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扬杰科技先进<span style='color:red'>封装</span>项目（一期）隆重开工

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扬杰科技先进封装项目（一期）隆重开工

　　2025年10月28日上午8时56分，扬杰科技先进封装项目(一期)开工仪式在五号厂区举行。扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震，管委会副主任潘健年，扬杰科技董事长梁勤等领导及参建单位、企业员工代表出席，共同见证这一重要时刻。　　此次开工的先进封装项目，是扬杰科技深耕半导体领域、践行“想赢、敢赢、能赢”企业信念的关键实践。项目占地23亩，计划新建一栋三层混凝土框架结构生产厂房，建筑面积近3.7万平方米，核心是引进建设国际先进水平的封装生产线。这一布局既顺应半导体产业“轻、薄、短、小”技术趋势，也标志着扬杰科技在突破关键技术瓶颈、完善“芯片设计-制造-封装”IDM全产业链布局中迈出关键一步。　　仪式致辞环节，扬建集团党委委员、副总经理张斌代表施工单位发言，承诺将秉持“百年工程创品牌价值”理念，发挥技术与经验优势，协同项目团队严控质量与安全，保障项目顺利竣工、打造精品工程。　　随后，扬杰科技副总裁沈颖发表致辞，她强调，扬杰科技历经“贸易-制造-研发”三次转型的25年发展历程，始终坚守“客户第一、创新卓越”的核心价值观。项目投产后，不仅能显著提升我国先进封装自主生产能力，满足下游消费电子、汽车电子等产业的迫切需求，更将为半导体产业链协同发展与自主可控注入强劲动能。扬杰科技承诺将以“工匠精神”打造绿色制造示范厂房，以“创新基因”建成国际领先的生产线，以“开放姿态”联动产业生态，严格按规划推进项目，确保早竣工、早投产、早见效。　　仪式上，扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震发表重要讲话。他强调，维扬经济开发区党工委高度重视半导体产业链打造，以最大努力提供最优环境。作为园区龙头企业，该项目是扬杰科技在半导体产业布局的又一战略性举措，也是园区产业升级的又一里程碑。他表示，开发区将持续为项目建设提供全方位的服务与支持，始终秉持“好地方事好办”服务理念，以一家人、一条心、一起拼的信念努力为企业创造更好更优的外部环境。随后，仇震宣布“扬杰科技先进封装项目(一期)正式开工”。　　在浓厚氛围中，仇震、潘健年、梁勤、沈颖等主席台领导嘉宾移步奠基区，手持铁锹培土奠基，项目正式启动建设。　　扬州建苑监理等参建单位，扬杰科技标准器件事业部总经理崔群、供应链制造中心总经理唐杉及维开区办公室、招商、投资服务等部门主要负责同志出席了开工仪式。　　此次扬杰科技先进封装项目(一期)的开工，为扬州半导体产业发展注入了新的活力。随着项目的建成投产，扬杰科技将进一步巩固在半导体领域的优势地位，同时也将带动上下游产业协同发展，为国产半导体产业突破技术壁垒、实现高质量发展贡献重要力量。我们期待，明年此刻，这里能机器轰鸣、产销两旺，以优异成绩为扬州半导体产业发展再添新动能。

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扬杰科技

发布时间：2025-10-29 10:22 阅读量：385 继续阅读>>

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL<span style='color:red'>封装</span>的SiC MOSFET

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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ROHM

发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：352 继续阅读>>

维安整流桥：低损耗、全<span style='color:red'>封装</span>、多领域守护电能转换

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维安整流桥：低损耗、全封装、多领域守护电能转换

　　在电子设备深度融入生产生活的今天，从我们日常依赖的消费电子、便携终端、照明系统、家用电器，到支撑工业运转的各类电源装置，它们的稳定运行都离不开一个至关重要的元器件——整流桥。作为电能转换的 “守门人”，整流桥主要负责将交流电(AC)高效稳定地转换为直流电(DC)，为整个电路系统提供可靠的动力源。可以说，整流桥的性能与品质，直接决定了电子设备产品的效率、稳定性与使用寿命。　　产品优势　　低损耗，高能效　　WAYON整流桥采用先进的芯片技术与封装工艺，使产品具有较低的正向压降(VF)和反向漏电流(IR)。这意味着在整流过程中能量损耗更少，转换效率更高，帮助设备节能降耗。　　封装系列齐全，应用广泛　　WAYON提供全系列外观尺寸的整流桥产品，从贴片类小本体MBS、ABS到插件类大本体GBJ、SGBPC等近30种封装形式，电流范围从1A到50A，电压范围从50V到1000V以上，可满足消费电子、照明领域、工业控制、通信电源、汽车等不同领域的多样化需求。部分封装外观如下：　　质量可靠　　产品经过长期严格的可靠性测试，具备高温环境下工作性能(Tjmax=150℃)以及较高的抗浪涌电流的能力。无论是在高温还是严寒的极端环境下，都能保持稳定输出，极大提升了整机产品的耐用性和市场竞争力。部分信赖性项目如下：　　典型应用领域　　1.消费类电子　　PD快充、PC电源、电源适配器……　　如今充电器中，电源架构通常为AC-DC转换拓扑。整流桥作为输入交流(AC)到直流(DC)转换的首个功率处理单元，其性能直接决定了后续电路的工作稳定性、整体转换效率及温升表现。　　02 照明领域　　家用 LED 吸顶灯、路灯等驱动电源……　　03 家用电器　　空调、洗衣机、冰箱等电源模块……　　04 工业设备　　变频器、工控电源、电焊机电源……　　05 通信IT　　服务器电源……　　06 汽车电子　　车载充电器(OBC)……　　产品选型表

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维安

发布时间：2025-09-28 11:51 阅读量：327 继续阅读>>

罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件<span style='color:red'>封装</span>兼容性，为客户带来更高灵活度

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罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

　　2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”　　罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人伊野和英表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官伊野和英(右)　　作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。　　同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立　　器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构，较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。　　罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。　　SiC 功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。　　关于罗姆　　罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于英飞凌　　英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底)，在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码：IFX)，在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码：IFNNY)。

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罗姆

发布时间：2025-09-26 09:43 阅读量：385 继续阅读>>

一文了解芯片BGA<span style='color:red'>封装</span>的工艺流程

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一文了解芯片BGA封装的工艺流程

　　球栅阵列(简称BGA)封装作为现代电子封装的重要形式，因其优异的性能和高密度的引脚排列被广泛应用于微处理器、存储器及各类集成电路中。　　BGA封装简介　　BGA封装通过在芯片下方布置均匀分布的焊球，实现与外部电路板的连接。相比传统的引线封装，BGA封装具有引脚密度更高、热性能更好和电性能优越等优点。　　BGA封装的工艺流程　　1.芯片准备　　首先选用经过测试合格的集成电路芯片(Die)，对其进行清洗和表面处理，确保芯片表面无杂质，为后续封装做好准备。　　2.芯片键合(芯片引线连接)　　根据具体封装结构，采用焊线键合(WireBonding)或倒装芯片(FlipChip)技术将芯片与基板上的电极相连。　　焊线键合：通过细金属线将芯片引脚与封装基板进行连接。　　倒装芯片：芯片倒装，通过微凸点直接与基板焊盘连接，提高电性能。　　3.封装基板装配　　将芯片键合后的基板进行安装，进行封装材料的涂覆。常见封装材料为环氧树脂，这一步骤称为模塑封装(Molding)，起到保护芯片和键合线、防止物理和化学损伤的作用。　　4.焊球的形成　　在封装完成后，通过掩膜印刷锡膏或直接点焊球工艺在封装基板的焊盘上形成一定规格的锡球。锡球需均匀分布并尺寸一致，这是BGA接合质量的关键因素。　　5.焊球回流焊　　锡球经过加热熔化后重新结晶，形成牢固的焊点。这一过程称为回流焊(ReflowSoldering)，需严格控制温度曲线以保证焊球的完整性和焊点的可靠性。　　6.检测与测试　　完成封装后的BGA产品需要进行多项质量检测：　　视觉检测：检查焊球形状、尺寸及分布是否均匀。　　X射线检测：检查焊点内部缺陷，如空洞、裂纹等。　　功能测试：确认芯片封装后的电气性能正常。　　7.切割和分离　　将大批量封装基板切割成单个或多单元封装芯片，完成封装产品的最终成型。　　BGA封装工艺包含芯片准备、键合、模塑、焊球形成及回流焊等多道工序。每一步都对最终产品的性能和可靠性有重要影响。

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封装

发布时间：2025-09-23 16:57 阅读量：460 继续阅读>>

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Littelfuse推出业界最小采用紧凑型表面贴装封装的3kA TVS二极管

　　Littelfuse宣布推出DFNAK3系列大功率TVS二极管。该系列紧凑型表面贴装器件可提供3kA (8/20µs) 浪涌电流保护，在极小空间内可提供最高的浪涌保护，非常适合在苛刻环境中保护直流供电系统和以太网供电 (PoE) 应用。DFNAK3系列TVS二极管　　与传统高浪涌TVS二极管笨重的轴向引线封装或大型表面贴装封装不同，DFNAK3系列采用紧凑型DFN封装，是目前市场上最小的3kA额定TVS二极管。所占面积比包覆型封装小70%，高度也比标准SMD型包覆型封装低70%，让空间受限的高密度PCB设计成为可能，而不会影响浪涌性能或系统稳定性。　　Littelfuse保护产品市场经理Jenny Chen表示：“DFNAK3系列使设计人员能够满足当今的小型化和性能需求。能够实现紧凑、高密度的系统设计，同时提供与大尺寸元件相同的高浪涌额定值，确保为PoE、远程无线电装置和数据中心电源等任务关键型应用提供稳定保护。”　　DFNAK3系列专为满足IEC 61000-4-5第4级要求设计，具有较低箝位电压和出色瞬态抑制能力，是标准TVS二极管、MOV和GDT的理想替代方案。表面贴装配置还支持经济高效的自动化PCB组装，降低了整体生产的复杂性。　　主要功能与特色　　· 3kA (8/20µs) 额定浪涌电流，适用于高可靠性直流和PoE系统;　　· 紧凑型DFN表面贴装封装可节省多达70%的PCB空间;　　· 箝位电压较低，可为敏感的下游电子元件提供出色的保护;　　· 击穿电压高于反向阻抗电压，确保可靠的直流线路和PoE保护;　　· 符合IEC 61000-4-5 (4级) 和其他浪涌保护标准。　　目标市场与应用　　· 小型基站、远程无线电单元 (RRU) 和基带单元 (BBU) 的直流总线保护;　　· 以太网供电 (PoE) 系统;　　· 人工智能基础设施和数据中心服务器中的直流电源;　　· 恶劣环境中运行的工业直流电源。　　DFNAK3系列秉持Littelfuse的使命，即提供创新的表面贴装保护解决方案，以满足客户对更小外形尺寸、更高性能的不断变化的需求。

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Littelfuse

发布时间：2025-09-23 13:58 阅读量：394 继续阅读>>

帝奥微：DIA58243 H桥电机驱动器以超小<span style='color:red'>封装</span>驭动40V/12A，重塑汽车电机智能未来！

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帝奥微：DIA58243 H桥电机驱动器以超小封装驭动40V/12A，重塑汽车电机智能未来！

　　帝奥微DIA58243是一款专为汽车应用设计的 40V、12A H桥驱动器，集成了电流检测、诊断和保护功能，适用于有刷直流电机、螺线管及继电器等负载驱动。该芯片采用高功率工艺技术，提供出色的功率处理能力和热性能，同时支持 PWM、PH/EN 和独立半桥模式，可灵活适配不同应用场景。　　主要应用　　车身控制模块(BCM/ZCU)：如隐藏门把手、折叠后视镜、门锁等。　　动力系统：发动机阀门控制、电子换挡器。　　热管理器、空气悬架等　　随着汽车电子向高集成度、智能化、功能安全方向发展，DIA58243凭借其高功率密度、低 EMI和丰富诊断功能，是未来智能车身控制与电机驱动的重要解决方案。　　产品特性　　• 工作电压范围：4.5V至35V(绝对最大值40V)　　• 高低侧导通电阻总和(RON_LS + RON_HS)为84mΩ;最大输出电流：12A　　• 支持高达25kHz的PWM频率运行，带自动死区时间控制　　• 可配置压摆率和扩频时钟，降低电磁干扰(EMI)　　• 集成电流检测(无需分流电阻)，IPROPI引脚提供比例负载电流输出　　• 可配置的电流调节：固定关断时间　　• 保护与诊断功能(支持可配置故障响应：锁存或重试)　　关断和导通状态下的负载诊断，检测开路和短路　　电源电压 (VM) 监控　　过流保护　　过温保护　　nFAULT 引脚故障指示　　• 兼容3.3V/5V逻辑输入　　• 低休眠电流：25°C时典型值1μA　　• 支持SPI和HW两个版本　　• 可配置的控制模式　　单全桥(支持PWM或PH/EN模式)　　双半桥(独立模式)　　• 封装：QFN-14 , 3.0mm*4.5mm　　产品优势　　超高集成度，节省空间　　集成MOSFET、电荷泵和电流检测及调节，减少外部元件数量，降低BOM成本　　3mm×4.5mm 超小QFN封装，适用于空间受限的汽车电子设计　　完全独立的半桥控制，灵活应对复杂驱动需求　　DIA58243采用全独立半桥架构，允许用户对两个半桥进行完全独立的控制：　　独立状态配置：　　每个半桥均可单独设置为高侧开启(H)、低侧开启(L)或高阻态(HiZ)，互不干扰。　　例如：半桥A可配置为 PWM驱动(H/L切换)，同时半桥B保持高阻态(HiZ)或静态输出(H/L)。　　灵活驱动模式：　　支持双半桥独立工作，可同时驱动两个不同的负载(如两个有刷电机或螺线管)。　　也可组合为单全桥模式，驱动单个大电流负载(如高功率电机)。　　容错能力增强：　　若一个半桥因故障关闭(HiZ)，另一半桥仍可继续运行，提升系统冗余性。　　出色的热性能，保障高可靠性运行　　VM=13.5V,Iout=4A,持续工作30分钟(SR=000)，其他同类产品 vs DIA58243　　高精度的电流采样　　可配置的电流调节　　支持动态电流限制设置，通过SPI或硬件引脚灵活调整输出电流阈值，防止电机堵转或过载，降低系统功耗和发热。　　精准的电流控制能力，优化电机效率并延长使用寿命。　　增强保护与诊断功能　　离线&在线负载诊断：可检测开路、短路等故障，提升系统可靠性。　　过流、过温、电源过压与欠压保护，支持锁存或自动重试模式，适应不同安全需求。　　nFAULT引脚实时反馈故障状态，SPI接口可精准读取故障类型，实现高效诊断与定位。　　结语　　DIA58243凭借高集成度、强健的保护机制、可配置电流调节、全独立半桥控制、出色的热性能和灵活的接口选项，在汽车电机驱动领域展现出显著优势。无论是车身控制、动力系统还是热管理系统，该芯片都能提供高效、可靠且紧凑的解决方案，助力汽车电子向更高性能、更低成本迈进。　　选择DIA58243，让您的设计更智能、更安全、更高效!

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帝奥微

发布时间：2025-09-15 13:06 阅读量：457 继续阅读>>

Littelfuse：业内首款采用DO-214AB<span style='color:red'>封装</span>、额定浪涌电流为2kA的保护晶闸管

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Littelfuse：业内首款采用DO-214AB封装、额定浪涌电流为2kA的保护晶闸管

　　Littelfuse宣布推出Pxxx0S3H SIDACtor®保护晶闸管系列。该系列是业内首款采用DO-214AB(SMC)封装的2kA浪涌保护器件。这一紧凑型解决方案可在防止严重瞬态事件的同时实现产品小型化，成为下一代电源和能源设计的理想选择。Pxxx0S3H SIDACtor®保护晶闸管系列　　Pxxx0S3H系列专为苛刻环境中的交流和直流电源线而设计，可为工业电源、电池充电系统、太阳能逆变器、UPS/AC配电系统和ICT设备等应用提供出色的浪涌抗扰度。Pxxx0S3H具备高电流处理能力和紧凑的外形尺寸，可帮助工程师在满足IEC 61000-4-5 4级要求的同时减小器件的整体尺寸。　　“设计工程师正面临着越来越大的压力，需要在不牺牲安全性的前提下将更多功能集成到更小的封装中。”Littelfuse保护半导体业务产品营销管理总监Ben Huang表示， “Pxxx0S3H系列凭借紧凑的封装、抗浪涌能力和合规性优势，精准满足了这一需求—远胜于性能会随时间衰减的传统MOV和GDT解决方案。”　　主要差异和优势　　在紧凑结构中提供高浪涌保护能力：首款采用DO-214AB封装的2kA(8/20μs)浪涌额定值保护晶闸管，尺寸远小于传统TO-262解决方案。　　长期可靠性：采用基于半导体的设计，与传统的基于GDT或MOV的器件不同，可承受反复的高能量浪涌事件而不会降低性能。　　合规性：有助于系统满足IEC-61000-4-5 4级浪涌抗扰度标准。　　顺应微型化趋势：紧凑的尺寸(6.22mm×7.11mm×2.62mm)，支持密集型工业、汽车和太阳能系统设计。　　灵活部署：可以单独使用，也可以与MOV结合使用，以实现量身定制的保护架构。　　目标市场和应用　　工业和工厂自动化电源　　电池管理和电动汽车壁式充电系统　　太阳能DC/AC逆变器保护　　不间断电源设备(UPS)和大电流交流配电　　恶劣环境中的ICT基础设施储能系统和物联网连接功率器件　　Pxxx0S3H系列使工程师得以替换掉笨重且性能容易退化的保护组件，设计出更小、更可靠、更持久的系统。

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Littelfuse

发布时间：2025-09-08 14:06 阅读量：458 继续阅读>>

一文了解集成芯片的<span style='color:red'>封装</span>形式有哪些？

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一文了解集成芯片的封装形式有哪些？

　　集成芯片是现代电子设备的核心部件之一，而芯片的封装形式不仅影响其性能，还直接影响到产品的设计与使用。　　什么是芯片封装?　　芯片封装是指将裸露的半导体芯片与周围的支持结构和引脚结合，以保护芯片并提供电气连接的过程。有效的封装可以增强芯片的散热性能和机械强度，确保芯片能够稳定工作。　　常见的芯片封装类型　　双列直插封装(DIP)　　双列直插封装是最为常见的封装之一，特点是引脚呈双排排列，通常用于单片集成电路。它便于插入和焊接，适合原型开发和线性电路设计。然而，DIP的封装密度相对较低。　　表面贴装技术(SMT)　　SMT封装组件直接安装于电路板表面，这种封装形式不需要穿孔，允许元件更紧密地排列。典型的SMT封装包括SOIC、PLCC和QFP等，这些封装的体积更小、重量更轻，有助于实现紧凑的电路设计。　　片上封装(COB)　　片上封装是一种高度紧凑的芯片封装，芯片直接安装在电路板上并被塑料材料覆盖。这种封装简化了电路设计，是实现微型化和降低生产成本的有效方式。然而，COB封装不适合复杂的电路设计，因为维修困难。　　球栅阵列封装(BGA)　　BGA封装利用密集排列的球形接口提供电气和机械连接。它提供了较好的热性能和电性能，适用于高速和高密度应用。BGA封装需要特殊设备进行安装和维修。　　超小型引线框架芯片级封装(SOP、SSOP、TSOP)　　这些封装形式适合于空间受限的应用，提供较小的封装尺寸和高引脚密度。常用于手机、笔记本电脑等设备。　　封装形式的影响因素　　选择芯片封装形式通常需考虑以下因素：　　散热需求：高功耗芯片需要良好的散热性能。　　空间限制：小型设备倾向于选择更紧凑的封装。　　连接方式：引脚数量和布局影响电路设计复杂度。　　制造成本：不同封装形式可能导致显著的成本差异。　　随着技术的不断进步，芯片封装形式也在持续发展。新型封装形式不断涌现，以适应电子产品日益复杂的需求。

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集成芯片

发布时间：2025-09-04 17:31 阅读量：471 继续阅读>>

电阻<span style='color:red'>封装</span>尺寸对照表

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电阻封装尺寸对照表

　　以下是电阻封装尺寸与功率的详细对照表，综合国际标准(EIA)与主流厂商规范整理：　　‌1. 贴片电阻封装尺寸与功率对照　　‌注‌：英制代码(如0603)表示长度和宽度的英寸值(0.06英寸×0.03英寸)。公制代码(如1608)对应毫米尺寸(1.6mm×0.8mm)。　　2. 直插电阻封装尺寸(部分示例)　　3. 关键参数说明　　‌精度标识‌：J：±5%，F：±1%(如RS-05K102JT中的J)。　　‌阻值编码‌：三位数(如102=1kΩ)用于±5%精度，四位数(如1002=10kΩ)用于±1%精度。　　‌温度系数‌：K表示100PPM/°C(如RS-05K102JT中的K)。　　4. 选型建议　　高密度设计‌：优先0201/0402封装，但需注意焊接工艺要求。　　大功率应用‌：选择1206及以上封装，如2512(1W)。　　如需更详细的尺寸公差或特殊封装(如2225)，可参考厂商规格书。

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电阻

发布时间：2025-09-03 14:00 阅读量：538 继续阅读>>

型号	品牌	询价
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor

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