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芯存科技SPI <span style='color:red'>NAND</span>：高性能存储，国产自主新标杆

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芯存科技SPI NAND：高性能存储，国产自主新标杆

　　在当今数据驱动的时代，存储芯片的可靠性、速度和功耗直接影响着电子设备的性能边界。无论是工业场景中毫秒级响应的PLC控制器，还是物联网设备里常年待机的智能传感器，都对存储方案提出了极致要求。芯存科技凭借自主研发的SPI NAND 系列产品，以高可靠性、低功耗、强纠错三大核心优势，为高端应用提供了坚实的存储基石。　　全系列SPI NAND覆盖多元场景　　芯存科技推出的 SPI NAND Flash系列(含 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb容量)，采用先进的SLC闪存技术，完美适配工业控制、物联网设备、智能家居、车载电子等对数据安全与稳定性要求严苛的领域。　　01 高速传输与灵活接口　　133MHz超高主频：较行业主流108MHz提升23%，大幅提升数据吞吐效率。　　Quad SPI模式：通过4个I/O引脚并行传输，数据速率达标准SPI的4倍，助力实时系统快速启动。　　02 自主主控芯片XC1100　　28nm先进工艺：功耗较110nm竞品降低80%，待机电流仅10μA。　　多档ECC纠错：支持1/9/16-bit三级纠错，灵活应对不同应用场景的可靠性需求。　　快速启动技术：上电5ms内自动加载首块数据，缩短系统响应时间。　　03 硬件级数据保护　　区块保护寄存器：通过BP[2:0]位实现分区锁存，防止关键数据被误擦写。　　OTP安全存储：提供最多10页一次性编程空间，适用于设备认证、固件加密等场景。　　04 SPI NAND厂家对比　　05 SPI NAND参数　　06 应用案例：赋能行业创新　　工业控制：PLC、工控机长期稳定运行　　物联网终端：智能电表、传感器低功耗数据存储　　车载电子：6KV ESD防护，应对复杂电磁干扰　　芯存科技SPI NAND系列产品的推出，不仅代表了国产存储芯片在技术上的重大突破，更彰显了公司致力于为客户提供高性能、高可靠性解决方案的决心。我们通过自主研发的核心主控技术，实现了对国际领先品牌的超越，为国内客户带来了供应链自主可控的强大信心。展望未来，芯存科技将继续深耕存储领域，持续加大研发投入，不断迭代产品性能，完善服务体系。

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芯存

发布时间：2025-12-10 17:23 阅读量：317 继续阅读>>

<span style='color:red'>NAND</span> Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！<span style='color:red'>NAND</span> Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！

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NAND Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！NAND Flash价格单月飙涨超65%，行业预警：缺货高峰还未到来！

　　12月2日消息，据市场研究机构TrendForce的最新调查显示，2025年11月整体NAND Flash主流合约价全面大幅上涨，各类产品平均月涨幅可达20%~60%，涨势快速扩散至所有容量段，512Gb TLC颗粒月涨幅甚至超过65%。　　TrendForce分析称，NAND Flash需求持续受AI应用与企业级SSD订单强力拉动，但由于原厂优先分配产能给获利能力较好的高阶和企业级产品，且旧制程产能快速收敛，晶圆供应情况更加紧绷，导致11月主流合约价全面大幅上涨。　　观察11月各类NAND Flash晶圆价格表现，1Tb TLC颗粒因企业级SSD需求持续成长，供给短缺最为严重，11月均价大幅上涨。512Gb TLC颗粒因旧制程转产导致供应急缩，加上市场需求稳健，推升价格涨幅成为11月TLC系列产品之冠，月增超过65%。256Gb TLC颗粒受旧制程退出影响，供给量再度下滑，价格持续显著成长。　　由于企业级高容量产品需求爆发，加上冷储存应用出货加速，QLC供应明显吃紧，1Tb QLC 11月均价也大幅上涨。MLC产品有工控及消费性产品支撑需求，均价持续走扬。TrendForce表示，由于原厂报价主导权强势，加上短期晶圆供应紧张的情况无法改善，预期12月合约价仍将维持涨势。　　同时，存储模块厂商十铨科技总经理陈庆文近日表示，存储市场将进入长期上升周期，预计2026年全年价格将持续上涨，而存储产品缺货状况可能要到2027年下半年至2028年才会有所缓解。陈庆文指出，当前大型云端服务提供商(CSP)已启动与全球三大存储原厂的对接，重点洽谈2026~2027年的订单合作事宜。　　他进一步补充，无论是DRAM内存还是NAND闪存，三大存储原厂2025年12月的合约价均出现明显上涨，部分产品单月涨幅高达80%~100%。　　陈庆文认为，存储市场真正的缺货高峰期尚未到来。他预测，2026年第一至第二季度，随着代理商库存逐步消化，市场将迎来“无论出价多高都难以拿到货”的紧张局面。

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NAND

发布时间：2025-12-03 14:01 阅读量：324 继续阅读>>

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SK海力士开始量产321层QLC NAND闪存

　　SK海力士近日宣布，已开发出321层2Tb(太比特，Terabit) QLC* NAND闪存产品，并开始量产。　　SK海力士表示：“公司全球率先完成300层以上的QLC NAND闪存开发，再次突破了技术极限。该产品在现有的NAND闪存产品中拥有最高的集成度，经过全球客户公司的验证后，计划于明年上半年正式进入AI数据中心市场。”　　公司为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，将其开发为与现有产品相比容量翻倍的2Tb产品。　　一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此，公司通过将NAND闪存内部可独立运行的平面*(Plane)架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。　　因此，该产品不仅实现了高容量，而且性能也较以往的QLC产品大幅提升。数据传输速度提高了一倍，写入性能最多提升了56%，读取性能也提升了18%。同时，数据写入能效也提高了23%以上，在需要低功耗的AI数据中心等领域也具备了更强的竞争力。　　公司计划首先在电脑端固态硬盘(PC SSD)上应用321层NAND闪存，随后逐步扩展到面向数据中心的企业级固态硬盘(eSSD)和面向智能手机的嵌入式存储(UFS)产品。此外，公司也将基于堆叠32个NAND晶片的独有封装*技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。　　SK海力士NAND开发担当郑羽杓副社长表示：“此次产品开始量产，大幅强化了高容量存储产品组合，同时确保了成本竞争力。为了应对迅速增长的AI需求和数据中心市场的高性能要求，我们将作为‘全方位面向AI的存储器供应商(Full Stack AI Memory Provider)’，实现更大的飞跃。”　　* NAND闪存芯片根据每个单元(Cell)可以存储的信息量(比特,bit)，分为SLC(Single level Cell,1位)、MLC(Multi Level Cell,2位)、TLC(Triple Level Cell,3位)、QLC(Quadruple Level Cell,4位)、PLC(Penta Level Cell,5位)等不同规格。单元的信息存储容量越大，意味着单位面积内可储存的数据越多。　　* 平面(Plane)：是指可以在单一芯片内能够独立运行的单元和外围电路。将其从4个增加至6个，改善了数据处理性能(Data Bandwidth)之一的同时读取性能。　　* 32DP(32 Die Package)：是指为了提升芯片(Chip)容量，将32个Die(裸芯)封装在同一封装中的方式。

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SK海力士

发布时间：2025-08-27 13:26 阅读量：517 继续阅读>>

芯存科技 SD <span style='color:red'>NAND</span>：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

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芯存科技 SD NAND：小轻薄优，赋能 AI 眼镜

　　在科技飞速发展的当下，AI 眼镜作为智能穿戴领域的新兴力量，正以惊人的速度闯入大众视野。近期，小米首款搭载自研 AI 大模型的智能眼镜震撼发布，其凭借 “轻量化设计 + 全场景智能交互” 的独特优势，瞬间成为行业焦点，吸引了无数目光。　　芯存科技-SD NAND产品介绍　　芯存科技凭借多年积累的产品技术底蕴、领先的封测制造工艺及规模化生产实力，不断为多元 AI 应用场景打造创新存储方案。这一方案尤其贴合 AI 眼镜等智能穿戴设备对轻薄设计的高标准需求。　　芯存科技自研推出小尺寸、大容量、超轻薄、高性价比SD NAND系列产品，最小尺寸仅8x6mm省空间、低功耗、易集成，超轻薄0.8mm便携带、适配强，整体尺寸仅为：8x6x0.8mm 为AI 眼镜的极致轻薄设计提供了核心空间支持，同时为设备续航能力的提升与佩戴舒适度的优化筑牢了硬件根基。部分产品-规格参数　　芯存科技—合封技术、突破与应用　　芯存结合自有的丰富的合封经验，此前在FTTR项目(对产品尺寸同样有小型化的需求)推出全球首款SMCP产品(SPI NAND+DDR合封)以及其他很多合封的相关经验，从而解决AI眼镜中产品对尺寸的高要求。　　芯存有投入自研的控制器技术，给客户带来高速低功耗的使用场景。　　合封技术优势　　1.高性能低功耗的控制器资源，解决客户待机时间的需求;　　2.存储芯片资源，为客户的产品形态提供更多的可能性;　　3.合封专利技术资源，解决小型化的需求;　　4.广泛的客户资源，已经在和品牌的客户进行导入;　　芯存科技-产品获主流客户认可　　在 AI 眼镜这一前沿智能终端领域，芯存科技凭借存储技术的积累与精准的产品适配能力，取得了显著的市场突破。　　近期全志科技发布了两款最新AI眼镜专用芯片—V821和V881，超低价、高性价比。芯存科技 SD NAND 产品已成功搭载于全志科技 V821 平台。这份认可不仅是对芯存科技技术实力的有力佐证，更彰显了其在智能穿戴存储领域的前瞻布局与市场竞争力，为 AI 眼镜的规模化应用与体验升级注入了关键动力。　　芯存科技-产业进阶路径　　全球半导体产业的格局处于重构与升级的关键阶段，芯存科技始终做到，一方面持续加大研发投入与国际先进封测设备投入，以此保障研发理念与创新能力始终保持前瞻与领先;另一方面，通过智能化生产线与数字化管理系统的高效配合，推动新质智造工艺、产能规模、产品研发创新及质量管理等实现突破性提升，同时以开放进取的姿态，主动投身 AI 时代浪潮，拓展更广阔的发展天地。

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发布时间：2025-08-26 11:36 阅读量：933 继续阅读>>

美光G9 <span style='color:red'>NAND</span>技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

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美光G9 NAND技术重磅发布！旗舰手机性能再攀巅峰

　　在快节奏的今天，手机早已不是单纯的通讯工具，随着AI技术的不断发展，智能手机正在成为人类的AI助手。这背后，都依赖大容量高速存储系统!这一趋势将进一步推动边缘设备对内存和存储的需求。　　在2025年巴塞罗那世界移动通信大会(MWC25)上，美光亮出大招：宣布正在送样业界首款基于 G9 NAND的移动UFS 4.1和UFS 3.1产品。　　G9节点是美光的新一代创新型NAND技术，旨在为旗下所有存储解决方案带来前所未有的性能和密度优势。 G9对新一代移动通用闪存(UFS)移动产品到底有多强?一文揭秘!　　G9 NAND UFS 4.1：性能直接拉满　　美光G9 NAND移动UFS 4.1解决方案可为旗舰智能手机带来业界前沿的性能和创新，从而实现更快速、更灵敏的使用体验。　　速度更快、延迟更低：　　想象一下，手机中的虚拟助手能够充分理解您的指令，您还可以使用手机快速进行实时图片编辑，并在瞬间完成语言翻译。这些都是未来基于大语言模型(LLM)的AI应用，它们将彻底改变智能手机用户的数字体验。　　最终，这些服务将融合成功能强大的多模态AI代理，为用户提供快速、全面且具备情境感知能力的数字体验。为实现这一目标，智能手机需要快速访问海量数据集、降低延迟、提高响应速度，从而实现更流畅的终端用户体验。　　凭借超过4100MBps的顺序读写速度，美光G9 NAND移动UFS 4.1正在引领这一变革趋势。与上一代G8 UFS 4.0进行比较后，我们能清楚地看到G9 UFS 4.1带来的性能飞跃。　　512GB G9 UFS 4.1与512GB G8 UFS 4.0对比　　容量更大：　　更大的存储容量是提升本地计算和处理能力的因素之一。传统的云端AI系统需要将敏感数据通过网络传输后进行处理，存在数据泄露风险。边缘AI可在本地处理生成的数据，从根本上降低了上述风险。　　美光G9 UFS 4.1支持高达1TB的NAND大容量存储，可满足设备端处理大量数据的需求，让您的智能手机轻松处理复杂的计算任务。　　封装更小更薄：　　美光G9 NAND UFS 4.1不仅提高了容量，其更小更薄的外形可支持更具时尚感的创新智能手机设计。　　美光G9 NAND UFS 4.1采用业界前沿封装技术，1TB NAND UFS的封装尺寸仅有9x13x0.85毫米大小(与上一代G8 UFS 4.0相比)，可大幅节省手机内部空间，是下一代可折叠以及超薄智能手机设计的理想之选，其节约的空间可用于搭载更大容量的电池。　　专有功能优化：　　1. 数据碎片整理：　　智能手机的运行速度逐渐变慢，通常是由于数据碎片化—文件分散存储在各个地方，导致存储设备难以实现高效读取。　　美光专有的数据碎片整理功能可解决这一问题，它支持UFS设备的控制器绕过主机层，直接在NAND内部发出碎片整理命令。通过简化数据迁移过程，数据碎片整理功能可将读取速度提升高达60%(启用数据碎片整理与未启用数据碎片整理的对比)，从而提升智能手机的整体性能，包括日常任务和 AI 相关任务。　　简言之，数据碎片整理功能通过在内部处理数据迁移/碎片整理，提高读取性能并降低设备的负荷，使智能手机能够更快、更高效地访问文件，实现更流畅的使用体验。　　2. 增强型WriteBooster：　　借助美光的增强型WriteBooster功能，智能手机处理器可将常用数据“固定”在存储设备内部名为“WriteBooster”的指定区域内。　　利用该功能，处理器可以更轻松地将重要数据从存储设备动态加载到内存，确保处理过程更加高效，不会面临内存容量不足问题。　　内部测试数据表明，启用此功能后，随机读取速度可提高多达30%(启用增强型WriteBooster与未启用增强型WriteBooster的对比)。　　增强型WriteBooster功能可加速智能手机的应用启动速度、文件传输速度，让用户操作更加流畅。当用户需要同时使用日常应用和 AI 应用时，此功能尤为有用。　　在这种使用场景下，可利用增强型WriteBooster功能为AI模型的数据创建内存映射，从而实现更快的数据交换和读取。　　未固定的数据将从缓存缓冲区移至普通存储区域　　3. 智能延迟跟踪器(ILT)：　　美光的智能延迟跟踪器可监控系统和存储设备上的I/O存储延迟，以检测和分析影响智能手机性能的异常延迟，例如应用启动缓慢等。通过识别这些延迟问题，跟踪器可帮助智能手机OEM厂商优化系统，提升整体用户体验。　　此功能可确保智能手机能够高速流畅地运行各种AI应用和日常任务，例如打开相机、在相册中查找之前度假时拍摄的照片等。　　4. UFS分区(ZUFS)：　　想象一下，当您在旅行前收拾行李时，您的行李箱被整齐地划分为三个部分，分别用于放置袜子、衬衫和裤子，通过这种方式，您可以更快地找到所需物品。　　美光的UFS分区(ZUFS)功能以类似方式组织智能手机内的数据。ZUFS将具有相似I/O特性的数据集中存放到UFS设备内的特定区域中，能够尽可能减少数据搜索时间，从而提高读/写效率。　　这种简化的数据检索方式可确保系统响应更快、更流畅，就像在行李箱中取出预先放好的袜子一样。　　传统数据放置方式与分区数据放置方式的对比　　智能加速：面向未来的创新　　美光移动业务部门专注于提供先进的NAND闪存解决方案，并提供针对旗舰智能手机设计的定制功能。　　这些创新旨在加速边缘设备上的AI应用。通过与客户及生态系统伙伴合作，美光正在调整其产品和技术路线图，以便与AI及边缘计算的未来趋势保持一致。　　这种合作可确保未来的移动设备能够处理日益复杂的AI任务，以及数据密集型应用。G9 NAND以及众多新的固件功能正是美光致力于创新的例证。

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发布时间：2025-05-07 11:26 阅读量：958 继续阅读>>

兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI <span style='color:red'>NAND</span> Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动

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兆易创新推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，突破性读取速度，助力应用快速启动

　　今日，兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇，成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。　　GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24nm工艺节点，支持内置8bit ECC、3V和1.8V两种工作电压，以及Continuous Read、Cache Read、Auto Load Next Page等多种高速读取模式，为用户提供多种组合设计方案。与传统SPI NAND Flash相比，GD5F1GM9系列在ECC设计上摒弃了原有的串行计算方式，实现复杂ECC算法的并行计算，这极大地缩短了内置ECC的计算时间。该系列3V产品最高时钟频率为166MHz，在Continuous Read模式下可达83MB/s连续读取速率;1.8V产品最高时钟频率为133MHz，在Continuous Read模式下可达66MB/s连续读取速率。这意味着在同频率下，GD5F1GM9系列的读取速度可达到传统SPI NAND产品的2~3倍，该设计优势可有效提高器件的数据访问效率，显著缩短系统启动时间，进一步降低系统功耗。　　为了解决传统NAND Flash的坏块难题，GD5F1GM9系列引入了先进的坏块管理(BBM)功能。该功能允许用户通过改变物理块地址和逻辑块地址的映射关系，从而有效应对出厂坏块和使用过程中新增坏块的挑战。一方面，传统NAND Flash在出厂时可能存在随机分布的坏块，若这些坏块出现在前部代码区，将导致NAND Flash无法正常使用。而GD5F1GM9系列通过坏块管理(BBM)功能，可确保前256个Block均为出厂好块，进而保障代码区的稳定性。另一方面，在使用过程中，NAND Flash可能出现新增坏块，传统解决方案需要预留大量冗余Block用于不同分区的坏块替换，造成严重的资源浪费。GD5F1GM9系列的坏块管理(BBM)功能允许用户重新映射逻辑地址和物理地址，使损坏的坏块地址重新可用，并且仅需预留最小限度的冗余Block，该功能不仅显著提高了资源利用率，还有效简化了系统设计。　　“目前，SPI NAND Flash的读取速度普遍较慢，已成为制约终端产品性能提升的重要瓶颈”，兆易创新副总裁、存储事业部总经理苏如伟表示，“GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash的推出，为市场中树立了新的性能标杆，该系列不仅有效弥补了传统SPI NAND Flash在读取速度上的不足，并为坏块管理提供了新的解决方案，可成为NOR Flash用户在扩容需求下的理想替代选择。未来，兆易创新还将持续打磨底层技术，为客户提供更高效、更可靠的存储方案。”　　目前，兆易创新GD5F1GM9系列可提供1Gb容量、3V/1.8V两种电压选择，并支持WSON8 8x6mm、WSON8 6x5mm、BGA24(5×5 ball array)5x5ball封装选项。如需了解详细信息及产品定价，请联系AMEYA360销售代表。

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发布时间：2025-04-15 15:31 阅读量：665 继续阅读>>

三星电子开发出其首款基于第八代V-<span style='color:red'>NAND</span>的车载SSD

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三星电子开发出其首款基于第八代V-NAND的车载SSD

　　256GB AM9C1使用先进的V-NAND技术，　　5nm制程控制器，　　提供SLC模式选项，速度目前为三星最快　　更高的性能和可靠性，　　使此款SSD支持端侧AI功能，　　更适配下一代车载解决方案　　2024年9月24日，三星电子今日宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD。三星新款AM9C1车载SSD凭借行业前沿的速度和更高的可靠性，成为适配车载应用端侧人工智能功能的解决方案。　　三星新款256GB AM9C1车载SSD相比前代产品AM991，能效提高约50%，顺序读写速度分别高达4,400MB/s和400MB/s。　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　我们正在与全球自动驾驶汽车厂商合作，为这些企业提供高性能、高容量的车载产品。三星将继续推动涵盖从自动驾驶到机器人技术的物理人工智能(Physic AI)¹ 存储器市场的发展。”　　AM9C1基于三星的5纳米(nm)控制器，提供单层单元(SLC)命名空间²功能，其优异的性能让访问数据密集型文件更为轻松。用户将初始的三层单元(TLC)状态切换至SLC模式，即可体验大幅提升的读写速度，其中读取速度高达4,700MB/s，写入速度高达1,400MB/s，同时还能享有SLC SSD可靠性增强所带来的优势。　　当前，三星的主要合作伙伴正在进行256GB版本AM9C1的样品测试，这款产品预计将于今年年底开始量产。为了满足对高容量车载SSD日益增长的需求，三星计划推出128GB到2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。　　三星的新款车载SSD通过了更为严苛的板级测试，能够满足汽车半导体质量标准AEC-Q100³的2级温度测试标准，在-40°C至105°C宽幅的温度范围内能保持稳定运行。　　为了进一步满足汽车行业在可靠性和稳定性方面的高标准，三星电子获得了基于ISO/SAE 21434标准的CSMS⁴(网络安全管理体系)认证。今年3月，三星的车载UFS 3.1产品通过了ASPICE⁵(汽车软件过程改进与能力评定)CL3认证。　　“三星电子存储器事业部　　执行副总裁Hwaseok Oh表示：　　ASPICE和ISO/SAE 21434认证是证明三星技术可靠性和稳定性的里程碑。三星将继续提升产品的稳定性和品质，为关键合作伙伴提供优秀解决方案。”

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三星电子

发布时间：2024-09-24 10:07 阅读量：1141 继续阅读>>

东芝<span style='color:red'>NAND</span>闪存工厂暂停生产将进行安全评估

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东芝NAND闪存工厂暂停生产将进行安全评估

　　日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。　　东芝宣布，由于需要进行安全评估，公司位于石川县能美市的 NAND 闪存工厂将暂时停产。分析师预计，地震将对未来半导体供应和价格产生影响。　　东芝表示，它已确认在地震发生当天在石川县能美市工厂上班的所有员工都是安全的，但尚未联系上休假的员工。　　此外，Taiyo Yuden、Tower、Shin-Etsu、GlobalWafers 和 TPSCo 等企业也暂时停止了半导体产品的生产。鉴于地震造成的震动幅度大，专家建议对所有建筑物进行详细检查，排除潜在的安全隐患。　　东芝承诺将在周五日本时间下午 5 点发布更新，并表示将在“生产线状态评估完成后尽快”做出复工决定。　　此次地震主要影响的是日本西海岸相关城市，而日本半导体产业的主要聚焦地位于日本东海岸周边，以及九州地区，预计此次地震对于日本半导体产业影响相对较小。

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发布时间：2024-01-04 17:45 阅读量：1881 继续阅读>>

三星计划将<span style='color:red'>NAND</span>减产规模扩大40%~50%

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三星计划将NAND减产规模扩大40%~50%

　　经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。三星电子计划在今年第四季将NAND价格上调10~15%，预计明年上半年还会再成长10%至20%。这一举措预示着存储芯片市场的复苏，也反映出三星电子对市场需求的乐观预期。　　NAND价格实际已进入上升趋势，机构透露，10月份用于存储卡和USB设备的128GB NAND价格上涨1.59%，为2021年7月以来首次反弹。　　据悉，三星电子计划到明年上半年(1~6月)为止，将NAND生产量削减规模扩大40~50%，此举推高了价格。SK海力士在上个月举行的法说会上表示：「NAND的库存高于DRAM。我们将暂时保持保守的NAND生产方式。」　　自今年年初以来，三星一直奉行减产战略，此前曾报道，三星的晶圆产量大幅下降了 40%，最初的减产举措主要集中在 DRAM 领域，之后下半年三星开始着手大幅削减 NAND Flash 业务产量，眼下正试图推动 NAND 价格正常化。

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三星

发布时间：2023-11-15 09:30 阅读量：2035 继续阅读>>

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消息称存储大厂三星目标年底NAND库存正常化

　　据韩媒援引业内人士消息称，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周水平。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6)，该产品库存较多。　　库存天数是指从半导体成品生产完成到发货的时间段，用于衡量当前库存水平以及何时耗尽的指标。　　三星电子正计划积极减产以降低库存。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND(V6)，该产品库存较多。　　半导体的制造基于硅晶圆，因此减少晶圆投入量就会降低产量。相比于通过增加生产时间来延迟出货的“技术生产延迟”，减少晶圆投入直接导致半导体出货量和供应量的减少，因此被认为是一种快速平衡供需的手段。　　另据了解，NAND闪存晶圆厂利用率也有所下降。虽然尖端产品与通用产品存在差异，但利用率大幅下降，特别是中国西安工厂估计不足50%。　　三星电子相关人士表示，“我们正在根据客户需求灵活地进行存储半导体减产工作，目前无法确认减产的具体规模或开工率。”

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发布时间：2023-08-24 10:08 阅读量：2574 继续阅读>>

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MC33074DR2G	onsemi
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