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思瑞浦TPM27524A-DFSR：极小<span style='color:red'>封装</span>双路5A低边驱动硬核突围，助力高功率密度驱动设计

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思瑞浦TPM27524A-DFSR：极小封装双路5A低边驱动硬核突围，助力高功率密度驱动设计

　　聚焦高性能模拟与数模混合产品的供应商思瑞浦(股票代码：688536)，持续在功率驱动领域深耕布局。针对当前火热的通信电源、服务器电源(砖模块)及充电桩模块等高密度应用场景，思瑞浦推出TPM27524A-DFSR双通道栅极驱动芯片,产品在保证强劲驱动能力的同时，以业界极小封装尺寸DFN1.5×1.5-8，有效解决系统“空间焦虑”痛点。　　01　　产品优势　　极小封装下的“散热”奇迹　　传统认知里，极小封装往往要牺牲散热性能，而TPM27524A-DFSR打破了这一局限，图1为该封装引脚示意图。图2直观对比了行业通用的SOP8、EMSOP8与DFN1.5×1.5-8三款封装的尺寸：DFN1.5×1.5-8的封装面积仅为SOP8的1/13、EMSOP8的1/6，底部还保留了专用散热焊盘。这种“小尺寸、强散热”的设计，给空间高度受限的大功率电源模块单板，留出了充足的布局调整空间。灵活的隔离驱动与供电方案　　依托极小封装尺寸，TPM27524A-DFSR在隔离供电场景下的适配优势十分突出，图3就是基于该芯片搭建的隔离供电参考方案。工程师可以把芯片直接贴装在小型变压器近旁，大幅压缩高频走线长度，有效降低寄生参数与信号干扰。这种布局的灵活性既能让单板布线更简洁清爽，更利于保障信号完整性，也能为多路输出电源的高密度堆叠腾出更多设计空间。　　02产品特性　　封装形式：1.5mm×1.5mm DFN-8(带散热焊盘);　　驱动通道：双通道独立驱动;　　供电电压范围：4.5V至23V;　　峰值拉/灌电流：5A/5A;　　传输延迟：典型值14ns;　　工作温度范围：-40℃ 至 +125℃;　　03典型应用　　TPM27524A-DFSR是面向高功率密度开关电源场景定制的驱动芯片，可广泛适配通信基础设施电源、服务器电源、新能源汽车、大功率充电桩模块等前沿领域。当前这类场景普遍面临功率升级带来的器件布局空间紧张问题，TPM27524A-DFSR的极小封装优势恰好能针对性破局，帮助客户轻松突破单板面积瓶颈，在不牺牲整机性能的前提下又能实现功率密度的显著提升。

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思瑞浦

发布时间：2026-07-30 14:03 阅读量：267 继续阅读>>

维安超薄顶部散热二极管<span style='color:red'>封装</span>“以小博大，以薄驭热”

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维安超薄顶部散热二极管封装“以小博大，以薄驭热”

　　伴随智能手机、轻薄智能家电等电子产品持续迭代，整机小型化、薄型化、高功率、低温升已成为行业核心发展趋势，传统贴片二极管封装仅依靠引脚导热，存在散热效率低、本体体积偏大、高温工况性能衰减明显等痛点，难以适配新一代硬件设计需求。　　为此，维安(WAYON)二极管推出贴片式顶部散热全新封装体系——SMHx系列，包含SMHS、SMHM、SMHL三款规格，可替换传统SOD-123FL、SMA、SMB、SMC封装。　　“产品特点　　WAYON 顶部散热SMHx系列　　01　　小型化(Miniaturization)　　02　　薄型化(Thinning)　　03　　顶部散热(Topside Cooling)　　图1：维安顶部散热SMHx封装外形示意图　　传统封装的散热途径是通过引脚散热，而新型顶部散热封装是通过顶部的金属直接向空气中散热。　　图2：传统封装贴片示意图　　图3：维安顶部散热封装散热示意图　　结壳热阻对比：　　顶部散热SMHM封装相比传统封装SMA结壳热阻降低66.39%,比传统封装SMB结壳热阻降低56.53%。　　温升对比　　器件持续正向导通30分钟：　　相同测试环境下，SMHS封装的顶部金属区域温度39.4℃，远低于传统SMA封装的73.3℃。高温运行稳定性显著提升，可有效规避器件过热失效、整机温升超标等问题。　　维安顶部散热与传统封装的外形尺寸对比：　　SMHx系列针对传统SMA/SMB/SMC封装完成尺寸压缩，长宽厚全方位缩小，大幅节省PCB布板空间。　　应用领域　　WAYON 顶部散热SMHx系列　　主推型号　　WAYON 顶部散热SMHx系列　　维安SMHx系列顶部散热封装凭借高效散热、尺寸优化、高温稳定三大核心竞争力，精准匹配智能家电、小型化面板、大功率设备的升级需求，为各行业终端硬件迭代、电路方案优化提供一站式高性能器件解决方案。

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维安

发布时间：2026-07-29 09:36 阅读量：284 继续阅读>>

太阳诱电丨业界领先的大尺寸<span style='color:red'>封装</span>（φ12.5），兼具高纹波电流承载能力、大容量与低高度设计

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太阳诱电丨业界领先的大尺寸封装（φ12.5），兼具高纹波电流承载能力、大容量与低高度设计

　　-导电性高分子混合铝电解电容器-　　无论在数据中心、AI服务器、车载ECU还是工业设备等应用中，电源电路的设计要求都在持续提升，且呈现多样化趋势。太阳诱电凭借采用电解液与导电性高分子相结合的独特结构，实现了大容量、高耐压与低ESR特性的兼顾。通过导电性高分子混合铝电解电容器HVX/HTX-J系列，助力解决车载市场面临的各类设计挑战。　　为什么需要混合电容器　　在车载领域，48V系统的电力转换已逐渐要求达到700W～1kW级别。因此，电源用电容器同时面临以下挑战：(1)应对更高的纹波电流要求;(2)在高速开关时实现更低ESR;(3)实现低高度与小型化设计;以及(4)满足AEC-Q200车规标准。仅依靠传统铝电解电容器或固态高分子聚合物电容器单体，已难以同时满足上述全部要求。　　使用混合电容器替代铝电解电容器　　太阳诱电混合电容器最大的优势在于其优异的高纹波电流承载能力，可实现产品小型化、减少元器件数量并降低PCB占板面积。此外，经测算，采用混合电容器后，其使用寿命可延长至传统铝电解电容器的约2～3倍。　　应对车载系统48V化趋势　　太阳诱电HVX/HTX-J系列在保持业界领先的高纹波电流承载能力和大容量特性的同时，提供多种尺寸的63V产品阵容，可满足48V系统多样化的设计需求。此外，业界领先的φ12.5×13.5L(mm)大尺寸封装，在实现与φ10×16.5L(mm)产品同等性能的同时，还可提供13.5L(mm)低高度设计这一独特优势。

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太阳诱电

发布时间：2026-07-27 10:47 阅读量：273 继续阅读>>

江西萨瑞微丨音频国产替代风口！全 TO <span style='color:red'>封装</span>达林顿管，一站式覆盖全品类功放驱动

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江西萨瑞微丨音频国产替代风口！全 TO 封装达林顿管，一站式覆盖全品类功放驱动

　　2026 音频行业迎来多重增长红利：杜比全景声 Soundbar、大功率户外派对音箱、桌面 HIFI、全屋智能音响、AI 语音音箱全线放量，空间音频、多声道分频驱动成为标配。但海外功率器件持续涨价、交期拉长，音箱厂商普遍面临进口 TIP/MJD 系列达林顿管供货不稳、成本承压、封装选型受限三大痛点，功率器件国产化替代已成行业刚需。　　江西萨瑞微电子达林顿功率管全面适配音频设备，全系列 TO 封装均可定制量产，NPN/PNP 互补型号完整配套，为各类音箱功放、控制电路提供稳定国产替代方案。　　01　　直击音箱行业三大核心痛点　　痛点 1：多声道分频 + 多路负载，电路设计繁琐　　现代音箱搭载低音炮功放、高低音喇叭驱动、语音麦克风放大、氛围灯、按键继电器、主动散热风扇等多路感性负载，MCU 微弱音频 / IO 信号无法直接驱动喇叭与电机。　　*NPN达林顿内部电路　　*PNP达林顿内部电路　　萨瑞解决方案：内置两级复合达林顿结构，hFE 高达 1000~12000，微安级输入信号即可驱动数安培负载;内部集成分压电阻 + 续流二极管，无需额外外围元件，PCB 布线精简 30%，大幅降低音箱 BOM 成本，音频放大线性度高、失真低。　　痛点 2：音箱产线分贴片、插装，封装选择单一　　多数国产厂商仅少量 TO 封装现货，便携小音箱 SMT 贴片、大功率 HIFI 插板、户外功放散热款无法一站式配齐，需要多家供应商采购，供应链割裂。✅萨瑞核心优势：不止 TO-220、TO-252 成熟现货，全系 TO 封装支持快速开发、批量供货　　TO-252(DPAK 贴片)：MJD122T4/MJD127T4/MJD112T4，卷带 2500pcs 全自动 SMT，适配便携蓝牙音箱、桌面小音响、AI 智能音箱小型主板;　　TO-220 直插：TIP117/TIP137/TIP147/MJD122T5，散热余量充足，适配大功率 Soundbar、户外重低音、家用 HIFI 分立功放后级;　　TO-92/126/247/263 全系列可定制丝印、功率、耐压，匹配不同音箱内部空间设计。　　痛点 3：高低温、长时间播放，音质易衰减　　户外音箱暴晒、室内音箱长时间连续播放，普通管子易出现放大倍数漂移、饱和压降上升，造成低音疲软、声音失真、风扇启停异响。　　萨瑞器件宽温稳定：工作区间 - 65℃~150℃，UL94V-0 阻燃环保塑封，湿敏等级 L3，无铅回流焊适配自动化产线;高低温循环下增益波动极小，持续播放音质稳定，完美满足音频设备长期工作需求。　　02　　全 TO 封装矩阵，覆盖音箱生产工艺　　萨瑞达林顿管不止 TO-220、TO-252 两大主流封装，全系列 TO 封装均可定制量产　　TO-252(DPAK 贴片封装)　　代表型号：MJD122T4 (NPN)/MJD127T4 (PNP)、MJD112T4　　功率 1.5~1.75W，贴装省空间，卷带包装 2500pcs，全自动 SMT 高速贴片，适合大批量音箱量产　　TO-220(直插散热封装)　　代表型号：MJD122T5、TIP117、TIP137、TIP147　　散热性能优异，Tc=25℃下 TIP137 峰值功率 70W。　　全 TO 系列可定制开发　　TO-92、TO-126、TO-247、TO-251、TO-263 等全系封装均可按需开发，可根据音箱板空间、功率需求灵活匹配封装尺寸，单 / 互补 NPN+PNP 配套供货。　　03　　全品类音箱多场景落地应用　　紧跟 2026 音频市场主流赛道，萨瑞达林顿覆盖音箱全部功率驱动电路：　　Soundbar 回音壁 / 家庭影院　　NPN+PNP 互补对管组成推挽放大电路，驱动中高低音多声道喇叭，低饱和压降，动态范围大，杜比全景声声场饱满，适配多分频功放后级输出　　户外大功率蓝牙音箱 / 派对音响　　选用 TIP137、TIP147 大电流达林顿，持续电流 8~10A，充足散热冗余，大音量输出无失真，适配低音炮大功率负载。　　桌面便携 / AI 智能音箱　　TO-252 贴片 MJD112/MJD122，体积小巧，驱动喇叭、散热风扇、氛围 LED、语音复位继电器，缩小整机主板尺寸，轻薄音箱设计首选。　　家用 HIFI 分立功放　　TO-220 插件 MJD122/TIP147 对管，音频线性放大优异，交越失真低，发烧友功放、多媒体 2.1 声道音箱标准方案。　　车载音响 / 全屋背景音乐主机　　中小电流达林顿驱动分区喇叭、音量调节开关、散热风机，高低压兼容，长时间播放稳定不发烫。　　04　　萨瑞微电子交付保障，家电厂商稳定供货　　全系列 RoHS、家电电子安规齐全，内销、出口跨境音箱均可合规出货;　　支持参数微调、丝印定制、小批量快速试样，音频研发工程师同步提供功放电路调试技术支持;　　长单锁价机制，交期稳定，规避进口器件涨价、断供风险;　　全系 TO 封装快速打样，缩短音箱新品研发上市周期。　　结语　　从空间音频普及、户外音箱爆发，到音频供应链自主可控浪潮，音箱功放、控制元器件国产化已是不可逆趋势。江西萨瑞全 TO 系列达林顿管兼顾封装全覆盖、高低功率匹配、NPN/PNP 互补配套，为便携蓝牙、回音壁、HIFI、户外音响提供一站式功率开关国产解决方案。

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发布时间：2026-07-24 09:28 阅读量：362 继续阅读>>

顶面散热新<span style='color:red'>封装</span>！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

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顶面散热新封装！ROHM推出高耐压且散热性能优异的SiC MOSFET

　　中国上海，2026年7月9日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，推出SiC MOSFET的TSC3PAK(14.00×18.58×3.50mm)封装。新产品为可自动安装的表贴型产品，通过采用将散热面置于封装顶部的结构，实现了与插装型封装(TO-247-4L)同等级别的散热性能。在将该器件用于电动汽车(xEV)的车载充电器(OBC)和电动压缩机等应用时，可有助于提升功率转换电路的效率和可靠性。　　新产品通过采用ROHM自有的沟槽设计，确保了6.66mm业界先进水平的爬电距离*1。新产品不仅与市场上广泛普及的封装兼容，同时，还实现了污染等级2级*2环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此，在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，有助于降低安装成本并提高可靠性。　　另外，通过搭载ROHM第4代SiC MOSFET，还实现了低导通电阻和高速开关特性。这使得功率转换时的开关损耗大幅降低，有助于应用产品进一步提高效率并更加节能。　　新产品已于2026年6月开始量产(样品价格：5500円日元/个，不含税)，且同时开始线上销售。此外，ROHM官网还提供仿真模型，助力客户快速进行电路评估。　　未来，ROHM将通过进一步扩充SiC MOSFET产品阵容，为电子设备实现更高性能、更小体积与更高可靠性提供支持。　　<开发背景>在电动汽车(xEV)中，为了提高充电速度并延长续航里程，除了主驱逆变器外，SiC器件在车载充电器(OBC)和电动压缩机等的功率转换电路中的应用也在不断扩大。另外，在工业设备领域，作为有助于高性能服务器电源和光伏逆变器等设备高效工作的器件，SiC器件的应用也持续增长。传统的SiC器件为了在大功率运行时有效散热，主要采用的是散热性能优异的插装型封装。但是，插装型封装不仅涉及手工安装工序，还存在因封装形状限制而难以实现薄型化的问题。对此，近年来可自动安装的表贴型SiC器件开始普及。新产品采用表贴型封装，却实现了与TO-247等插装型封装同等级别的散热性能。　　<应用示例>车载设备：车载充电器(OBC)、电动压缩机等工业设备：光伏逆变器、服务器电源等<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，ROHM一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，ROHM在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　<术语解说>　　*1) 爬电距离　　两个导体之间沿绝缘表面测得的最短距离。在半导体设计中，为了防止触电、漏电、半导体产品短路，需要采取确保爬电距离和电气间隙的绝缘对策。　　*2) 污染等级2级　　污染等级2级相当于家庭和办公室等常见的环境，即仅存在干燥的非导电污染物的状态。污染等级是确定元器件的电气间隙和爬电距离时会产生影响的环境等级，根据污染物质的有无、数量和状态分为1～4级。

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发布时间：2026-07-10 09:40 阅读量：452 继续阅读>>

超小<span style='color:red'>封装</span>+负压适配！思瑞浦TPP05301打造端侧智能设备可靠电源供电

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超小封装+负压适配！思瑞浦TPP05301打造端侧智能设备可靠电源供电

　　随着物联网、智能家居与端侧AI设备快速普及，叠加数据中心、高速光模块的批量落地，系统设计面临全新挑战：如光模块的尺寸受标准化约束，同时需为光路器件等预留空间，如何在紧凑 PCB 空间内，兼顾高转换效率与长久续航?针对行业痛点，思瑞浦(3PEAK)推出新一代高频、超低静态功耗同步降压转换器TPP05301。该产品体积小巧、性能出众，可直接为DSP、Serdes等AI设备系统的关键核心器件稳定供电，一站式解决空间受限、功耗管控与电流输出难题，为端侧智能设备打造可靠电源支撑。　　TPP05301支持2.5V~5.5V宽输入电压范围，输出电压0.6V~VIN调节，稳态输出电流高达3A。采用COF(Constant Off-Time)控制架构。集成OCP、OVP、UVLO等多种保护机制。同时产品可提供 SOT563(1.6mm×1.6mm)超小封装，助力光模块、通信设备和穿戴设备等市场。　　01　　产品优势　　小巧尺寸，释放空间　　在寸土寸金的电路板上，面积就是成本。TPP05301采用了小型 SOT563 (1.6mm × 1.6mm) 封装。同时，2.2MHz的高开关频率允许系统使用更小尺寸的电感和电容，极大程度减少了整体BOM面积，芯片及外围的整体方案可以优化至30mm2，良好适配光模块、便携式设备对空间的极致要求。　　图 1 PCB尺寸3D示意图卓越效率，降低损耗　　TPP05301展现出卓越的能效表现，针对光模块最常用的3.3V主电源轨，在3.3V转1.8V的典型应用中，其峰值效率可达95%。这意味着更少的电能转化为热量，显著缓解了高带宽光模块面临的散热压力，保障信号传输更稳、更远。　　图 2 VIN=3.3V时效率曲线　　超低功耗，续航持久　　针对电池供电系统，TPP05301表现出了优异的节能特性。其关断电流可低至100nA，非开关状态下的典型静态电流(Iq)仅为25µA，全温度范围内均在30µA以下。　　图 3 静态电流　　同时，TPP053010版本支持Power-Save Mode(PSM)省电模式，在轻载条件下自动切换至降频工作状态，大幅提升轻载效率，有效延长设备的电池续航时间。　　支持直通，切换丝滑　　支持100%占空比(Low Dropout)，当输入电压接近输出电压时，芯片可进入100%占空比模式，最大限度压榨电池的最后一点电量。TPP05301采用COF(Constant Off-Time)控制架构，控制固定的关断时间，自适应调节Ton时间，让进入与退出直通模式更加平滑。　　图 4 进入与退出直通模式　　低压使能，灵活控制　　随着AI终端和算力设备的发展升级，供电和控制轨的电压不断降低。TPP05301具备原生低压使能特性，其EN引脚阈值完美适配1.2V逻辑电平，无需额外电平转换。这一特性可直接为先进芯片DSP、FPGA或SoC的GPIO进行控制，极大地提升了电源时序管理的灵活性与设计自由度。　　图 5 EN使能示意图　　02产品特性　　•输入电压范围 (VIN)： 2.5V ~ 5.5V;　　•输出电压范围 (VOUT)： 0.6V ~ VIN;　　•最大持续输出电流： 3A;　　•开关频率： 2.2MHz/1.1MHz;　　•静态功耗 (Iq)： 25µA (Typ.);　　•关断电流 (Isd)： 100nA (Typ.);　　•工作温度范围： -40℃ ~ +125℃;　　•基准电压精度： 0.6V ±1%;　　•封装形式： SOT563 (1.6mm × 1.6mm);　　03典型应用　　得益于宽泛的输入电压、超小的封装和出色的效率，TPP05301可广泛应用于以下领域：　　数据中心网络设备：光模块、交换机、无线AP　　AIoT与视觉终端： IP Camera (网络摄像机)、无人机、智能穿戴设备　　消费类电子：智能电视、DVR、STB　　通用便携设备：智能家居终端、电池供电的通用电源模块　　负压供电方案　　光模块应用中需要给DSP的IO/PIC的TX提供负压供电，TPP05301可以实现负压方案，并提供较小的纹波输出，VIN=3.3V，VOUT=-1.8V，ILoad=80mA时的输出电压纹波如图。　　图 6 TPP05301负压方案示意图及输出电压纹波

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思瑞浦

发布时间：2026-07-01 10:23 阅读量：458 继续阅读>>

森国科推出TOLT<span style='color:red'>封装</span>SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

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森国科推出TOLT封装SiC MOSFET，引领高效能功率器件新纪元

　　新品发布：K2M025065-V，定义性能新标杆　　森国科(SGKS)正式推出采用TOLT先进封装的碳化硅(SiC)功率场效应晶体管K2M025065-V。这款产品将森国科领先的SiC MOSFET芯片技术与优化的封装设计相结合，旨在为高功率密度和高效率的应用场景提供革命性的解决方案。K2M025065-V的发布，标志着森国科在宽禁带半导体领域的技术实力和产品布局迈上了新的台阶。　　01　　森国科SiC MOSFET：卓越性能的核心　　森国科的碳化硅MOSFET芯片以其卓越的物理特性，从根本上解决了传统硅基器件在高压、高频应用中的瓶颈。K2M025065-V继承了这些核心优势，为系统设计带来质的飞跃。　　高耐压与低导通损耗：　　该器件拥有650V的高阻断电压和典型值仅为25mΩ的超低导通电阻(RDS(on))。这意味着在相同的导通电流下，器件的导通损耗极低，能显著提升系统效率，尤其是在大电流工作条件下优势更为明显。　　高频开关与低电容：　　得益于SiC材料的特性，K2M025065-V具备极高的开关速度和低输入/输出电容。这使得它能够工作在远高于传统硅器件的频率下，从而允许使用更小的无源元件(如电感和电容)，极大地提升了系统的功率密度。　　优异的体二极管特性：　　其内部集成的体二极管具有快速恢复和低反向恢复电荷(Qrr)的特点。在需要体二极管进行续流的应用(如逆变器)中，这能大幅降低开关过程中的能量损耗和电压震荡，提高系统可靠性和效率。　　02　　TOLT封装：为高性能而生　　K2M025065-V采用的TOLT封装并非传统封装的简单迭代，而是一次为高性能功率器件量身定制的创新。它在多个维度上对传统封装进行了优化，将SiC MOSFET的性能潜力发挥到极致。　　极致的散热能力：　　TOLT封装采用了优化的内部结构和导热路径，使其结壳热阻(RthJC)低至0.40℃/W。出色的散热性能意味着器件在高功率工作时，热量能被更高效地传导至散热器，从而保持较低的结温，确保器件长期稳定可靠运行，并允许更高的功率输出。　　更低的寄生效应：　　优化的引脚布局和内部互连设计，有效降低了封装的寄生电感。更低的寄生电感对于高频开关应用至关重要，它能减少开关过程中的电压过冲和震荡，降低电磁干扰(EMI)，使系统设计更加简洁、可靠。　　坚固与可靠：　　TOLT封装在设计上考虑了功率器件在严苛环境下的应用需求，具备良好的机械强度和可靠性，能够满足汽车级和工业级应用的严苛要求。　　03　　应用领域：赋能绿色科技　　凭借其卓越的性能组合，K2M025065-V特别适用于对效率和功率密度有极致追求的应用领域。　　太阳能逆变器：　　在光伏系统中，更高的效率意味着更多的电能产出。K2M025065-V的低损耗特性可显著提升逆变器的转换效率，尤其是在最大功率点跟踪(MPPT)电压范围内的效率表现优异，助力绿色能源的高效利用。　　电动汽车电机驱动：　　在电动汽车的主驱逆变器中，K2M025065-V的高频开关能力和低导通损耗，有助于减小电机驱动系统的体积和重量，同时提升车辆的续航里程。其优异的体二极管特性也使其在复杂的电机控制工况下表现稳定。　　高压直流变换器与开关电源：　　在这些应用中，K2M025065-V能够支持更高的开关频率，从而减小磁性元件和电容的体积，实现更高功率密度的电源设计，满足数据中心、通信基站等对空间和效率要求苛刻的场景。　　结语　　森国科K2M025065-V TOLT封装SiC MOSFET的推出，是森国科在功率半导体领域技术实力的集中体现。它将SiC材料的本征优势与先进封装技术完美融合，为工程师提供了一个能够突破现有设计瓶颈的强大工具。我们相信，这款产品的问世将加速碳化硅技术在各个高增长市场的应用普及，共同推动能源转换技术迈向一个更高效、更紧凑、更可靠的新时代。

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发布时间：2026-06-29 10:02 阅读量：456 继续阅读>>

思瑞浦丨超小<span style='color:red'>封装</span>！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

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思瑞浦丨超小封装！思瑞浦隔离Delta‑sigma调制器TPA8101/TPA8102，解决狭小空间高精度隔离采样痛点

　　当前，低压伺服行业正蓬勃发展，2025年国内市场规模破120亿元，同比增速18.2%。受益于制造业升级与新兴产业崛起，锂电、光伏、机器人等领域需求旺盛。产品向小型化、集成化、低功耗演进，技术突破推动行业高景气前行。　　思瑞浦(3PEAK，股票代码：688536)推出TPA8101与TPA8102两款超小封装、高性能、功能性隔离精密Delta-sigma调制器。TPA8101与TPA8102分别支持±250mV与±50mV的输入电压范围。其隔离性能支持电压高达200V有效值电压及280V直流电压，并可承受60秒达570V有效值与800V直流电压的瞬态耐压。两者均采用3.5mm×2.7mm DFN8超小封装，具备100kV/μs的共模瞬态抑制能力(CMTI)。TPA8101与TPA8102适用于基本隔离、精密电流采样及空间受限各类应用场景。　　01　　产品优势　　超小型化封装　　DFN8封装，尺寸仅为3.5mm*2.7mm*0.9mm，相比于WSOP8封装(11.5mm*5.8mm*2.5mm)，单颗芯片面积可以缩小至原来的14%，三颗芯片共计可以节省约170mm2 PCB板面积，且厚度<1mm，可以同时满足平面与纵向高密度布局要求。　　图1　　优异的直流精度　　失调低于±15μV(图2,个体测试值)，增益误差小于0.1%(图3,个体测试值)，确保高精度测量。在-40~125℃范围内，失调电压温漂在±1μV/℃以内，增益误差温漂在±40ppm/℃以内。常温校准后，100℃温度变化，失调电压变化小于100μV，增益误差变化小于0.4%。　　图2　　图3　　出色的动态性能　　信噪比(SNR 图4)高达80dB以上(Fin≤20kHz),提高信号分辨质量。　　图4　　02产品特性　　•强抗干扰能力CMTI: 100kV/μs的共模瞬态抑制能力，确保在恶劣噪声环境下稳定运行;　　•宽供电电压范围:　　高侧(VDD1): 3.0V到5.5V　　低侧(VDD2): 3.0V到5.5V　　•输入电压范围: ±250mV(TPA8101), ±50mV(TPA8102);　　•低失调误差(25°C,最大值): ±150 μV(TPA8101) ,±50 μV (TPA8102);　　•低增益误差(25°C,最大值): ±0.3% ;　　•系统级诊断: 输入共模电压过压与高侧供电电压缺失检测功能;　　•宽工作温度范围: −40°C至+125°C;　　•隔离耐压:　　工作耐压:200VRMS, 280VDC　　瞬态耐压(60s):570VRMS, 800VDC　　03典型应用　　48V电机系统应用，流过分流电阻器RSHUNT的电流所产生的压降信号输入至TPA8101或TPA8102。器件将高压侧的模拟输入信号进行数字化，并通过内部隔离器将量化数据传送至低侧。在低侧，DOUT引脚输出数字比特流与CLKIN引脚输入的时钟同步，该数字比特流由微控制器(MCU)或FPGA中的低通数字滤波器处理，系统的48V母线电压可通过TPA8023检测与传输。TPA8101与TPA8102不仅适用于48V电机系统电流检测,也广泛适用于各类需要基本隔离的中低压电子系统电流检测应用。　　图5　　TPA8101与TPA8102现已开放样品申请，并配套提供评估板及技术支持。　　如有需求，请联系思瑞浦当地销售团队或邮件至business@3peak.com。

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思瑞浦

发布时间：2026-06-09 09:50 阅读量：632 继续阅读>>

美光送样256GB DDR5服务器内存模块，重新定义AI性能——采用1-gamma DRAM与先进<span style='color:red'>封装</span>技术，为业界提供更快性能

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美光送样256GB DDR5服务器内存模块，重新定义AI性能——采用1-gamma DRAM与先进封装技术，为业界提供更快性能

　　2026 年 5 月 14 日，爱达荷州博伊西市——美光科技公司(纳斯达克股票代码：MU)近日宣布，已向核心服务器生态系统合作伙伴送样 256GB DDR5 RDIMM 内存模块。该模块基于美光领先的1-gamma 制程打造，传输速率最高可达 9,200 MT/s，比当前量产的内存模块快 40% 以上。　　此款模块采用先进封装工艺，结合 3D 堆叠(3DS)与硅通孔(TSV)工艺，将多颗内存晶粒整合于单一模块中。搭配美光 1-gamma DRAM 技术，这些创新成果提供了扩展下一代 AI 系统所需的容量、速率和能效。与两个 128GB 模块相比，单个 256GB 模块可降低 40% 以上的运行功耗，为现代 AI 数据中心带来更高能效。　　生态系统合作伙伴验证　　美光正与核心生态系统合作伙伴协作，在其当前及新一代服务器平台上对 256GB 1-gamma DDR5 RDIMM 进行验证。通过联合兼容性测试，可确保该产品具备广泛的平台兼容性，并帮助大规模构建人工智能(AI)和高性能计算(HPC)基础设施的数据中心客户加速量产部署。　　美光高级副总裁暨云端存储事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：“容量、带宽和功耗是决定 AI 效率的核心因素。美光 256GB DDR5 RDIMM 将能够显著提升服务器性能。该解决方案基于我们的 1-gamma DRAM 技术，采用先进的 3DS 和 TSV封装技术，提供业界领先的速率和能效，帮助数据中心架构师更高效地扩展 AI 基础设施。”　　满足 AI 时代的内存需求　　大语言模型(LLM)、智能体 AI (agentic AI)、实时推理及高核数 CPU 负载场景快速普及，正推动企业对更大容量、更高带宽和更优能效的服务器内存需求迅速增长。美光 256GB DDR5 RDIMM 精准匹配行业增长诉求，助力服务器架构师、超大规模云厂商及硬件平台合作伙伴，在现代数据中心散热与功耗约束下，最大化单插槽内存配置容量。　　送样与供货情况　　目前，美光 1-gamma 制程 256GB DDR5 RDIMM 已向核心服务器生态伙伴送样，开展平台验证。

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发布时间：2026-05-22 09:45 阅读量：737 继续阅读>>

上海雷卯丨小<span style='color:red'>封装</span>大功率低钳位Snap-back TVS：储能与BMS 系统过压防护核心方案

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上海雷卯丨小封装大功率低钳位Snap-back TVS：储能与BMS 系统过压防护核心方案

　　在储能系统、锂电池管理(BMS)、新能源汽车电子等关键场景中，设备长期处于高压、高频、连续不间断运行状态，雷击浪涌、抛负载、感性负载切换等瞬态过压事件，极易造成BMS 主控MCU、AFE采样芯片、MOSFET 等核心器件击穿失效，直接导致系统宕机、设备损坏甚至安全风险。　　具备Snap-back(回扫)特性的TVS 是解决此类问题的最优防护方案。上海雷卯电子聚焦电路保护核心需求，自主研发并量产小封装、大功率、超低钳位电压Snap-back TVS，技术性能全面对标力特(Littelfuse)、Vishay、Semtech 等国际一线品牌，为储能与BMS 系统提供高可靠、高性价比的国产替代防护方案。　　作为电路防护第一道防线，TVS的低钳位电压是衡量保护能力的核心指标，直接决定后端芯片的安全上限。雷卯Snap-back TVS通过极低Vc值，确保浪涌冲击下核心芯片始终处于安全工作区，筑牢电路防护网。下图为雷卯Snap-back TVS VI特性曲线。　　一、Snap-back TVS：储能与BMS 精准防护核心　　普通TVS 在浪涌冲击下，钳位电压会随电流上升持续升高，往往超出后端敏感芯片的耐压范围，无法实现真正有效的安全防护。　　雷卯Snap-back TVS具备独特的负阻回扫特性：器件被触发击穿后，电压快速回落至更低的维持电压，以纳秒级速度泄放浪涌电流，将钳位电压压至极限低位，从根源上避免高压应力损伤核心元器件。　　核心保护优势　　1. 极速响应：纳秒级导通，快速泄放雷击、抛负载等高能瞬态电流　　2. 超低钳位：回扫后电压远低于常规TVS，芯片安全裕量大幅提升　　3. 无闩锁风险：浪涌冲击后快速恢复，适配7×24h 不间断运行场景　　4. 高可靠性：反复冲击不失效，满足车规、储能级长期使用要求　　二、雷卯13LM 系列Snap-back TVS 产品介绍　　针对储能/BMS 高密度布局、大功率防护、低残压保护的三重核心需求，上海雷卯电子推出13KW SMC 封装Snap-back TVS，包含13LM78CA、13LM87CA、13LM102CA三款主力型号，实现小体积、大功率、低钳位的技术统一。　　产品核心技术优势分析　　1、超低钳位电压　　对比常规SMC封装的8.0SMDJ78CA(钳位电压126V)，新品13LM78CA在功率提升超过60%的同时，将钳位电压大幅降低至100V。这意味着在同等浪涌下，后端芯片承受的电压应力降低了20%以上，安全裕量显著提升。　　2、更优的功率密度　　若以13KW的功率等级为标准，传统方案需采用尺寸更大的DO-218AB封装(如SM15S78CA，尺寸15.5mm x 10mm)。而13LM78CA在保持SMC紧凑封装(8.0mm x 6.0mm)的同时，不仅实现了13KW的大功率，其钳位电压(100V)也远低于DO-218AB封装方案(126V)，真正做到了“小身材，大能量，低残压”。　　三、雷卯Snap-back TVS 三大应用价值　　1、提升系统可靠性，延长设备寿命　　有效抑制瞬态电压峰值，减少高压冲击对MCU、AFE、MOS 管的损伤，显著降低系统失效率，满足储能/BMS 7×24h 不间断运行需求，延长整机使用寿命。　　2、降低设计冗余，优化物料成本　　传统设计中，为应对TVS较高的钳位电压，工程师往往被迫选用耐压等级更高、成本也更贵的后端MOSFET或IC。而低VC的TVS提供了一个更优解，它允许工程师选用耐压等级更低、性能更优、成本更低的元器件，从而有效优化整体物料清单(BOM)成本。　　3、应对更严苛的标准，满足功能安全要求　　随着汽车和储能行业对功能安全(如ISO 26262)的要求日益严格，电路保护方案也必须达到更高标准。低VC的TVS凭借其卓越的保护性能，能够帮助系统设计轻松通过各类严苛的浪涌和瞬态测试，为产品认证和市场准入扫清障碍。　　四、典型应用场景　　◆储能系统：储能变流器(PCS)、电池包、BMS 主控板、高压采样回路　　◆ 新能源汽车：车载BMS、OBC、DC-DC、48V/800V 高压系统　　◆工业控制：光伏逆变器、工控电源、高压传感器、通信电源　　◆高端电子：医疗设备、工业机器人、安防监控、智能电网设备　　五、雷卯电子品牌与服务优势　　上海雷卯电子是专注ESD/EMC/过压保护器件的国家高新技术企业，核心技术对标Littelfuse、Vishay、Semtech：　　1. 自研技术：Snap-back TVS 核心工艺自主研发，性能比肩国际品牌　　2. 品质保障：通过AEC-Q101 车规认证、ISO 9001、ISO 14001 体系认证　　3. 服务优势：FAE 团队全程支持，提供选型、方案设计、测试验证一站式服务　　4. 交期与成本：国产现货供应，交期更稳、性价比更高，替代优势明显　　5. 实验室支持：自建EMC 实验室，免费为客户提供浪涌、静电、抛负载测试　　上海雷卯电子以小封装、大功率、低钳位的核心技术，打造行业领先的Snap-back TVS 产品，为新能源储能、汽车电子、工业控制提供更安全、更稳定、更具竞争力的电路保护方案，成为国产替代国际品牌的首选合作伙伴。　　附上其中一页规格书参数如下：

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上海雷卯

发布时间：2026-05-20 09:37 阅读量：722 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
TPS63050YFFR	Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BP3621	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor

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