ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结<span style='color:red'>MOSFET</span>新品
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ROHM推出600V耐压、散热性能优异的表贴型超级结MOSFET新品

　　中国上海，2026年6月16日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出600V耐压超级结MOSFET*1新产品“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”。　　为满足各种应用对电源更小型和更高效率日益增长的需求，在现有封装基础上，新增了DFN8080-5L(8.0 × 8.0 × 0.85mm)和TOLL(11.68 × 9.9 × 2.3mm)两种表贴型新系列产品。新产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。　　在特性方面，将MOSFET导通所需的栅极阈值电压(VGS(th))设定在一般产品广为使用的3V~5V区间，能够支持更广泛的驱动条件。而且，通过改善跨导特性*2，使该特性较现有系列产品更为优异，实现了更高通用性和更低损耗。另外，关于表贴型封装，通过支持与普通产品兼容性良好的焊盘图案，确保了非常高的通用性，便于现有电源电路作出替换和第二供货源的选择。　　新产品的产品阵容包括“R60xxXNx系列”21款高速开关型产品，以及“R60xxWNx系列”11款具有业界超高速反向恢复特性的PrestoMOS™型产品。从重视兼容性的设计到重视低损耗的设计，客户可根据应用需求选择合适的产品。　　新产品已于2026年6月开始逐步量产(样品价格900日元/个，不含税)。网售平台已开始供应TOLL封装产品(型号：R6020XNJ2、R6038XNJ2、R6049XNJ2、R6055XNJ2、R6024WNJ2、R6035WNJ2)，电商平台均可购买。　　ROHM今后将继续扩充超级结MOSFET 产品阵容，并计划量产650V耐压产品以及下一代产品。　　<开发背景>在数据中心和工业设备领域，随着处理负荷的增加，电力需求不断攀升。为降低功耗和发热量，市场对电源的效率提升有迫切需求。另外，在设备的小型化发展趋势下，要在有限的空间内实现高输出功率，就必须进一步提高电源电路的功率密度并更加节省空间。　　为满足这些要求，超级结 MOSFET也需要进一步降低损耗并提高热性能，因此，散热性优异的表贴型封装产品备受青睐。此外，近年来，从降低采购风险的角度出发，多源设计和确保第二供货源至关重要，因此与现有通用产品的高度兼容性也成为了重要考量条件。　　ROHM于2022年开始量产内置高速恢复二极管的PrestoMOS™型“R60xxVNx系列”以及高速开关型“R60xxYNx系列”，作为有助于降低应用产品功耗的产品，赢得了客户高度好评。这次开发出的“R60xxXNx系列”和“R60xxWNx系列”不仅继承了原有系列低损耗特性和高可靠性，还采用了散热性能优异的表贴型封装，并具备与常用产品之间的高度兼容性，有助于提高电源设计的灵活性。　　☆：开发中　　<应用示例>・AI服务器和数据中心用的电源　　・工业设备和消费电子设备用的电源(LLC、PFC、FlyBack等)　　・风扇、AC伺服等的电机、逆变器　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<关于PrestoMOS™>Presto意为“非常快”，源于意大利语的音乐术语。　　PrestoMOS™是ROHM自有的功率MOSFET品牌，该品牌的产品不仅保持了Super Junction MOSFET高耐压和低导通电阻的特点，还缩短了内置二极管的反向恢复时间。因其可降低开关损耗而越来越多地被用于空调和冰箱等配备逆变电路的应用。　　・PrestoMOS™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 超级结MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)　　MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同，又可细分为平面MOSFET、超级结MOSFET等不同种类的产品。与平面MOSFET相比，超级结 MOSFET能够同时实现高耐压和低导通电阻，在处理大功率时损耗更小。　　*2) 跨导特性　　表示MOSFET中电流相对于输入栅极电压的易流动程度的特性。通过改善该特性，可提高对栅极控制的响应性，降低开关时的损耗，同时能够适配更广泛的电路条件，从而提升通用性。
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发布时间：2026-06-17 13:24 阅读量：291 继续阅读>>
上海雷卯丨从LM3401看<span style='color:red'>MOSFET</span>国产替代：关键参数对比、典型应用与避坑指南
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上海雷卯丨从LM3401看MOSFET国产替代：关键参数对比、典型应用与避坑指南

　　有客户请雷卯帮忙替代Diodes SOT-23 封装PMOS (DMG3401LSN)，我们选择了LM3401这款，能替代吗，怎样才能安全替代?替代需要关注哪些参数?　　随着全球半导体供应链的不断演变，MOSFET的国产化替代已成为众多电子工程师和采购人员关注的核心议题。然而，真正的“Pin-to-Pin(引脚兼容)”替代绝非简单的型号对标，而是需要系统性地评估电气性能、热安全以及动态特性。本文将以上海雷卯(Leiditech)的LM3401为例，通过硬核参数解析、实测数据对比、典型应用及工程避坑建议，为您提供一份实用的选型参考。　　一、 MOSFET国产替代必须关注的　　关键参数介绍　　在进行国产替代选型时，不能仅凭标称电压和电流进行简单替换。科学的评估需要从以下四个维度严格把关　　1.基础静态参数匹配　　漏源击穿电压(VDSS)：这是器件的保命参数。必须确保替代品的耐压大于或等于原器件，并预留合理的降额裕量(通常建议高出20%-50%)，以应对电网波动或感性负载产生的尖峰电压。　　连续漏极电流(I D)：决定了器件的电流处理能力。需对比在相同环境温度下的额定电流能力，确保替代品能满足峰值及持续负载需求，且留有至少50%的安全余量。　　导通电阻(R DS(on))：决定导通损耗和发热量的核心指标。不仅要看25℃下的典型值，还需重点关注高温(如175℃)下的曲线表现，因为温度升高会导致导通电阻变大，形成发热恶性循环。　　2.栅极驱动与阈值特性　　栅极阈值电压(VGS(th))：即让MOS管初步导通的门槛电压。需确保替代品的开启电压与原器件一致或相近，避免在低压驱动场景下出现误导通或无法完全导通的问题。　　最大栅源电压(VGS(max) )：确认驱动电路提供的最高控制电压不会超过替代品的极限耐受值，防止栅极绝缘层被击穿。　　3.封装与热设计兼容性　　耗散功率(PD)与热阻(R θJA)：热阻是衡量散热能力的核心。数值越低，代表芯片将热量传导到环境的能力越强。需结合PCB散热铜箔面积评估实际工况下的温升情况，确保最高结温远低于极限值。　　4.动态开关特性　　总栅极电荷(Qg)与输入电容(C iss)：对于高频开关电源等应用，这些寄生参数直接决定开关速度。Q g 越小，开关过程中的交叠损耗越低;而C iss的差异会直接影响EMI(电磁干扰)水平和驱动电路的兼容性。　　二、核心参数深度对比雷卯 vs　　AOS vs Diodes　　基于上述选型逻辑，以下是上海雷卯LM3401与国际一线品牌AOS(万代)AO3401A、Diodes DMG3401LSN的详细参数实测对比：　　数据解析　　优秀的国产替代方案不仅在核心参数上做到高度一致，甚至在部分极限参数上提供了更好的性能冗余。例如，LM3401在连续漏极电流(I D达到-5A)、耗散功率(PD达到2.1W)以及热阻(RθJA仅为60℃/W)方面表现优异，这意味着它在实际工况中具备更强的抗冲击能力和更低的发热量。而在导通电阻(R DS(on))和栅极电荷(Q g)等高频开关核心指标上，LM3401与原厂保持了极高的一致性。　　上海雷卯还有多种型号MOS 做国产替代， 比如雷卯LM2305A 替代 Infineon(英飞凌)IRLML6401TRPBF,以及其他品牌的2305A型号 ,等等， 如果您需要更好的供货需求和性价比，请联络上海雷卯销售人员或者EMC 小哥做国产替代。　　三、典型应用　　LM3401凭借其低导通电阻、低输入电容和快速开关的特性，它非常适合用于需要高效电源管理的手持式及紧凑型应用，以下补充两个最典型的应用场景：　　1. 电源管理与负载开关电路　　便携设备电源与负载开关：在空间受限且需要中等电流通断的30V以下系统中，用于模块或外围电路的电源管理。　　DC-DC 转换器：作为高效率电源转换系统中的关键功率开关元件　　2. 电池保护与管理电路　　电池充放电控制：在单节或多节锂电池应用中，作为充电或放电路径的切换开关，实现高效的电池管理。　　手持设备电池保护：专为智能手机等手持设备的低功耗设计提供可靠的开关控制。　　3. 驱动与控制电路　　电机控制 (Motor control)：为微型电机提供稳定的驱动电流和开关控制。　　背光照明 (Backlighting)：在显示屏等设备中用于背光电源的控制与调节。　　四、 选型总结与工程避坑指南　　在实际导入国产MOSFET时，虽然物理引脚(Pin-to-Pin)兼容可以省去重新画板的麻烦，但强烈建议在量产前进行小批量的板级实测。　　避坑建议　　打样阶段建议使用示波器抓取开通/关断瞬间的 VDS与 I D波形，重点观察是否存在严重的电压过冲(Spike)或异常的振荡。这能有效验证国产器件的动态寄生电容(Coss 、Crss)是否与原进口方案在同一数量级。此外，务必结合PCB的实际散热铜箔面积评估温升情况，确保极端温度下的导通压降和长时间工作的结温在安全范围内，从而保障系统的长期可靠性，确保国产替代方案的万无一失。
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发布时间：2026-06-17 09:54 阅读量：291 继续阅读>>
安森德丨浅谈开关电源中<span style='color:red'>MOSFET</span>的VDS电压尖峰形成与处理
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安森德丨浅谈开关电源中MOSFET的VDS电压尖峰形成与处理

　　电压尖峰的形成机理　　ASDsemi　　这主要和电路中的寄生参数有关，比如变压器漏感、PCB布线电感，以及MOS管的寄生电容。　　当MOS管快速关断时，电流变化率(di/dt)很高，这些寄生电感上会产生感应电压，叠加在原本的电压上，形成尖峰。　　开关电压尖峰是如何形成的?　　MOSFET　　根本原因是电路中的寄生电感与MOSFET快速的电流变化(di/dt)相互作用。　　具体过程：　　1　　关断尖峰(最常见)　　当MOSFET快速关断时，主回路电流(如变压器漏感、布线电感中的电流)在极短时间内(di/dt很高)降到零。根据电感特性 V = L × (di/dt) ，寄生电感L上会产生感应电压，其极性与原电压相反(反向电动势)，叠加在关断时的漏极电压上，形成高于输入电压+反射电压的尖峰。　　2　　开通尖峰　　反向恢复电流或寄生电容放电也可能引起较小幅度的尖峰，但通常关断尖峰更危险。　　3　　关键寄生元件　　变压器漏感　　PCB布线形成的寄生电感(特别是漏极、源极回路)　　封装引线电感　　开关电压尖峰如何抑制?　　MOSFET　　这通常是工程设计中的重点。常见的方法包括：　　使用RCD或LCD吸收电路来消耗漏感能量;　　优化栅极驱动电阻来减慢开关速度(但需要在效率和尖峰之间权衡);　　改进PCB布局，减小功率回路面积以降低寄生电感;　　选择更低寄生电容或更优特性的MOS管;　　以及增加RC缓冲电路等。　　1　　消耗漏感能量　　方法一：RCD吸收电路　　在MOSFET漏-源间(或变压器初级绕组两端)并联电阻、电容、二极管网络。关断时，尖峰能量经二极管对电容充电，再通过电阻消耗。　　优缺点：　　最常用、成本低。需调试RC值，会消耗少量效率。　　方法二：LCD无损吸收　　用电感、电容、二极管组成吸收网络，将尖峰能量回馈到输入或输出。　　优缺点：　　效率更高，但电路复杂，适用于中大功率。　　2　　降低开关速度　　适当增大栅极驱动电阻(Rg)，降低di/dt和dv/dt。　　优缺点：　　简单有效，但会增大开关损耗，需折中。　　3　　优化PCB布局　　减小功率回路面积，缩短漏极、源极走线，使用多层板或铺铜降低寄生电感。　　优缺点：　　根本性措施，无效率损失，但需设计经验　　4　　增加磁珠　　在栅极串接铁氧体磁珠，高频阻尼振荡。　　优缺点：　　抑制高频振铃，可与Rg配合。　　5　　RC缓冲电路　　在漏-源间直接并联RC。　　优缺点：　　适合抑制高频振荡，但电阻发热较大。　　示波器测试MOSFET电压尖峰　　用20MHz还是100MHz带宽?　　必须使用100MHz带宽(或更高)，不能用20MHz。　　原因如下：　　尖峰是高频信号:　　电压尖峰的上升沿极快，其能量分布在几十MHz甚至更高频率。20MHz带宽会严重衰减高频分量，导致测得的尖峰幅值比实际低很多，可能误以为余量足够而损坏器件。　　行业标准要求：　　几乎所有电源设计指南及EMC调试规范，在测量开关管的Vds尖峰时，均明确要求示波器带宽不低于100MHz。20MHz带宽仅用于测量输出纹波等低频信号。　　实际后果：　　若用20MHz测得尖峰为500V(600V MOS管似乎安全)，而真实尖峰可能达580V，高温或极限工况下极易击穿。　　操作建议　　示波器带宽设置为100MHz(若可关闭带宽限制，则设为全带宽)。　　探头使用高压无源探头(如100×，带宽100MHz以上)，或差分探头。　　关键技巧：去掉探头标配的地线夹，改用接地弹簧针(地环)，直接接触MOSFET的源极引脚。这能极大减小地线环路引入的假振铃，测量更真实。　　总结　　尖峰成因：　　寄生电感 × 高di/dt　　抑制方法：　　RCD吸收、降低开关速度、优化布局(三者最常用)　　测试带宽：100MHz及以上(禁用20MHz限制)
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发布时间：2026-06-11 10:22 阅读量：322 继续阅读>>
ROHM面向车载48V系统开发出<span style='color:red'>MOSFET</span>新产品“AG16xFNxx系列”!
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ROHM面向车载48V系统开发出MOSFET新产品“AG16xFNxx系列”!

　　中国上海，2026年5月28日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　新产品采用HPLF5060(4.9mm×6.0mm)和DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装，与车载MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装相比，有望进一步实现小型化。另外，HPLF5060封装采用鸥翼型引脚*1，DFN3333封装的引脚采用可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术*2，均有助于提升电路板安装时的可靠性。同时，通过铜夹片键合*3技术提升散热性能，使得新产品能够支持大电流。该系列产品均符合AEC-Q101车规标准，满足车载产品严苛的可靠性要求。　　从2026年4月起，新产品AG160FNS4FRA(HPLF5060封装)和AG166FNH7FRA(DFN3333封装)已投入量产(样品价格：500日元/个，不含税)。另外，新产品已开始网售，通过电商平台均可购买。ROHM计划在近期进一步扩充这些封装的产品阵容。此外，公司也已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，以进一步扩充大功率、高可靠性的80V耐压MOSFET产品群。　　<开发背景>在车载领域，以高端车型为主的汽车对电力的需求不断增长，48V系统作为替代以往12V系统的高效供电手段受到广泛关注，预计其在2030年前后将得到普及。为进一步降低损耗，要求相应的MOSFET为80V耐压产品，而非通常的100V耐压产品。为满足这一需求，ROHM新开发出80V耐压的MOSFET产品。该产品兼具小型化与高安装可靠性，能够满足不断发展的车载市场多样化需求。　　<应用示例>车载48V系统：主驱逆变器控制电路、电机、电动水泵 等　　<关于EcoMOS™品牌>EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。　　EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2) 可润湿侧翼(Wettable Flank)成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。　　*3) 铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用Cu夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。
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发布时间：2026-05-28 14:41 阅读量：501 继续阅读>>
罗姆的SiC <span style='color:red'>MOSFET</span>应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：496 继续阅读>>
低空经济背后的“隐形翅膀”：捷捷微电<span style='color:red'>MOSFET</span>如何破解无人机电调温控与效率难题？
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低空经济背后的“隐形翅膀”：捷捷微电MOSFET如何破解无人机电调温控与效率难题？

　　当植保无人机在低空穿梭喷洒，当物流无人机承载重物精准投递，很少有人注意到——决定它们能否“飞得稳、活得久”的核心，藏在指甲盖大小的MOSFET里。　　作为无人机电调(ESC)的“动力开关”，MOSFET的性能直接决定了整机效率、温升与可靠性。近日，捷捷微电披露了其无人机专用MOSFET系列的技术细节与应用成果。今天，小编带你看懂这颗“隐形芯片”如何撑起低空经济的半边天。　　电调：无人机的动力心脏　　无人机飞行中，电机转速每秒可调数十次。电调负责将电池的直流电逆变为三相交流电，并精准控制电流大小——而这一过程的核心执行者，正是MOSFET功率器件。　　在启动、急刹、俯冲等极端工况下，电调瞬间电流可达额定值的3-5倍。此时，MOSFET不仅要承受高压大电流，还要尽可能减少自身发热(导通损耗)。一旦失控，轻则炸机，重则引发电池起火。　　这些场景最依赖MOSEFT　　不同无人机对功率器件的需求差异显著，捷捷微电梳理了主流机型的应用关联度：　　数据显示，消费级多旋翼与农业植保无人机占据了MOSFET用量的70%以上。随着无人机向“大载重、长续航”演进，电调功率从数十瓦跃升至数千瓦，这对MOSFET的功率密度、开关特性和散热设计提出了更高要求。　　针对上述痛点，捷捷微电推出了覆盖30V-1700V的全电压系列MOSFET/SiC方案，并通过三大核心技术实现突围：　　1.第四代(G4)40V低压SGT MOSFET　　性能超越国内竞品　　这是当前无人机市场的“绝对主力”(市占率70%)。捷捷微电G4系列通过晶圆结构优化+封装工艺升级，实现了两大突破：　　· 更低损耗：RSP(单位面积导通电阻)、FOM(品质因数)等关键参数行业领先，对比国内竞品功耗降低约5%-10%;　　· 更强鲁棒性：UIS(单次雪崩能量)耐受能力优于国际大厂同级产品，极端工况下不易损坏。　　进阶预告：性能更优的第五代(G5)平台已在验证中，产品性能达到行业领先水平。　　2.先进封装技术　　向"热"与"密"要性能　　当晶圆性能逼近物理极限，封装成了提升功率密度的关键：　　· 5×6 全Clip封装：取代传统打线，寄生电感降低30%，电流承载能力提升20%;　　· 双面散热(PowerJE 5x6)/顶部散热(PowerJE 5x7)：针对高密度板卡设计，散热效率提升15%以上，解决无人机狭小空间内的“热积聚”难题。　　3.高可靠性验证　　作为IDM企业，捷捷微电实现了晶圆自主可控，产品一致性远超代工模式。目前，其MOSFET已通过多家头部无人机客户的飞行测试与量产验证，在高温、振动、潮湿等极端环境下表现稳定。　　捷捷微电在终端客户协同下，以主打型号JMSH04007G4L(40V/334A)为例，将其与某国际大厂主流产品(竞品A)进行了对标测试：　　捷捷微电VS某国际大厂主流产品　　结论：在核心指标上，捷捷微电G4系列已实现对国际大厂的直接对标，部分参数甚至更优，且具备更高的性价比与供货保障。　　经过市场验证，捷捷微电产品在无人机严苛的功率控制场景中展现了优异的长期稳定性和极具竞争力的性价比，帮助客户在激烈的市场竞争中赢得先机。针对不同功率等级的无人机，捷捷微电提供了丰富的型号选择：　　捷捷微电产品选型表　　低空经济风口已至，功率半导体的竞争才刚刚开始。捷捷微电正以“晶圆迭代+封装创新”双轮驱动，为无人机厂商提供更高效、更可靠的动力解决方案。
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发布时间：2026-05-18 11:22 阅读量：523 继续阅读>>
ROHM开发出第5代SiC <span style='color:red'>MOSFET</span>，高温下导通电阻可降低约30%！
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ROHM开发出第5代SiC MOSFET，高温下导通电阻可降低约30%！

　　中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　ROHM在开发第5代SiC MOSFET的过程中，通过改进器件结构并优化制造工艺，与以往的第4代产品相比，成功地将功率电子电路实际使用环境中备受重视的高温工作时(Tj=175℃)的导通电阻降低约30%(相同耐压、相同芯片尺寸条件下比较)。在xEV用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，该产品有助于缩小单元体积，提高输出功率。　　第5代SiC MOSFET已于2025年起先行提供裸芯片样品，并于2026年3月完成开发。　　另外，ROHM计划从2026年7月起开始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模块的样品。未来，ROHM将进一步扩大产品阵容，同时完善设计工具，并强化针对应用产品设计的支持体系。　　<开发背景>　　近年来，在工业设备领域，随着生成式AI和大规模数据处理技术的普及，用于AI处理等的高性能服务器的引进速度不断加快。由于这类应用的功率密度不断提高，引发了业界对电力系统负荷加重以及局部供需紧张的担忧。作为解决这一难题的对策，将太阳能等可再生能源与供电网络等相结合的智能电网备受关注，但能源转换和蓄电过程中的损耗降低仍是一大挑战。在车载领域的下一代电动汽车中，除了延长续航里程和提升充电速度之外，还要求进一步降低逆变器损耗、提升OBC(车载充电器)性能。因此，在上述数千瓦到数百千瓦级大功率应用中，能够实现损耗降低与高效化兼顾的SiC器件正在加速普及。　　ROHM于2010年在全球率先开始量产SiC MOSFET，并很早就推出了符合车规级可靠性标准(AEC-Q101)的产品群，通过将SiC广泛应用于各种大功率应用中，助力降低能源损耗。此外，第4代SiC MOSFET于2020年6月开始提供样品，并在SiC的普及阶段就推出了分立器件和模块等丰富多样的产品阵容，目前已在全球车载设备和工业设备领域得到了广泛应用。此次ROHM开发出的第5代SiC MOSFET实现了业界超低损耗，将进一步扩大SiC的应用领域。　　未来，ROHM计划进一步扩充第5代SiC MOSFET的耐压和封装阵容，同时，通过推动已进入普及阶段的SiC在各个领域的实际应用，为提高各种大功率应用的电能利用效率持续贡献力量。　　<应用示例>　　车载设备：xEV用牵引逆变器、车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、电动压缩机　　工业设备：AI服务器及数据中心等的电源、PV逆变器、ESS(储能系统)、UPS(不间断电源)　　eVTOL、AC伺服　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*) 牵引逆变器　　电动汽车的驱动电机采用的是相位差为120度的三相交流电驱动。将来自电池的直流电转换为交流电以实现这种三相交流电的逆变器即牵引逆变器。
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发布时间：2026-04-22 09:07 阅读量：678 继续阅读>>
维安双面散热<span style='color:red'>MOSFET</span>：大功率应用首选
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维安双面散热MOSFET：大功率应用首选

　　随着智能硬件产品快速迭代，MOSFET 小型化、高功率密度、低功耗已成为核心发展趋势。　　新能源汽车与 AI 服务器的爆发式增长，进一步推动了各类新型PowerPack 一体化功率模块的快速发展。30V–100V 低压大功率 MOSFET应用需求持续旺盛，功率和散热成为一大难点。　　维安推出 双面散热 MOSFET ，通过封装创新进一步优化散热性能，推动器件整体方案升级。　　双面散热与顶部散热：　　1.两种散热方式在散热器端都需要进行绝缘处理。　　2.双面散热的冷却效果最好。　　3.顶部散热冷却效果次之，但背部可以放置元器件。　　传统PDFN56使用底部散热时，MOSFET 产生的大部分热量只会传递到 PCB，由于其热阻大，因此 PCB 温度会升高。　　PDFN56双面散热DSC增加了另一条散热路径(底部通过 PCB 散热，顶部通过外露铜夹片和散热片散热)，以快速消散 MOSFET 芯片中产生的热量，通过热仿真得出，约有 30% 的热量通过顶部传递，而传递到 PCB 的热量明显减少。　　双面散热封装设计，与传统PDFN5060相比，显示更优的Thermal能力：　　1.Rthjc_Bottom 改善10%　　2.Rthjc_Top 改善将近 23%　　3.Rthja 改善将近3.5倍　　空气自然对流(顶部无散热片)器件温升对比：　　*在顶部无散热片的情况下，采用PDFN56双面散热较传统的PDFN56底部散热，至少可以降低近9℃。　　顶部加散热片器件温升对比：　　* 顶部增加散热片，用热电偶测量散热片贴合器件顶部的位置，此时将器件和散热片视为一个系统，整体的温升用来和顶部无散热片进行对比分析，具体分析数据如下：　　*采用PDFN56双面散热，可以将大于30%的热量通过顶部散热片传导出去，较传统的PDFN56底部散热的热传导提升了近28%，可以更好的保障器件温度平衡，提升可靠性及稳定性。　　1/ 双面散热　　2/ 顶部散热　　产品特点　　WAYON 双面散热MOSFET　　卓越的品质因数(FOMs)　　业界领先低导通电阻　　高可靠性、高品质　　先进的厚铜clip技术　　封装兼容传统 PDFN5060 & LFPAK5060　　热性能改善将近3.5倍　　典型应用　　WAYON 双面散热MOSFET　　BMS　　高性能开关电源DC转换与整流　　机器人关节电机驱动　　无人机电调　　成功案例　　典型应用AGV(电机驱动器)　　型号：WMBD030N10HG4　　项目背景　　一、系统电压48V，充饱和电压60V，考虑到反电动势，客户要求选用100V产品;由于最大相电流52A，堵转电流为最大电流1.3倍;　　二、MOS测试条件：考虑到电机堵转(类似举重物达到最大扭矩，速度最低的时候)，MOS需要在这个条件下持续2秒时间不失效。　　项目结果　　在新一代机型上，所开发的双面散热产品WMBD030N10HG4，客户已测试OK，开始批量应用。
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发布时间：2026-04-21 10:26 阅读量：751 继续阅读>>
4月研讨会报名中！ROHM Nch LV <span style='color:red'>MOSFET</span>：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案
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4月研讨会报名中！ROHM Nch LV MOSFET：赋能AI服务器，解锁高效电源新方案

　　随着AI服务器等应用对功率密度和能效的要求不断提升，低压MOSFET的导通损耗与开关损耗成为设计关键。ROHM长期深耕于此领域，致力于相关产品和技术的持续创新，其中多个产品系列已广泛应用于AI服务器电源、工业电源管理等对能效与可靠性要求严苛的场景，为客户提供领先的导通电阻性能和灵活的封装解决方案。　　本次研讨会将介绍ROHM的N沟道低压MOSFET产品，涵盖工艺、封装技术、产品阵容等，并会重点介绍ROHM面向服务器应用提出的解决方案。扫描海报二维码，即可报名，参与还有机会赢取精美礼品!　　一、研讨会概要　　1. ROHM LV MOSFET的目标市场和应用　　2. ROHM LV MOSFET的结构和封装工艺　　3. ROHM LV MOSFET的技术路线图和产品/封装阵容　　4. 面向服务器应用的解决方案和新产品介绍　　二、研讨会主题　　ROHM Nch LV MOSFET产品介绍　　三、研讨会时间　　2026年4月22日上午10点　　四、研讨会讲师洪梓昕(工程师)　　负责面向包括工控、民生、车载等各领域的分立器件产品的推广，涉及功率器件和小信号器件等产品，为客户进行选型指导和技术支持。　　五、官方技术论坛　　不仅是Webinar相关内容，所有ROHM的产品和技术都可以在“ROHM官方技术论坛(ESH)”向ROHM的工程师直接提问。期待您的使用!　　点击下方链接查看：https://app.jingsocial.com/track/generalLink/linkcode/71dd37d853a951ef7605e86fdf3faab0/mid/858　　相关产品页面　　· 适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET： https://ameya360.com/hangye/113949.html　　· 适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/113215.html　　· 安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET：　　https://ameya360.com/hangye/112418.html　　相关产品资料　　适用于AI服务器的兼具业界超宽SOA范围和超低导通电阻的MOSFET：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20250606/bcb29836697daa064cd22046dae6f566.pdf　　ROHM面向AI服务器800VDC构成解决方案：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20260323/072cee71ab4d82fd1e5462220f70c8ee.pdf　　低导通电阻Nch 功率MOSFET(铜夹片型)RS6xxxx系列/RH6xxxx系列：　　https://qiniu-static.geomatrixpr.com/rohmpointmall/public/static/uploads/log/20230626/fda088792d480a97f7768835115ff87f.pdf　　好礼来袭　　互动礼　　观看研讨会并参与提问即有机会获取U型枕1个，共计15份。　　宣传礼　　转发研讨会文章/海报，同时将截图私信至罗姆微信公众号即有机会获取精美礼品1份。　　专业微信群　　拓展坞(30份)　　微信朋友圈　　桌面风扇(20份)　　邀约礼　　分享本次研讨会，邀请5位好友报名，并将好友报名手机号分享至罗姆公众号后台，即有机会获取30元京东卡1份，共计20份。　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要报名研讨会并关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-04-10 09:29 阅读量：664 继续阅读>>
ARK（方舟微）:耗尽型<span style='color:red'>MOSFET</span>赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例
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ARK（方舟微）:耗尽型MOSFET赋能传感变送：以智能变送器和压力传感器为例

　　01 产品特点　　▲ N沟道耗尽型(Normally-on)　　▲ 优异的热稳定性　　▲ 极低的泄漏电流　　▲ 开关速度快　　▲ VGS(off)：-2.9V～-1.8V　　▲ 低导通电阻：RDS(on)<6Ω　　02 产品应用　　● 智能变送器　　● 传感器　　● 汽车电子　　● 充电桩　　● 非隔离线性电源　　● 恒流源　　● 常闭开关　　03 典型应用及产品优势　　Ø典型应用　　在智能变送器、压力传感器等各类传感变送方案的数模转换电路中，常使用耗尽型MOSFET给DAC芯片供电并提供过压保护，典型电路方案如下：　　Ø使用耗尽型MOSFET的优势　　★ 可直接将较高环路电压转换为稳定的低电压。　　★ DAC芯片供电电压降低，可有效降低功耗，有利于长期稳定运行。　　★ 耗尽型MOSFET能在复杂的电磁环境中抵抗较大的瞬变电压干扰，有效抑制电路浪涌，为DAC芯片提供过压保护。　　04 选型推荐　　在环路供电型4~20mA数模转换器(DAC)的供电及保护方案中，ARK(方舟微)研发的DMZ42C10S、DMX1072、DMX4022E可对Infineon的BSS169实现Pin-to-Pin替代，产品主要参数如下：
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发布时间：2026-02-28 14:31 阅读量：858 继续阅读>>

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