蝉联SiC和GaN双十强！<span style='color:red'>华润微</span>电子荣获2025行家极光奖两项殊荣
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蝉联SiC和GaN双十强！华润微电子荣获2025行家极光奖两项殊荣

　　12月4日，2025行家说第三代半导体年会“碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”在深圳举行。行家极光奖被誉为产业“金标杆”，华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”与“中国GaN器件十强企业(润新微)”称号，蝉联“双十强”荣誉彰显了行业对华润微在第三代半导体领域技术实力与市场地位的高度认可。　　华润微依托IDM商业模式优势，在第三代半导体领域深耕多年，产品技术规模国内领先，SiC和GaN产品销售收入同比实现高速增长。　　华润微电子再度荣膺“中国SiC器件IDM十强企业”　　在SiC领域，公司最新SiC MOS G4与JBS G3平台已全部量产，基于MOS G4平台开发了650V/1200V两大电压共数十颗产品，陆续通过AEC-Q101认证;相较于G2代产品，G4代产品RSP下降20%，Ron温升系数也优化下降，功率密度和转换效率显著提升。器件支持QDPAK、TOLT、MSOP等顶部散热封装，适用于OBC、AI服务器电源等高功率密度场景。模块方面，基于G4芯片的HPD/DCM/VD3等封装的主驱模块产品完成系列化，最低导通电阻仅1.6mΩ，系统损耗再降一档，目前部分产品已实现批量上车。　　技术布局上，8英寸SiC MOS于2025年8月顺利产出，参数、良率均达预期，已经开始产品系列化工作。2200V高压平台完成验证并启动系列化，公司实现650V-2200V全电压段一站式覆盖，自有晶圆产线掌握核心工艺，良率与质量管控满足高端车规，新能源汽车、充电桩、光伏、数据中心等标杆客户均已稳定批量提货。　　华润微电子再度荣膺“中国GaN器件十强企业(润新微)”　　在GaN领域，华润微在技术迭代、产能建设与客户合作等多个维度取得关键突破。针对不同电压等级GaN器件，公司采取双轨技术路线：在650V及以上高压器件领域，公司首先采用D-mode技术路线并依托6英寸晶圆产线实现规模化量产。其中，600V-900V产品已完成G3迭代,且进入了量产阶段,G4平台的大功率工控类产品已成功通过客户验证，并完成DFN、TOLL、TOLT、TO-252、TO-247、TO-220等多类封装规格的拓展适配，G5平台已启动研发。　　在40V-650V器件领域，公司同步采用E-mode技术路线，并依托8英寸晶圆产线进行生产。G1平台的工艺开发已经完成，其中40V双向充电OVP保护器件已通过可靠性验证，进入小批量试产阶段并进入国内头部手机用户供应商序列;40V单向、80V、100V、650V等不同规格的器件研发持续推进。此外，华润微已在GaN E-mode外延结构及器件领域完成多项自有专利布局，为后续角逐高端市场竞争构筑起坚实的技术壁垒。　　产能建设方面，公司外延中心正式投用，产能稳步提升;8英寸E-mode外延能力打通，计划于年底启动研发。 D-mode和E-mode成熟工艺平台加速迭代，产品供应持续扩大;新建平台开发工作持续稳步推进，预计在较短时间内会形成产品交付能力。华润微GaN产品具有高效率、低能耗、高频率、小体积等优点，可广泛应用于手机快充、数据中心电源、5G通信电源、高端电源、伺服电机、车载信息娱乐系统及汽车、人工智能计算芯片供电、人形机器人、激光雷达等应用领域。　　在全球数字化与智能化浪潮中，以SiC和GaN为代表的第三代半导体正迎来前所未有的市场机遇期。未来，华润微电子将坚持技术引领，坚定全产业链布局，加速SiC和GaN产品迭代与产能释放，以更高效、更可靠的半导体解决方案，助力客户实现价值突破，携手产业链伙伴共同推动第三代半导体产业的创新升级与可持续发展。
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发布时间：2025-12-09 14:28 阅读量：330 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车
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华润微电子第四代SiC MOS主驱模块批量上车

　　近日，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)SiC主驱模块板块再获重要突破，PDBG自主研发的第四代SiC MOS主驱模块成功导入某头部车企并实现批量上车。该类模块基于PDBG 1200V SiC MOS G4 平台芯片，采用ValueDual封装，6/8管并联设计，最低导通电阻1.6mΩ，兼具SiC器件低损耗、耐高温特性以及ValueDual模块的高系统兼容性、高系统效率等性能优势，在商用车主驱系统应用中表现优异。　　一、产品核心特性　　高阻断电压与低导通电阻　　驱动简单易并联　　低电感封装避免振荡　　采用AMB技术　　二、应用领域　　xEV应用　　电机驱动　　智能电网、并网分布式发电　　三、产品列表　　第四代SiC MOS平台　　已批量上车的ValueDual模块采用了PDBG自主研发的第四代SiC MOS平台的1200V 13mΩ芯片。该平台在延续第二代平台优异的栅极特性的同时，通过设计和工艺创新，进一步优化了RSP、结电容、漏电等关键参数，显著提升功率密度和运行效率，为车载充电机(OBC)、主驱、高压直流输电(HVDC)等高功率密度、高集成度的应用领域提供更高能效的系列化产品。　　PDBG已经快速完成第四代SiC MOS产品系列化，开发650V和1200V两个电压平台，推出十余个标准规格产品，同时搭配公司成熟的插件、贴片封装，包括QDPAK、TOLT等贴片顶部散热封装，产品综合性能表现优异，已成功导入OBC、充电桩、逆变器等领域的头部客户，并实现批量供货，为产业升级提供高效可靠的国产器件支持。　　第四代SiC MOS产品列表　　结语　　依托华润微电子在SiC领域长期沉淀的深厚技术积累，以及IDM商业模式所具备的独特优势，PDBG将持续对SiC产品系列进行迭代升级，不断优化产品性能。与此同时，积极开发与SiC特性相匹配的新型单管和模块封装形式，最大化发挥SiC器件的优势。未来，PDBG将凭借领先的技术和优质的产品，助力整机应用朝着高效化、轻量化的方向升级，为客户提供更具竞争力的产品选择。
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发布时间：2025-10-16 15:06 阅读量：600 继续阅读>>
30000片！<span style='color:red'>华润微</span>电子重庆12吋项目提前达成项目规划目标
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30000片！华润微电子重庆12吋项目提前达成项目规划目标

　　9月5日，华润微电子在重庆园区召开12吋功率半导体晶圆生产线产品上量专题会，会上宣布项目提前一年半达成月产出30000片目标。华润微电子董事长何小龙，重庆经信委、发改委有关领导，大基金、西永微电园等股东代表，华芯投资相关领导，华润微电子副总裁庄恒前、战略发展部总经理李金明、功率器件事业群总经理李超及重庆12吋项目团队代表等共同见证这一重要时刻。　　华润微电子副总裁庄恒前代表项目团队作项目总结报告，宣布重庆12吋项目已于2025年8月达成月产出30000片项目目标，较原规划节点提前达成。这一重要进展标志着华润微电子在重庆成功建成国内竞争优势突出的12吋车规级功率半导体晶圆制造平台，实现了高端功率芯片技术自主可控、制造全流程可信供应。　　从项目启动到产能爬坡，团队直面行业周期性波动、产能竞争加剧、高端人才紧缺及多线协同管理等挑战，始终以技术创新为根本、以责任担当为驱动、以卓越运营为支撑，一路提速攻坚——仅用一年完成产线通线，两年半即实现月产出30000片目标，不仅刷新行业同类型晶圆制造项目建设速度纪录，更提前撞线原规划节点，为功率器件制造领域树立起新的标杆。　　重庆12吋项目致力于打造对标国际一流的高端功率器件晶圆生产线，已形成五大核心竞争力：　　设备领先：全新业界主流机台占比达95%，铸就全球一流的12吋功率器件专业晶圆生产线。　　智能制造：全球顶尖品牌天车系统及自动化排产系统，匹配自动化立体仓储，打造业界领先的无人化工厂。　　技术前瞻：产品布局对标全球最新工艺代次，SGT G6、SJ G4、IGBT G7等核心技术平台全面服务汽车、AI、算力中心等高端应用领域。　　IDM一体化：配套7万平米车规级功率模块封测基地，提供一站式IDM高效服务。　　质量可靠：建立全流程车规级质量体系，配备投资超2亿元、面积超4000平米，并通过30余项CNAS认可的车规级实验室，产品在线良率稳定在99.65%以上。　　华润微电子在重庆深耕八载，已建成涵盖设计研发、外延中心、晶圆制造、封装测试、销售服务等全产业链的车规级功率半导体产业基地。以12吋月产30000片为“加速键”，华润微电子在渝晶圆产能已占重庆已建产能的半壁江山(折合8吋)，助力重庆功率半导体规模跻身全国前三。
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发布时间：2025-09-08 11:52 阅读量：922 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用
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华润微电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用

　　2025年7月14日，华润微电子功率器件事业群(简称PDBG)举办了第二次“攀登者计划”表彰活动，对“登顶”项目——《基于IGBT5的IPM模块开发及产业化》项目予以表彰，该项目在G5-IPM模块产品开发及产业化上取得显著成效。　　8吋工艺+第五代IGBT技术，PDBG快速向电机驱动市场推出G5-IPM模块　　一、产品简介　　PDBG基于华润微电子8吋功率器件晶圆产线成熟的工艺平台，快速开发并成功推出了全新的G5-IPM模块系列产品——CRM60GHXXEB系列。该系列产品采用Trench FS V IGBT技术(简称G5)，以DIP-24B封装形式呈现，覆盖600V电压平台15/20/30A电流规格，主要适用于电机驱动场景，能够有效填补工业控制领域(工业变频器、水泵、伺服电机)和智能家电(空调压缩机)的市场需求缺口。　　CRM60GHXXEB系列G5-IPM模块的性能显著优于采用Trench FS III IGBT技术(简称G3)的IPM模块。通过优化动态特性及增强抗闩锁能力，CRM60GHXXEB系列产品能够为用户提供更高效、可靠的解决方案。这一突破不仅彰显了PDBG在功率器件领域的技术实力和创新能力，更体现了其对市场需求的敏锐洞察和快速响应能力。　　△ CRM60GHXXEB 封装外形　　二、产品性能优势　　G5系列产品，采用先进的8英寸晶圆工艺，相较于G3系列产品，晶圆良率大幅提升，芯片结温提高至175℃，饱和压降降低10%，开关速度提升，开关损耗降低35%。模块化封装后，产品在高温环境下的工作特性与运行稳定性方面表现更加优异。　　(1)导通损耗：以600V 15A器件为例，在轻载工况下，G5-IPM模块内置IGBT的导通损耗明显低于G3及友商同规格产品，内置FRD的导通损耗在全工况下表现优异，使得G5-IPM模块的综合导通损耗表现更佳。△G3/G5-IPM模块的VCESAT与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的VF与友商产品对比　　(2)开关特性：G5-IPM模块的开关损耗与友商同规格产品接近，较G3有显著提升。同时，通过优化开关波形，提升开关速度，优化开通dV/dt，有效降低了关断尖峰电压应力，提升了EMI表现。△G3/G5-IPM模块的开通损耗与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的关断损耗与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的关断尖峰与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的开通dV/dt与友商产品对比　　综上，PDBG的G5-IPM模块在温升控制与效率提升方面表现出色，适配变频器、伺服电机、空调压缩机等应用场景，为设备的高效稳定运行提供坚实保障。此外，基于8英寸晶圆工艺量产的Trench FS V IGBT，通过规模化生产优势实现了制造成本优化，为市场提供了更具性价比的高性能产品。　　三、产品应用优势　　G5-IPM模块凭借其优异的性能(较G3-IPM开关损耗降低33%)和显著提升的FT良率(较G3-IPM提高1~2个百分点)，展现出强劲的市场竞争力。目前，该模块已连续半年向变频器领域头部客户实现大批量供货，同时在伺服控制领域顺利通过标杆客户验证。　　该系列产品是专为伺服控制、泵类以及低功率变频器等应用精心设计的一款三相智能功率模块(IPM)。该模块集成了6颗低损耗的第五代IGBT和2.5代FRD，同时还具备欠压保护、过流保护、故障输出以及温度输出功能。　　产品列表　　四、应用案例　　在伺服驱动及变频水泵领域，PDBG可提供功率段小于2200W的解决方案，主要应用拓扑图如下：　　随着8英寸Trench FS V工艺的成熟，PDBG已快速完成G5-IPM模块的系列化开发。凭借更低的导通压降与开关损耗，G5-IPM模块为工业控制和智能家电领域提供了更高效、更可靠的解决方案。　　未来，PDBG将坚持创新驱动发展，优化现有产品性能，打造华润微IPM品牌的差异化竞争优势，并全面推进系列化产品开发，助力工业控制及智能家电产业客户实现产品升级;同时，公司将通过核心技术突破和全产业链协同创新，推动产品进入汽车空调等领域。我们期待与更多合作伙伴携手，共同构建绿色高效的产业新生态!
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发布时间：2025-07-18 11:38 阅读量：1411 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行
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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。
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发布时间：2025-06-03 13:07 阅读量：1683 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>电子氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行
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华润微电子氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式在大连举行

　　5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式，活动以“亿芯突破·智启新程”为主题。华润微电子副总裁庄恒前，华润微电子功率器件事业群总经理李超，润新微电子总经理梁辉南，大连高新区党工委副书记、管委会主任胡凡，高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇，大连金运副总经理张作伟，达晨财智高级副总裁梁国智，华润集团战略管理部代表，润新微股东代表及员工代表出席仪式，与众多项目建设伙伴、客户及供应商代表共同见证外延生产基地启幕。　　氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式　　活动现场，公司举行氮化镓亿颗芯片庆典，庆祝氮化镓芯片成功出货一亿颗，标志着公司迈入了新的发展阶段，具有里程碑意义。　　华润微电子及功率器件事业群管理层、润新微电子管理团队、大连高新区有关领导、项目建设代表共同为外延生产基地通线剪彩。润新微电子外延生产基地从立项到建成仅用九个月，采用了前沿的工艺技术和创新理念，致力于打造国内一流、国际领先的外延片生产基地。　　华润微电子副总裁庄恒前致辞　　华润微电子副总裁庄恒前在致辞中对长期以来给予华润微电子、润新微电子鼎力支持的大连高新区政府、投资机构及合作伙伴致以诚挚的感谢。他介绍了华润微电子在第三代半导体领域的业务布局和技术优势，并强调润新微电子是公司在氮化镓赛道进行战略规划的关键战略举措。润新微电子外延生产基地的建成，标志着华润微电子在氮化镓产线布局上实现新的关键里程碑。未来，华润微电子将依托该生产基地，结合自身在氮化镓晶圆制造及封测领域的技术优势，通过共享市场销售网络、提供资金保障等措施，助力润新微电子成为国内氮化镓细分领域领军企业。　　嘉宾致辞　　大连高新区党工委委员、管委会副主任国翔宇在致辞中对华润微电子在大连的投资成效表示感谢，希望华润微电子持续深耕半导体领域，充分发挥行业龙头带动效应，加速战略性新兴产业的集聚，为大连高新区的新质生产力发展注入源源不断的强劲动能。　　嘉宾互动　　2022年，华润微电子通过战略投资控股润新微电子，加速了公司在氮化镓领域的战略布局。近年来，依托华润微电子的IDM全产业链资源优势，润新微电子在D-mode氮化镓领域持续深耕，构建起从外延材料制备到器件工艺优化的完整技术链条，成功与电源管理等领域的头部客户达成合作，市场品牌影响力大幅提升。2024年，基于“战略所向、经营所需”的双重考量，华润微电子投资建设润新微电子外延生产基地，通过垂直整合核心制造环节，进一步夯实了在外延能力上的竞争优势。活动当天，与会人员共同参观了华润微电子氮化镓外延基地生产线，深入了解生产线布局及工艺流程。　　展望未来，华润微电子将继续秉持创新驱动理念，进一步加大研发投入，持续深化宽禁带半导体等高端领域布局，以更高标准不断提升产品性能和质量，精准满足市场对高端外延片日益增长的需求。同时还将积极强化与产业链上下游企业的深度合作，携手共进，共同攻克技术难题，完善产业生态，全力推动半导体产业链的协同发展，向着更高层次、更深领域探索前行，为我国半导体产业的自主可控、安全可靠持续贡献力量，助力第三代半导体等高端应用市场蓬勃发展。
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发布时间：2025-05-19 09:43 阅读量：1117 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>集成电路“降压型LED恒流驱动器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖
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华润微集成电路“降压型LED恒流驱动器QPT4115”荣获“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖

　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　2025年5月14-15日，由中国集成电路设计创新联盟、中国汽车芯片产业创新战略联盟、上海市汽车工程学会联合主办的第十二届汽车电子创新大会暨汽车芯片产业生态发展论坛(AEIF 2025)在上海召开。　　大会期间，华润微集成电路(无锡)有限公司(以下简称ICBG)研发的"降压型LED恒流驱动器QPT4115"荣膺“2025年度汽车电子·金芯奖”创新应用奖。该奖项经《国产车规芯片可靠性分级目录》编委会专家评选，是汽车电子领域具有标杆意义的荣誉。　　ICBG依托深厚的技术积累和对市场需求的精准把握，打造了自主创新的车规级芯片技术矩阵，为智能汽车提供「感知-决策-执行」全链路解决方案，并已成为多家头部新能源车企的战略供应商。未来，ICBG将秉持创新引领发展的理念，专注于研发具有全球竞争力的车规级芯片，为汽车电子领域提供高性能、高可靠性的核心部件产品。
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发布时间：2025-05-19 09:31 阅读量：816 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>：2024年营收过百亿，一季度净利润增长150.68%
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华润微：2024年营收过百亿，一季度净利润增长150.68%

　　4月29日晚间，华润微披露2024年度业绩报告及2025年第一季度报告。报告显示，华润微2024年全年实现营业收入101.19亿元，同比增长2.20%;实现归属于母公司所有者的净利润7.62亿元。其中，第四季度实现营业收入26.47亿元，同比增长11.65%，实现归属于母公司所有者的净利润2.63亿元，环比增长20.18%，盈利能力持续改善。2025年一季度，华润微实现营业收入23.55亿元，同比增长11.29%;实现归属于母公司所有者的净利润0.83亿元，同比增长150.68%，保持增长的态势。　　重大项目稳步推进，全产业链优势加快释放　　2024年，华润微以重大项目为抓手，加速产能升级与技术创新，为长期增长筑牢根基，在半导体行业的激烈竞争中展现出强大的发展韧性与潜力。　　重庆12英寸功率半导体晶圆生产线项目成为华润微功率器件产品高端化转型的关键。依托12吋晶圆产线的技术优势，公司加快开发及产业化中低压MOSFET、高压MOSFET及IGBT等高端产品，并持续推动产品上量和关键客户导入与供应保障。2024年，相关产品在车载充电机、域控、服务器、BMS等多个关键应用场景实现规模化交付，带动泛新能源领域收入占比提升至41%。　　深圳12英寸集成电路生产线项目于2024年底顺利通线，为华润微在特色工艺与IDM模式下构筑的“战略高地”再添关键支柱，彰显了华润微在集成电路领域稳步前行的坚实步伐。该产线聚焦40纳米以上模拟特色工艺，专注于功率器件、射频器件等特色工艺产品，全面服务消费电子、工业控制、新能源汽车等核心领域。　　先进封测基地项目则通过技术迭代与产能扩张，逐步实现功率半导体产品模块封装、晶圆中道生产线、面板级封装、第三代半导体封装等技术领先门类全面覆盖，加快模块、功率器件新品开发及上量。2024年，华润微的先进封装(PLP)业务营收同比增长44%，SiP模块封装实现大规模量产，先进封测基地润安项目功率封装业务营收同比增长237%，IPM模块封装也实现大规模量产。　　高端赛道布局加速，战略锚定未来增长极　　主流机构预测2025年全球半导体市场规模将突破6900亿美元，营收增长区间为11%-15%。WSTS预测2025年全球半导体营收同比将增长11.2%，达到6972亿美元。按细分品类看，2025年增速最快的前三名是逻辑、存储和传感器，分别增长16.8%、13.4%和7.0%。受汽车和工业需求影响，微处理器/控制器、分立器件分别增长5.6%、5.8%。模拟芯片触底回升明显，同比增长4.7%。根据Gartner预测，2025年全球半导体收入将增长至7050亿美元，同比增长12.6%。市场调研机构IDC预测，在人工智能、高性能计算需求增长的推动下，2025年全球半导体市场将同比增长15%。其中，存储领域增幅有望超过24%，非存储领域预计增长13%。　　在此背景下，华润微以汽车电子、工控等高端应用为落脚点推动多元化发展，探寻产业链协同深度，实现核心能力沉淀与创新突破，市场拓展和客户增长取得了成效，产品在终端应用中进一步升级。2024年，在第三代半导体领域，华润微依托IDM全产业链优势，加速推进碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术迭代与产业化进程。其SiC MOS G2 Rsp水平已达国际领先品牌主流产品水平，SiC JBS G3功率密度水平达到国际领先，车规级SiC模块配合主流车企完成认证并实现批量供货，覆盖新能源汽车、光储逆变等核心市场，销售额保持快速增长。氮化镓业务同样表现亮眼，G3产品全面量产，G4大功率工控类产品加速导入市场，同时启动G5平台研发，构建新一代技术储备。公司凭借SiC和GaN产品的优异性能，荣获“中国SiC IDM十强企业”“中国GaN器件十强企业”等多项行业殊荣，品牌影响力持续提升。　　华润微表示，公司将充分发挥IDM商业模式和功率器件产品组合优势，加速推进SiC和GaN技术平台的迭代升级和系列化发展，致力于为汽车电子、数据中心、充电桩、光储逆变、高端消费等核心市场客户提供更具优异性价比的产品组合。此外，华润微还将重点聚焦高端传感器领域，不断夯实制造能力并丰富工艺组合，持续强化 CMOS+MEMS 技术优势，进一步提升压力传感器、硅麦克风、惯性传感器和光电传感器等产品的技术能力，推动健康检测光传感器的系列化发展，以满足市场对高性能传感器的不断增长的需求，为公司在高端传感器领域的发展注入新的动力。　　展望未来，以人工智能、大数据激发出的巨大算力需求为代表，人工智能及相关应用、新能源汽车、先进封装等新兴产业的发展，将推动全球半导体产业保持强劲的增长态势。可以预见，华润微将借力这一发展潮流，充分释放重大项目产能优势，以创新为驱动，在“新兴市场”赛道上加速奔跑，更以前瞻性视野，面向“未来市场”提前播种，引领半导体产业的创新与发展。
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发布时间：2025-04-30 17:31 阅读量：966 继续阅读>>
<span style='color:red'>华润微</span>第七代高性能IGBT系列产品，助力工业应用提频增效
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华润微第七代高性能IGBT系列产品，助力工业应用提频增效

　　基于华润微电子12吋功率器件晶圆产线的先进工艺能力，华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)快速开发并成功推出第七代(Trench FS Ⅶ)高性能IGBT系列产品，覆盖650/750/1200V电压平台，为光伏逆变器及储能系统、UPS、SVG等应用领域提供了有效的提频增效解决方案。　　PDBG第七代IGBT介绍　　PDBG第七代IGBT采用微沟槽工艺，通过优化元胞设计和寄生电容参数，同时在更薄芯片的基础上调制背面FS层轮廓，有效降低导通压降和开关损耗，显著提升高温特性、可靠性、鲁棒性及并联适配性。　　PDBG第七代IGBT产品优势　　以图3和图4所示650V 120A器件为例，解析PDBG第七代IGBT的正向导通压降和开关损耗。在常温及高温情况下，相较于行业同规格产品，第七代IGBT具有更优的饱和压降，更小的温度变化率。在Ic=120A条件下，第七代IGBT在常/高温下Eon、Eoff、Etotal均为最优，总开关损耗较友商低至少15%。由此，PDBG第七代IGBT在温升改善和效率提升方面展现出明显的性能优势，高度适配光伏、储能应用场景。　　PDBG第七代IGBT芯片搭配高性能第三代FRD，产品Vth、Vcesat、Vf 等参数一致性表现优异，高压开关波形稳定平滑，确保并联应用高可靠性。产品已在储能及光伏逆变器、UPS等领域完成验证，并实现头部客户批量供货。　　在光伏应用领域，PDBG可提供全套功率器件解决方案。以一台20kW裂相机T型三电平光伏逆变器为例，其逆变拓扑中共使用8颗第七代IGBT，分别为4颗650V 120A H系列IGBT和4颗750V 120A H系列IGBT(见下表)。　　依托12吋先进工艺平台与持续的研发投入，PDBG快速完成第七代IGBT产品系列化，已拓展650V、750V、1200V三个电压平台，电流覆盖40A~160A，该系列产品可有效降低系统损耗、显著提升系统效率，助力工业应用提频增效。PDBG第七代IGBT系列化产品的推出既丰富了公司IGBT产品矩阵，更标志着公司具备量产高端IGBT的能力。未来，PDBG将以核心技术突破驱动产品迭代，以全流程品控保障产品性能稳定，以多元产品满足不同领域客户需求，以高效响应的服务为客户创造价值。
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发布时间：2025-04-30 16:35 阅读量：881 继续阅读>>
双奖加冕！<span style='color:red'>华润微</span>电子荣登CIAS2025“龙虎榜”并斩获“明星产品奖”
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双奖加冕！华润微电子荣登CIAS2025“龙虎榜”并斩获“明星产品奖”

　　近日，CIAS2025动力•能源与半导体大会在苏州成功举办。华润微电子凭借在化合物与功率半导体领域的技术突破和产业化能力，荣登该领域企业“龙虎榜”。其超结MOS功率半桥模组CRJMH74M65EMAQ，因在电动汽车领域的出色性能，荣获CIAS2025年度“电动车领域功率半导体明星产品奖”。　　1.深度布局第三代半导体，荣登“龙虎榜”　　在全球半导体调整周期，华润微电子作为国内百亿级半导体企业，凭借全产业链运营能力，专注核心技术突破，持续推动产品创新和应用升级，为国内半导体产业链的安全与韧性提供了有力支撑。多年来，华润微电子深度布局第三代半导体，依托深厚的硅基器件设计研发积淀和制造资源优势，推动产品研发迭代与制造工艺验证，SiC、GaN研发与产业化取得显著进展，荣登化合物与功率半导体企业“龙虎榜”。　　2.稳定供货+市场认可，斩获CIAS2025“明星产品奖”　　CRJMH74M65EMAQ是华润微电子功率模组领域极具代表性的产品，它采用自主研发的多层外延超结MOS芯片和MSOP系列封装外形，兼具芯片的高可靠性、强鲁棒性、低开关损耗以及封装具备的高功率密度、低功耗、小体积、高散热等优势，并通过车规可靠性考核，可应用于新能源汽车OBC&DC-DC以及其他桥式拓扑电源领域。　　自2023年5月推出以来，该系列产品在国内市场快速崛起，已向国内多家头部新能源车企稳定批量供货近两年，凭借优异性能和可靠品质赢得了客户的高度认可与良好市场口碑。得益于华润微电子的IDM模式，该系列产品具备强大的供货能力，能够充分满足大批量市场需求。此外，专业的应用测试团队可深入客户端进行测评分析，而CNAS认证实验室则全方位保障产品性能，为客户提供坚实的技术支持。　　此次双奖加冕，既是行业对华润微电子车规超结模组技术实力与市场表现的高度认可，也是对华润微电子在化合物与功率半导体领域综合竞争力的充分肯定。未来，公司将持续以“创新技术、卓越品质和敏捷服务”为核心，加快推进高性能、高可靠性的车规级产品研发与量产，助力新能源汽车产品升级;同时，公司将进一步深耕第三代半导体技术的预研储备与产业化，为芯片国产化进程注入强劲动能。
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发布时间：2025-04-25 09:49 阅读量：967 继续阅读>>

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