<span style='color:red'>士兰微</span>12英寸芯片生产线项目迎来最新进展
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士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展

　　12月17日，士兰微(600460.SH)发布公告称，公司与厦门方面合作的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目已获厦门市备案，标志着该项目正式进入落地实施阶段。　　该项目一期投资100亿元，其中资本金60.10亿元，项目由合资公司厦门士兰集华微电子有限公司实施，目标建成月产能2万片。　　对外投资概述　　杭州士兰微电子股份有限公司于2025年10月18日与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微电子有限公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　根据《战略合作协议》和《投资合作协议》，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称“士兰集华”)”，作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。一期项目投资100亿元，其中资本金60.10亿元，建成后形成月产能2万片。　　此前10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子股份有限公司正式签署战略合作协议，决定在海沧投资建设一条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，项目规划总投资达200亿元。　　根据士兰微的公告，该项目由公司联合全资子公司厦门士兰微，与厦门半导体投资集团、厦门新翼科技实业共同向子公司士兰集华增资51亿元，作为项目实施主体。项目计划分两期建设，一期投资100亿元，主要用于建设主体厂房、配套库房等设施，计划于2025年年底前开工建设，2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，届时将形成月产能2万片的规模。二期项目规划投资100亿元，在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片，对应年产量54万片。　　据悉，这条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化(IDM)模式运营，拥有完全自主知识产权。其产品主要面向汽车电子、工业控制、新能源、通信等高端应用领域，有望填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白。
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发布时间：2025-12-18 14:44 阅读量：214 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级
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士兰微电子加入OCTC开放计算标准工作委员会，助力AI服务器电源系统创新升级

　　2025年11月，杭州士兰微电子正式加入开放计算标准工作委员会。开放计算标准工作委员会(Open Compute Technology Committee)，简称OCTC，是中国电子工业标准化技术协会所属分支机构，主要成员来自数据中心上下游产业单位，旨在联合最终用户、系统厂商、核心组件供应商、科研院校，建立适用于新型数据中心的先进技术标准，完善产业链生态，推进产业健康、快速发展，满足国家对于数据中心绿色、集约、高效发展的要求。　　开放共建，协同创新，共筑芯未来　　杭州士兰微电子股份有限公司是国内最具规模、产品门类齐全的半导体IDM企业之一，已构建完整的IDM经营模式，覆盖从芯片设计、制造到封装的全产业链环节。公司拥有5吋、6吋、8吋和12吋的多条硅芯片生产线，以及6吋和8吋SiC功率器件芯片生产线。　　依托在功率半导体领域的深厚积累，士兰微电子为人工智能数据中心电源系统提供了“功率器件 + 电源管理IC”整体解决方案，包含SiC、GaN、DPMOS、LVMOS、Multiphase Controller IC、DrMOS、eFuse、POL等产品系列，全面支持AI服务器电源系统中SST、HVDC、PSU、IBC、Hotswap、BBU、VRM等应用，持续赋能算力基础设施发展。　　士兰微电子人工智能数据中心电源系统产品方案(Powering AIDC)　　展望未来，随着人工智能(AI)技术快速发展，数据中心作为数字经济重要基础设施，对能源消耗需求日益增加。应对AI数据中心的碳排放挑战，士兰微电子通过功率半导体技术和产品创新，助力提升数据中心“从电网到核心”全链路能源转换效率，为实现数据中心绿色、高效、可持续发展贡献“芯”力量。
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发布时间：2025-12-10 17:20 阅读量：317 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户
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士兰微电子荣获行家极光奖三项大奖，以技术实力持续赋能客户

　　近日，在深圳举办的“2025行家极光奖”颁奖典礼上，士兰微电子凭借在碳化硅(SiC)领域的持续创新与深厚积累，一举斩获三大奖项：“中国SiC器件IDM十强企业”、“中国SiC模块十强企业”以及“第三代半导体年度创新产品”。　　此次获奖，不仅是对士兰微电子全产业链整合能力与技术实力的高度认可，也体现了我们在SiC器件与模块领域的行业引领地位。作为国内少数具备设计、制造、封测一体化能力的IDM企业，我们始终致力于实现关键技术自主可控，保障产能稳定供应，助力客户实现更优成本与更高性能。　　荣获“年度创新产品”的ZPAK 4 Die SiC模块(型号：SSM2R1PB12EZ1BTFM)，是杭州士兰微电子股份有限公司和致瞻科技(上海)有限公司联合开发的高性能功率模块。该产品采用自主研发的第四代平面栅SiC芯片，在极小体积内实现高功率密度与低系统杂感，并内置高精度温度采样功能，响应更迅捷，性能更稳定，为新能源汽车客户提供高效可靠的系统解决方案。　　每一份荣誉，都是前进的动力。士兰微电子将继续深耕第三代半导体技术，坚持以创新驱动发展，以更优质的产品与服务，与客户携手共进，助力产业升级，共创绿色高效的未来。
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发布时间：2025-12-10 17:19 阅读量：315 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”
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士兰微推出三电平拓扑模块SGM600TL14D6TFD 为逆变器“强芯赋能”

　　近期，国家发改委、能源局联合印发了《新型储能规模化建设专项行动方案(2025—2027年)》，发挥新型储能支撑建设新型能源体系和新型电力系统作用，培育能源领域新质生产力，进一步扩大内需，推动新型储能规模化建设和高质量发展。　　这标志着新型储能发展进入规模化建设新阶段。“光伏+储能”已不再是可选项，而是必然趋势。对于逆变器厂商而言，这既是机遇，也是挑战——如何打造更高效率、更可靠、更能适应市场化竞争的光储产品?　　一、逆变器迎来“升维”挑战　　当前，光伏行业正经历新一轮的变革。一方面，光伏、储能应用场景对逆变器的效率、功率密度要求高，主流光伏组串逆变器的功率正从320kW向450kW+迈进，设备亟需“减重增肌”;另一方面，储能装机规模激增，光储深度融合对逆变器的转换效率、功率密度和长期可靠性提出了近乎苛刻的要求。　　与此同时，全国范围内新能源上网电价市场化改革全面推进，光伏电站的收益将直接由市场交易决定。这意味着，逆变器的每一分效率提升、每一处可靠性增强，都将直接转化为电站业主的真金白银。　　核心的突破口，就在于逆变器的“心脏”——功率半导体。　　二、士兰微三电平拓扑模块的特点　　面对行业挑战，士兰微电子基于完全自主研发的高密度沟槽工艺IGBT芯片技术，推出了SGM600TL14D6TFD三电平拓扑模块。它并非简单的部件升级，而是为应对下一代光储2kV系统设计的功率器件半导体解决方案。　　该方案采用最新的FS5+IGBT芯片技术，实现光伏新能源转换效率最大化;采用士兰自主开发D6封装：可选焊接和压接，可满足2kV系统安规要求。　　01 为何它能提升效率?　　核心在于“三电平拓扑”与“低损耗芯片”　　“三电平拓扑”结构相比传统的两电平拓扑有两方面的优势：一是可以用低电压规格芯片满足高电压应用场景，一般来说，功率器件的电压越低，同等条件下损耗越低，采用低电压规格芯片可以提升效率;二是三电平技术开关电压只有半bus电压，开关损耗近似只有两电平的一半，也可带来效率的提升;另外，开关电压减半，dv/dt也近似减半，可降低功率器件开关的电磁干扰。　　假如把传统的两电平技术比作单档位的汽车，提速慢且费油。那么三电平技术则像一台多档位变速器，换挡更平顺(开关损耗降低近一半)，运行更安静(电磁干扰EMI显著减小)，从而让能量转换一路“畅通无阻”。　　更重要的是，士兰SGM600TL14D6TFD模块采用了士兰微最新一代FS5+微沟槽IGBT芯片，其本身的导通损耗和开关损耗就更低。“低VCE(sat)”特性让电流通过时的“阻力”更小，如同拓宽了高速公路，减少了拥堵和能量浪费。　　02 为何它能助力设备小型化?　　秘诀是“高电流密度”与“高开关频率”　　组串电站光伏逆变器的发展趋势是提升功率，且逆变器体积要小、重量不能增加太多。士兰SGM600TL14D6TFD模块具有“高电流密度”与“高开关频率”的特性，可以提升芯片的通流能力、降低功率器件的损耗，提升逆变器的效率。　　“高电流密度”意味着在同样大小的芯片面积上，能通过更大的电流，这直接允许逆变器在功率大幅提升的同时，不必被迫使用更庞大的散热系统。　　同时，“低开关损耗”使得逆变器可以运行在更高的开关频率下，低损耗使得散热器尺寸更小，减小了外围无源器件的体积和成本，从而降低了整机成本。　　这带来的直接好处是：逆变器后端的电感和电容等磁性元器件的体积可以做得更小。两项技术结合，共同实现了逆变器“功率提升，体积不增”的轻量化设计。　　03 为何它更可靠?　　凭借“正温度系数”与“铜底板技术”　　光伏、储能应用场景对逆变器的可靠性要求越来越高，光伏逆变器和储能变流器生命周期长，对模块的长期可靠性要求高，对模块的芯片和封装都提出了严苛的要求，芯片和封装175℃结温下要求满足长期可靠性要求，封装要求满足高功率循环和温度循环能力。　　在需要多芯片并联的大功率模块中，最怕的就是“有的芯片忙死，有的芯片闲死”。“正温度系数”就像一个自动调节系统：当某个芯片因电流过大而温度升高时，其自身电阻会略微增大，从而抑制电流的继续增加，实现了芯片间的“均富济贫”，确保了系统在高温下的稳定运行。　　此外，模块采用的“铜底板技术”其导热性更好，能快速将芯片产生的热量均匀散开，避免局部“高烧”。这不仅提升了散热效率，其更大的热容量还能“熨平”温度波动，显著提升模块在严苛环境下的使用寿命。　　三、客户价值：从技术参数到商业收益的直观转化　　对于逆变器制造商和终端电站投资者而言，SGM600TL14D6TFD模块带来的价值是清晰可量化的：　　支持功率跃迁：当前光伏组串电站整机大多为320kW，士兰SGM600TL14D6TFD模块支持整机功率提升至500kW@16kHz、450kW@24kHz，且支持系统电压提升到2kV。　　显著降低系统成本：对于一个既定容量的电站，逆变器用量可减少约40%，相应的电缆、施工、土地等建造成本也随之下降。据某行业标杆客户参考数据，按100G瓦的装机容量计算，在整个光伏电站的生命周期里，因电压提升就可以带动收益约165亿元人民币。　　提升市场竞争力：在电价市场化交易中，更高的逆变器效率意味着在同等光照条件下能有更多电力上网交易，直接提升电站收益;模块的高可靠性也保障了电站在沙漠、沿海、高海拔等多样环境下的长期稳定运行，减少运维开支。　　四、携手士兰，共创光储未来　　士兰微电子作为国内少数拥有“芯片设计-晶圆制造-封装测试”全产业链能力的IDM企业，始终致力于以持续稳定的产能供应、敏捷高效的技术响应以及具备竞争力的成本优势，为客户创造长期价值。　　在光储充赛道，士兰微电子已打造出覆盖Si基IGBT分立器件与模块、MOS分立器件，SiC基MOS分立器件与模块、SBD分立器件，以及Si基和SiC混合模块方案的完整产品矩阵。这些产品在功率密度与能效方面表现卓越，助力系统效率不断突破。　　展望未来，士兰微电子期待与您同行，以自主“芯”动力，共创光储新标杆，携手迈进绿色能源新时代。
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发布时间：2025-11-10 13:40 阅读量：509 继续阅读>>
200亿！<span style='color:red'>士兰微</span>拟投在厦门建设12英寸芯片生产线
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200亿！士兰微拟投在厦门建设12英寸芯片生产线

　　10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府、杭州士兰微电子股份有限公司在厦门签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》，计划投资200亿元在厦门市海沧区投资建设一条对标国际领先水平、以IDM模式运营、拥有完全自主知识产权的12英寸高端模拟集成电路芯片生产线。10月19日晚间，士兰微正式发布公告，详细介绍了该项投资合作。　　士兰集华为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体。士兰集华成立于2025年6月，目前尚未产生营业收入。　　项目规划总投资200亿元　　公告显示，为加快完善士兰微在半导体产业链的布局，公司与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府于10月18日在厦门市签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技于同日签署《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　依据上述协议，士兰集华作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。该项目规划总投资200亿元，规划产能4.5万片/月，分两期实施。　　一期项目投资100亿元(其中：资本金60.1亿元、占60.1%，银行贷款39.9亿元、占39.9%)建设主体厂房、配套库房、110KV变电站、动力站、废水站、大宗气站等公用辅助设施以及部分工艺设备购置，建成后形成月产能2万片;二期项目规划投资100亿元，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片(年产54万片)。　　士兰集华一期项目资本金为60.1亿元，本次拟新增的注册资本为51亿元，由士兰微及厦门士兰微与厦门半导体、新翼科技以货币方式共同认缴，其中：公司和厦门士兰微合计认缴15亿元，厦门半导体认缴15亿元，新翼科技认缴21亿元。本次出资无溢价。本次增资完成后，士兰集华的注册资本将由0.1亿元增加至51.1亿元。一期项目资本金中剩余的9亿元由后续共同引进的相关其他投资方认缴出资。　　二期项目规划投资100亿元，在一期项目的基础上实施(暂定其中60.1亿元为资本金投资，其余39.9亿元为银行贷款)，具体方案需各方在完成相关审批流程后，另行签署投资协议等相关文件。　　士兰集华目前注册资本为1000万元，全部由士兰微以货币方式出资。士兰集华目前处于项目前期筹备阶段，尚未产生营业收入。　　上半年业绩同比扭亏　　士兰微2025年半年报显示，公司专注于硅半导体、化合物半导体产品的设计与制造，向客户提供高质量的硅基集成电路、分立器件和化合物半导体器件产品。　　2025年上半年，公司实现营业收入63.36亿元，同比增长20.14%;实现净利润2.65亿元，同比扭亏为盈。　　对于下半年市场情况，士兰微在最新披露的投资者关系记录表中表示，下半年特别是第四季度是汽车市场的旺季，也是白电市场的旺季，公司会处在产销紧平衡的状态。其他消费、工业板块预估维持上半年状态。
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发布时间：2025-10-21 15:10 阅读量：664 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>电子车载线性稳压器解决方案 为汽车电子提供稳定可靠的电源保障
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士兰微电子车载线性稳压器解决方案 为汽车电子提供稳定可靠的电源保障

　　SQ78/78M/317系列　　在汽车电子系统日益复杂的今天，稳定的电源是保证汽车ECU、传感器、信息娱乐系统等关键部件正常运行的基础。士兰微电子近期推出了一系列通过AEC-Q100认证的车规级线性稳压器，为各类汽车应用提供高效、可靠、高性价比的电源管理解决方案。　　PART 01 产品概述　　士兰微电子SQ78/78M/317系列线性稳压器芯片专为应对苛刻的汽车电子环境而设计。产品可以直接连接汽车电池，具备40V的宽输入电压范围，支持瞬态电压高达42V，可以满足汽车冷启动及启停工况下正常工作。　　该系列产品提供5V、12V、15V、18V等多种固定输出电压版本，满足不同用电芯片的需求;同时提供输出电压可调(1.25V至37V)型号，为定制化设计提供高度灵活性。系列中不同型号可提供500mA或1A的持续输出电流，并全面集成了过流保护、输出短路保护及过温保护功能，构筑起坚固的安全防线，极大提升了系统的可靠性与使用寿命。　　器件支持-40℃至125℃的宽工作温度范围，符合汽车级应用标准，并提供SOT-223、TO-252等多种封装形式，满足不同设计需求。　　PART 02 封装支持　　PART 03 产品特性　　AEC-Q100车规级认证　　工作温度范围：-40℃~125℃　　最大输入电压：40V　　输出电压范围：　　①固定输出：5V、12V、15V、18V　　②可调输出：1.25V~37V　　输出电流范围：　　①SQ78系列：1A　　②SQ317、SQ78M系列：500mA　　集成过流保护，输出短路保护，过温保护功能　　PART 04 典型应用场景　　本系列线性稳压器芯片广泛应用于需要高质量、高可靠性电源的汽车电子领域，是主驱、辅驱系统、电池管理系统(BMS)、车载充电机(OBC)、助力转向(EPS)、车身域系统的理想选择。　　PART 05 产品选型　　士兰微电子SQ78/78M/317系列线性稳压器以车规级的标准、稳健的性能和丰富的产品组合，为汽车电子系统提供了高效、安全、可靠的电源解决方案。无论是在复杂的电磁环境中，还是在极端的温度条件下，该系列产品都能保障供电的持续稳定，助力提升整车电气系统的安全性与可靠性。
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发布时间：2025-08-26 10:50 阅读量：754 继续阅读>>
投入达15亿，<span style='color:red'>士兰微</span>汽车半导体封装二期项目奠基
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投入达15亿，士兰微汽车半导体封装二期项目奠基

　　2025 年 7 月 23 日上午，成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目奠基仪式在金堂县淮口镇成阿工业集中发展区隆重举行。此次奠基标志着该项目正式进入建设实施阶段，对于推动成都半导体产业发展、提升汽车半导体封装能力具有重要意义。　　成都士兰汽车半导体封装项目(二期)由杭州士兰微电子股份有限公司投资建设，项目总投资达 15 亿元。据悉，该项目将新建 7.9 万平方米的厂房及配套设施设备，并对汽车级功率模块和功率器件封装生产线进行扩建。建成后，将进一步提升成都士兰在汽车半导体封装领域的生产能力和技术水平。　　杭州士兰微电子股份有限公司相关负责人在奠基仪式上表示，士兰微一直致力于半导体产业的研发与生产，成都士兰作为公司的重要布局，在过去的发展中取得了显著成绩。此次二期项目的启动，将进一步强化公司在汽车半导体领域的竞争力，为市场提供更多高品质的产品和服务。　　获悉，随着成都士兰汽车半导体封装厂房二期项目的开工建设，成都半导体产业将迎来新的发展机遇，有望在汽车半导体封装领域取得更大突破，为我国半导体产业的发展贡献更多力量。
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发布时间：2025-07-28 13:09 阅读量：1074 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”
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士兰微SiC MOSFET产品荣获2025中国创新IC“创新突破奖”

　　2025年7月11日-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会”(ICDIA 创芯展)在苏州成功召开。大会期间，由中国集成电路设计创新联盟组织开展的“2025中国创新IC-强芯评选”颁奖典礼隆重举行。士兰微电子SiC MOSFET产品SCDP120R007NB2CPW4荣获2025中国创新IC“创新突破奖”。　　“强芯评选”旨在推动自主芯片创新应用，在全国范围内评选技术领先、竞争力强、质量可靠的创新IC 产品，为系统整机、品牌终端、 用户单位提供国产优质芯片应用选型，以此深度挖掘中国芯领先产品，共建自主产业生态。其作为一年一度的国产IC推优平台，对我国自主集成电路产业创新具有重要意义。　　SCDP120R007NB2CPW4　　士兰微电子SCDP120R007NB2CPW4 (1200V 7mΩ，TO-247Plus-4L)是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，采用公司碳化硅自主工艺技术，具有极低的导通电阻(RDS(on)(typ.)=5.5mΩ)、传导损耗和开关损耗，具有较高的功率密度，能提供最佳的热性能。　　士兰微“一体化”战略　　近年来，士兰微电子深入实施“一体化”战略，通过持续推出富有竞争力的产品，持续加大对大型白电、汽车、新能源、工业、通讯和算力等高门槛市场的拓展力度，公司总体营收保持了较快的增长势头。同时，公司非常重视SiC产品的开发和应用。　　在碳化硅产品方面，士兰微已搭建起包含晶圆、分立器件、模组在内的多元产品矩阵，全面覆盖汽车主驱、汽车热管理、光伏储能、充电桩、AI服务器、工业电源等应用领域，在多家头部客户实现项目批量交付。当前士兰第二代碳化硅产品已实现稳定交付，备受期待的第四代碳化硅产品也计划于今年正式推出。　　在碳化硅产能建设方面，2025年士兰厦门碳化硅8英寸生产线将实现通线并投产，这一突破将大幅提升生产效率与规模。未来，士兰微将依托技术与产能的双重升级，为客户提供更高品质，更多元化的碳化硅产品，持续为功率半导体国产化进程注入绿色动能。　　未来，士兰微电子也将以不断发展的电子信息产品市场为依托，抓住当前半导体集成电路产业快速发展的机遇，设计与制造并举，强化投入，持续提升特色工艺集成电路产品、功率半导体、传感器的技术能力，扩大产业基础，为成为国内主要的、综合型的半导体集成电路设计与制造企业而努力。
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发布时间：2025-07-16 11:35 阅读量：1278 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>8英寸碳化硅项目披露新进展
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士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展

　　6月26日，中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目，也是厦门最大的碳化硅项目。　　项目位于福建省厦门市，总建筑面积 23.45万平方米，建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，助推厦门市第三代半导体产业加快发展。　　2024年5月，士兰微宣布拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并于2024年5月21日签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　当时消息显示，该项目拟建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。　　其中，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%;银行贷款27.9亿元，占约40%。　　第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。　　士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，他们总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。
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发布时间：2025-07-04 16:27 阅读量：723 继续阅读>>
<span style='color:red'>士兰微</span>推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000
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士兰微推出车规智控高精度车灯LED驱动IC-SQ9000

　　1.产品概述　　士兰微SQ9000是一款车规级LED驱动控制器，采用高精度峰值电流控制模式可支持BUCK、BUCK-BOOST、SEPIC、BOOST等拓扑结构的应用。这款控制器具备 4.5V 至 65V 的极宽输入电压范围，支持开关频率外部可设置，以及具备抖频调制技术，展现出卓越的EMI性能。此产品含有全面的保护功能，包括 LED 过流保护、输出过压保护、输出欠压保护、开关管限流保护和热关断保护，确保器件在各种情况下的安全稳定运行。此产品完全符合AEC-Q100 Grade1标准，适用于汽车LED前大灯、逃生指示应急照明以及LED通用照明等。　　2.SQ9000产品特点　　基于士兰优异DTI工艺平台自主开发设计——国产方案、自主可控　　宽输入电压范围4.5V--65V，适用于12V、24V电池系统——宽域适配、应用灵活　　宽温度范围内可实现±4%高精度LED恒流——全温稳流、精准调控　　支持模拟调光和PWM调光，可独立控制LED电流——独立控流、双模调光　　集成P沟道MOSFET驱动，对PWM调光信号实现快速响应——P管直驱、瞬态同步　　含有全面的保护功能，以及电流监测和故障状态指示——多重防护、状态反馈　　采用HTSSOP-20带底部散热封装——绿色封装、强化散热　　3.典型应用原理图　　4.整机DEMO　　5.车灯套片方案士兰其他可选产品
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发布时间：2025-06-10 11:02 阅读量：878 继续阅读>>

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