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ROHM车载40V/60V <span style='color:red'>MOSFET</span>产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

　　2025年12月18日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。　　采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产(样品单价500日元/个，不含税)。新产品已经开始通过电商进行销售。　　未来，ROHM将不断扩展该封装产品的机型，并计划于2026年2月左右将采用可润湿侧翼成型技术*3的更小型DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装产品投入量产。　　另外，ROHM已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，致力于进一步扩充大功率、高可靠性封装的产品阵容。　　<开发背景>　　近年来，车载低耐压MOSFET正在加速向可实现小型化的5050级以及更小尺寸的封装形式转变。然而，这些小型封装因引脚间距狭窄和无引脚结构，使确保其安装可靠性成为一大难题。ROHM针对这类课题，通过在产品阵容中新增同时满足安装可靠性和小型化两方面需求的新封装产品，来满足车载市场多样化的需求。　　<应用示例>　　主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2)铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用铜制夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。　　*3)可润湿侧翼成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。

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发布时间：2025-12-18 16:55 阅读量：237 继续阅读>>

电源芯片或<span style='color:red'>MOSFET</span>严重发烫可能是什么原因？如何解决

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电源芯片或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

　　在电子设备中，电源芯片和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，起着调节电压、电流和功率管理的重要作用。然而，当电源芯片或MOSFET出现严重发烫时，可能会引起设备故障、降低性能甚至造成损坏。本文将探讨电源芯片或MOSFET严重发烫的可能原因，并提供解决方法。　　1. 原因分析　　1.1 高负载工作　　原因：过大的电流负载可能导致电源芯片或MOSFET处于超负荷工作状态，加剧其内部损耗，进而引起发热问题。　　解决方法：优化设计，确保合理匹配负载和芯片功率，减少负载电流，避免超负荷运行。　　1.2 过电压或过电流　　原因：过电压或过电流情况下，电源芯片或MOSFET容易受到损害，产生异常发热。　　解决方法：添加保护电路，如过电压保护、过电流保护等，及时切断电路以保护元件免受损伤。　　1.3 散热不良　　原因：不良的散热设计或散热器失效可能导致电源芯片或MOSFET无法有效散热，从而产生过热现象。　　解决方法：改进散热设计，增加散热面积、使用更高效的散热器或风扇，确保元件能够有效散热。　　1.4 环境温度过高　　原因：工作环境温度过高会影响元件的散热效果，使电源芯片或MOSFET更容易发热。　　解决方法：优化设备安装位置、通风条件，降低工作环境温度，提高散热效率。　　1.5 质量问题或老化　　原因：电源芯片或MOSFET本身质量问题或长期使用导致老化也可能引起发热异常。　　解决方法：定期检查维护电路元件，避免使用劣质元件，及时更换老化严重的电源芯片或MOSFET。　　2. 解决方案　　2.1 合理设计　　根据实际需求选择符合要求的电源芯片或MOSFET。　　合理布局电路板，减少热量堆积区域，优化电路连接方式。　　2.2 添加保护电路　　安装过电压保护、过电流保护等保护电路，预防突发情况给电源芯片或MOSFET带来损害。　　2.3 改善散热　　使用高导热材料，如铜制散热片或热管，提高散热效率。　　添加风扇或风道，增加空气流通量，帮助散热。　　2.4 优化工作环境　　控制工作环境温度，避免高温环境下长时间运行。　　确保设备安装位置通风良好，不受阻碍。　　2.5 定期检查和维护　　定期检查电源芯片或MOSFET是否正常工作，有无明显损伤或老化迹象。　　及时更换质量问题或老化严重的元件，确保设备正常运行。　　电源芯片或MOSFET严重发烫可能会对设备稳定性和寿命造成影响，通过合理设计、添加保护电路、改善散热、优化工作环境以及定期检查维护，可以有效预防和解决电源芯片或MOSFET发热问题，确保设备运行稳定可靠。

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电源芯片

发布时间：2025-12-18 15:31 阅读量：217 继续阅读>>

鲁光LGE3M35120Q碳化硅<span style='color:red'>MOSFET</span>

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鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET

　　在追求高效、高功率密度与高可靠性的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET正成为推动技术革新的关键力量。鲁光电子推出的 LGE3M35120Q，是一款采用TO-247-4封装的高性能1200V碳化硅MOSFET，凭借其优异的电气性能，正广泛应用于新能源、可再生能源发电及高端工业电源等前沿领域，成为国产功率半导体自主化进程中的一颗关键器件。　　性能优势　　1.高速开关: 得益于碳化硅材料和四引脚封装，开关损耗显著低于传统硅基IGBT和Si MOSFET。　　2.高效运行: 低导通电阻与低开关损耗相结合，可提升系统整体效率，尤其在频繁开关的应用中。　　3.易于驱动: 与硅基MOSFET兼容的驱动电压，简化了电路设计。　　4.高温工作能力: 碳化硅器件本身具备更高的工作结温能力，可靠性更强。　　二、特性曲线　　三、关键应用领域　　基于上述卓越性能，LGE3M35120Q在多类高效率、高密度功率转换场景中发挥着核心作用：　　1. 新能源与充电设施　　1.1 OBC与 DC-DC 转换器：利用其高频优势，可缩小OBC内的变压器和滤波器体积，实现更轻量化的电源系统。　　1.2充电桩(直流快充桩)：作为直流充电模块的核心开关元件，其高效率特性有助于减少充电过程中的能量损耗和散热需求，提升充电桩的功率密度与可靠性。　　2. 可再生能源发电系统　　2.1光伏逆变器与储能变流器(PCS)：在太阳能逆变器中，碳化硅 MOSFET能够降低开关损耗，提升整机效率。同样，它也适用于储能系统的双向DC-AC或DC-DC转换。　　2.2 风力发电变流器：有助于应对风力发电不稳定的输入特性，提高电能转换效率和质量。　　3. 工业与通信电源　　3.1服务器电源与通信电源：为数据中心和5G基站提供高效、高功率密度的AC/DC或DC/DC电源解决方案。　　3.2不间断电源(UPS)：提升UPS的转换效率，降低运行能耗和散热成本，对于大型数据中心和工业备用电源系统意义重大。　　3.3电机驱动与电焊机：可用于高性能伺服驱动和工业焊接电源，实现更精确的控制和更高的能效。　　四、总结　　鲁光LGE3M35120Q碳化硅MOSFET以其高耐压、低损耗、高工作频率和高温运行能力，完美契合了现代电力电子系统对高效率与高功率密度的双重追求。它的成熟应用，提供了优秀的国产器件选择。

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鲁光

发布时间：2025-12-17 15:32 阅读量：239 继续阅读>>

Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结<span style='color:red'>MOSFET</span>

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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET

　　Littelfuse宣布推出MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200V、480A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99mΩ，可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。　　MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装，配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比，该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on)，使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。　　功能与特色：　　· 200V阻断电压，1.99mΩ超低RDS(on)，可将传导损耗降至最低;　　· 高电流能力 (ID=480A) 减少了所需并联器件的数量;　　· 紧凑型SMPD-X隔离封装，具有2500V隔离和改进的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) ;　　· 低栅极电荷 (Qg=535nC) 降低了栅极驱动功率要求;· 采用顶部冷却式封装，简化热管理。　　这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。　　应用：　　该MMIX1T500N20X4非常适合：　　· 直流负载开关;· 电池储能系统;　　· 工业和过程电源;　　· 工业充电基础设施;· 无人机和垂直起降飞行器 (VTOL) 平台。　　“新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中，从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道，“这有助于提高系统可靠性，简化栅极驱动器的实施，同时提高功率密度和PCB空间利用率。”　　常见问答 (FAQ)　　1. 与现有解决方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率?　　MMIX1T500N20X4提供1.99mΩ的超低RDS(on)，额定电流为480A，可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET，可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。　　2. 这款MOSFET最适合哪些应用场景?　　该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。　　3. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势?　　高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) 和2500VRMS隔离性能，可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理，减小了系统尺寸，并增强了长期可靠性。

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发布时间：2025-12-15 14:56 阅读量：305 继续阅读>>

ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型<span style='color:red'>MOSFET</span>抑制浪涌电流

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ARK方舟微：方案更简、价格更优，采用 DMD4523E 耗尽型MOSFET抑制浪涌电流

　　在单极可控硅调光LED驱动电路中，由于没有bulk电容的储能，当调光器启动时或可控硅前沿调光切相时，会产生大量浪涌电流，如图1。　　浪涌电流或尖脉冲电流是有害的，可能会使调光失败甚至损坏调光器。抑制浪涌电流有以下几种方法。　　采用功率电阻　　如图2，采用功率电阻R1来抑制浪涌电流是最简单的方式。功率电阻抑制了浪涌电流，但同时对反激电路输入电流也造成了限制。并且功率电阻(通常10Ω)的功率损耗较高，导致电路效率降低。即便功率电阻为100Ω，峰值电流仍然超过2.0A。　　采用有源阻尼电路　　抑制浪涌电流另一种方法是采用有源阻尼电路，如图3。采用有源阻尼电路在大幅度地降低尖峰电流的同时，还可以大幅减少功率损耗。　　当调光器启动时，MOSFET Q4还处于关断状态，电流从电阻R1流过，因此能够有效地控制浪涌电流。当尖峰电流过后，Q4导通，电流从Q4通过，由于Q4具有非常低的导通电阻，因此电路的损耗非常低。这种方式的优点是不仅有效地抑制了浪涌电流，同时也具有很低的功率损耗。不足点是电路较为复杂并且成本高。　　采用耗尽型MOSFET　　一个更简单且成本更低廉的抑制浪涌电流的方法是使用耗尽型MOSFET Q4，如图4。Q4与电阻R1串联。当调光器启动时，产生浪涌电流，由于流经电阻R1的电流增大，这使Q4的栅极到源极的电压VGS变大，Q4的导电沟道变窄从而起到抑制浪涌电流的作用。浪涌电流过后，Q4的VGS变小使导电沟道变宽。由于Q4具有较低的VGS(OFF)值以及非常小的RDS(ON)，同时串联电阻R1的电阻也非常小，因此电路功率损耗非常小。　　由于电流值ID由耗尽型MOSFET Q4和串联电阻R1共同决定。当选定了耗尽型MOSFET的型号后，串联电阻R1的大小就非常重要，式(1)给出了计算串联电阻方法：　　式中，R为串联电阻R1的电阻值;VGS(OFF)为耗尽型MOSFET的阈值电压;ID为流过耗尽型MOSFET漏-源极的电流;IDSS为当栅极电压为0V时耗尽型MOSFET漏-源极的饱和电流。　　ARK(方舟微)提供的低阈值电压的耗尽型功率MOSFET DMD4523E，为高效抑制浪涌电流提供了解决之道。DMD4523E耗尽型MOSFET，产品击穿电压BVDSX超过450V，导通电阻RDS(ON)最大值仅2Ω，阈值电压VGS(OFF)为-4V～-1.7V，是抑制浪涌电流应用的首选产品。

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发布时间：2025-11-17 14:19 阅读量：336 继续阅读>>

ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸<span style='color:red'>MOSFET</span>

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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

　　2025年11月11日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1 范围的100V 耐压功率MOSFET“RS7P200BM” 。该款产品采用5060 尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。　　RS7P200BM采用小型DFN5060-8S(5060尺寸)封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S(8.0mm×8.0mm尺寸)封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。　　新产品在VDS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻(RDS(on))*3 4.0mΩ(条件：VGS=10V、ID=50A、Ta=25℃)。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。　　新产品已于2025年9月开始量产(样品价格800日元/个，不含税)。本产品已经开始通过电商进行销售，可咨询AMEYA360客服。　　未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。　　开发背景　　随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。　　ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。　　应用示例　　48V系统AI服务器和数据中心电源的热插拔电路　　48V系统工业设备电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　AGV(自动引导车)等电池驱动的工业设备　　UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　关于EcoMOS™品牌　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　术语解说　　*1) SOA(Safe Operating Area)　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3) 导通电阻(RDS(on))　　MOSFET启动时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*4)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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发布时间：2025-11-11 17:42 阅读量：488 继续阅读>>

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：501 继续阅读>>

萨瑞微电子<span style='color:red'>MOSFET</span>产品在主板CPU供电应用与接口防护方案

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萨瑞微电子MOSFET产品在主板CPU供电应用与接口防护方案

　　电脑在现代生活中扮演着不可或缺的角色，已经成为我们生活的一部分‌。无论是在工作、学习还是娱乐方面，电脑都极大地提高了效率和便利性。　　电脑主板是计算机系统的核心组件，它包含多个关键部分。　　主板的主要组成部分　　这些组件共同工作，为计算机系统提供了一个集成的平台，使各种硬件可以互相通信和协同工作。主板的质量和功能直接影响整个系统的性能、稳定性和可扩展性。　　主板CPU供电应用与接口防护方案　　供电分为CPU供电以及主板供电，在主板上你可以找到2个供电接口，一个位于主板的左上角，专门为CPU提供供电，绝大多数主板是8pin(4+4)这样的。这里的pin是指引脚的意思，通俗的话就是图中插孔的洞洞，像我们的例子8pin(4+4)就是8个引脚，由两个4pin的组成。　　MOS 管在电脑主板的 CPU 供电电路中起着至关重要的作用　　核心功能与作用　　转换与控制电压：CPU 工作时需要稳定的低电压，如常见的0.8V、 1.0V 、1.2V、1.35V 等，而电脑电源直接提供的是 12V 等较高电压。MOS 管作为开关元件，能够将 12V 电压高效地转换为 CPU 所需的低电压，通过控制 MOS 管的导通与截止时间来精确调节输出电压的大小，确保 CPU 在不同负载下都能获得稳定、合适的电压。　　控制电流通断：在 CPU 供电电路中，MOS 管就像一个可控的阀门，根据 CPU 的工作状态和负载需求，精确地控制电流的通断。当 CPU 处于高负载运行时，如进行大型游戏或复杂的视频编辑任务，MOS 管会快速导通，让足够的电流通过，以满足 CPU 的高能耗需求;当 CPU 处于低负载或空闲状态时，MOS 管则会适时调整导通程度或截止，减少不必要的电流消耗，从而实现节能的目的。　　CPU/GPU电源MOS方案　　萨瑞微高质量的CPU/GPU电源MOS方案能够提供稳定、高效的电源,支持处理器的高性能运行和超频。　　01 CPU/GPU电源MOS方案线路图　　原理框图中电容的作用是稳定供电电压，滤除电流中的杂波，让电流更为纯净;电感线圈则是通过储能和释能，来起到稳定电流的作用;PWM芯片则是开关电路控制模块的主要组成部分，电路输出电压的大小与电流的大小基本上是由这个控制模块;MOS场效应管则分为上桥和下桥两部分，电压的调整就是通过上下桥MOS配合工作实现的。　　推荐使用萨瑞微MOSFET系列　　02 Type-C端口静电浪涌防护方案　　03 USB2.0静电防护方案　　04 USB3.0接口静电浪涌防护方案　　结论　　通过上面的介绍，我们知道MOS管对于整个供电系统起着稳压的作用，但是MOS管不能单独使用，它必须和电感线圈、电容等共同组成的滤波稳压电路，才能发挥充分它的优势。　　主板上的PWM(Plus Width Modulator，脉冲宽度调制器)芯片产生一个宽度可调的脉冲波形，这样可以使两只MOS管轮流导通。当负载两端的电压(如CPU需要的电压)要降低时，这时MOS管的开关作用开始生效，外部电源对电感进行充电并达到所需的额定电压。当负载两端的电压升高时，通过MOS管的开关作用，外部电源供电断开，电感释放出刚才充入的能量，这时的电感就变成了“电源”，继续对负载供电。随着电感上存储能量的不断消耗，负载两端的电压又开始逐渐降低，外部电源通过MOS管的开关作用又要充电。这样循环不断地进行充电和放电的过程，从而形成一种稳定的电压，永远使负载两端的电压不会升高也不会降低。

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发布时间：2025-10-11 15:58 阅读量：464 继续阅读>>

鲁光LGE3M180065F 碳化硅<span style='color:red'>MOSFET</span>

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鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

　　在追求更高效率、更高功率密度和更小体积的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET 正逐渐成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的关键器件。作为国内功率半导体行业的领军企业之一，鲁光电子推出的LGE3M180065F 是一款性能优异的650V / 180mΩ 碳化硅MOSFET，为众多中高功率应用提供了高效、可靠的解决方案。　　核心优势(基于SiC MOSFET特性)　　1. 高频开关能力　　开关损耗比硅IGBT降低70%，支持100kHz以上高频应用。　　2. 低导通电阻(Rds(on))　　正温度系数特性，易于并联均流。　　3. 零反向恢复电流　　体二极管无Qrr，消除桥式电路死区损耗。　　4. 高温工作　　结温(Tj)可达175°C，散热设计更简化。　　3. 高可靠性：高工作结温、优异的耐高温性能和强大的短路耐受能力，确保器件在恶劣环境下稳定工作。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　1.服务器/数据中心电源(SMPS)：用于高功率(5kW以上)的服务器电源和通信电源。高开关频率允许使用LLC等高效拓扑，显著提升电源效率，降低数据中心的运营成本。　　2. 新能源光伏逆变器：用于5-10kW组串式光伏逆变器的DC-DC升压环节，利用其高频率和高效特性，可以最大化太阳能板的发电效率，同时减小逆变器体积。　　3. 工业电机驱动与变频器：用于5-10kW驱动风机、水泵、压缩机等工业电机。其高速开关能力可实现更精确的电机控制和更低的谐波失真。　　4. 不间断电源(UPS)：其5-10kW高功率特性，用于提升中大功率UPS的逆变效率，延长电池续航时间，同时减小设备体积。　　5. 储能系统的功率转换：用于5-10kW电池储能与电网之间高效的双向能量流动。　　四、总结　　鲁光电子的LGE3M180065F 碳化硅MOSFET以其650V/180mΩ的平衡性能，提供了一个强大而可靠的国产化功率开关解决方案。随着碳化硅技术的不断成熟和成本的持续下降，像LGE3M180065F这样的器件必将成为推动工业、能源和交通等领域迈向绿色、高效未来的核心力量。

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发布时间：2025-10-11 15:39 阅读量：470 继续阅读>>

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鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高可靠性的电力电子领域，宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)正以前所未有的速度改变行业格局。作为国内功率半导体行业的重要参与者，鲁光电子推出的LGE3M40120Q 是一款极具竞争力的1200V碳化硅MOSFET，为众多高性能应用提供了优秀的解决方案。　　一、LGE3M40120Q主要参数　　二、核心优势(基于SiC MOSFET特性)　　1. 高压高效：1200V的耐压使其能轻松应对光伏逆变器、工业电机驱动等高压场合。　　2. 低导通损耗：40mΩ的低内阻确保了在导通状态下极低的功率损耗。　　3. 高频操作能力：极小的开关损耗和几乎为零的反向恢复电荷，允许电路工作在几十甚至上百kHz的频率，从而减小无源元件(电感、电容)的体积。　　4. 高温稳定性：175℃的最高结温提高了系统可靠性或允许使用更小的散热器。　　三、特性曲线　　四、典型应用领域　　凭借其优异的性能，LGE3M40120Q广泛应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域：　　1.新能源发电与储能　　1.1光伏逆变器：特别是组串式和微型逆变器，SiC器件的高频特性可以最大程度提升效率和功率密度，同时降低系统成本。　　1.2储能变流器：用于电池储能系统的双向充放电，高效能意味着更少的能量在转换过程中被浪费。　　2. 电动充电设施　　2.1充电机(OBC)：是OBC的核心开关器件，实现高效、快速的充电。　　2.2直流-直流变换器(DC-DC Converter)：为高压电池与低压系统之间进行能量转换。　　2.3充电桩：作为直流快充桩内部电源模块的核心开关元件，是实现大功率、小体积充电桩的关键。　　3. 工业自动化与电机驱动　　3.1伺服驱动器与变频器：高频开关使得电流波形更平滑，电机运行更安静、扭矩响应更迅速。　　3.2不间断电源(UPS)：特别是在高端数据中心和工业级UPS中，SiC技术能显著提升整机效率，降低运行成本和冷却需求。　　4. 通信电源与服务器电源　　4.1用于实现高功率密度、高效率的AC-DC整流和DC-DC转换模块。　　5. 其他领域　　5.1感应加热、激光电源、医疗设备电源等任何需要高效电能转换的场景。　　五、总结：　　鲁光电子的LGE3M40120Q碳化硅MOSFET是一款性能出色的国产功率器件，是推动众多产业向高效化、小型化、绿色化迈进的关键引擎。其核心采用先进的碳化硅技术，相较于传统的硅基IGBT和MOSFET，它在高温、高频和高电压环境下表现出卓越的性能，能够显著降低系统能耗。

关键词：

鲁光

发布时间：2025-09-26 17:13 阅读量：546 继续阅读>>

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