. 布线复杂度提升40%　　2. 机柜空间占用增加25%　　3. 维护成本上升30%(数据来源：ARC咨询集团报告)　　二、痛点分析：传统方案的三大缺陷　　1. 多电压适配困难：不同电压级接口需定制连接器，增加库存和管理成本。　　2. 外置电路复杂：额外添加电阻、PTC限流元件或隔离模块，占用PCB空间。　　3. 高频信号受限：传统限流方案(如PTC)工作频率低(通常<100kHz)，难以满足高速脉冲信号(如500kHz)需求。　　三、解决方案：耗尽型MOSFET + 自适应限流电路　　1. 方案核心：耗尽型MOSFET——DMZ42C10S　　2. 步进电机驱动控制器接口电路设计适配电路，利用耗尽型MOSFET恒流控制电路基本原理，仅需一颗耗尽型MOSFET(DMZ42C10S)，配合一颗限流电阻，即可实现5V-24V宽电压输入适配，无需外置电路 。　　电路工作原理：　　1. 耗尽型MOSFET和限流元件(通常为电阻)构成限流单元　　2. 自适应限流：当输入电压升高时，MOSFET栅源电压VGS降低，自动限制电流增长，形成负反馈。　　3. 公式支撑：限流电阻值 I(MAX)= |VGS(OFF)| / R，精准设定最大电流。　　性能优势：　　1. 宽电压兼容：5V-24V输入下，电流波动<±2%。　　2. 高频支持：工作频率高达500kHz，满足高速脉冲需求。　　3. 高鲁棒性：DMZ42C10S耐压达100V，抗浪涌能力强。　　技术优势对比传统方案：　　实测数据：　　1. 输入24V脉冲信号时，电流稳定在17mA，信号失真率<1%。　　2. 在-40℃~85℃环境下，接口电路性能无衰减。　　四、ARK(方舟微)DMZ42C10S关键参数说明　　1. 耐压值(Vds)：100V，轻松应对工业环境电压波动。　　2. 导通电流 530mA：从容应对工业标准电流输出要求。　　3. 导通电阻(RDS(on))：典型值2Ω，功耗低、发热小。　　4. 工作频率：支持500kHz，满足高速信号传输。　　5. 封装：SOT-23，体积小，适合高密度PCB布局。　　以上产品参数源于ARK(方舟微)耗尽型MOSFET产品DMZ42C10S产品手册，对比分析数据源自方舟微电子公司实验室测试结果。　　额外需要说明的是：DMZ42C10S是ARK(方舟微)研发的一款耐压100V的N沟道耗尽型MOSFET产品，该产品性能优异，可靠性高，且参数定义范围与Infineon的BSS169基本一致。相较于BSS169，DMZ42C10S具有更低的导通电阻，以及更大的电流能力，可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
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发布时间：2025-03-24 09:54 阅读量：264 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK（方舟微）</span>：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势
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ARK（方舟微）：耗尽型MOSFET在稳压及过压保护应用中的优势

　　耗尽型MOSFET的基本特性：　　耗尽型MOSFET，与常见的增强型MOSFET不同，它在栅极电压为零时就已经处于导通状态，即沟道已经存在。耗尽型MOSFET在电路设计中具有独特的优势，包括高输入阻抗、低漏电流、可调性和高速性。其工作原理主要基于电场效应，通过改变栅极电压来控制沟道的导电性，从而实现对电流的精确调控。在稳压及过压保护中主要利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性。　　稳压应用中的优势　　简化电路设计　　图一：耗尽型MOSFET在供电电路中的应用　　耗尽型MOSFET在栅极电压为零即导通，这意味着在某些应用中可以省去额外的驱动电路，从而简化电路设计。例如，在实现PWM IC的VCC供电电路中，传统方法使用三极管、功率电阻和齐纳二极管等多颗器件，但这会导致PCB上的热量过高且效率低下。而采用耗尽型MOSFET的方法，可以用一颗器件代替，节省空间，简化电路，减小功耗。　　宽泛的直流工作电压范围　　图二：LDO应用电路　　图三：搭配耗尽型MOSFET应用电路　　耗尽型MOSFET具有宽泛的直流工作电压范围(Vin)，这使其在稳压应用中更加灵活。如图二中在线性电压调节器中，输入电压可能来自母线电压，存在较大的电压变化，包括电压尖峰。如图三所示耗尽型MOSFET(DMZ6012E)可以通过源极跟随器配置连接，减少电压瞬变，直至达到器件额定电压VDS的耐受能力。这种配置不仅保护了电路免受浪涌电压的影响，还通过低静态电流实现了最小功耗。　　过压保护应用中的优势：　　耗尽型MOSFET在过压保护应用中表现出色。如图四所示，在这种电路中，耗尽型MOSFET与电阻和稳压二极管相结合，利用耗尽型MOSFET的亚阈值特性，通过选择合适的稳压二极管，可以设定一个稳定的输出电压值。当输入电压超过该值时，稳压二极管开始工作，将栅极电压钳制在一定水平，从而限制漏极电流，防止过压对后续电路造成损害。这种电路结构简单，成本低廉，适用于需要过压保护的多种场合。　　图四：过压保护电路　　某些耗尽型MOSFET产品具有超高的阈值电压参数，如ARK(方舟微)的UltraVt®系列，这些产品非常适合直接用于各类PWM IC的供电方案中。UltraVt®超高阈值耗尽型MOSFET系列产品的主要参数如下：　　它们既能实现PWM IC在宽电压范围输入下的供电需求，又能有效抑制电路浪涌，为PWM IC提供过压保护。这种高阈值电压特性使得耗尽型MOSFET在高压及宽电压输出条件下具有更高的可靠性和稳定性。典型应用电路 (以 DMZ1015E 为例)如图五：　　图五：耗尽型MOSFET稳压应用典型电路
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发布时间：2024-08-05 11:31 阅读量：816 继续阅读>>
新品发布 I <span style='color:red'>ARK（方舟微）</span>电路保护专家
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新品发布 I ARK（方舟微）电路保护专家

　　过压过流保护器　　过压过流保护器（30V/30mA）　　外形图　　AKF30V30MPD为ARK（方舟微）研发的30V/30mA集成功率保护器件，特别适合应用于工业领域（如4～20mA电流环）的过流过压保护方案，产品响应速度快，以集成控制的方式，提供更高的稳定性及便捷性，使被保护的器件或电路的工作电压不超过30V，电流不超过30mA，能有效避免瞬态浪涌造成损伤，同时可以简化电路，节省空间，减低成本。　　应用示意图如下：　　Form B 固态继电器　　100V / 400V Form B 固态继电器　　外形图　　ARK（方舟微）依据自身多年来在MOSFET研发与制造领域的独特优势，开发出了100V、400V等不同耐压等级的Form-B系列光MOSFET固态继电器，产品可靠性高，性能优异，封装类型包含SOP-4、SOP-6等通用形式，非常适合应用于需要使用高端继电器产品的设备。　　专用于射频领域的LDMOS　　130V N沟道耗尽型 LDMOS　　外形图　　DLZ1304E系列产品是ARK（方舟微）最新研发的N沟道耗尽型LDMOS，产品采用平面工艺，性能优良，可靠性高。该系列产品的耐压值为130V，相较于JFET或射频功率MOSFET，具有更高的耐压值和更低的泄漏电流，同时具有很低的阈值电压及输入电容，非常适合用于高频率的射频应用，以及气体传感器的放电回路。产品封装类型为SOT-23。　　有源钳位MOSFET　　小型有源钳位MOSFET　　外形图　　AKZSS04R06A是ARK（方舟微）研发的小型有源钳位MOSFET，器件采用平面工艺，可靠性高，稳定性好，其内部采用有源钳位结构，封装类型为SOT-23，特别适合用于驱动机械继电器等电感负载。　　集成高阈值双芯MOSFETs　　集成高阈值双芯MOSFETs　　外形图　　ARK（方舟微）研发的N沟道、P沟道增强型集成高阈值双芯MOSFETs，产品采用PDFN3*3封装，特别适合用于四线制PCB测试机等设备，能有效提高测试机测试精度。如图所示，M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在如下图所示的应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。　　M1为高压MOSFET，M2为低压、高阈值MOSFET，在应用电路中，当G、S短接时，M2在其漏极电压达到其阈值电压时才会开通，因此在接触电阻Rl有所增大的情况下，M2依然能够限制通过的电流大小，可有效提高测试机的测试精度。
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发布时间：2023-07-12 10:50 阅读量：1399 继续阅读>>
<span style='color:red'>ARK（方舟微）</span>简化PD3.1快充设计——增强型MOS篇
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ARK（方舟微）简化PD3.1快充设计——增强型MOS篇

　　ARK（方舟微）推出的增强型NMOS产品，用于同步整流应用及小信号控制，产品均在海外生产，品质更高、价格更优、供货更有保证。　　尽管说如今的充电器，集成度越来越高，外围器件的数量越来越少。但是PD3.1的推出，支持28V及以上的输出电压，更宽的输出电压范围，超出了高耐压的原边控制器的供电范围，同时现有的同步整流控制器，也无法应用在高输出电压下，令工程师的选型很是头疼。　　为了应对PD3.1升级输出电压后，宽电压输出导致开关电源初级电压供电范围变动较大的问题，方舟微推出了一系列具有特殊功能的MOSFET，可以代替传统多颗元件组成的供电稳压电路，从而简化电源中对于控制器的供电设计，并优化待机功耗表现。在缺货的大背景下，拓展现有芯片的供电范围，保证产品出货。　　ARK（方舟微）AKF30N5P0SX是一颗耐压30V的增强型NMOS，具有低导阻和低栅极电荷，耐压30V，导阻3.9mΩ，采用PDFN3333封装，可用于高效率DC-DC转换，同步整流，电池保护以及功率路径管理。　　ARK（方舟微）FTZ15N35G是一颗耐压350V的NMOS，采用SOT-23封装，Dialog利用其特有电特性，作为ZVS辅助开关MOSFET使用，为主MOSFET创造ZVS条件。
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发布时间：2023-01-18 14:40 阅读量：2476 继续阅读>>

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