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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新<span style='color:red'>封装</span>产品

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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品

　　2025年12月18日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。　　新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252(6.6mm×10.0mm)等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。　　采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产(样品单价500日元/个，不含税)。新产品已经开始通过电商进行销售。　　未来，ROHM将不断扩展该封装产品的机型，并计划于2026年2月左右将采用可润湿侧翼成型技术*3的更小型DFN3333(3.3mm×3.3mm)封装产品投入量产。　　另外，ROHM已着手开发TOLG(TO-Leaded with Gullwing)封装产品(9.9mm×11.7mm)，致力于进一步扩充大功率、高可靠性封装的产品阵容。　　<开发背景>　　近年来，车载低耐压MOSFET正在加速向可实现小型化的5050级以及更小尺寸的封装形式转变。然而，这些小型封装因引脚间距狭窄和无引脚结构，使确保其安装可靠性成为一大难题。ROHM针对这类课题，通过在产品阵容中新增同时满足安装可靠性和小型化两方面需求的新封装产品，来满足车载市场多样化的需求。　　<应用示例>　　主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　“EcoMOS™”是ROHM Co.，Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1) 鸥翼型引脚　　引脚从封装两侧向外伸出的封装形状。散热性优异，可提高安装可靠性。　　*2)铜夹片键合　　替代传统上连接芯片和引线框架的引线键合方式，而采用铜制夹片(扁平金属桥)直接连接的一种技术。　　*3)可润湿侧翼成型技术　　一种在底部电极封装的引线框架侧面进行电镀加工的技术。利用该技术可提高安装可靠性。

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发布时间：2025-12-18 16:55 阅读量：210 继续阅读>>

Littelfuse推出采用SMPD-X<span style='color:red'>封装</span>的200V、480A超级结MOSFET

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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200V、480A超级结MOSFET

　　Littelfuse宣布推出MMIX1T500N20X4 X4级超级结功率MOSFET。这款200V、480A N通道MOSFET的导通电阻RDS(on)极低，仅为1.99mΩ，可在功率密集型设计中实现卓越的导通效率、简化热管理并提高系统可靠性。　　MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔离SMPD-X封装，配备顶部散热结构以实现最佳热管理。与最先进的现有X4级MOSFET解决方案相比，该器件提供高达2倍的额定电流和低63%的RDS(on)，使工程师能够将多个并联的低电流器件整合到单一的高电流解决方案中。　　功能与特色：　　· 200V阻断电压，1.99mΩ超低RDS(on)，可将传导损耗降至最低;　　· 高电流能力 (ID=480A) 减少了所需并联器件的数量;　　· 紧凑型SMPD-X隔离封装，具有2500V隔离和改进的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) ;　　· 低栅极电荷 (Qg=535nC) 降低了栅极驱动功率要求;· 采用顶部冷却式封装，简化热管理。　　这些特性共同实现了更高的功率密度、更少的元件数量以及更简便的组装流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系统设计。　　应用：　　该MMIX1T500N20X4非常适合：　　· 直流负载开关;· 电池储能系统;　　· 工业和过程电源;　　· 工业充电基础设施;· 无人机和垂直起降飞行器 (VTOL) 平台。　　“新款器件使设计人员能够将多个并联的低电流器件整合到一个高电流器件中，从而简化设计并减少元件数量。”Littelfuse产品营销分析师Antonio Quijano介绍道，“这有助于提高系统可靠性，简化栅极驱动器的实施，同时提高功率密度和PCB空间利用率。”　　常见问答 (FAQ)　　1. 与现有解决方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系统效率?　　MMIX1T500N20X4提供1.99mΩ的超低RDS(on)，额定电流为480A，可减少传导损耗和发热。用单个器件取代多个并联MOSFET，可简化设计、减少元件数量并提升整体系统效率。　　2. 这款MOSFET最适合哪些应用场景?　　该MOSFET非常适合对效率和可靠性要求严苛的大电流、中低压系统。典型应用包括直流负载开关、电池储能、工业电源、充电基础设施以及无人机或垂直起降飞行器的电力电子设备。　　3. SMPD-X设计在散热和封装方面具有哪些优势?　　高性能陶瓷基SMPD-X封装具有出色的热阻 (Rth(j-c)=0.14°C/W) 和2500VRMS隔离性能，可实现更高的功率密度和更安全的操作。其顶部冷却设计简化了热管理，减小了系统尺寸，并增强了长期可靠性。

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Littelfuse

发布时间：2025-12-15 14:56 阅读量：279 继续阅读>>

一文详解玻璃基板<span style='color:red'>封装</span>的创新架构与集成工艺

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一文详解玻璃基板封装的创新架构与集成工艺

　　1. 玻璃面板嵌入(Glass Panel Embedding, GPE)　　玻璃面板嵌入(GPE)已成为高密度封装领域的一项有前景的技术进展，它通过在结构化玻璃基板中嵌入芯片，实现异构集成。在玻璃基中介层(interposer)已有研究的基础上，GPE 利用了玻璃的独特特性，如低损耗、尺寸稳定性以及可调热膨胀系数(CTE)，同时引入了面板级嵌入方法，避免了对硅通孔(TSV)或模塑化合物封装的依赖。　　与基于 TSV 的 2.5D 和 3D 硅中介层相比，这些方案需要通过硅晶圆进行垂直互连，成本高、工艺复杂;而 GPE 允许将已知良品芯片被动嵌入玻璃腔中，信号和电源通过多层聚合物再分布层(RDL)实现重新分配。　　与晶圆级扇出封装(WLFO)相比，这类封装受限于翘曲和模具稳定性，尤其在更细间距时表现不佳;GPE 提供了热机械上稳健的基板，支持细间距 I/O(<20 μm)、更高的布线密度以及大面积面板格式。使用玻璃还可减少翘曲并获得优异的表面平整度，这对于细线光刻和多芯片组装至关重要。此外，GPE 避免了有机封装中焊球回流和翘曲控制的限制，也规避了基于 TSV 堆叠的预组装对芯片良率的影响。　　S.拉维奇丹兰等报告展示了 GPE 在高性能计算应用中实现的两种基于玻璃的 3D 封装架构。图 1a、1b 显示了这两种架构的示意图。在该方案中，芯片被嵌入玻璃腔中，并通过聚合物再分布层(RDL)互连，从而无需 TSV。　　在第一个测试载具中，两颗芯片在玻璃腔中横向嵌入，芯片间距约 92 μm，通过 16 μm 微通孔互连。额外的 HBM 模拟器芯片通过微凸点组装在顶部，实现垂直互连长度小于 45 μm。I/O 间距被缩小到 <20 μm，实现高密度集成。　　在第二个载具中，使用 50 mm × 50 mm 的玻璃中介层嵌入四颗芯片，位于两颗大型 SoC 下方，表面安装八颗 HBM 模拟器芯片，焊球间距为 35 μm。用于板级互连的镀铜 TGV 间距为 300 μm，高功耗芯片未嵌入以优化热管理。　　这些架构在面板级基板上制造，展示了 GPE 作为无 TSV 异构集成平台的可扩展性、细间距能力和热优势。图 1c 显示了组装及毛细作用下底填料完成后的玻璃中介层封装。图 2 展示了利用 GPE 方法将天线与 MMIC 集成的示例架构，这类集成方案可实现更低的插入损耗和寄生损耗。图1.( a,b )不同的架构，芯片嵌入玻璃(c)组装后的嵌入式玻璃插入器封装和毛细管填充图2. 天线在封装(AiP)架构中使用玻璃面板嵌入(a)芯片朝下(b)芯片朝上　　2. 光学集成　　对玻璃基板进行微结构化处理为先进光学集成提供了关键能力，尤其是在共封装光学(co-packaged optics)应用中。多种波导制备技术可用，包括离子交换扩散、飞秒激光诱导折射率调制，以及填充光学透明聚合物的玻璃通孔(TGV)，从而支持平面及垂直(3D)波导架构。此外，光子集成电路(PICs)可以嵌入玻璃腔中，实现与电子集成电路(IC)的高密度共集成。　　Brusberg 等展示了一种紧凑、低成本的共封装光学平台。该设计使用离子交换波导(损耗 <0.1 dB/cm)、玻璃通孔以及嵌入 50 μm 深腔体的精细铜再分布层，实现高密度光电互连。实验中实现了与硅氮化物 PIC 的低损耗(∼0.5 dB)耦合，以及通过新型 4.4 mm 高连接器的边缘光纤连接。被动对准特性使连接器损耗低至 0.85 dB。图 3a 显示了组装了 PIC 的玻璃平台示意图，图 3b 为光学显微图，波导位于玻璃表面下方。　　除了波导外，其他光学元件如镜子和透镜也可与玻璃基板集成。Chou 等展示了一种三维玻璃光子中介层(3D glass photonic interposer)，集成了微型镜子和透镜，实现低损耗(<0.5 dB)、低成本且对准容差高的单模光纤耦合。图3. (a)带有组装的pic的玻璃平台，用于与rdl、tgv和iox波导进行光纤到芯片和芯片到芯片的光学连接。(b)端面光学显微图，显示波导位于玻璃表面下方，间距为250微米，与mpo光纤阵列连接器中的光纤间距相同　　3. 毫米波无源器件与互连　　利用先进的玻璃加工技术，毫米波(mmWave)互连和器件已被开发出低损耗、最小色散、高功率承载能力以及优异宽带性能的特点。　　在毫米波频段，采用系统封装(SoP)技术的高度集成封装对封装基板中的金属层数量提出了更高要求，用于信号布线、电源或电流分布以及地平面布设。封装内部的信号布线包括传输线、穿封装通孔(TPVs)和微通孔(microvias)，用于连接不同层的信号线或平面。　　各种互连结构，如微带线(microstrip)、共面波导(CPW)以及导体背共面波导(CB-CPW)，已经被制备并进行了表征。图 4 显示了在玻璃上为 5G 频段以及 D 频段 ABF/玻璃/ABF 堆叠结构制备的微带线和 CPW 结构。提取的微带线损耗在 5G 毫米波频段(28–40 GHz)为 0.1–0.122 dB/mm，在 140 GHz 时为 0.45 dB/mm;而 CPW 在 5G 毫米波频段损耗为 0.075–0.095 dB/mm，在 140 GHz 时为 0.25 dB/mm。为了表征毫米波频段微通孔(microvias)的行为，制备了雏菊链(daisy chain)结构，如图 5 所示。图4. CPW在玻璃上。(a)堆栈。(b)不同长度的 CPWs。(c)D波段设计的堆叠。(d)不同长度的微带线和共面波导图5. (a)带有低损耗互连的定制玻璃面板，带有放大图像的插图。(b)线段。(c)Daisy链。(d)菊花链的横截面　　另一类垂直互连是电容式和电感式互连。无通孔(via-less)互连基于电容耦合或电感耦合原理来实现电连接。互连中补丁的尺寸会影响寄生参数，并决定其工作频率。[80]中提出的无通孔互连基于电容耦合，如图 6 所示，即使在 170 GHz 下，其插入损耗仍小于 2 dB。　　图6. (a)建议的无垂直通路的互连。(b)用于互连演示的材料堆叠。(c)人工制造的互连　　3.1 基板集成波导(SIW)　　随着工作频率的提升，波导的尺寸缩小，使其更容易集成到封装中。SIW 在射频工程领域广泛应用，因其固有的屏蔽特性和高品质因数(Q)优势。图 7a 展示了 ABF/玻璃/ABF 堆叠中的 SIW，图 7b 展示了玻璃上的充气 Astra SIW。测得的 SIW 在整个 D 频段的损耗为 0.5–0.8 dB/mm，而报告的充气 SIW 在 D 频段的损耗为 0.13–0.2 dB/mm。　　图7. SIW在玻璃衬底上。(a)ABF/玻璃/ABF堆栈上的SIW。(b)玻璃上的充气SIW　　3.2 滤波器　　射频滤波器属于电子滤波器的一类，设计用于通过所需频率而阻挡不需要的频率。在系统集成中，滤波器必须具备优异性能、微型化和工艺兼容性。在玻璃基板上设计并制备了高度微型化的带通和低通滤波器，用于 5G NR 频段，覆盖 28 GHz 和 39 GHz 通信频段。滤波器整体尺寸小于 0.5 λ₀ × 0.5 λ₀。通过使用低介电损耗材料，将第五阶滤波器的中频插入损耗降至小于 2.6 dB。[84] 中展示了滤波器性能比较。图 8 显示了制备的滤波器，图9 展示了堆叠、拓扑、制造结构和测量响应。图8. 用于5G毫米波频段的定制滤波器。(a)28 GHz 频带的九阶LPF。(b)五阶叉指型BPF。(c)五阶发卡滤波器。(d)测试车辆的包装。图9. 一个多TZ带通滤波器。(a)堆栈。(b)过滤器拓扑。(c)人工制造的过滤器　　3.3 封装内天线(AiP)　　AiP 通过高效利用可用空间设计更小、更紧凑的器件，同时提高性能和可靠性。在 5G 系统中，高频设计、材料和工艺互连损耗以及精确阻抗匹配的工艺控制都提出了挑战。需要对寄生效应和传播损耗进行严格控制，并设计微型化、高带宽和高增益的天线。已经展示了多种玻璃上的天线实现。De 等对 D 频段天线进行了综述。　　平面天线(broadside)沿天线平面垂直方向辐射能量，设计规则简单且方向性高。图10b 显示了一个 4 × 4 Patch 天线阵列，带宽为 137–144 GHz，主瓣增益为 16.2 dBi。文献 [41] 描述了通过玻璃基板嵌入芯片实现 1 × 8 串联馈电天线(中心频率 140 GHz)的优势及工艺。图10. 一个4×4的天线阵列。(a)堆栈。(b)伪造的样本。(c)嵌入式芯片的天线　　端射天线(end-fire)沿天线导向方向发射能量，具有高增益、高方向性、宽阻抗匹配带宽、低复杂度和易集成的优势。Watanabe 等描述了在玻璃基板上制备的 5G NR 带紧凑型偶极 Yagi-Uda 天线(图 11a,b)。　　Erdogan 等讨论了带单极子辐射器的印刷准 Yagi 天线，覆盖 110–170 GHz 几乎整个带宽(图 11d)，简化了天线设计规则，无需 Balun，同时保留了所有优点。文献 [91] 讨论了 Vivaldi 风格的 SIW 天线，提供更高增益，覆盖整个 D 频段(图 11f)。该天线利用基板核心实现天线功能，而不仅仅是像之前的例子那样仅利用玻璃的机械性能。图11. (a)用2.92毫米端发射连接器组装的切块式八木-乌达天线单元。(b)Yagi-Uda天线与组装LNA的X射线检查。(c) 印刷的准Yagi天线的堆叠。(d)制造 1 × 4 线性阵列。(e)维瓦尔迪灵感天线的堆叠。(f)设计的天线元件和制作的天线的横截面。(g)TGV的横截面

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玻璃基板

发布时间：2025-12-11 16:50 阅读量：292 继续阅读>>

维安WTPAK<span style='color:red'>封装</span>：背部散热，更小！更凉！更可靠！

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维安WTPAK封装：背部散热，更小！更凉！更可靠！

　　在变频伺服，逆变器，电源等电力电子行业应用中，分立器件方案的散热设计一直是影响系统性能和可靠性的关键挑战。　　传统贴片封装通过PCB散热，效率差，制约功率密度;传统插件封装需要使用绝缘片，导热膏，螺钉等多种物料，可靠性风险点多。　　是否有一款能同时解决上述设计痛点，又能简化设计难度的方案呢?维安WTPAK应运而生：一款具有自主知识产权的贴片式背部散热封装形式。图1： WTPAK模型图　　封装特点　　1.自主知识产品　　2.优化基岛面积，可实现更大芯片面积的封装　　3.优化功率引脚宽度，大幅提升电极载流能力　　4.优化电极距离，满足电力电子安规要求　　5.为SiC MOS和新一代IGBT产品预留开尔文驱动　　封装尺寸　　应用特点　　1.更灵活的PCB设计方案，结构散热设计更简单。　　2.散热和载流分离，解决PCB过热和IGBT出流能力的问题，实现更大的功率密度，提升系统可靠性。　　WTPAK热仿真结果，在有散热片的条件下比无散热片的结温低20℃。　　3.自动化SMT生产，大幅提升人均效率，降低装配风险，为大规模生产提供可靠方案。　　4.FRD正温度系数，充足的封装爬电距离，更方便并联使用。　　5.整流二极管，IGBT，产品系列化，规格丰富。　　产品选型表　　WTPAK不止是封装，而是一套“更小，更凉，更可靠，更方便”的系统方案。从芯片选型到系统设计进行全局优化，提升散热效率并降低失效率，缩短开发周期，确保产品的稳定与高效。

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维安

发布时间：2025-11-28 09:50 阅读量：316 继续阅读>>

上海永铭固态电容如何以超薄<span style='color:red'>封装</span>破解高密度移动电源PCB布局难题？

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上海永铭固态电容如何以超薄封装破解高密度移动电源PCB布局难题？

　　引言　　在当前电子设备设计中，PCB高度与布线密度的矛盾日益突出。传统电解电容因体积臃肿，难以满足紧凑布局需求，尤其在多层板、高电流应用中，其ESR高、寿命短、空间占用大等问题凸显。　　上海永铭解决方案与优势　　上海永铭固态电容通过采用高导电率高分子材料与卷绕工艺，在相同容值下实现更薄的封装结构。以VP4系列为例，其3.95mm高度为贴片电容全球最薄，额定电压6.3V~35V，容值220μF条件下ESR仅60mΩ。　　推荐型号：　　实际应用案例　　【案例分享1：无线充-替代陶瓷MLCC方案】　　MLCC规格：25V 10μF(0805/0603封装)　　固态电容：VPX 25V 100μF 6.3*4.5(贴片)　　取代方案优势：用一颗高性能电解电容整合一大片MLCC阵列，从而极大节省PCB面积、简化设计、提升容量稳定性。　　【案例分享2：安克14合1屏显桌面充电扩展坞】　　结语　　永铭以技术领先与产品可靠性为核心，正逐步取代日韩品牌，成为全球电源设计中的头部电容供应商。我们将持续深耕高频、高容、超薄领域，为电子设备提供“更小、更稳、更耐久”的电容解决方案。

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永铭

发布时间：2025-11-07 13:50 阅读量：428 继续阅读>>

江苏艾倍思特取得无引脚<span style='color:red'>封装</span>的堆叠式光耦合装置专利

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江苏艾倍思特取得无引脚封装的堆叠式光耦合装置专利

　　近日，国家知识产权局信息显示，江苏艾倍思特光电子有限公司取得一项名为“无引脚封装的堆叠式光耦合装置”的专利，授权公告号CN 222483389 U，申请日期为2024年5月。　　专利摘要显示，本实用新型提供一种无引脚封装的堆叠式光耦合装置，包括：堆叠式光耦合模组;模塑封装壳体，包覆堆叠式光耦合模组;以及多个接触垫，与堆叠式光耦合模组中的多个导电部电连接;其中，所述多个接触垫外露于模塑封装壳体，且与所述模塑封装壳体的外表面齐平。借此，本实用新型的无引脚封装的堆叠式光耦合装置可用于电子产品上，并可解决占用较大电路布局面积的问题。

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江苏艾倍思特

发布时间：2025-11-04 10:00 阅读量：369 继续阅读>>

扬杰科技先进<span style='color:red'>封装</span>项目（一期）隆重开工

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扬杰科技先进封装项目（一期）隆重开工

　　2025年10月28日上午8时56分，扬杰科技先进封装项目(一期)开工仪式在五号厂区举行。扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震，管委会副主任潘健年，扬杰科技董事长梁勤等领导及参建单位、企业员工代表出席，共同见证这一重要时刻。　　此次开工的先进封装项目，是扬杰科技深耕半导体领域、践行“想赢、敢赢、能赢”企业信念的关键实践。项目占地23亩，计划新建一栋三层混凝土框架结构生产厂房，建筑面积近3.7万平方米，核心是引进建设国际先进水平的封装生产线。这一布局既顺应半导体产业“轻、薄、短、小”技术趋势，也标志着扬杰科技在突破关键技术瓶颈、完善“芯片设计-制造-封装”IDM全产业链布局中迈出关键一步。　　仪式致辞环节，扬建集团党委委员、副总经理张斌代表施工单位发言，承诺将秉持“百年工程创品牌价值”理念，发挥技术与经验优势，协同项目团队严控质量与安全，保障项目顺利竣工、打造精品工程。　　随后，扬杰科技副总裁沈颖发表致辞，她强调，扬杰科技历经“贸易-制造-研发”三次转型的25年发展历程，始终坚守“客户第一、创新卓越”的核心价值观。项目投产后，不仅能显著提升我国先进封装自主生产能力，满足下游消费电子、汽车电子等产业的迫切需求，更将为半导体产业链协同发展与自主可控注入强劲动能。扬杰科技承诺将以“工匠精神”打造绿色制造示范厂房，以“创新基因”建成国际领先的生产线，以“开放姿态”联动产业生态，严格按规划推进项目，确保早竣工、早投产、早见效。　　仪式上，扬州维扬经济开发区党工委副书记、管委会主任仇震发表重要讲话。他强调，维扬经济开发区党工委高度重视半导体产业链打造，以最大努力提供最优环境。作为园区龙头企业，该项目是扬杰科技在半导体产业布局的又一战略性举措，也是园区产业升级的又一里程碑。他表示，开发区将持续为项目建设提供全方位的服务与支持，始终秉持“好地方事好办”服务理念，以一家人、一条心、一起拼的信念努力为企业创造更好更优的外部环境。随后，仇震宣布“扬杰科技先进封装项目(一期)正式开工”。　　在浓厚氛围中，仇震、潘健年、梁勤、沈颖等主席台领导嘉宾移步奠基区，手持铁锹培土奠基，项目正式启动建设。　　扬州建苑监理等参建单位，扬杰科技标准器件事业部总经理崔群、供应链制造中心总经理唐杉及维开区办公室、招商、投资服务等部门主要负责同志出席了开工仪式。　　此次扬杰科技先进封装项目(一期)的开工，为扬州半导体产业发展注入了新的活力。随着项目的建成投产，扬杰科技将进一步巩固在半导体领域的优势地位，同时也将带动上下游产业协同发展，为国产半导体产业突破技术壁垒、实现高质量发展贡献重要力量。我们期待，明年此刻，这里能机器轰鸣、产销两旺，以优异成绩为扬州半导体产业发展再添新动能。

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扬杰科技

发布时间：2025-10-29 10:22 阅读量：552 继续阅读>>

体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL<span style='color:red'>封装</span>的SiC MOSFET

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体积更小且支持大功率！ROHM开始量产TOLL封装的SiC MOSFET

　　2025年10月16日，全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)宣布，已开始量产TOLL(TO-LeadLess)封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品(TO-263-7L)相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS(储能系统)以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。　　与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的漏-源额定电压为650V，而ROHM新产品则达到750V。因此，即使考虑到浪涌电压等因素仍可抑制栅极电阻，从而有助于降低开关损耗。产品阵容中包括13mΩ至65mΩ导通电阻的共6款机型的产品，并已于2025年9月开始量产(样品价格：5,500日元/个，不含税)。另外，新产品也已开始电商销售，可从Ameya360平台购买。另外，ROHM官网还提供6款新产品的仿真模型，助力客户快速推进电路设计。　　<开发背景>　　在AI服务器和小型光伏逆变器等应用中，功率呈日益提高的趋势，同时，与之相矛盾的小型化需求也与日俱增，这就要求功率MOSFET具有更高的功率密度。特别是被称为“卡片式”的超薄电源，其图腾柱PFC电路*1需要满足厚度4mm以下的严苛要求。为满足这些市场需求，ROHM开发出厚度仅为2.3mm、远低于以往封装产品4.5mm的TOLL封装SiC MOSFET。　　<产品阵容>　　<应用示例>　　・工业设备：AI服务器和数据中心等电源、光伏逆变器、ESS(储能系统)　　・消费电子：一般电源　　<电商销售信息>　　电商平台：Ameya360　　开始销售时间：2025年9月起逐步发售　　<术语解说>　　*1) 图腾柱型PFC电路　　一种高效率的功率因数校正电路方式，通过采用MOSFET作为整流器件来降低二极管损耗。通过采用SiC MOSFET，可实现高耐压、高效率及支持高温运行的电源。　　<关于“EcoSiC™”品牌>　　EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，已经确立了SiC领域先进企业的地位。・EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

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发布时间：2025-10-20 11:02 阅读量：498 继续阅读>>

维安整流桥：低损耗、全<span style='color:red'>封装</span>、多领域守护电能转换

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维安整流桥：低损耗、全封装、多领域守护电能转换

　　在电子设备深度融入生产生活的今天，从我们日常依赖的消费电子、便携终端、照明系统、家用电器，到支撑工业运转的各类电源装置，它们的稳定运行都离不开一个至关重要的元器件——整流桥。作为电能转换的 “守门人”，整流桥主要负责将交流电(AC)高效稳定地转换为直流电(DC)，为整个电路系统提供可靠的动力源。可以说，整流桥的性能与品质，直接决定了电子设备产品的效率、稳定性与使用寿命。　　产品优势　　低损耗，高能效　　WAYON整流桥采用先进的芯片技术与封装工艺，使产品具有较低的正向压降(VF)和反向漏电流(IR)。这意味着在整流过程中能量损耗更少，转换效率更高，帮助设备节能降耗。　　封装系列齐全，应用广泛　　WAYON提供全系列外观尺寸的整流桥产品，从贴片类小本体MBS、ABS到插件类大本体GBJ、SGBPC等近30种封装形式，电流范围从1A到50A，电压范围从50V到1000V以上，可满足消费电子、照明领域、工业控制、通信电源、汽车等不同领域的多样化需求。部分封装外观如下：　　质量可靠　　产品经过长期严格的可靠性测试，具备高温环境下工作性能(Tjmax=150℃)以及较高的抗浪涌电流的能力。无论是在高温还是严寒的极端环境下，都能保持稳定输出，极大提升了整机产品的耐用性和市场竞争力。部分信赖性项目如下：　　典型应用领域　　1.消费类电子　　PD快充、PC电源、电源适配器……　　如今充电器中，电源架构通常为AC-DC转换拓扑。整流桥作为输入交流(AC)到直流(DC)转换的首个功率处理单元，其性能直接决定了后续电路的工作稳定性、整体转换效率及温升表现。　　02 照明领域　　家用 LED 吸顶灯、路灯等驱动电源……　　03 家用电器　　空调、洗衣机、冰箱等电源模块……　　04 工业设备　　变频器、工控电源、电焊机电源……　　05 通信IT　　服务器电源……　　06 汽车电子　　车载充电器(OBC)……　　产品选型表

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发布时间：2025-09-28 11:51 阅读量：455 继续阅读>>

罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件<span style='color:red'>封装</span>兼容性，为客户带来更高灵活度

行业新闻

罗姆与英飞凌携手推进 SiC 功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度

　　2025 年 9 月 25 日全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布，与英飞凌科技股份公司(总部位于德国诺伊比贝格，以下简称“英飞凌”)就建立 SiC 功率器件封装合作机制签署了备忘录。双方旨在对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及 AI 数据中心等领域的 SiC 功率器件封装展开合作，推动彼此成为 SiC 功率器件特定封装的第二供应商。未来，用户可同时从罗姆与英飞凌采购兼容封装的产品，既能灵活满足客户的各类应用需求，亦可轻松实现产品切换。此次合作将显著提升用户在设计与采购环节的便利性。　　英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer 表示：“我们很高兴能够通过与罗姆的合作进一步加速碳化硅功率器件的普及。此次合作将为客户在设计和采购流程中提供更丰富的选择与更大的灵活性，同时还有助于开发出能够推动低碳进程的高能效应用方案。”　　罗姆董事兼常务执行官功率器件事业部负责人伊野和英表示：“罗姆的使命是为客户提供最佳解决方案。与英飞凌的合作将有助于拓展我们的解决方案组合，同时也是实现这一目标的重要一步。我们期待通过此次合作，能够在推进协同创新的同时降低复杂性，进一步提升客户满意度，共同开拓功率电子行业的未来。”英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer(左)罗姆董事兼常务执行官伊野和英(右)　　作为此次合作的一部分，罗姆将采用英飞凌创新的 SiC 顶部散热平台(包括TOLT、D-DPAK、Q- DPAK、Q-DPAK Dual 和 H-DPAK 封装)。该平台将所有封装统一为 2.3mm 的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。　　同时，英飞凌将采用罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”，并开发兼容封装。这将使英飞凌新发布的 Double TO-247 IGBT 产品组合新增 SiC 半桥解决方案。罗姆先进的 DOT-247 封装相比传统分立　　器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个 TO-247 封装连接的独特结构，较 TO- 247 封装降低约 15%的热阻和 50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到 TO-247 封装的 2.3倍。　　罗姆与英飞凌计划今后将不仅在硅基封装，还将在 SiC、GaN 等各类封装领域进一步扩大合作。此举也将进一步深化双方的合作关系，为用户提供更广泛的解决方案与采购选择。　　SiC 功率器件通过更高效的电力转换，不仅增强了高功率应用的性能表现，在严苛环境下展现出卓越的可靠性与坚固性，同时还使更加小型化的设计成为可能。借助罗姆与英飞凌的 SiC 功率器件，用户可为电动汽车充电、可再生能源系统、AI 数据中心等应用开发高能效解决方案，实现更高功率密度。　　关于罗姆　　罗姆是成立于 1958 年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信设备等众多市场提供高品质和高可靠性的 IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动 IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。进一步了解详情，欢迎访问罗姆官方网站：https://www.rohm.com.cn/　　关于英飞凌　　英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约 58,060 名员工(截至 2024 年 9 月底)，在 2024 财年(截至 9 月 30 日)的营收约为 150 亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码：IFX)，在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市(股票代码：IFNNY)。

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