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2025中国大陆主要<span style='color:red'>晶圆厂</span>及制程汇总【附名单】

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2025中国大陆主要晶圆厂及制程汇总【附名单】

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晶圆厂

发布时间：2025-12-12 14:46 阅读量：310 继续阅读>>

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一文学习晶圆厂各环节术语中英文释义

　　今天由AMEYA360带您了解晶圆厂各环节术语的释义。　　一、工艺动力系统　　1. 厂房与排气系统　　CUP：Central Utility Plant，中央动力厂房　　GEX：General EXhaust，普通级热排气　　SEX：Scrubber EXhaust，酸排气　　VEX：Volatile Organic Compound EXhaust，有机溶剂排气　　AEX：Ammonia EXhaust，碱性排气　　2. 公用设施　　PCW：Process Cooling Water，工艺冷却水　　PV：Process Vacuum，工艺真空　　HV：House Vacuum，真空吸尘　　CW：City Water，自来水　　3. 监控与控制　　FMCS：Facility Monitoring Control System，厂务监控系统　　MCC：Motor Control Center，马达控制中心　　VFD：Variable Frequency Device，变频器　　二、空调与通风系统(HVAC)　　1. 空气处理设备　　AHU：Air Handling Unit，空调箱　　MAU：Make-up Air Unit，外气空调箱　　VAV：Variable Air Volume Box，可变风量风箱　　FFU：Fan Filter Unit，风机过滤器　　2. 过滤与净化　　HEPA：High Efficiency Particulate Filter，高效过滤器　　ULPA：Ultra Low Penetration Filter，超高效过滤器　　A/S：Air Shower，空气浴尘室　　A/L：Air Lock，气闭门室　　3. 通风与防火　　FD：Fire Damper，防火风门　　FSD：Combined Fire Smoke Damper，防火防烟风门　　SD：Smoke Damper，防烟风门　　SF：Smoke Fan，消防排烟风机　　EF：Exhaust Fan，通风排气风机　　三、电力与监控系统　　SCADA：Supervisory Control And Data Acquisition，监视控制和数据采集系统　　CCTV：Close Circuit Television，闭路电视　　PA：Public Address System，广播系统　　FA：Fire Alarm System，火灾报警系统　　四、水处理系统　　1. 纯水与废水　　UPW：Ultra Pure Water，超纯水　　RO：Reverse Osmosis，逆渗透膜　　DI：Deionized Water，去离子水　　TOC：Total Organic Carbon，总有机碳　　2. 废水类型　　FWW：Fluoride Waste Water，低浓度氢氟酸废水　　HFW：High Fluoride Waste Water，高浓度氢氟酸废水　　IWW：Industry Waste Water，工业废水　　OWW：Organic Waste Water，有机溶剂废水　　DAHW：Drain Ammonia Hydride Wastewater，含氨废水　　3. 回收与处理　　RCL：Recycle Water，制程回收循环水　　RCM：Reclaim Water，制程回收再利用水　　BGW：Backgrinding Waste Water，晶背研磨废水　　SAW：Sulfuric Acid Waste Water，硫酸废液　　五、气体与化学系统　　VMB：Valve Manifold Box，阀箱　　VMP：Valve Manifold Panel，阀盘　　GMS：Gas Monitoring System，气体监测系统　　CDS：Chemical Dispense System，化学供液系统　　SDS：Slurry Dispense System，化学研磨液供液系统　　六、环境安全卫生(ESH)　　SCBA：Self Contained Breathing Apparatus，自给式空气呼吸器　　ISO：International Organization for Standardization，国际标准化组织　　七、通用工艺术语(按字母排序)　　A　　Acetone：丙酮，有机溶剂，用于光阻清洗，具神经毒性。　　AEI：After Etching Inspection，蚀刻后检查，确保良率。　　Al-Cu-Si：铝硅铜合金，用于金属溅镀，减少电荷迁移。　　B　　Backing Pump：辅抽泵，配合高真空泵建立真空。　　BPSG：Boron-Phosphor-Silicate-Glass，硼磷硅玻璃，用于介电层平坦化。　　BOE：Buffer Oxide Etching，氢氟酸缓冲液，蚀刻氧化层。　　C　　CMP：Chemical Mechanical Polishing，化学机械研磨，表面平坦化。　　CMOS：Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体，低功耗集成电路。　　Cycle Time：生产周期时间，原料到成品的制造时间。　　D　　Diffusion：扩散，高温下杂质原子渗入硅片，改变电性能。　　Dry Oxidation：干式氧化，仅用氧气生成高质量氧化层。　　Dummy Wafer：挡片，保护炉管边缘产品，平衡工艺条件。　　E　　ETCH：蚀刻，利用化学或物理方法定义电路图案，分湿刻和干刻。　　Epitaxy：磊晶，在硅片表面生长单晶层。　　ESD：Electrostatic Discharge，静电放电，需防静电措施防护。　　F　　Field Oxide：场氧化层，隔离晶体管的厚氧化层。　　Four Point Probe：四点测针，测量硅片薄层电阻(Rs)。　　G　　Gate：闸极，MOS 晶体管的控制电极，常用多晶硅或金属制成。　　Gas Cabinet：气体储柜，负压储存气体钢瓶，防止泄漏。　　八、设备与技术　　Cryopump：低温泵，利用低温凝结和吸附原理抽气，达高真空。　　Dry Pump：干式真空泵，螺杆原理直接抽气，用于低真空环境。　　Ellipsometer：椭圆测厚仪，利用偏光测量薄膜厚度和折射率。　　九、可靠性与测试　　Burn-in：预烧试验，高温老化筛选早期失效产品。　　EM Test：Electron Migration Test，电子迁移测试，评估金属导线可靠性。　　CV Shift：电容 - 电压偏移测试，评估氧化层电荷稳定性。　　十、洁净室技术(Cleanroom)　　1. 洁净等级标准　　ISO 14644-1 等级：　　气流模式：　　垂直层流(Vertical Laminar Flow)：气流自天花板垂直向下，粒子污染少，用于高精密工序(如光刻)。　　水平层流(Horizontal Laminar Flow)：气流沿水平方向流动，成本较低，适用于辅助区域。　　紊流(Turbulent Flow)：气流无规则，用于低等级洁净室(如仓储区)。　　2. 控制要点　　压差管理：相邻区域压差≥10Pa，防止污染扩散(如晶圆区→通道→更衣室)。　　微振动控制：光刻机等精密设备需振动频率<10Hz，振幅<1μm。　　温湿度精度：光刻区控制在 23±0.1℃，湿度 55±2% RH，避免热胀冷缩影响线宽。　　十一、先进制造工艺　　1. 光刻技术(Photolithography)　　曝光设备：　　Stepper(步进机)：逐场曝光，分辨率高(如 ASML NXE:3400B，分辨率 13nm)。　　Scanner(扫描机)：光束与晶圆同步扫描，适合大面积曝光(如 DRAM 制造)。　　光阻类型：　　正光阻：曝光后易溶于显影液，形成正型图案(主流，如 AZ 系列)。　　负光阻：曝光后难溶于显影液，形成负型图案(用于厚膜工艺)。　　关键步骤：　　HMDS 预处理：增强光阻与晶圆附着力。　　Post-Exposure Bake(PEB)：减少驻波效应，稳定图案。　　2. 薄膜沉积　　PVD(物理气相沉积)：　　溅射(Sputtering)：利用离子轰击靶材，沉积金属层(如 Al、Cu)，台阶覆盖好。　　蒸镀(Evaporation)：加热蒸发源(如 Au)，适用于高纯度薄膜，但均匀性较差。　　ALD(原子层沉积)：　　原理：反应物分阶段脉冲式通入，逐层生长(每层厚度 0.1-1nm)。　　应用：高 k 介质层(HfO₂)、阻挡层(Al₂O₃)，用于 3nm 以下节点。　　3. 刻蚀技术　　干法刻蚀类型：　　反应离子刻蚀(RIE)：离子轰击 + 化学反应，兼顾各向异性与刻蚀速率。　　原子层刻蚀(ALE)：类似 ALD，逐层刻蚀，精度达原子级(如 SiO₂刻蚀选择比>1000:1)。　　气体选择：　　硅刻蚀：SF₆(化学)+O₂(聚合物抑制)。　　金属刻蚀：Cl₂/BCCl₃(Al)、H2/Ar(Cu)。　　十二、检测与量测技术　　1. 在线检测设备　　光学显微镜(OM)：检测微米级缺陷(如桥接、断线)，倍率 50-1000 倍。　　扫描电子显微镜(SEM)：分辨率达纳米级(如 5nm)，用于 CD 量测、缺陷定位。　　聚焦离子束(FIB)：用 Ga + 离子束切割 / 沉积，制备 TEM 样品或修复电路。　　X 射线衍射(XRD)：分析薄膜应力、晶向(如 SiN 的应力值>1000MPa 需返工)。　　2. 电学测试　　探针台(Probe Station)：晶圆级电测，检测 MOS 管阈值电压(Vt)、漏电流(Idss)。　　WAT(Wafer Acceptance Test)：通过测试键(Test Key)评估工艺均匀性(如接触电阻<10Ω)。　　AOI(自动光学检测)：利用 AI 算法识别缺陷(如图案偏移>5% 报警)。　　十三、材料科学与关键耗材　　1. 半导体材料　　衬底：　　Si：占 95% 以上，直径主流 300mm(12 英寸)，向 450mm 发展。　　化合物半导体：GaAs(射频器件)、SiC/GaN(功率器件，耐高压高温)。　　高 k 介质：HfO₂(k=25)替代 SiO₂(k=3.9)，减少栅极漏电流(如 FinFET/GAA 结构)。　　光罩材料：　　石英玻璃：透光率>90%，用于传统光罩。　　相移光罩(PSM)：通过相位差增强分辨率，用于 130nm 以下工艺。　　2. 关键耗材　　光刻胶：　　ArF 光刻胶：适用于 193nm 波长，分辨率至 28nm(如信越化学、JSR)。　　EUV 光刻胶：灵敏度<10mJ/cm²，颗粒污染<10nm(如东京应化)。　　研磨液(Slurry)：　　氧化物研磨：SiO₂颗粒 + 酸性 / 碱性添加剂(如 Cabot Micro-Materials)。　　金属研磨：Al₂O₃颗粒 + 氧化剂(用于 Cu CMP)。　　十四、自动化与智能制造　　1. 生产管理系统　　MES(制造执行系统)：实时追踪工单进度、设备状态，良率预警(如良率<90% 自动停线)。　　AGV(自动导引车)：晶圆盒(FOUP)运输，定位精度 ±5mm，对接洁净室传递窗。　　2. 智能工艺优化　　机器学习(ML)：　　预测刻蚀均匀性(R²>0.95)，优化气体流量配比。　　分析缺陷模式，定位工艺瓶颈(如光刻机台污染识别)。　　数字孪生(Digital Twin)：虚拟仿真工厂运行，提前验证新工艺(如 ALD 沉积参数优化)。　　十五、能源管理与可持续性　　能耗分布：　　洁净室空调：40-50%(如 FFU 风机功耗>1000kW)。　　工艺设备：30-40%(如 CVD 炉管、光刻机)。　　节能技术：　　余热回收：将工艺废气热量用于预热新风，节能 15-20%。　　太阳能 / 风能：台积电南京厂太阳能装机容量 10MW，年减碳 8000 吨。　　废水回用：超纯水制备排水(RO 浓水)经处理后，回用至冷却塔(回收率>70%)。　　十六、安全与合规　　1. 危险化学品管理　　特气系统(SEMI S2/S8)：　　NF₃、Cl₂等腐蚀性气体需双套管输送，泄漏侦测响应时间<10 秒。　　气瓶柜配备 SCBA、洗眼器，定期执行 MSDS 培训。　　ESD 防护：　　地面电阻 10⁶-10⁹Ω，人员佩戴离子手环(电压<100V)。　　晶圆盒(FOUP)接地电阻<1Ω，避免静电放电损伤。　　2. 环保法规　　SEMI 标准：废水氟离子浓度<10ppm，VOCs 排放<50ppm。　　ISO 45001：建立职业健康安全管理体系，如刻蚀废气需经 Scrubber 处理至达标。　　十七、新兴技术与趋势　　1. 先进封装　　Chiplet(小芯片)：将逻辑、存储等模块分芯片制造，通过 TSV/UBM 互连，良率提升 20%。　　扇出型封装(Fan-Out)：晶圆级封装，线宽<10μm，用于 AI 芯片(如高通 Snapdragon)。　　2. 下一代光刻　　EUV 光刻：波长 13.5nm，单次曝光分辨率 2nm，ASML NXE:3600D 已用于 3nm 节点。　　纳米压印(NIL)：成本比 EUV 低 50%，适用于存储芯片(如 Intel 3D NAND)。　　3. 三维制造　　3D NAND：堆叠层数突破 1000 层(如三星 V-NAND)，通过 ALD 实现层间绝缘。　　GAA 晶体管：全环绕栅极结构，替代 FinFET，漏电降低 90%(如台积电 3nm 工艺)。　　十八、常见工艺问题与解决方案　　应用场景示例　　逻辑芯片工厂(如 Intel)：重点关注光刻精度(EUV)、GAA 晶体管工艺，洁净室等级 ISO 1-5 级。　　存储芯片工厂(如三星)：侧重 3D NAND 堆叠、ALD 薄膜均匀性，大量使用 AOI 检测缺陷。　　功率半导体工厂(如英飞凌)：采用 SiC/GaN 外延生长、深硅刻蚀(DRIE)，需特气(H₂)安全管控。

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晶圆

发布时间：2025-08-05 16:15 阅读量：862 继续阅读>>

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TI计划投入超600亿美元建7座晶圆厂！

　　6月18日，德州仪器 (TI) 宣布，计划在美国七家半导体工厂投资超过600亿美元(约4300亿人民币)，这将是美国历史上对基础半导体制造业最大的投资。　　根据声明，德州仪器此次大规模扩产将主要用于在德克萨斯州和犹他州建设及扩建七座12英寸晶圆厂，专注于生产模拟芯片和嵌入式处理芯片。这七家工厂每天将生产数亿颗美国制造的芯片，开启美国创新的新篇章。　　德克萨斯州谢尔曼：SM1是德州仪器在谢尔曼的第一家新工厂，将在今年开始初步生产，距离破土动工仅三年时间。谢尔曼的第二家新工厂SM2的外部结构建设也已完成。后续投资计划还包括建设另外两家工厂SM3和SM4，以满足未来的需求。　　德克萨斯州理查森：德州仪器在理查森的第二家工厂RFAB2正在逐步扩大到全面生产，并延续了公司在2011年推出全球第一家300毫米模拟工厂RFAB1的传承。　　犹他州莱希：德州仪器正在逐步扩大莱希的第一家300毫米晶圆工厂LFAB1。莱希的第二家工厂LFAB2的建设也在顺利进行中，它将与LFAB1相连。　　作为全球模拟芯片市场的领导者，德州仪器拥有超过80年的行业经验，其产品广泛应用于工业、汽车、消费电子和通信设备等领域。公司总裁兼首席执行官哈维夫·伊兰(Haviv Ilan)在声明中强调："TI正在大规模建设可靠、低成本的300毫米产能，以提供几乎所有电子系统都至关重要的模拟和嵌入式处理芯片。"　　近年来，全球半导体供应链的脆弱性在疫情、地缘冲突等多重冲击下暴露无遗，各国纷纷将半导体制造视为国家安全和经济竞争力的核心要素。美国特朗普政府将提升本土半导体制造能力列为首要任务，特别是针对用于日常电子产品的基础半导体。　　美国商务部长霍华德-卢特尼克(Howard Lutnick)明确表示："特朗普总统已将提升美国半导体制造能力列为首要任务，我们与德州仪器的合作将为未来数十年的美国芯片制造业提供支持。"这种政府与企业间的紧密协作，反映了美国在半导体领域"再工业化"的战略决心。　　德州仪器在声明中特别提到，苹果、福特、美敦力、英伟达和SpaceX等美国领军企业都"依赖德州仪器世界级的技术和制造专长"，这也表明了德州仪器与美国高科技产业生态的深度绑定。从汽车产业上来看，现代一辆普通汽车可能使用数百个德州仪器的芯片，用于发动机控制、安全系统、信息娱乐等各个方面。随着汽车电动化、智能化趋势加速，单车半导体含量持续提升，德州仪器的新产能将为美国汽车产业提供更可靠的芯片供应保障。　　德州仪器此次600亿美元投资的技术核心在于大规模建设300毫米(12英寸)晶圆生产线，这一决策基于对半导体制造经济性的深刻理解。在半导体行业，晶圆尺寸的增大意味着单位芯片成本的显著降低。300毫米晶圆的面积是200毫米(8英寸)晶圆的2.25倍，能够生产更多的芯片，同时边缘浪费比例更低。　　德州仪器凭借其完整的产品组合、规模经济优势和技术积累构建了坚实的护城河。新工厂的建成将进一步强化这一优势，使德州仪器在价格竞争中处于更有利位置。

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TI

发布时间：2025-06-19 14:56 阅读量：811 继续阅读>>

TI新12寸<span style='color:red'>晶圆厂</span>，即将投产

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TI新12寸晶圆厂，即将投产

　　据外媒报道，德州仪器(TI)宣布其在谢尔曼建设的四座新半导体制造工厂中的第一座即将竣工。　　德州仪器谢尔曼工厂经理迈克·哈格蒂表示：“我们已经完成了第一家工厂的建设，团队现在已经入驻，我们正在安装设备，准备开始生产，真正开启德克萨斯州半导体制造业的新时代。”　　德州仪器三年前在此地破土动工，该工厂每天能够生产超过一亿枚半导体。全部完工后，近150万平方英尺的生产空间将于今年晚些时候开始出货芯片。　　据了解，德州仪器于2022年宣布启动建造这一巨型12英寸晶圆制造厂。此项目投资约300亿美元，计划建造四座工厂以满足长期的市场需求。这些新工厂每天将制造数千万颗模拟和嵌入式处理芯片，广泛地应用于全球市场的各类电子产品领域。　　当时消息称，首座晶圆制造厂预计最早于2025年投产。计划将投入300亿美元建设多达4个紧邻的晶圆制造厂(SM1、SM2、SM3、SM4)，用于支持客户未来几十年的需求。

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TI

发布时间：2025-05-21 16:12 阅读量：693 继续阅读>>

2024年多家半导体制造商在日本新建<span style='color:red'>晶圆厂</span>投产

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2024年多家半导体制造商在日本新建晶圆厂投产

　　随着台积电在2月24日开幕的熊本晶圆厂以及其他多个日本或外资半导体制造商在日本新建的晶圆厂的大规模生产，市场人士预计这将刺激日本国内半导体供应链的成长和发展，提高日本的半导体制造能力。　　台积电熊本晶圆厂2/24将开幕　　在熊本县菊阳町，由台积电、SONY和日本电装(DENSO)投资的日本先进半导体制造(JASM)公司，目前正在兴建一座12寸晶圆厂，该工厂将采用12/16纳米以及22/28纳米制程技术，主要生产供应车用电子使用的芯片。该晶圆厂预计于2月24日开幕，预计将于2024年第四季开始大量生产。　　市场人士表示，这一新晶圆厂的开发将使日本逻辑IC制程技术获得重大进步，从瑞萨电子的40纳米制程转向JASM的12纳米制程，这被视为日本半导体复兴政策的第一步。对此，日本政府也为JASM晶圆厂提供4,760亿日元(约合32亿美元)的资金补助，补助金额占该晶圆厂总支出86亿美元的近三分之一。　　铠侠和西数合资兴建12寸晶圆厂　　NAND Flash 快闪存储器大厂铠侠(Kioxia)和西数正合资在三重县四日市建设一座12寸晶圆厂。该工厂将于2024年3月准备量产3D NAND Flash闪存产品。市场人士指出，该晶圆厂将斥资2,800亿日圆(约18亿美元)，其中日本政府补高达929亿日元(约6亿美元)。至于，位于岩手县北上的另一家铠侠和西数合资工厂，则将于2024年下半年开幕。而该计划原定于2023年完工，但由于市场状况不佳，因为整个计划遭到延后。　　瑞萨电子扩产功率半导体产能　　瑞萨电子预计将于2024年推出新的功率半导体生产线，不过，因为该公司位于山梨县的甲府工厂于2014年10月已经关闭。因此，为了应对电动汽车(EV)功率半导体不断成长的需求，该公司承诺斥资900亿日圆在现有工厂安装一条12寸晶圆生产线。未来，新生产线将使瑞萨电子能够增强其IGBT和MOSFET等功率半导体的产能，并计划于2024年达成量产目标。而对于瑞萨电子的扩产计划，预计也将获得日本经济产业省的补贴支持。　　东芝和罗姆半导体合作整合产线发展功率半导体　　东芝和罗姆半导体(ROHM)达成一项协议。根据协议，东芝功率半导体工厂将开始与罗姆在宫崎县国富市新开发的碳化硅(SiC)功率半导体工厂进行生产整合。罗姆位于国富市的新工厂将采用8寸SiC晶圆技术，预计于2024年底开始量产，并部分完成工厂建设。而此次合作预计将获得政府补贴，相当于该项目投资的三分之一。　　2025年及以后日本新晶圆厂计划　　2025 年之后，日本将出现更多晶圆厂，包括美光科技位于广岛县的新 1-gamma(1γ)DRAM 生产厂。JSMC 是晶圆代工厂力积电(PSMC)的晶圆制造子公司，其与日本金融集团SBI合作，计划在2027 年完成兴建后量产芯片。至于，日本半导体新创企业Raapidus也计划在2027年在北海道量产2纳米芯片。　　据报道，台积电正在考虑在熊本县菊阳町建造日本的第二家晶圆厂。预计最快在2月6日，台积电将正式宣布第二晶圆厂的地点。此前，台积电董事长刘德音表示，他们正在评估在日本建造第二家晶圆厂的可能性，并与日本政府进行讨论。如果决定建造第二家晶圆厂，该厂预计将使用7纳米到16纳米的制程技术生产产品。

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半导体

发布时间：2024-02-01 09:14 阅读量：2215 继续阅读>>

SEMI：今年<span style='color:red'>晶圆厂</span>设备支出下滑15% 将于2024年改善

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SEMI：今年晶圆厂设备支出下滑15% 将于2024年改善

　　受到芯片需求需求减弱以及消费和移动设备库存增加，SEMI国际半导体产业协会近日表示，预估全球晶圆厂设备支出总额将从2022年的历史高点995亿美元下滑15%，来到840亿美元。随后于2024年回升15%，达到970亿美元。　　SEMI 总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：" 事实证明，2023 年设备投资的下降幅度较小，2024 年的反弹力度将强于今年早些时候的预期。"" 这一趋势表明，半导体行业正在走出低迷，在健康芯片需求的推动下，走上恢复强劲增长的道路。"　　另外，受惠于产业对于先进和成熟制程节点的长期需求持续成长，晶圆代工产业2023年维持投资规模，微幅成长1%至490亿美元，持续引领半导体产业成长。而预计2024年产业回温，带动设备采购金额扩增至515亿美元，较2023年成长5%。　　区域分析，中国台湾2024年稳坐全球晶圆厂设备支出领先地位，年增4%到230亿美元。韩国居次，2024年达220亿美元，较2023年成长41%。中国大陆2024年总支出额以200亿美元排名全球第三，大陆代工业者和IDM厂商将持续以成熟制程投资布局　　美洲地区仍维持第四大支出地区，并创历年新高，支出总额将到140亿美元，年成长率达23%。欧洲和中东地区续创佳绩，支出总额增长41.5%达80亿美元。日本和东南亚地区2024年分别增长至70亿和30亿美元。　　从 2022 年到 2024 年，SEMI 世界晶圆厂预测报告显示，继 2022 年增长 8% 之后，今年全球半导体行业的产能将增长 5%。预计 2024 年产能将继续增长，增幅为 6%。

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晶圆厂

发布时间：2023-09-15 09:33 阅读量：2090 继续阅读>>

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英飞凌再扩产将建造全球最大8英寸SiC晶圆厂

　　近日，功率半导体大厂英飞凌宣布，计划在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。　　该计划的背后是客户的承诺与支持，英飞凌表示扩建计划已得到客户约50亿欧元design-win合同，以及约10亿欧元的预付款。其中，在汽车领域有6家车厂客户，包括福特、上汽和奇瑞等。　　英飞凌指出，在接下来的5年内，将针对居林第三座厂房的第二期建设阶段，投入高达50亿欧元的额外投资，这样一来，居林厂计划投资总额从20亿欧元增至70亿欧元。再加上奥地利菲拉赫(Villach)和居林的8英寸碳化硅转换计划，此项投资预计将为英飞凌在2030年带来约70亿欧元的碳化硅年收益潜力。这项具高度竞争力的制造基地，也将为英飞凌在2030年达到碳化硅市场30%市占率的目标提供有力的支援。英飞凌预估，公司在2025会计年度的碳化硅营收将超越10亿欧元的目标。　　英飞凌CEO Jochen Hanebeck表示:“SiC市场不仅在汽车领域，而且在太阳能、储能和大功率电动汽车(EV)充电等广泛的工业应用领域都呈现出加速增长的趋势。随着居林工厂的扩张，我们将确保我们在这个市场的领导地位。”　　与传统硅基材料相比，碳化硅具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件，由此被广泛应用于汽车领域、太阳能、储能和高功率电动车充电等领域。　　当前，碳化硅市场正加速成长。据全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预计，随着安森美、英飞凌等与汽车、能源业者合作项目明朗化，2023年整体碳化硅功率元件市场产值达22.8亿美元，年成长41.4%。2026年碳化硅功率元件市场规模可望达53.3亿美元，而由主流应用之一的电动汽车带来的产值将达39.8亿美元。

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英飞凌

发布时间：2023-08-07 14:10 阅读量：2546 继续阅读>>

德州仪器TI宣布将再添一座12英寸<span style='color:red'>晶圆厂</span>与现有工厂合并

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德州仪器TI宣布将再添一座12英寸晶圆厂与现有工厂合并

　　据 MarketWatch 报道，当地时间周三，半导体设计与制造公司德州仪器表示，将在美国犹他州的莱希建造第二座 300 毫米半导体晶圆制造厂，这是该公司在犹他州 110 亿美元（当前约 753.5 亿元人民币）投资的一部分。预计将于 2023 年下半年开始建造，最早于 2026 年投产。新工厂每天将制造数千万颗模拟和嵌入式处理芯片，广泛应用于全球市场的各类电子产品领域。　　　　该工厂紧邻德州仪器位于该地区的现有 12 英寸晶圆制造厂 LFAB，建成后，这两个工厂将合为一个晶圆制造厂进行运营。新晶圆厂将为德州仪器额外创造约 800 个工作岗位，以及数千个间接就业岗位。　　即将接棒德州仪器总裁及首席执行官的现任执行副总裁及首席运营官 Haviv Ilan 表示：“这个新工厂是我们 12 英寸晶圆产能长期规划的一部分，以满足未来几十年内客户的需求。电子产品、尤其是工业和汽车市场的半导体需求预计将在未来持续增长，现在正是我们进一步扩大自有制造能力的最佳时机。”　　据悉，该工厂将按照能源和环境设计先锋 (LEED) 金级认证的标准进行设计，这是 LEED 建筑评级中在结构效率和可持续发展方面的标准之一。新工厂的水资源再利用率预计为李海现有工厂的近两倍。通过采用先进的 12 英寸晶圆制造设备和工艺，新工厂将进一步减少废弃物的排放，并降低对水和能源的消耗。

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德州仪器,TI,晶圆

发布时间：2023-02-20 16:43 阅读量：2720 继续阅读>>

onsemi完成出售日本<span style='color:red'>晶圆厂</span>

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onsemi完成出售日本晶圆厂

　　onsemi已完成将其位于日本新泻的工厂剥离给JS Foundry。　　onsemi已完成将其日本新泻工厂出售给JS Foundry KK的交易。此次出售符合 onsemi的fab-liter战略，即通过减少固定成本足迹来扩大毛利率和改善财务业绩。　　JS Foundry由Mercuria Investment Co. Ltd和Sangyo Sosei Advisory Corp. Inc. 合作成立。Mercuria是Mercuria Holdings Co. Ltd的子公司，是日本另类投资领域的领导者之一，其投资涵盖不同行业包括制造业和服务业。SSA是日本第一家专注于技术、媒体和电信(TMT)行业的财务顾问。通过合作，他们成立了JS Foundry，成为一家日资代工公司，为日本客户供应半导体。　　“在过去两年深入寻找买家之后，我们有信心为JS Foundry的设施找到合适的合作伙伴，”onsemi总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury说。“一如既往，在就我们在全球的制造结构和设施做出决策时，我们会考虑员工的福祉，并力求为所有相关人员创造平稳的过渡。我们期待JS Foundry KK和Niigata员工的光明未来，我们感谢他们的辛勤工作和对onsemi的承诺。”　　JS Foundry计划将该网站用作其在日本的新铸造业务的基础。为确保向其现有客户持续供应，onsemi已与JS Foundry KK签订了晶圆供应协议，以继续在现场进行现有的晶圆制造。

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onsemi

发布时间：2023-01-04 09:57 阅读量：5106 继续阅读>>

安森美已出售美国爱达荷州波卡特洛<span style='color:red'>晶圆厂</span>

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安森美已出售美国爱达荷州波卡特洛晶圆厂

宣布，安森美将美国爱达荷州波卡特洛的200mm晶圆厂出售给LASemiconductor的交易已经结束。此前，安森美已经卖掉了其位于美国缅因州南波特兰和位于比利时Oudenaarde的晶圆厂。官方消息显示，波卡特洛工厂占地33英亩，拥有超过5万平方英尺的洁净室空间和超过55万平方英尺的建筑空间，目前生产0.35?m至1.5?m模拟CMOS、BCD工艺、先进分立器件和定制化工艺技术。安森美已出售美国爱达荷州波卡特洛晶圆厂 “除了在缅因州南波特兰和比利时奥德纳尔德的工厂之外，这是ATREG在过去12个月中帮助进行的第三次制造资产处置，”安森美全球制造和运营执行副总裁Wei-ChungWang表示，“此次撤资是安森美fab-liter战略的延续，旨在通过扩大汽车和工业关键市场产品的产能，实现可持续的财务业绩。” 资料显示，LA Semiconductor成立于2022年，是美国运营的纯半导体代工厂，用于生产模拟、混合信号和电源产品。此外，根据外媒消息，由日本开发银行和伊藤忠商事支持的日本基金正在以超过200亿日元（约9.83亿人民币）的价格收购美国制造商安森美半导体（Onsemi）拥有的一家半导体工厂。

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安森美

发布时间：2022-11-03 09:38 阅读量：2899 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor

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