什么是<span style='color:red'>存储芯片</span>?有什么作用
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发布时间:2024-06-27 13:39 阅读量:858 继续阅读>>
北京君正:<span style='color:red'>存储芯片</span>价格后续可能会有微调
  近日,北京君正在接受机构调研时表示,消费类存储芯片最近价格上涨较多,主要是由于去年消费类存储芯片降价幅度大,导致一些大厂也出现亏损,它们通过限产等措施对产品价格进行保护,逐渐价格开始回升。  北京君正同时介绍,公司主要面向行业市场,近期存储芯片价格下调幅度不大,后续价格也可能会有微调,但总的来说会相对稳定,未来主要的增长还是来自量的增加;计算芯片主要面向消费市场,竞争比较激烈,所以价格变动会比较大。  北京君正同步介绍2023年四季度公司三个产品线业绩表现。其中,模拟与互联产品线环比略有增长,其他两个产品线,计算芯片和存储芯片的销售额环比有所下降,计算芯片同比增长了30%多,但环比略有下降,主要因为计算芯片面向消费市场,三四季度都是旺季,但三季度刚开始进入旺季,大家提货的需求比较旺盛,四季度因为接下来就是一季度,相对来说客户提货会谨慎一点。存储芯片方面,2023年四季度收入环比下降了约4%,总体波动不大,市场景气度没有特别的变化。毛利率总体而言去年四季度环比变化不大。  北京君正进一步介绍称,在海外市场方面,目前计算芯片仍主要在推广阶段,也有客户有批量采购的,相对来说海外市场导入慢一些,但是稳定性会比较好。存储芯片和模拟互联芯片在海外市场已有成熟的市场布局。
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发布时间:2024-05-10 11:08 阅读量:1388 继续阅读>>
AMEYA360代理 | 佰维eMMC、LPDDR<span style='color:red'>存储芯片</span>赋能电视终端流畅体验
  5G、AI、VR、AR等技术的发展,助推智能电视、机顶盒等电视终端成为智能家居领域不可忽视的重要设备。随着4K超高清(UHD)技术、虚拟现实技术(VR)和增强现实技术(AR)的普及,并向8K超高清技术不断渗透,电视终端将可以为消费者提供更清晰的视觉体验和更身临其境的观赏、游戏体验。同时,电视终端将不断创新产品功能,实现与更多智能设备的接入,例如电视终端可以与智能家庭系统和智能家居技术集成,实现智能家电控制、远程操控等,助力智能家居融合发展。  根据贝哲斯咨询数据,2022年全球智能电视市场规模达12811.47亿元,预测到2028年全球智能电视市场规模将达24011.6亿元,年复合增长率CAGR为11.04%。随着电视终端功能升级迭代以及联接更多智能家居设备,存储器作为电视终端的数据中枢,要求具备更高速、更稳定的数据存储和处理能力。佰维eMMC、LPDDR4/4X存储芯片基于严选高品质颗粒、自研固件算法、严苛测试等,具有高性能、低功耗、高可靠、高耐久等特性,助力电视终端长时间高效稳定运行。  针对最大IO延迟优化处理,护航设备长久流畅运行  在性能方面,电视终端内置操作系统的指令响应,系统和软件的不断更新,各种应用程序的流畅运转,4K乃至8K等超高清视频的解码、播放,游戏的快速加载,碎片文件的高效整理,以及智能家庭系统、智能家居等更多种智能设备的接入等等,均需要电视终端配置性能更高的存储芯片,提供高性能读写,避免因存储性能低导致电视卡顿。佰维eMMC基于自研固件算法,采用动态SLC cache模式与独特的直写方案,顺序读取、写入速度分别高达300MB/s、250MB/s,随机读取速度高达17K IOPS,同时产品对最大IO延迟进行了针对性的优化处理(最大延迟≤百毫秒),满足设备快速开机要求(<40s);佰维LPDDR4/4X的频率高达4266Mbps,相较公司上一代LPDDR3产品频率提升128%。凭借优异的性能表现,公司eMMC、LPDDR4/4X可快速响应系统指令,加速电视开机、应用启动、高清视频播放、游戏加载等,护航智能电视长久流畅运行,不卡顿。  高品质闪存颗粒+自研垃圾回收算法,产品寿命≥10年  在可靠性方面,电视终端由于连续工作,不定时的开关机,不间断进行音视频内容的解码和播放等,面临着异常掉电、冷启动、复位等问题,要求存储芯片具备高可靠性,以快速应对异常现象,确保电视终端稳定运行。此外,目前家用智能电视的更换周期一般在5年以上,对自身器件的寿命要求较高。佰维基于对半导体存储器的全维度深入理解,搭配行业先进半导体测试设备与自研自动化测试设备,自主开发测试软件平台、核心测试算法,有效地确保产品品质。其中,佰维eMMC经过了随机掉电、循环播放视频老化、reboot等多项严苛测试,可从容应对异常掉电、视频长时间播放、设备重启等场景,保证数据完整性的同时,护航设备的安全可靠运行。同时,公司eMMC采用了高品质闪存颗粒,且针对智能电视开发了独特的垃圾回收算法,产品寿命≥10年,赋能提升智能电视的整体寿命。  低功耗设计,减少设备发热  在功耗方面,电视终端狭小空间内,集成了大量元器件,大功耗器件产生的热量容易导致环境温度过高,引发元器件损坏和设备宕机等问题,要求存储芯片具备更低的功耗,以减少热量产生。依托自研固件优化,佰维eMMC工作功耗低至350mW;佰维LPDDR4X基于动态电压调节(DVFS)功能,相较于LPDDR3,LPDDR4X的VDD2由1.2V降至1.1V,VDDQ由1.2V降至0.6V,功耗降低50%以上,能有效地减少发热量,避免设备宕机等风险。  1GB~8GB LPDDR4/4X+4GB~256GB eMMC多种容量选择,满足电视终端更大容量需求  在容量方面,随着电视终端内置操作系统不断升级,各种应用程序安装、更新及长久使用后产生海量应用缓存等,要求存储芯片具备更大容量。在多层叠Die、超薄Die等先进封装工艺加持下,佰维eMMC可提供4GB~256GB多种容量选择,LPDDR4/4X可提供1GB~8GB多种容量选择,有效地满足电视终端不断增长的大容量需求。  佰维eMMC、LPDDR4/4X存储芯片具有高性能、高可靠、长寿命、大容量等特性,赋能电视终端持久高效运行,提升用户体验。佰维电视终端存储产品的优异表现背后,得益于公司研发封测一体化布局优势:一方面依托公司固件算法开发等存储解决方案研发能力,使得存储芯片兼顾高性能和低功耗,另一方面通过公司先进封测能力,保证存储芯片的高可靠性、大容量、小尺寸,实现存储芯片从需求评估、方案设计、开发验证到稳定供货的高品质端到端交付,目前公司的eMMC、LPDDR4等电视终端存储产品已进入全球知名客户的供应链体系。在智能家居领域,佰维亦面向智能音箱、智能投影、智能扫地机等智能家居设备,推出一系列嵌入式存储产品,致力于护航终端设备流畅运行,提升终端产品的竞争力。
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发布时间:2023-09-01 10:17 阅读量:2235 继续阅读>>
佰维BIWIN推出基于LPDDR4X 144球的ePOP<span style='color:red'>存储芯片</span>,已通过高通5100平台认证
  智能穿戴设备不断向多功能集成、持久续航、使用体验流畅等方向发展与升级,对存储芯片在尺寸、功耗、性能和应用调校等诸多方面提出了更高要求,ePOP存储芯片凭借小尺寸、低功耗、高性能和高可靠等特点,成为智能穿戴设备的绝佳选择。佰维存储基于前代LPDDR3 ePOP产品的成功经验,面向高端智能手表推出了基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片,方案相较前代产品频率提升了128.6%、体积减少了32%,并正式通过高通5100平台认证。  佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP采用eMMC5.1与LPDDR4X合封的形式,芯片尺寸仅为8.0mm× 9.5mm×0.8mm,ROM顺序读写速度分别高达310MB/s、240MB/s,RAM频率高达4266Mbps,容量组合最高至32GB+16Gb(未来将推出容量64GB+16Gb),是佰维面向高端智能手表推出的新一代旗舰存储解决方案。  佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP优势:  1.符合JEDEC标准,集成eMMC5.1和LPDDR4X,且通过直接贴装在SoC芯片上,赋能智能手表轻薄设计。  2.基于低功耗LPDRAM和固件优化降低功耗,且相较前代ePOP产品频率提升128.6%,兼顾低功耗、高性能。  3.具有全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法、支持FFU升级等功能,且支持-20℃~85℃宽温工作环境,护航数据完整、可靠存储。  4.通过高通5100 SoC平台认证,助力终端客户简化系统设计、加速终端产品上市。  佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP产品凭借高性能、低功耗、高可靠等特性,从存储端提升智能手表等智能穿戴设备的整体使用体验。其中,ePOP的高性能特性,可为设备提供高效快速的数据存储支撑,助力提升设备开关机、APP启动关闭、熄屏锁屏等操作的流畅性,同时能够高效处理不同传感器差异化负载和多线程存储需求,确保快速响应用户的操作和指令;ePOP的低功耗特性,在设备多线程、高负载、长时间工作的场景中,助力减少设备发热,防止设备宕机以及产品过热影响用户体验;ePOP的高可靠特性,能够从容应对设备蓝屏、冷启动、复位等异常情况,保证数据完整存储的同时,助力设备稳定、可靠运行。  相较于通用型的手机存储芯片而言,智能穿戴存储在通用型存储解决方案的基础上对于厂商的快速响应和客制化能力也相应的提出了更高的要求。佰维ePOP存储芯片则集中体现了公司研发封测一体化布局的优势:凭借在研发能力支持下的高性能、低功耗优势,以及在专精的存储器封测能力支持下小尺寸、高可靠等优势,公司的ePOP等智能穿戴存储产品已进入全球TOP级客户的供应链体系,并占据优势份额。在实际的合作案例中,佰维协同终端客户一起,展开了SOC平台、存储、系统、应用等多方联动的调校支持与赋能,洞悉用户使用场景并不断优化,致力于让终端设备体验更流畅和丝滑,打造终端产品的强势竞争力。
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发布时间:2023-07-17 10:10 阅读量:1524 继续阅读>>
英飞凌HYPERRAM™ 3.0<span style='color:red'>存储芯片</span>与Autotalks第三代芯片组搭配
  英飞凌科技股份公司和Autotalks于日前宣布,双方将展开合作,共同为新一代V2X(车联网)应用提供解决方案。英飞凌将在此次合作中提供车规级HYPERRAM™ 3.0存储芯片,以支持Autotalks的TEKTON3和SECTON3 V2X参考设计。  TEKTON3是一款完全集成的V2X SoC芯片,专门用于支持基于车联网的驾驶操作。V2X使得车辆与车辆之间以及车辆与周边环境之间能够进行相互通信,最终提高道路交通的安全性。并发的双频段无线电技术和完整的V2X软件技术实施通常需要外部存储器来管理调制解调器和应用需求。HYPERRAM可满足外部存储器对成本、功率密度和性能的要求,是首屈一指的存储芯片。  英飞凌提供的HYPERRAM 3.0器件,具有16位 HYPERBUS接口,可实现800 MBps的传输速率,进一步提升了英飞凌HYPERRAM系列产品的吞吐量。HYPERRAM 3.0器件符合车规级标准,能够满足TEKTON3的数据处理需求,是理想的扩展存储解决方案。  Autotalks研发副总裁Amos Freund表示:“英飞凌的HYPERRAM存储芯片和NOR闪存是我们最新一代V2X SoC产品的理想搭档。我们十分高兴能与存储芯片和车用芯片市场的领导者英飞凌携手合作,共同打造先进的V2X产品,从而帮助OEM厂商创建有针对性的V2X解决方案。”  英飞凌科技生态系统市场营销高级总监Patrick Le Bihan表示:“未来五年,全球V2X市场的年复合增长率预计将超过30%,所以此次与Autotalks的合作可谓恰逢其时。我们的HYPERRAM存储芯片和NOR闪存与Autotalks的SoC产品无缝协作,能够为客户带来高能效、低成本、高性能的解决方案。我们十分高兴能与领先的V2X设备提供商Autotalks合作,并且期待着双方在未来能够持续合作。”
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发布时间:2023-07-04 10:01 阅读量:1968 继续阅读>>
三星正为ChatGPT等大规模AI应用开发新一代<span style='color:red'>存储芯片</span>
  随着ChatGPT等人工智能聊天机器人的大规模应用,除了提升引入相关技术的应用体验,还将为多个领域带来新的发展契机,存储芯片就是其中之一。Ameya360电子元器件采购网将为您进行报道,三星电子正在为大型人工智能应用开发定制的下一代内存芯片,例如正在全球范围内流行的ChatGPT,旨在探索相关的商业机会。  ChatGPT对芯片赛道的实际影响主要集中表现为:ChatGPT基于Transformer技术,随着模型不断迭代,层数越来越多,对算力的需求越来越大;其次,ChatGPT运行的三个条件:训练数据+模型算法+算力,需要在基础模型上进行大规模预训练,ChatGPT经历了3次迭代,参数量从1.17亿增加到1750亿,训练量大幅提升。  三星存储事业部内的「运算新事业组」,正在开发与ChatGPT相关的超大型AI用「定制款新一代存储器」。据悉,运算新事业组是存储事业部中的先行事业开发组织,负责人为首席金镇贤(音译),此前该部门集中研发具运算能力的存储处理器(Processing In Memory;PIM)。PIM除了能存储数据之外,也可以在存储器内对数据进行整合和运算,不仅可以提高数据处理效能,也可以大幅提升用电效率,非常适合用于AI领域。  另外,有半导体行业人士指出,尽管目前传统AI芯片占据主流,AI专用芯片蓬勃发展,但是它们都遇到了物理极限,AI芯片的未来可能是量子芯片。  韩国电子通信研究院(ETRI)量子技术研究中心高级研究员Park Seong-soo表示,「ChatGPT也可以用大量的计算资源,但如果与未来的量子计算机结合,它将成为一个更高智能的人工智能。」  根据Gartner的报告,2022年全球半导体总收入约为6017亿美元,同比增长1.1%。三星的市场份额为10.9%。由此看来,ChatGPT的大火,确实为三星电子带来了存储芯片发展的新契机。
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发布时间:2023-02-21 10:52 阅读量:3532 继续阅读>>
佰维EPS200、C1008斩获“硬核中国芯”最佳<span style='color:red'>存储芯片</span>奖、“汽车电子创新产品奖”
  近期,佰维EPS200、C1008产品喜报频传。两款芯片先后在众多参评产品中脱颖而出,一举斩获硬核中国芯2022年度最佳存储芯片奖、维科杯·OFweek 2022年度中国汽车行业优秀汽车电子创新产品奖两大荣誉。“硬核中国芯”最佳存储芯片奖  11月15日,2022年度“硬核中国芯”颁奖盛典在深圳举行,各类获奖产品由50万电子工程师、70位专家评委评分/投票决出。佰维EPS200凭借在产品性能、价格竞争力 、技术创新 、客户服务、市场应用等五大评选维度上的出众表现,荣膺“硬核中国芯”2022年度最佳存储芯片奖。佰维存储嵌入式事业部副总经理 涂有奎现场领奖  佰维EPS200是一款低功耗、高性能的小尺寸POP封装器件。它将控制器+NAND+LPDDR4X整合,达到超高集成度,尺寸控制在8*9.5mm,厚度整体低于0.78mm;封装利用率达到92%,待机功耗控制在4.7mW以内;最大容量支持32GB+16Gb,目前已在各大主流穿戴厂商导入应用。该产品通过设计BT interposer,解决因wafer与成品固定的尺寸不适配而带来的量产风险;通过调整塑封工艺能力,结合多维仿真建模,模拟客户板级使用场景,基板和塑封料、晶圆之间的应力关系适配,达到高温260℃翘曲在30μm以内的领先能力。佰维EPS200OFweek2022年度中国汽车行业优秀汽车电子创新产品奖  11月17日,“维科杯?OFweek 2022中国汽车行业年度评选”在深圳盛大举行。活动旨在表彰汽车行业具有突出贡献的优秀产品、技术及企业,鼓励更多企业投入技术创新,为行业输送更多创新产品、前沿技术。佰维存储参评的C1008 2.5" SATA SSD荣获“维科杯·OFweek2022年度中国汽车行业优秀汽车电子创新产品奖”。2022年度中国汽车行业优秀汽车电子创新产品奖  佰维C1008系列SSD遵循SATA接口规范,采用3D TLC闪存颗粒,提供500GB、960GB、1.92TB、3.84TB多种容量选择,具备全盘稳定写入、擦写寿命超过3000P/E、“固件PLP+硬件PLP”双重断电保护、-20℃~70℃宽温工作等优势,支持数据写入密集型车载应用长时间稳定工作,典型应用于车载监控、DVR(硬盘录像机)等领域。产品所采用的NAND晶圆、主控芯片、DDR缓存皆来自于国产品牌企业,同时结合佰维自身的硬件设计、固件开发以及先进封测制造工艺,使得该产品的国产化程度高于市场主流产品。C1008 2.5" SATA SSD  未来,佰维将继续发挥研发封测一体化优势,坚持开拓创新并提供覆盖广、高性能、高品质与高可靠的全栈存储产品线,为客户稳定供应“千端千面”的系列存储解决方案。
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发布时间:2022-12-06 10:58 阅读量:2328 继续阅读>>
<span style='color:red'>存储芯片</span>和逻辑芯片的区别 <span style='color:red'>存储芯片</span>的应用
英飞凌推出全新HYPERRAM™<span style='color:red'>存储芯片</span>,可将高性能低引脚数解决方案的带宽提高一倍
    英飞凌科技推出新型HYPERRAM™ 3.0器件,进一步完善其高带宽、低引脚数存储器解决方案。该器件具有全新的16位扩展HyperBus™接口,可将吞吐量翻倍提升至800MBps。在推出HYPERRAM™ 3.0器件后,英飞凌可提供完善的低引脚数、低功耗的高带宽存储器产品组合。该芯片非常适用于需要扩展RAM存储器的应用,包括视频缓冲、工厂自动化、人工智能物联网(AIoT)和汽车车联网(V2X),以及需要便笺式存储器进行数据密集型计算的应用。    英飞凌科技汽车电子事业部高级营销和应用总监Ramesh Chettuvetty表示:“英飞凌在存储器解决方案领域拥有近三十年的深厚专业积淀,我们十分高兴为市场带来又一款行业首创产品。全新HYPERRAM™ 3.0存储器解决方案每个引脚的数据吞吐量远高于PSRAM、SDR DRAM等市面上现有的技术。其低功耗特性能够在不牺牲吞吐量的情况下实现更低的功耗,因此这款存储器是工业和物联网解决方案的理想选择。”    英飞凌HYPERRAM™是一款基于PSRAM的独立易失性存储器,它可提供一种经济实用的添加方式来扩展存储器。其数据速率与SDR DRAM相当,但所用的引脚数更少,功耗更低。HyperBus™接口每个引脚的数据吞吐量更高,从而可以使用引脚数较少的微控制器(MCU)和层数较少的PCB,为目标应用提供复杂性更低以及成本更优化的的设计方案。
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发布时间:2022-09-15 10:07 阅读量:2903 继续阅读>>
国内<span style='color:red'>存储芯片</span>企业概况
  半导体行业分为集成电路、光电器件、分立器件、传感器等子行业,集成电路又分为逻辑、模拟和存储等细分行业。在半导体行业中,最重要的方向莫过于存储器。其应用领域广泛,几乎所有常见的电子设备都需要使用存储器。  半导体存储器件是半导体行业市场占比最高的分支,根据 WSTS 2019 年 11 月估计数据,2019 年全球半导体行业的整体规模在 4000 亿美元 以上,存储器的市场规模超过 1000 亿,是半导体中规模最大的子行业,占比超过 1/4。  DRAM 和 NAND Flash 是最主流的半导体存储器,市场规模占比超过 95%,价格受需求与供给的影响呈现较为明显的周期性,2019 年下半年价格下落至低点后企稳回升,目前在服务器等下游需求的刺激下,价格正处于向上反弹的阶段,根据集邦咨询,此上升趋势有望在下半年趋稳。  NOF Flash 是除 DRAM 和 NAND Flash 之外最大规模的利基型存储,其市场曾随着功能手机的消亡而逐步萎缩,目前凭借着其“芯片内执行”的特点在物联网、TWS 耳机、5G、车载等领域广泛应用,市场规模整逐步恢复,到 2025 年市场规模有望超过 40 亿美元。半导体存储器件的主要市场由海外巨头公司掌握,国产公司处于相对落后的位置,但已经在各个细分行业展开追赶,并已获得显著的进展。  存储行业的发展历程大致可分为 3 个阶段。1990 年以前,DRAM 为存储芯片市场上主要的产品,且伴随少量的 EPROM 和 EEPROM。1990 年至 2000 年,NOR Flash 开始逐步占据一定比例的市场份额。  2000 年以后,NAND Flash 开始爆发式增长,其市场规模直逼 DRAM, 而 NOR Flash 的市场规模于 2006 年达到顶峰后开始逐渐下滑,但于近两年又开始有微小上升趋势。  DRAM 和 NAND Flash 是最主流的半导体存储器,市场规模占比超过 95%,价格受需求与供给的影响呈现较为明显的周期性。  DRAM 市场由三星、美光、海力士垄断了 95%的份额,目前国产厂商合肥长鑫已经开始量产并在官网上架了相关产品,紫光集团也已建立 DRAM 事业部准备建厂。此外国内还有较多 DRAM 设计企业,包括收购了 ISSI 的北京君正等,兆易创新也正在开展 DRAM 的研发工作;  NOR Flash 是除 DRAM 和 NAND Flash 之外最大规模的利基型存储,其市场曾随着功能手机的消亡而逐步萎缩,目前凭借着其“芯片内执行”的特点在物联网、TWS 耳机、5G、车载等领域广泛应用,市场规模整逐步恢复,到 2025 年市场规模有望超过 40 亿美元。  NAND Flash 的市场由三星、西数、铠侠等 6 家企业垄断。目前 NAND Flash 的发展方向是 3D 堆叠,国外先进企业均已纷纷开发出 100 层以上堆叠的 NAND Flash。国产厂商长江存储已宣布 128 层产品研发成功,与国外先进企业的差距越来越小,已成为存储国产自主化的中坚力量。国内还有 SLC NAND 的设计企业,包括北京君正、兆易创新等;  以下是《存储芯片投资地图》部分内容:
发布时间:2020-09-21 00:00 阅读量:2197 继续阅读>>

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