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ROHM开发出第5代SiC <span style='color:red'>MOS</span>FET，高温下导通电阻可降低约30%！

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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。

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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：390 继续阅读>>

维安双面散热<span style='color:red'>MOS</span>FET：大功率应用首选

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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。

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发布时间：2026-04-21 10:26 阅读量：393 继续阅读>>

4月研讨会报名中！ROHM Nch LV <span style='color:red'>MOS</span>FET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。

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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：432 继续阅读>>

Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G Opto<span style='color:red'>MOS</span>®固态继电器

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Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoMOS®固态继电器

　　Littelfuse宣布推出CPC1343G OptoMOS®固态继电器，一款紧凑的常开(1-A型)OptoMOS继电器，专为要求苛刻的工业、医疗和仪器仪表应用中的高可靠性开关而设计。　　CPC1343G基于Littelfuse OptoMOS技术，结合了900mA连续负载电流、60V阻断电压和增强的5000VRMS输入到输出隔离，旨在节省空间的4引脚封装中满足严格的安全和合规要求。快速切换性能(4ms导通和1ms关断)可在现代电子系统中实现精确控制，而3mA的低最大LED驱动电流确保在不增加接口电路的情况下与TTL和CMOS逻辑兼容。　　CPC1343G专为恶劣的作环境而设计，支持-40°C至+105°C的扩展环境温度范围，超过了许多同类竞争SSR常见的+85°C限制。其固态结构可消除机械磨损，提供安静、免维护的运行和长期可靠性，而机电继电器往往无法做到这一点。　　针对安全性、效率和空间受限的设计进行了优化　　CPC1343G的最大导通电阻为0.8Ω，可在较高负载电流下最大限度地降低功率耗散并改善热性能。该器件提供通孔DIP-4和表面贴装两种配置，简化了PCB布局，并实现了跨工业和医疗平台的灵活制造选择。　　“随着CPC1343G的推出，我们将为客户提供一款高性能固态继电器，它结合了强化隔离、快速切换和扩展温度能力。”Littelfuse产品营销经理Hugo Guzman博士表示。“该解决方案可解决空间受限设计中的关键可靠性和安全性挑战，帮助工程师减少维护、提高系统稳健性并加快产品上市速度。”　　包装和订购选项　　CPC1343G系列包括多种封装选择，针对不同的组装和体积要求进行了优化：　　目标市场和应用　　CPC1343G非常适合需要高隔离、快速响应和高温下可靠运行的应用，包括：　　· 工业控制系统和自动化　　· 需要患者与设备隔离的医疗设备　　· 仪器、数据采集和多路复用· 自动测试设备(ATE)· 公用事业和智能计量系统　　CPC1343G将高负载电流能力、强化隔离和紧凑封装相结合，扩展了Littelfuse OptoMOS产品组合，并为设计人员提供了适用于下一代电子系统的合规开关解决方案。　　常见问答：了解更多关于这些大电流OptoMOS固态继电器的信息。　　1. CPC1343G与传统机电继电器有何不同?　　与机电继电器不同，CPC1343G没有活动部件，可在高温下实现静音、免维护的运行，切换速度更快，隔离性能更高，可靠性更高。　　2. CPC1343G与同类固态继电器相比有何不同?　　它可提供更高的连续负载电流(900mA相对于~550mA)、更低的导通电阻(0.8Ω相对于~2.5Ω)，工作温度高达+105°C，从而提供更好的热性能和能效。　　3. CPC1343G是否与低功耗控制逻辑兼容?　　是的。该器件所需的最大LED驱动电流仅为3mA，使其与TTL和CMOS逻辑完全兼容，无需额外的驱动器。　　4. 哪些应用最能从CPC1343G的强化隔离中受益?　　5000VRMS强化隔离可支持严格的安全和监管要求，医疗设备、工业控制、仪器仪表和计量应用可获益。　　5. 有哪些包装选择?　　CPC1343G提供通孔DIP-4和表面安装封装，包括用于自动化大批量生产的卷带选项。

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发布时间：2026-03-17 09:42 阅读量：664 继续阅读>>

ARK（方舟微）:耗尽型<span style='color:red'>MOS</span>FET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

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ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：

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发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：619 继续阅读>>

车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级<span style='color:red'>MOS</span>助力智己50W前装模块

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车载无线充电新标杆：捷捷微电车规级MOS助力智己50W前装模块

　　近日，智己汽车在前装车载无线充电领域实现重要突破，其推出的50W车载无线充电模块凭借高效率、高兼容性与稳定可靠的性能，为用户带来“上车即充、满电出发”的便捷体验。在这款集成NFC识别、智能温控与多线圈切换的先进模块中，捷捷微电多款符合AEC-Q101车规标准的MOS被关键性采用，分别在供电控制、同步升降压、谐振电容切换及线圈切换等核心电路中担任重要角色，为系统的稳定运行与高效电能转换提供坚实基础。　　多路协同　　精准赋能无线充电系统　　在智己50W车载无线充电模块中，捷捷微电提供了覆盖多环节、多电压等级的MOS解决方案，形成系统级协同支持：　　供电控制开关管 JMPL1050AUQ　　作为系统输入电源的管理开关，该PMOS具备-100V耐压与38mΩ低导阻，可有效承载车载电源的波动，并在模块待机与工作时实现高效、低损耗的通断控制，提升整机能效。　　同步升降压开关管 JMSL0406AUQ　　该NMOS具有40V耐压与仅4.5mΩ的导阻，在升降压电路中承担高频开关任务，其低导通损耗与快速开关特性有助于提高电压转换效率，确保在不同输入电压下为无线充电功率级提供稳定电能。　　电容与线圈切换开关管 JMSL1018AUQ　　采用100V耐压与16.2mΩ导阻设计，该器件在谐振网络电容切换及多线圈选择电路中发挥关键作用。其高耐压能力可应对谐振过程中的电压应力，低导阻则有助于降低通路损耗，提升无线传输的整体效率与稳定性。　　车规级可靠性为前装应用保驾护航　　所有选用器件均通过AEC-Q101车规认证，满足汽车电子在温度、振动、湿度及长期可靠性方面的严苛要求。　　在封装方面，全线产品采用紧凑型PDFN3×3-8L或类似小型化封装，既有利于高密度布线，也具备良好的散热特性，契合车载无线充电模块对空间与热管理的双重需求。　　携手高端汽车品牌共创智能座舱能源体验　　智己50W前装无线充电模块的成功量产，是捷捷微电MOS管在车载电力电子领域获得认可的又一标志。随着智能座舱对高功率、高效率、高集成度无线充电需求的不断提升，捷捷微电将持续提供符合车规、性能优异的功率器件，助力汽车电子客户实现更安全、更可靠、更智能的车内能源管理方案。

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发布时间：2026-02-25 16:32 阅读量：728 继续阅读>>

一文带你了解荣湃半导体“光<span style='color:red'>MOS</span>”产品大家庭

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一文带你了解荣湃半导体“光MOS”产品大家庭

　　光MOS,也称光继电电路(PhotoMOS),是一种采用MOS管作为输出元件的光电耦合型半导体继电器。其由LED光源与光电二极管阵列组合构成，通过光电转换将光信号转换为MOS管栅极驱动信号，实现输出端无触点开关控制，主要应用于通信设备、测量仪器、医疗设备及工业机械的负载控制领域。　　相比于机械继电器，光MOS产品具有无机械磨损、长寿命、高速开关等特性，支持高频动作与小型化设计。但光MOS本质上属于光电耦合器件，具有以下显著缺点：　　温度敏感性强，工业和汽车高温环境(如85℃以上)易出现电流传输比(CTR)下降，导致信号丢失;　　寿命有限，LED存在光衰问题，长期使用(5年以上)可靠性下降。　　正是由于耐高温和光衰老化问题，光耦器件很少被用于汽车应用中。直到新能源汽车BMS发展，光MOS产品在当时才不得不应用在高压绝缘检测电路中。虽然作为车规产品应用其高温特性和寿命问题持续有所改善，但其固有的本质属性问题无法从根本上得到解决。　　为了从根本上解决以上问题，荣湃半导体陆续推出了基于磁隔和容隔技术的高压隔离开关产品。虽然荣湃半导体推出的高压隔离开关产品与光MOS在原理上完全不同，但为了应用延续性和市场可接受度，仍称为“光MOS”产品。表 1 荣湃半导体光 MOS 产品系列　　Pai8558EQ　　Pai8558EQ是荣湃半导体推出的第一款光MOS产品，其采用平面变压器隔离高压干扰，原副边线圈间填充聚酰亚胺(临界击穿场强0.3MV/cm)。通过AEC-Q100车规认证和VDE0884-17加强绝缘认证，已在客户端大批量出货。　　Pai8559EQ　　Pai8559EQ是在Pai8558EQ的基础上，将副边侧耐压能力从1500V提升到1700V，满足系统高压不断增大的应用场景。　　Pai8558Q　　为了改善电磁干扰(EMI)性能，特别是满足日趋严格的辐射干扰(RE)标准测试，荣湃半导体推出了基于电容隔离技术的光MOS产品Pai8558Q，其原副边耐压仍可达5000Vrms，通过VDE0884-17基本绝缘认证。详细的EMC测试结果可通过相关渠道向荣湃半导体销售工程师咨询。　　图1是典型的以车身地作为参考地的绝缘检测方案，其中Risop是等效的高压电池正端到车身地的绝缘阻抗，Rison是等效的高压电池负端到车身地的绝缘阻抗。S1和S2是高压隔离开关，分别串在正端和负端电阻分压网络上，可以选用荣湃半导体推出的光MOS产品。电阻R1~R4是电阻分压网络，得到合适的电压给到ADC进行采集。通过S1和S2间隔开关切换，可以通过ADC读到不同的电压，联立方程组，即可计算得到绝缘等效阻抗Risop和Rison。图 1 以车身地作为参考地的绝缘检测原理图　　国际标准《ISO 6469-3:2021 Electrically propelled road vehicles — Safety specifications Part 3: Electrical safety》以及国家标准《GB/T 18384.3-2015 电动汽车安全要求第3部分：人员触电防护》规定的耐压测试要求如下：　　将控制器所有高压连接器Pin脚连接在一起，将所有低压连接器Pin脚连接在一起，在高压和低压Pin脚之间施加频率为50Hz~60Hz的(2U+1000)V(rms)的交流测试电压，或者等效的直流测试电压，持续时间1min，如图2为标准的控制器耐压测试示意图。　　图 2 标准的控制器耐压测试示意图　　譬如对于500V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2000Vrms，或者直流电压2828V;同样地，对于800V高压电池系统，施加的交流测试电压即为2600Vrms，或者直流电压3676V。为了满足耐压测试，系统应用中常需要在高压与低压地之间串入干簧继电器，用以保护光MOS器件，如图3中的干簧继电器S3。图3 采用干簧继电器作为保护的绝缘检测示意图　　此外，在高压储能应用中，电池电压越来越高，1200V和1500V高压电池系统越来越普遍，原先1500V及1700V的光MOS产品已不再适用。　　在以上两个背景下，荣湃半导体果断推出了副边耐压3300V的光MOS产品Pai855AEQ。这款3300V光MOS产品给方案设计带来极大的系统优势：　　新能源汽车500V或800V应用：因为该产品可承受耐压测试，不再需要干簧继电器，系统成本更低、可靠性更高。可参照表2使用荣湃半导体光MOS产品进行硬件配置。　　1200V以上的高压储能应用：使用Pai855AEQ作为绝缘检测开关管，对应图3中的S1和S2。　　当然，光MOS产品还广泛应用于电池管理系统高压采样电路中，以降低整车漏电流。基于对新能源汽车高压采样和绝缘检测应用的理解，荣湃半导体还将继续完善“光MOS”产品矩阵，即将推出新家庭成员，敬请期待。

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发布时间：2026-02-03 10:22 阅读量：739 继续阅读>>

上海雷卯：<span style='color:red'>MOS</span>FET，让机器人关节“活”起来的隐形冠军

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上海雷卯：MOSFET，让机器人关节“活”起来的隐形冠军

　　每一次机器人手臂的精准抓取，每一处灵巧关节的流畅转动，背后都有一群“隐形冠军”在高效协同。在关节驱动板微小的空间内，MOSFET正以每秒数万次的高速开关，将控制指令转化为精确的扭矩与速度。　　作为三相逆变电路中的核心功率开关器件，MOSFET不仅是能量转换的“咽喉”，更是决定机器人关节效率、响应速度与长期可靠性的关键元件。它的选型，是一场融合电气性能、热力学、电磁兼容性(EMC)与机械布局的系统工程。　　一.关节驱动的核心挑战：为何MOSFET是关键?　　现代机器人关节普遍采用无刷直流电机(BLDC)或磁场定向控制(FOC)电机，其驱动架构为三相全桥逆变电路，由六个MOSFET组成上下桥臂，将直流母线电压转化为三相交流电驱动电机旋转。　　在此拓扑中，MOSFET承担着高频功率开关的角色，直接影响三大核心指标：　　MOSFET不仅是“开关”，更是系统性能的瓶颈所在。　　二.选型实战：科学决策，避免　　“纸上达标”　　1.选型四步法　　上海雷卯EMC小哥总结MOSFET选型应遵循以下步骤：　　特别提醒：数据手册首页参数不足以判断实际表现，务必查阅特性曲线图如Vds(on)@IdVds(on),Rds(on)(T)进行综合评估。　　2.雷卯电子 N+P 合封 MOSFET 解决方案　　雷卯电子推出N+P合封MOSFET，专为机器人关节驱动优化，在集成度、一致性与可靠性方面具备显著优势，列出部分型号。　　LM3D40NP02，LM4606，LMAK68NP04等等。　　另也可用单颗NMOS +单颗PMOS 组成上下桥臂。　　三.超越数据手册：系统级设计才是　　决胜关键　　优秀的器件只是起点，真正的性能来自系统级工程实践。雷卯EMC小哥整理如下：　　1.热管理：生命线级别的设计　　利用 PCB 铜层、导热过孔(via)、导热界面材料(TIM)将热量传导至外壳。　　必须进行热仿真，基于RθJC　　(结到壳热阻)和实际散热条件计算结温。　　关键部位建议集成温度传感器，实现过温降额保护。　　2.驱动与布局优化　　3.保护电路不可或缺　　过流保护(OCP)：硬件比较器实现微秒级关断　　欠压锁定(UVLO)：防止低电压异常启动　　温度监控(TMP)：实时监测结温，预防热击穿　　TVS防护：栅极配置瞬态电压抑制器，抵御ESD与耦合干扰　　“没有保护的MOSFET就像没有保险的安全带。”——堵转、急停等极端工况必须被充分考虑。　　四.未来展望：向更高密度、更智能迈进　　随着仿生人形机器人迈向 31自由度以上的复杂结构，对MOSFET提出更高要求：　　1、更高功率密度→ 需采用 DFN、PowerFLAT 等先进封装。　　2、更高开关频率(>100kHz)→ 推动低Qg低Crss 器件应用。　　3、更强智能化→ 集成驱动+保护功能的智能半桥模块成趋势。　　宽禁带半导体(SiC/GaN)已在高端场景试点，未来有望打破硅基极限。　　雷卯电子将持续深耕功率半导体领域，从硅基优化走向新材料探索，助力机器人实现“更强、更灵、更稳”的运动生命力。　　五.总结：专业选型建议清单(工程师版)　　MOSFET虽小，却是机器人运动之魂。一次成功的选型，不只是参数的堆砌，而是对系统边界、工况演化与可靠性极限的深刻理解。　　雷卯电子愿以高性能器件与深度技术支持，成为每一位机器人工程师背后的坚实伙伴，共同赋予机械以生命的律动。

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发布时间：2026-01-29 14:50 阅读量：609 继续阅读>>

一文详解N<span style='color:red'>MOS</span>逆变器和P<span style='color:red'>MOS</span>逆变器

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一文详解NMOS逆变器和PMOS逆变器

　　在数字电路设计中，NMOS逆变器和PMOS逆变器是常见的基本逻辑门电路。它们是使用场效应晶体管(MOSFET)构建的逆变器电路，用于反转输入信号。本文将探讨NMOS逆变器和PMOS逆变器的原理、特点和应用。　　1.NMOS逆变器　　原理　　工作原理: 在NMOS逆变器中，NMOS场效应晶体管被用作开关。当输入信号为高电平(逻辑1)时，NMOS导通，输出为低电平(逻辑0);当输入信号为低电平(逻辑0)时，NMOS截止，输出为高电平(逻辑1)。　　符号表示: NMOS逆变器的符号表示为一个三角形，其中箭头指向右侧，表示输入与源极相连，栅极接地，漏极连接输出。　　特点　　速度快: NMOS逆变器由单个NMOS晶体管构成，因此响应速度较快。　　功耗低: 在静态状态下，NMOS逆变器消耗的能量较少。　　适用范围: 在大多数数字电路设计中，NMOS逆变器用于实现逻辑功能。　　应用　　NMOS逆变器广泛应用于数字集成电路中，例如存储器、寄存器和逻辑电路。　　2.PMOS逆变器　　原理　　工作原理: PMOS逆变器使用PMOS场效应晶体管作为开关。当输入为高电平(逻辑1)时，PMOS导通，输出为低电平(逻辑0);当输入为低电平(逻辑0)时，PMOS截止，输出为高电平(逻辑1)。　　符号表示: PMOS逆变器的符号表示为一个三角形，其中箭头指向左侧，表示输入与源极相连，栅极连接输入端，漏极连接输出。　　特点　　速度慢: 由于涉及到两个晶体管的工作，PMOS逆变器的响应速度比NMOS逆变器慢一些。　　功耗高: 在静态状态下，PMOS逆变器消耗的功耗相对更高。　　电压门限: PMOS晶体管的操作需要负电压来打开，这会引入额外的复杂性。　　应用　　PMOS逆变器通常用于特定的电路设计，如功耗优先或特殊应用领域。　　NMOS逆变器和PMOS逆变器是基本的逻辑门电路，用于实现输入信号的反转。NMOS逆变器具有速度快、功耗低等特点，适用于大多数数字电路设计;而PMOS逆变器则响应速度较慢、功耗较高，但在特定应用场景中也具有重要作用。

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逆变器

发布时间：2026-01-29 14:18 阅读量：661 继续阅读>>

ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型<span style='color:red'>MOS</span>FET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

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ARK方舟微丨DMZ(X)0622E：70V耗尽型MOSFET，一颗替代“三极管+齐纳+电阻”，高压辅助电源优选

　　产品简介　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)推出的70V N沟道耗尽型MOSFET，在0615基础上将阈值电压再提升一档：VGS(OFF) 典型–22V(–25V~–19V)，可以钳位18V~23V输出，完全覆盖QC4.0/Type-C PD3.1快充、工业24V总线、伺服驱动等高压辅助电源需求。SOT-23与SOT-89两种封装，一颗器件替代“三极管+齐纳+电阻”三元组。　　产品特性　　· 产品类型：N沟道耗尽型MOSFET。　　· 超高阈值电压：-25V≤VGS(OFF)@ID=8μA≤-19V。　　· 输入耐压： BVDSX≥70V。　　· 导通电阻：RDS(on)(MAX)≤15Ω。　　· 饱和电流：IDSS≥120mA　　QC4.0/Type-C快充 PWM IC 供电　　Ø采用三极管+齐纳二极管+电阻的传统供电电路　　图2为Type-C PD充电器的示意图。其中采用三极管、电阻、齐纳二极管等组成电压调节器，给PWM IC的VCC供电。由于充电器的输出电压较宽，可达3.3-20V，因此偏置绕组的输出电压变化范围也较大。在充电器输出较高电压时，齐纳二极管击穿，将电压钳位，给VCC提供稳定的电压。此方案采用较多元件，增加BOM成本和PCB面积，占用较多的宝贵空间，同时耗能较多，降低能效。　　Ø采用DMZ(X)0622E的新型供电电路　　成都方舟微电子有限公司利用其专有技术开发的具有超高阈值电压(超高关断电压)的耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E，仅用此一个器件就实现了宽电压输入电压调节器的功能。对追求极致最小尺寸的充电器或适配器的设计工程师，是一个理想的选择。此方案不仅节约空间及面积，而且更加节能。图3是DMZ(X)0622E在Type-C PD充电器的典型应用电路。　　图3中的双极型晶体管、齐纳二极管及限流电阻网络可被单颗耗尽型MOSFET DMZ(X)0622E直接取代，从而在减少元器件数量的同时显著压缩PCB占用面积，并降低整体BOM成本。　　启动阶段由耗尽型MOSFET DMZ6005E负责：当充电器接入市电并开始工作后，辅助绕组随即建立电压并向PWM IC供电;此时DMZ6005E自动关断，将通路电流降至漏电流级别，使系统待机功耗大幅降低。DMZ6005E的详细技术资料可在ARK(方舟微)官网获取。　　电流/电压源　　Ø 电流/电压源　　DMZ(X)0622E可用作电流或电压源，为负载提供电力，如图4所示。　　输出电压Vout由负载RL、电流ID以及VGS(关断状态)决定：　　ID=IDSS*(1+ID*RL/VGS(OFF))2　　其中：ID*RL=-VGS=Vout　　由上述关系可见，耗尽型MOSFET工作于亚阈值区(弱反型区)，其输出电压Vout始终被限制在略低于或接近于栅-源截止电压VGS(OFF) 的电位，且与输入电压Vout的变化无关。因此，器件除为后级IC提供工作电源外，还利用VGS(OFF)实现主动钳位，有效抑制输入瞬态或负载突变引起的电压、电流波动，对IC起到次级保护作用。DMZ(X)0622E最高可承受70V输入，Vin与Vout的关系满足以下公式：　　If Vin<∣VGS(OFF)∣, then Vout≈Vin　　If Vin≥∣VGS(OFF)∣, then Vout≤VGS(OFF)　　DMZ(X)0622E是ARK(方舟微)基于其专利工艺开发的超高阈值耗尽型功率MOSFET。器件关断电压VGS(OFF)分布在−19V至−25V之间，可为反激变换器中的PWM IC等负载提供足够的栅-源驱动电压。　　由于VGS(OFF)呈工艺正态分布，不同批次器件的钳位电压存在差异。图6给出了VGS(OFF)最高(−19V)与最低(−25V)两颗样品的输出电压Vout随结温Tj变化的曲线，表明 Vout的钳位值会随温度及VGS(OFF)漂移而相应变化。　　图7和图8分别展示了DMZ(X)0622E的输出电压Vout与负载电流IRL以及结温TJ的关系特性，这两款MOSFET的VGS(OFF)分别为，最高-19V，最低-25V。

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ARK

发布时间：2026-01-27 13:24 阅读量：638 继续阅读>>

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BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
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STM32F429IGT6	STMicroelectronics
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