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上海雷卯：<span style='color:red'>CIS</span>PR 25:2021改了哪些关键条款？车规TVS与EMI电感如何重新选型

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上海雷卯：CISPR 25:2021改了哪些关键条款？车规TVS与EMI电感如何重新选型

　　面向硬件工程师(元件级滤波/防护设计)和测试/EMC 工程师(预测试与送审)的双视角解读。　　按既有经验为 ECU 选定 EMI 电感与 TVS，审厂时却因一句"按 CISPR 25:2021 重新测"被退回——器件型号未变，考核口径已经改变。　　从测试端看更为直观：频谱上限由 2.5 GHz 提升至 5.9 GHz，原先 2.5 GHz 以上未纳入考核的频点现已全部纳入;此前勉强达标的宽带余量，按新限值复核后可能不再满足。　　两种视角指向同一事实：CISPR 25 已完成换版，且变更内容均与器件选型直接相关。本文先厘清具体变更条款，再落到 TVS 与 EMI 电感的重新选型，兼顾设计端与测试端的需要。　　一、先建立直觉：CISPR25是车内的"禁噪法规"　　可将整车理解为一栋封闭的公寓楼：　　每个电子部件(ECU、DC-DC、电机控制器、T-Box)相当于一户住户，在开关、放电、逆变过程中都会产生电磁噪声　　车载收音机、导航与 5G 模块相当于易受干扰的住户　　CISPR 25 相当于整栋楼的"静音公约"，规定各住户在指定频段内允许发出的噪声限值，避免对其余住户造成干扰　　2021 版对该"公约"作出两项重大调整：扩大受限频段(频率上限提升一倍以上)，并加严部分频段的限值要求。　　简言之，CISPR 25 约束的是部件对外发射的噪声，而非其承受干扰的能力(后者属抗扰度标准范畴)。因此 EMI 电感(抑制噪声的主要器件)与 TVS(从源头削减瞬态噪声)均需重新选型。　　二、2021 版到底改了哪几条(确认过的关键变化)　　据《安全与电磁兼容》2023 年第6期对 IEC CISPR 25:2021(第五版)与 CISPR 25:2016(第四版)的差异解析，技术变动集中在三块，其中移动业务的限值变化最明显。　　注意：第 1 条是最关键的硬指标——它直接使考核频段几乎翻倍。第 2 条属"难度升级"，第 3、4 条属"判定与测试方法升级"。　　频率上限之所以延伸至 5925 MHz，与 5.9 GHz 附近车联网(V2X / ITS)频段的保护需求相关——这一段原本不在考核范围内，如今成为必须交代的区域。　　三、硬件视角：这些变化如何倒逼器件重新选型　　1. 频率上限提升至 5.9 GHz → 滤波需按频段分工，单颗电感难以覆盖全频段　　过去 EMI 共模电感在 30 MHz–1 GHz 范围内有效即可;现在 2.5–6 GHz 频段同样需要抑制。需要避免的误区，是试图用单颗高频电感解决全频段问题——不同频段需由不同器件承担：　　首先明确该电感的作用频段。车载以太网、CAN / CAN FD 端口所用的共模扼流圈(如 51 µH / 2800 Ω 这一档、4.5×3.2×2.6 mm 封装)，用于抑制总线共模噪声，作用频段在数十 MHz 以下，对 2.5–6 GHz 频段不具备抑制能力。　　2.5–6 GHz 频段的抑制依赖器件高频特性与 PCB 布局，而非增大电感量。选型时应重点关注：　　自谐振频率(SRF)：超过 SRF 后电感呈容性而失效，需在目标频点附近仍保持阻抗方能发挥作用　　绕组寄生电容小：寄生电容偏大时，高频段阻抗反而下降　　高速差分线(以太网 100/1000BASE-T1、MIPI、SerDes)应优先选用高频特性优良的小体积磁珠 / 共模扼流圈　　未提供 SRF 指标的器件，不宜作为高频段抑制手段。仅标注电感量与阻抗、未标注 SRF 的器件，应在其标称频段内使用，避免超出规格范围应用，否则整改阶段将难以定位问题。　　2. 高频段下 TVS/ESD 的寄生参数成为噪声源——结电容需按接口分档　　易被忽视的一点是：频率升高后，防护器件本身即成为考核对象。　　TVS/ESD 若存在较大的结电容与引线电感，在 GHz 频段可能等效为辐射源或阻抗不连续点，反而加剧辐射发射　　高速端口宜选用小封装器件，寄生电感小、回流路径短　　结电容上限需按接口分档确定，其取值取决于链路速率与共模端接方式，不存在统一数值。车载总线的车规器件标称值处于3~5 pF 这一档(车载以太网 3 pF、CAN FD / FlexRay 5 pF，均为器件标称结电容);0.1~0.3 pF 那一档对应 USB4 / HDMI 2.1 等消费类高速接口，其耐压无法满足 24 V 总线要求。若以 <0.5 pF 作为 24 V 车规总线器件的准入条件，现有车规产品线将均不适用。　　车规器件需确认AEC-Q101 认证状态，且直流耐压 / 峰值脉冲功率应覆盖 12 V / 24 V 系统的抛负载与浪涌——电源侧对应 ISO 7637-2 5a/5b，静电对应ISO 10605-2。　　3. 瞬态 → 宽带发射：TVS 是"源头消噪"　　ESD 接触放电、开关浪涌与继电器吸合均会产生宽带频谱，并可延伸至 GHz 频段。TVS 对瞬态实施钳位，相当于从源头削减部分宽带发射能量，对辐射发射(RE)指标具有实质改善作用。　　TVS 应尽量靠近端口布置，并缩短接地回路　　车载电源线通常采用PPTC(过流保护)+ TVS(抛负载钳位)+ 防反接二极管的三级架构，其间以电感实现退耦;GDT 多用于 48 V 或室外端口等高能量浪涌场景。　　4. 传导发射(CE)同样在考核范围内——共模电感在这里更关键　　CISPR 25 的考核对象除辐射发射外，还包括传导发射，即沿线束传导出去的噪声。与通过空间耦合的辐射发射不同，传导发射的噪声主要沿电源线传播，抑制手段落在电源端口的滤波网络上，共模电感与滤波电容的组合决定了这部分余量。　　共模电感的选型需同时兼顾 RE 与 CE：两者关注的频段不同，RE 侧重高频段特性，CE 更依赖 150 kHz 起低频段的高阻抗　　电源端口滤波网络的阻抗特性、接地方式与线束走向共同决定 CE 结果，单靠更换器件难以解决　　传导发射的具体限值、频段划分与测试方法(电压法 / 电流探头法)以 CISPR 25:2021 正文及实验室测试模板为准　　5. 元件级即须达标——装车后难以变更设计　　CISPR 25 的考核对象为零部件发射。若 ECU 在元件级 RE/CE 超标，进入整车阶段后通常不再具备改板条件。因此滤波与防护必须在元件级完成，属强制要求而非可选项。　　四、测试视角：怎么测、怎么定位　　新频段带来的实测变化：　　1. 2.5–6 GHz 频段需重新扫描：该频段此前未纳入考核，目前常在 5G 模块、WiFi 及高频 DC-DC(SiC/GaN 开关边沿达 ns 级)的谐波位置出现超标峰值。　　2. 宽带判定方法变更：2021 版引入时域(带内功率)判定，宽带噪声的合格结论可能与频域法不一致，整改时不应仅关注峰值，还需核算带内功率余量。　　3. 实验室复测结果可能趋严：设备要求提高后，同一样品在不同实验室测得的裕量可能低于 2016 版水平，建议元件级预留 ≥ 6 dB 余量后再送审。　　定位三步：　　1、先判断峰值位于1 GHz 以下(电源、时钟基频及其谐波)还是2.5 GHz 以上(高速数字、射频与开关谐波)：前者排查电源滤波与接地，后者排查高速信号线 TVS 结电容与 EMI 电感高频特性。　　2、对比加装与不装 TVS/EMI 电感时的频谱差异，确认器件是否实际发挥作用。　　3、宽带超标优先排查瞬态源(ESD/开关)是否被 TVS 有效钳位，窄带超标优先排查时钟/电源滤波。　　五、整改前后对比　　某 DC-DC 模块按 2016 版完成元件级 RE 测试且勉强通过，改用 2021 版复测时：　　器件型号有所调整、布局基本不变，改善来自器件高频特性的针对性选型——这正是 2021 版换版的关键价值所在。　　六、收藏清单：CISPR 25:2021合规选型5条　　1. 是否按 150 kHz–5925 MHz 全频段评估，而非仅覆盖至 2.5 GHz?　　2. EMI 电感是否按频段分工：端口共模扼流圈负责总线频段，2.5–6 GHz 段另行配置高频特性器件，且 SRF 有明确标称值?　　3. 高速端口 TVS 是否按接口速率分档取结电容(车载总线 3~5 pF 档 / 消费类高速口 0.1~0.3 pF 档)+ 小封装 + 靠近端口?　　4. TVS 是否确认 AEC-Q101 认证?电源端口是否覆盖ISO 7637-2 5a/5b 抛负载，信号 / 总线端口是否覆盖 ISO 10605-2 与总线短路工况?　　5. 元件级是否预留 ≥ 6 dB 余量再送审(防实验室重测变严)?　　七、落到料号：车规 TVS + 共模电感的组合方案　　前述内容用于建立判断依据，本章给出可直接选用的器件组合。以下七组方案覆盖车载总线与车载电源两类应用场景，均标注参数门槛与对应在售型号。　　1、车载以太网 100/1000BASE-T1　　参数要求：TVS 截止电压 Vrwm 24 V、双向;结电容 ≤5 pF(在售器件标称 3 pF 档);±30 kV 接触 / 空气放电;端口配置共模扼流圈。　　方案要点：共模扼流圈(CMC)置于前级、ESD 器件紧邻连接器布置，ESD 电流就近泄放至地，以保护后端 PHY 与 PCB。图 7-1 车载以太网 100/1000BASE-T1 保护方案(共模扼流圈 + PESD2ETH100-T)　　2、CAN FD　参数要求：TVS 截止电压 Vrwm 24 V / 27 V、双向;结电容 5 pF 档;±30 kV;双通道集成;总线串联共模扼流圈。　　方案要点：CANH / CANL 上串联共模扼流圈以抑制杂讯，SPLIT 引脚与总线各配置 ESD 器件，结电容控制在 5 pF 以内以保证 2~5 Mbps 速率下的信号完整性。　　图 7-2 CAN FD 接口静电滤波防护方案(LDW43T-513T + SMC24LVQ / SMC27LVQ)　　3、FlexRay　　参数要求：TVS 截止电压 Vrwm 24 V、双向，结电容 5 pF 档，±30 kV，双通道;总线共模扼流圈可选配。　　方案要点：FlexRay 可支持 10 Mbps 速率，网络带宽约为 CAN 的 20 倍，对结电容更为敏感，宜选用 5 pF 档的 SMC24LV。图 7-3 FlexRay 车载网络静电防护方案(SMC24LV + 可选共模扼流圈)　　4、LIN　　参数要求：TVS 截止电压 Vrwm 15 V、双向，结电容 15 pF，±23 kV，单通道。　　方案要点：LIN 速率 ≤20 kbps，对结电容不敏感，采用 SOD-323 单通道器件即可满足要求。　图 7-4 LIN 总线静电保护方案(PESD1LIN)　　5、12V 汽车电源　　参数要求：满足 ISO 7637-2 5a/5b 抛负载;ISO 10605-2 等级 4 ESD(接触 ±15 kV / 空气 ±25 kV)。　　方案要点：采用 PPTC 过流保护 + TVS 钳位 + 肖特基防反接的三级架构，其间以电感实现退耦。　　图 7-5 12 V 汽车电源浪涌保护方案(HL30-300 + SM8S24CA + S-SK54C)　　6、24V 汽车电源　　参数要求：ISO 7637-2 5a/5b 抛负载、ISO 10605-2 静电、过流及防反接全维度防护。　　方案要点：串联 PPTC(HL60-300)实现过流保护，并联 TVS(SM8S36CA 等)泄放浪涌，并搭配低损耗肖特基二极管(S-SK54C)实现防反接。图 7-6 24 V 汽车电源浪涌保护方案(HL60-300 + SM8S36CA + S-SK54C)　　7、48V 汽车电源　　参数要求：ISO 7637-2 5a/5b 抛负载;IEC 61000-4-5 / GB/T 17626.5 8/20 µs 2 kV;IEC 61000-4-2 等级 4(±30 kV)。　　方案要点：SM8S58CA 用于覆盖抛负载测试，LM1K58CLV 用于覆盖 8/20 µs 2 kV 浪涌，配合肖特基防反接与 PPTC 过流保护，电路结构简洁、成本较低。　　图 7-7 48 V 汽车电源浪涌保护方案(HL60-375 + SM8S58CA / LM1K58CLV + SS510C)　　8、按接口分档·结电容与共模电感选型口径汇总　　　　9、推荐料号总表　　按接口分组，同一型号跨接口复用时保留各行(典型应用不同)。参数以在售规格为准。　　八、选型支持　　若 CISPR 25:2021 合规的滤波与防护方案仍需确认，可提供零件类型、接口与速率、工作电压及车规要求，雷卯将据此给出 EMI 电感 + TVS/ESD + GDT 的组合选型与布板建议，在元件级一次做对，避免装车前返工与审厂退回。

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上海雷卯

发布时间：2026-11-04 09:44 阅读量：262 继续阅读>>

纳芯微推出全新固态继电器：支持1700V耐压，满足<span style='color:red'>CIS</span>PR25 Class 5要求

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纳芯微推出全新固态继电器：支持1700V耐压，满足CISPR25 Class 5要求

　　凭借在隔离技术领域的长期耕耘，纳芯微今日宣布推出基于电容隔离技术的全新固态继电器产品NSI7258系列，该系列提供工规和车规版本。NSI7258专门为高压测量和绝缘监测而设计，提供业内领先的耐压能力和EMI性能，可帮助提高工业BMS，光储充，新能源汽车BMS和OBC等高压系统的可靠性和稳定性。　　集成SiC MOSFET，支持1700V耐压　　无论是在工业还是汽车领域，高压系统正在变得越来越普遍，为了适配工业和汽车平台高压化的趋势，NSI7258以背靠背的形式集成了2颗纳芯微参与研发的SiC MOSFET，每颗支持高达1700V的耐压;在1分钟的标准雪崩测试中，NSI7258可耐受2100V的雪崩电压和1mA的雪崩电流，实现业内领先的耐压和抗雪崩能力。于此同时，在1000V高压，125℃高温的测试条件下，NSI7258的漏电流可以控制在1μA以内，极大提高了BMS系统中电池包的绝缘阻抗和检测精度，有助于实现更安全的人机交互。　　满足各类安规要求，降低系统验证时间　　高压化应用的普及需满足各类严苛的安规要求。通过纳芯微自有的专利技术，NSI7258可在SOW12封装下实现业内领先的5.91mm副边爬电距离，同时原边副边爬电距离也达到8mm，满足国际电工委员会制定的IEC60649要求。此外，凭借纳芯微卓越的电容隔离技术，NSI7258的隔离耐压能力高达5kVrms，全面满足UL、CQC和VDE相关认证，可降低客户系统验证时间，加速产品上市。　　EMI显著优化，加速光耦继电器替换　　传统的光耦继电器方案存在光衰问题，其性能会随着时间的推移而退化，但光耦继电器的优势是无电磁干扰问题，这也是限制高压系统中光耦替代的重要因素之一。纳芯微NSI7258通过巧妙的设计，实现了业内卓越的EMI表现，在单板无磁珠的条件下即可轻松通过CISPR25 Class 5测试，并且在全频段测试中均留有充足裕量。NSI7258基于全半导体工艺进行生产，在长期使用中具有更高的可靠性。卓越的EMI表现和更高的可靠性支持客户在系统中同时采用多颗器件而不受影响，显著降低了设计难度，助力客户在系统设计中加速光耦替换。　　封装和选型　　NSI7258提供SOW12封装，兼容市场主流的光耦继电器。工规版本的NSI7258将于近期量产，车规版本的NSI7258-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围，将于2024年7月量产。

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纳芯微

发布时间：2024-05-14 09:56 阅读量：4014 继续阅读>>

索尼正挑战安森美汽车<span style='color:red'>CIS</span>的市场地位

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索尼正挑战安森美汽车CIS的市场地位

　　索尼的CMOS图像传感器（CIS）业务正飞速发展，并将延伸至全球汽车市场，目标是挑战行业领导者安森美的市场地位并超越。目前索尼正主导日本市场。　　索尼的CMOS图像传感器（CIS）业务正飞速发展，并将延伸至全球汽车市场，目标是挑战行业领导者安森美的市场地位并超越。目前索尼正主导日本市场。　　近日日本的一份报告显示，索尼半导体解决方案公司（SSS）预计，从2022年至2030年，全球汽车CIS市场复合年增长率将达到13%，这凸显了索尼从手机市场向汽车市场的转变，因为汽车的安全、自动驾驶技术对图像传感器的需求不断增加。　　目前特斯拉Model 3配备8个摄像头，而索尼与本田的合资公司，正计划推出配备20多个摄像头的电动汽车Afeela。研究机构预计汽车CIS市场将继续扩大，规模从2022年的22亿美元增长至2028年的37亿美元。　　尽管安森美目前在该市场占据主导地位，但索尼的目标是到2025财年（2025年4月至2026年3月）占据39%的市场份额，比2021财年9%的份额大幅增长。　　安森美已经察觉到索尼的野心，并未坐以待毙，公司高管于2023年10月底至11月初访问日本，与汽车客户进行业务讨论。安森美表示，计划2024年开始在日本生产部分CIS，以稳定供应链，同时还宣传了其“智能传感”技术和HDR（高动态范围）技术的优势、LED无闪烁功能。　　在演示中，安森美用配备索尼图像传感器的摄像头，与采用安森美传感器的摄像头进行对比，展现其更小的尺寸、更高的性能。安森美声称，不会放弃汽车CIS市场的领先地位。

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安森美

发布时间：2023-11-16 13:48 阅读量：2887 继续阅读>>

<span style='color:red'>CIS</span> 缺货涨价严重，短时间内仍会持续

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CIS 缺货涨价严重，短时间内仍会持续

多类芯片都在同一时期出现了供不应求，芯片市场出现这一情况的主要原因是，一方面来自日韩半导体之争，另一方面是手机和非手机市场需求大规模的爆发。在 CMOS 图像传感器（CIS）市场，以 2M/5M/VGA 为主的低像素 CIS 严重缺货，同时中高像素的产能也越发紧张。其中，5M 及以下低像素产品的缺口尤为明显，导致 CIS 芯片价格大幅上涨。今年年初至今，随着上游晶圆的产能愈发紧张，CIS 芯片的供货缺口也进一步加大；5M 及以下的 CIS 芯片在市场上出现了两次大规模涨价，而这些产品涨价的厂商基本上都分布在我国大陆地区。无奈的是即便产品价格大幅上涨，CIS 芯片厂商的出货压力也并未得到缓解。行业人士对笔者表示：“虽然现在涨价，但上游材料的产能没有得到缓解，出货还是很难，客户仍旧每天都在催交期。”一并涨价的还包括 CIS 下游芯片封测环节，即便如此，国内几家 CIS 封测厂商的产能也几乎都趋近于满产。与上游厂商一样出现了供不应求的局面。然而市场的风向瞬息万变，据业内人士透露，眼下 CIS 芯片上下游厂商价格的增长趋势也都伴随着 CIS 芯片涨价的节奏，范围同样高达 20～40%。而封装单价的大幅提升，也有望令晶方科技的业绩在年末得到改善。随着眼下多摄像头的配置越来越多的运用在智能终端产品上，以手机为主的市场需求进一步扩大，CIS 产业链的缺货涨价现象或将持续。加之市场上囤货炒货的现象同步出现，短时间内或许无法得到缓解。

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CIS

发布时间：2019-11-27 00:00 阅读量：2747 继续阅读>>

2017年<span style='color:red'>CIS</span>产业规模达139亿美元 OV份额11%

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2017年CIS产业规模达139亿美元 OV份额11%

产业研究机构Yole Développement发布CMOS影像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)的年度技术和市场分析指出，2017年CIS市场规模达139亿美元，预测2017～2023年的年复合成长率( CAGR)为9.4%，主要成长动能在于智能手机整合了额外的相机镜头与功能以支持光学变焦、生物感测和3D辨识等功能。2016年CIS产业规模为116亿美元，2017年大幅成长近20%，达到139亿美元，Yole预期2023年将将进一步成长至230亿美元。营收主要来自可携式产品、消费性和运算类产品。 CIS产业目前由三个亚洲重量级厂商主导：Sony、三星和Omnivision，其中龙头Sony市占率高达42%，Samsung市占率约20%，Omnivision市占率则是11%左右， CIS产业2017年在全球半导体产业的成长，也是创纪录的一年。另外，未来几年行动、安全和汽车应用市场的蓬勃发展，也将促使CIS产业成长动能源源不绝。

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CIS产业

发布时间：2018-10-08 00:00 阅读量：2628 继续阅读>>

苹果包下索尼<span style='color:red'>CIS</span>产能,台系代理掉单,国产模组厂雄起

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苹果包下索尼CIS产能,台系代理掉单,国产模组厂雄起

第三季度是CIS图像传感器的传统旺季，双镜头相机模组需求火爆，中国一线手机品牌华为、OPPO、VIVO、小米倾向于从本土模组厂商和元器件代理厂商大量采购，台湾CIS代理商传出掉单现象。元器件代理业者表示，目前来看，iPhone 8发布在即，日本CIS制造龙头索尼的芯片产能几乎被苹果、三星等大品牌包下，或是特别以专案性质出货，避开与三星、豪威等厂商的价格战。除了苹果、三星两大品牌外，中国HOV三大品牌(华为、Oppo、Vivo)已经是CIS厂商的重点客户，原本台湾代理厂商可望稳拿到大陆品牌厂商订单，2017年初时对于营运展望一片看好。不过，随着大陆厂商抢单凶狠且积极，加上本土厂商具有国家政策扶植的优势，市场传出如台湾模组大厂光宝科技面临大陆厂商欧菲光、丘钛科技等竞争，华为等品牌厂商已经陆续转出部分订单，台湾代理厂商尚立等则同步受到影响，6月营收出现明显下滑。相关供应链厂商表示，华为、Oppo、Vivo等三大智能手机品牌大厂，今年出货目标仅比年初小幅修正，基本需求量仍非常大，估计3.5亿支不是太大问题，不过下半年智能手机市场变数增加，主要是苹果一再传出OLED版本iPhone出货再度延迟，安卓阵营又持续观望苹果动态，今年整体供应体系需求持续延后，销售回温要等到第四季度。据了解，由于CIS元件价格竞争激烈，索尼已经确立锁定高端产品的精兵策略，中低端CIS元件价格终于在需求增加的态势下价格跌势趋缓。2017年CIS图像传感器市场供需还算正常，部分代理厂商因大陆智能手机市场库存调整，第二季度订单已经开始出现衰退。从代理厂商角度观察，订单能见度只有约1~2个月。由于下半年各大手机品牌都将相继推出双镜头新品，CIS芯片、封装、代理等供应链厂商都将受益，第四季度开始需求将由弱转强。

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苹果,索尼,CIS产能,台系代理,国产模组厂

发布时间：2017-09-04 00:00 阅读量：2530 继续阅读>>

曾不被半导体大厂看中的<span style='color:red'>CIS</span>,为啥成了三星/SK海力士重点培育事业?

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曾不被半导体大厂看中的CIS,为啥成了三星/SK海力士重点培育事业?

随着大陆智能手机大军崛起，加上高画质手机相机需求日益殷切，尽管相较于DRAM，NAND闪存，智能手机CMOS影像感测器（CIS），过去较不受南韩半导体大厂重视，如今恐怕来个咸鱼翻身，成为三星电子电子（Samsung Electronics）及 SK海力士的未来重点培育事业。根据韩媒Sisapress报导，搭载于智慧型手机的CIS，最近愈来愈受到南韩半导体大厂重视，尽管相较与DRAM NAND闪存，长期以来CIS相对受到「冷落」，如今随着智能手机照相功能不断提升而日渐翻红。三星系统LSI事业部中的CIS，相较其他产品表现不俗，南韩半导体业界相关人士表示，由于大陆智慧型手机业者对独联体需求量相当大，苹果公司（Apple）所需CIS多由日本索尼公司供应，因此三星全力瞄准并冲刺大陆市场，独联体由于市场需求旺盛，索尼等业者其实相当努力提升产能。日前业界传出，三星将大举扩充包含CIS等系统晶片设计人力逾千名，有意提升系统半导体市场竞争力，也传出三星计划将部分DRAM产线转生产CIS，将生产已上轨道的DRAM转生产CIS，显示除记忆体外，三星也有意强化非记忆体产品竞争力。相较于三星，SK海力士的CIS部门，目前仍处于起步初期阶段，但预计2017年年起，会开始挹注更多资源与心力。2014年SK海力士购并CIS专门企业矽文件，成为SK海力士持有100％股权的子公司2016年10月，SK海力士进一步收编硅文件的CIS事业经营。 SK海力士相关人士表示，预计2017年起加速推动1300万以上画素CIS研发计划。南韩业界人士推测，SK海力士会把M10厂DRAM生产设备移往厂M14，M10厂内腾出空间将用来生产CIS。事实上，独联体除智能手机外，也广泛用于无人机，自驾车等多样化产品，可视为具有未来发展前景的半导体之一。南韩业界人士分析，尽管索尼目前供应苹果大部分所需的CIS，并牢牢站稳市场第一，但后起之秀仍有相当大追赶及成长空间。南韩半导体协会相关人士分析，过去技术含量较低的CCD感测器，曾为日本业者的天下，但是到了更强调半导体技术力的时代CIS，南韩半导体业者相当有希望与日本一较高下。

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CIS,三星,SK海力士

发布时间：2017-06-01 00:00 阅读量：2700 继续阅读>>

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