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Microchip与台达<span style='color:red'>电子</span>签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

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Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

　　随着人工智能(AI)快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)(纳斯达克代码：MCHP)今日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)(以下简称“台达电子”)签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC™产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅(SiC)解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。　　Microchip负责高功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“凭借宽禁带特性，碳化硅在可持续电源解决方案中的重要性日益凸显。它能为高压、高功率应用提供更小巧、更高效的设计，同时降低系统成本。我们期待与台达电子共创卓有成效的发展路径，在碳化硅解决方案领域持续创新，以满足万物电气化带来的不断增长的市场需求。”　　作为电源管理领域的全球领导者，台达电子持续强化在高效电力电子技术领域的核心竞争力，并不断评估与利用下一代技术以提升产品与解决方案的能源效率。台达电子计划借助Microchip在碳化硅与数字控制领域的丰富经验与先进技术，加速其解决方案在人工智能、移动出行、自动化及基础设施等高增长细分市场的上市速度。　　本合作协议将优先调配双方资源，验证并加速Microchip mSiC解决方案在台达电子设计与项目中的落地。协议的其他关键优势还包括一流的设计支持，涵盖技术培训、对研发工作的洞察及产品样品优先获取。　　Microchip在碳化硅器件与电源解决方案的开发、设计、制造与支持领域拥有逾20年经验，致力于帮助客户轻松、快速且自信地采用碳化硅技术。Microchip的mSiC产品包括碳化硅MOSFET、二极管及栅极驱动器，可选择标准、可调型及定制方案。

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Microchip

发布时间：2025-07-24 15:37 阅读量：230 继续阅读>>

瑞萨<span style='color:red'>电子</span>：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

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瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

　　Gabriele Clapier，Power System Marketing Manager："随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。"　　GaN和Cascode D-Mode架构的优势　　与传统的硅基器件相比，GaN具有许多优势，包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷，这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率，从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。　　GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置，通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对，以创建常闭器件。　　这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性，同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性，使其成为高效电源应用的首选解决方案。　　主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车　　可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用，因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统，通过提供更快的充电和更高的能源转换率，实现便携性的设计目标。　　随着电动汽车的加速采用，智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面，了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。　　现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用，可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能，同时降低了能耗。高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度，正在彻底改变功率转换，这些进步使工业和汽车应用都受益。基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计，并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。　　GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能，在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如，在上述EV系统中，将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中，可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率，减小了尺寸和重量，最终延长了行驶里程和可靠性，这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。　　在不断增长的电动两轮车市场中，高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数，RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能，从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统，延长电池寿命并改善加速性能。　　总结　　GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术，瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步，这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。

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瑞萨电子

发布时间：2025-07-24 13:33 阅读量：347 继续阅读>>

海凌科<span style='color:red'>电子</span>：超低价U型光电开关具备防浪涌、防短路、防过载等多重保护功能

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海凌科电子：超低价U型光电开关具备防浪涌、防短路、防过载等多重保护功能

　　海凌科新款成品推出，EE-SX672-WR型号，光电开关，通过红外光来检测物体位置，支持NPN 常开/常闭可切换　　1、工作原理EE-SX672-WR　　槽型光电开关其实是对射式光电开关的一种，又被叫做U型光电开关，是一款红外线感应光电产品，由红外线发射管和红外线接收管组合而成，而槽宽则就决定了感应接收信号的强弱与接收信号的距离，以光为媒介，由发光体与受光体间的红外光进行接收与转换，检测物体的位置。　　2、光电开关和红外开关的区别EE-SX672-WR　　光电开关与红外开关在原理和应用上存在明显差异。　　光电开关‌属于光电传感器，通过光束的遮挡/反射原理检测物体存在，适用于非金属物体(如塑料、木材等)的检测。 ‌　　‌红外开关‌(如红外感应开关 )属于热释电传感器，通过探测物体辐射的红外热量实现控制，主要用于人体检测(如自动门、防盗报警)。 ‌　　3、产品优势EE-SX672-WR　　安全耐用，多重保护　　EE-SX672-WR具备防浪涌、防短路、防过载等多重保护功能，工业级安全防护，可应对机械冲击、粉尘、潮湿及电磁干扰等多重挑战，安全耐用性高。　　工业级ABS材料，抗冲稳固　　工业级光电开关的外壳材料与结构设计直接决定其抗冲击性能与长期稳定性。EE-SX672-WR采用ABS工程塑料(添加30%玻璃纤维增强)，抗冲击性提升;耐温范拓宽至-40℃~+85℃;结构加固设计，有效抵御振动引起的形变;表面防腐蚀处理。　　NPN 常开/常闭可切换　　‌常开模式：检测到物体时输出低电压，无物体时输出高电压。　　‌常闭模式：检测到物体时输出高电压，无物体时输出低电压。　　4、产品应用EE-SX672-WR　　U形槽型光电感应开关(又称槽型光电开关)作为一种非接触式红外检测装置，其应用场景广泛，主要涵盖以下领域：　　工业自动化控制　　1. 物料传输与定位　　用于流水线、传送带等场景的物料存在检测、位置控制及无缝传输，例如检测轴承行程限位、模组定位等。　　2. 高速运动物体检测　　适用于冲压机械、无人搬运车等设备中高速运动物体的检测，如轴回转数的读取(测量转速)。　　包装与印刷行业　　1. 标签定位与纸张对齐　　在包装机上实现标签精准定位、纸张对齐及出料检测，确保印刷或包装材料的连续性和准确性。　　2. 布匹/纸张出料检测　　通过阻断红外光检测纺织布匹或印刷纸张的出料状态，防止卡料或断料。　　物流与分拣系统　　1. 货物识别与计数　　在物流分拣系统中用于货物的快速识别、计数及分类，提升分拣效率和准确性。　　2. 仓储自动化　　应用于自动化仓库的库存管理，通过检测物品位置实现智能存取。　　电梯与安全防护　　1. 电梯门状态监测　　检测电梯门的开启/关闭状态及位置，确保门控系统的安全运行。　　2. 机械设备安全防护　　作为安全开关安装在机械防护罩或安全门上，当门未关闭时阻断光线并触发停机保护。

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海凌科电子

发布时间：2025-07-23 13:07 阅读量：211 继续阅读>>

上海雷卯<span style='color:red'>电子</span>：近场通信NFC接口防静电ESD

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上海雷卯电子：近场通信NFC接口防静电ESD

　　上海雷卯EMC小哥针对NFC接口静电保护，推出了ESD器件和保护方案：ULC1811CDN 满足18V的低容参数需求，而且VC箝位电压低，电容超低，可保护NFC接口天线的有效使用。　　近场通信(Near Field Communication，NFC)是一种短距离无线通信技术，通过将两个设备的NFC芯片靠近，实现数据的传输和共享。NFC技术基于射频识别(RFID)技术，运行在13.56MHz的无线频段。NFC设备通常包括两种模式：卡模式和读写模式。在卡模式下，NFC设备可以作为一个被动的卡片，用于支付、门禁控制、公交卡等应用。在读写模式下，NFC设备可以主动读取或写入其他NFC设备中的数据。NFC技术的特点：短距离通信、快速传输、简便易用、兼容性广泛。　　1. NFC设备接口的特点　　NFC设备接口通常工作在低电压和高频率的环境下，因此，选择合适的TVS/ESD二极管需要考虑以下几个因素：　　1、低电压响应：选择具有低电压响应特性的TVS/ESD二极管，以确保在低电压下也能起到保护作用。　　2、快速响应时间：选择具有快速响应时间的TVS/ESD二极管，以能够迅速抑制瞬态过电压和静电放电。　　3、低电容：选择具有低电容的TVS/ESD二极管，以避免对NFC信号的干扰。　　2.注意TVS/ESD二极管的安装和布局　　为了确保TVS/ESD二极管发挥最佳的保护作用，需要注意以下几点：　　· 尽量靠近NFC设备接口的位置安装TVS/ESD二极管，以最大程度地减少静电放电和过电压对设备接口的影响。　　· 使用封装良好的二极管，以防止外部环境对其造成损害。　　· 采用合适的布局，确保电路的地线和信号线布线合理。

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雷卯电子

发布时间：2025-07-23 11:01 阅读量：222 继续阅读>>

纳芯微参与车规传感器标准制定，推动汽车<span style='color:red'>电子</span>行业发展

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纳芯微参与车规传感器标准制定，推动汽车电子行业发展

　　在汽车电子技术加速发展的背景下，产业标准体系建设已成为行业高质量发展的关键之一。作为国内领先的汽车模拟芯片和传感器芯片企业，纳芯微不仅在产品创新和市场拓展方面不断发力，还积极参与行业标准的制定，推动技术规范化进程。　　近期，由纳芯微参与编制的《汽车用霍尔式传感器性能试验方法》团体标准，已正式获得中国检验检测学会批准发布。该标准对霍尔式传感器的一般试验、外观检查、工作温度范围、电气特性等性能测试方法进行了系统规定，为相关产品的开发、验证和质量评估提供了统一的技术依据。　　纳芯微在技术创新、市场拓展及产业链协同持续突破。其产品广泛应用于新能源汽车三电系统，并加速渗透至智能化和安全领域。自2016年发布首款汽车芯片，截止2024年，纳芯微汽车芯片累计出货量已达6.68亿颗，2024年汽车业务营收占比36.88%。　　在磁传感器领域，纳芯微不断丰富产品体系并布局全面，2024年顺利完成对麦歌恩的战略收购与整合，进一步拓展技术与产品矩阵，提升市场竞争力，巩固行业领先地位。　　磁电流传感器(例如：NSM201x系列和NSM203x系列)可用于汽车电池管理系统的电流监测;　　磁开关传感器(例如：MT72xx系列和MT73xx系列)可用于车门、尾门、座椅卡扣等部件的测与控制;　　磁角度传感器(例如：MT6511)可实现精准的角度位置感知，提升电控系统的稳定性;　　磁阻编码器(例如：MT6835 和 MT6826S)以高精度和快速响应为优势，广泛应用于工业自动化和运动控制等领域;　　速度传感器(例如：NSM41xx系列)采用AMR技术，可用于汽车ABS系统中的车轮速度检测，助力制动控制系统实现精准响应与安全提升。

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纳芯微

发布时间：2025-07-23 10:43 阅读量：356 继续阅读>>

雷卯<span style='color:red'>电子</span>：三级浪涌防护及退耦设计

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雷卯电子：三级浪涌防护及退耦设计

　　浪涌(surge)也叫突波、瞬变(voltagetransient)，是电路短路、电源切换或大型发动机开关机引起的电流瞬间超出稳定值峰值的突发现象，一般指发生在几百万分之一秒时间内的一种尖峰脉冲，通常包括浪涌电压和浪涌电流。　　浪涌防护原理　　浪涌的危害性非常大，可使电路瞬间烧坏，而浪涌保护就是利用线性元器件对高频(浪涌)的敏感设计的保护电路，简单而常用的是并联大小电容和串联电感。对于商用设备，一般通过含有浪涌阻绝装置的产品吸收突发的尖峰能量，保护连接设备免受浪涌损害。　　在电路设计中，一般遵循“多级防护、逐级削减”的原则，组合使用多种保护元器件方案，实现系统级、高可靠的浪涌防护。　　第一级保护　　大多数防护电路中，第一级是最容易引入雷电等尖峰的端口。　　对于建筑物进线口、AC电源输入端口等应用，这些场合选取气体放电管等大通流保护器件，如GDT、SPG、TSS、信号类防雷模块(SPD)等。在直流电路可以适用高灭弧电压的GDT，类似雷卯电子的2R350-8LH,可以用于DC24V的直接跨接，　　浪涌两级保护方案　　对于电源端口场合，第一级防护一般选用能够承受较高电压或较大电流的箝位型大通流保护器件。若在电源端口选用开关型保护器件，过电压时开关型器件导通后电压较低，本身影响系统的供电电压，另一方面系统电压有可能会维持一直处于导通状态不能正常断开，系统长时间通过较大的电流(如A级电流)可能对电路板造成致命伤害，甚至引起火灾。　　MOV加GDT保护方案　　针对电源端口第一级箝位型过电压保护器件，一般选取金属氧化物压敏电阻(MOV)、超大功率TVS(hyperfix)，或由这几种器件组合而成的防雷模块(SPD)等。当然，低速信号端口也可选择箝位型器件进行第一级防护，但前提是箝位型器件的结电容不能影响通信线路的正常通信。　　第二级保护　　第二级防护与第一级防护类似，一般选用反应速度快箝位电压低的TVS、ESD等。　　在第二级，过于突出的尖峰脉冲已经被第一级削掉，只剩下小于第一级阈值的干扰信号、EMI以及二次产生的噪声。其中，ESD专为门防静电元件，由多个二极管或TVS组合而成，适用于高速数据线路ESD防护，如HDMI、USB3.0、IEEE1394等。　　退耦元器件　　退耦元件具有一定阻抗，作用是保证两级过电压保护器件协同工作。由于第一级防护器件与第二级防护器件采用的过电压保护器件种类不同，击穿电压大小不同，响应时间不同，只好通过退耦元件进行匹配。　　设计中，第二级过电压保护器件一般采用响应速度较快的小通流低压器件，浪涌电压冲击时会先导通，退耦器件具有一定的内阻，经过大浪涌电流时，会将退耦元件之前的电压提高到第一级过电压元件的击穿电压之上，第一级元件导通后可泄放大浪涌电流，从而分担了第二级保护器件的压力。如果两级过电压保护器件之间不加退耦器件，这样第二级保护器件就会一直处于先导通状态，当浪涌电流超过第二级元器件能力时便会使其损坏。　　选择退耦器件时，要根据线路的工作电流大小来选取，如一些信号电路工作电流较小，在保证其正常通信的情况下可选取功率型电阻或自恢复保险丝(PPTC)，退耦电阻一般选取10Ω以内。从浪涌防护角度看，退耦电阻越大越好，但也不能太大，否则会影响线路正常工作电流，需要工程师在电路设计时综合考虑。　　对于一些输入电流较大的低频线路，可选用电感来进行退耦，电感阻抗的计算公式为Z=2πfL，当确定好退耦阻抗值后，可从公式中计算出所用电感的大小。　　单TVS防护方案　　在类似5G基站的防雷设计电路上，对电力的VC箝位电压要求非常高，也可以采用单TVS的保护方案，使用的是雷卯电子的AK系列TVS，类似AK10 AK15 防护10KA级别的TVS，这类方案的特点是残压很低。　　上面只是一些基本思路，实际应用中要根据每种电路保护元件的特点，取长补短搭配选用，这样才能获得高性价比的电路保护方案，为用户提供高可靠、高性能的电子电子产品，在激烈的市场竞争中获得先机。

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雷卯电子

发布时间：2025-07-21 17:09 阅读量：227 继续阅读>>

华润微<span style='color:red'>电子</span>G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用

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华润微电子G5-IPM模块：以优异性能赋能电机驱动应用

　　2025年7月14日，华润微电子功率器件事业群(简称PDBG)举办了第二次“攀登者计划”表彰活动，对“登顶”项目——《基于IGBT5的IPM模块开发及产业化》项目予以表彰，该项目在G5-IPM模块产品开发及产业化上取得显著成效。　　8吋工艺+第五代IGBT技术，PDBG快速向电机驱动市场推出G5-IPM模块　　一、产品简介　　PDBG基于华润微电子8吋功率器件晶圆产线成熟的工艺平台，快速开发并成功推出了全新的G5-IPM模块系列产品——CRM60GHXXEB系列。该系列产品采用Trench FS V IGBT技术(简称G5)，以DIP-24B封装形式呈现，覆盖600V电压平台15/20/30A电流规格，主要适用于电机驱动场景，能够有效填补工业控制领域(工业变频器、水泵、伺服电机)和智能家电(空调压缩机)的市场需求缺口。　　CRM60GHXXEB系列G5-IPM模块的性能显著优于采用Trench FS III IGBT技术(简称G3)的IPM模块。通过优化动态特性及增强抗闩锁能力，CRM60GHXXEB系列产品能够为用户提供更高效、可靠的解决方案。这一突破不仅彰显了PDBG在功率器件领域的技术实力和创新能力，更体现了其对市场需求的敏锐洞察和快速响应能力。　　△ CRM60GHXXEB 封装外形　　二、产品性能优势　　G5系列产品，采用先进的8英寸晶圆工艺，相较于G3系列产品，晶圆良率大幅提升，芯片结温提高至175℃，饱和压降降低10%，开关速度提升，开关损耗降低35%。模块化封装后，产品在高温环境下的工作特性与运行稳定性方面表现更加优异。　　(1)导通损耗：以600V 15A器件为例，在轻载工况下，G5-IPM模块内置IGBT的导通损耗明显低于G3及友商同规格产品，内置FRD的导通损耗在全工况下表现优异，使得G5-IPM模块的综合导通损耗表现更佳。△G3/G5-IPM模块的VCESAT与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的VF与友商产品对比　　(2)开关特性：G5-IPM模块的开关损耗与友商同规格产品接近，较G3有显著提升。同时，通过优化开关波形，提升开关速度，优化开通dV/dt，有效降低了关断尖峰电压应力，提升了EMI表现。△G3/G5-IPM模块的开通损耗与友商产品对比　　△G3/G5-IPM模块的关断损耗与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的关断尖峰与友商产品对比△G3/G5-IPM模块的开通dV/dt与友商产品对比　　综上，PDBG的G5-IPM模块在温升控制与效率提升方面表现出色，适配变频器、伺服电机、空调压缩机等应用场景，为设备的高效稳定运行提供坚实保障。此外，基于8英寸晶圆工艺量产的Trench FS V IGBT，通过规模化生产优势实现了制造成本优化，为市场提供了更具性价比的高性能产品。　　三、产品应用优势　　G5-IPM模块凭借其优异的性能(较G3-IPM开关损耗降低33%)和显著提升的FT良率(较G3-IPM提高1~2个百分点)，展现出强劲的市场竞争力。目前，该模块已连续半年向变频器领域头部客户实现大批量供货，同时在伺服控制领域顺利通过标杆客户验证。　　该系列产品是专为伺服控制、泵类以及低功率变频器等应用精心设计的一款三相智能功率模块(IPM)。该模块集成了6颗低损耗的第五代IGBT和2.5代FRD，同时还具备欠压保护、过流保护、故障输出以及温度输出功能。　　产品列表　　四、应用案例　　在伺服驱动及变频水泵领域，PDBG可提供功率段小于2200W的解决方案，主要应用拓扑图如下：　　随着8英寸Trench FS V工艺的成熟，PDBG已快速完成G5-IPM模块的系列化开发。凭借更低的导通压降与开关损耗，G5-IPM模块为工业控制和智能家电领域提供了更高效、更可靠的解决方案。　　未来，PDBG将坚持创新驱动发展，优化现有产品性能，打造华润微IPM品牌的差异化竞争优势，并全面推进系列化产品开发，助力工业控制及智能家电产业客户实现产品升级;同时，公司将通过核心技术突破和全产业链协同创新，推动产品进入汽车空调等领域。我们期待与更多合作伙伴携手，共同构建绿色高效的产业新生态!

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华润微

发布时间：2025-07-18 11:38 阅读量：493 继续阅读>>

上海雷卯<span style='color:red'>电子</span>：如何选择合适电容值的ESD二极管

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上海雷卯电子：如何选择合适电容值的ESD二极管

　　作为一名关注通信接口和电子元器件的专业人士，你一定对ESD(Electrostatic Discharge)二极管非常感兴趣。让上海雷卯电子和AMEYA360带你来了解一下ESD二极管是什么，以及如何选择合适电容值的ESD二级管吧。　　ESD二极管，也被称为静电保护二极管，是一种用于保护电子元器件免受静电放电(ESD)损害的器件。静电放电是一种常见的电磁干扰源，可能对通信接口和其他电子设备造成严重的损坏。ESD二极管能够迅速响应并吸收静电放电，将其引导到地线，保护接口和其他电路免受损害。　　在选择合适的电容值ESD管时，需要考虑以下几个因素：　　1. 通信接口的速率和带宽：不同速率和带宽的通信接口对ESD保护的要求不同。较高速率的接口可能需要更低的电容值，以确保快速的信号传输和响应。　　2. 接口的电气特性：了解通信接口的特性阻抗、信号电平以及信号线的布局等，有助于选择合适的ESD管电容值。经过仔细计算和模拟，可以确定最佳的电容值范围。　　3. ESD保护需求：根据应用场景和系统对ESD保护的需求，选择适当的电容值。一般情况下，较高的电容值可能增加对信号传输的影响。　　上图这颗是低容值ESD ，可以用在高速通讯接口上。　　通过综合考虑以上因素，可以选择适合特定通信接口的合适电容值的ESD管。此外，与供应商和技术专家的交流也是非常重要的，他们能够提供更具体的建议和指导。　　保护通信接口免受ESD损害是确保系统稳定性和可靠性的关键。通过选择合适电容值的ESD管，我们能够提供可靠的ESD保护，确保通信接口的正常工作，同时保护其他电子元器件免受静电放电的危害。

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上海雷卯电子

发布时间：2025-07-18 11:34 阅读量：249 继续阅读>>

一文看懂川土微<span style='color:red'>电子</span>隔离器核心技术！

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一文看懂川土微电子隔离器核心技术！

　　一、Pulse-Coding调制解调技术　　所谓隔离器，类似于在一颗芯片左右两侧的微距离上实现无线射频收发系统，在这样一个收发系统里面，其实包括发射机和接收机以及隔离介质三部分。　　目前主流架构主要包括Pulse调制架构和OOK调制架构。Pulse架构和OOK调制架构的优点是低功耗、低传输延迟、高传输速率，缺点则是在有干扰信号的时候容易丢码或增加码造成传输出错，所以CMTI的能力比较差。　　于是市场上就出现了一种需求：既能满足可靠性高，还要达到低功耗。Pulse-Coding调制解调技术就是一种这样的架构。它的原理是采用边沿编码技术，对上升沿和下降沿进行编码，同时在编码结束之后，会进入休眠状态，这样的话就同时克服了抗干扰能力差和功耗低的缺点，同时还集成了一个refresh的技术，确保输入与输出在任何状态下都是一致的。这种架构的CMTI会达到200Kv/uS。　　二、增强耐压技术　　众所周知，隔离器的耐压主要是由其中间绝缘介质的材料来决定的，而现在主流的绝缘材质有三种：光耦、磁隔、容隔。光耦和磁隔所采用的绝缘介质是聚酰亚胺，容隔的绝缘介质是二氧化硅。　　下图的表格可以看到，聚酰亚胺特性大约是300伏每微米，二氧化硅的耐压大约是500伏每微米。同时由于PI也就是聚酰亚胺的制作工艺难度，一般只能做到20um左右，技术较高的话可以做到30um。　　二氧化硅的厚度可以达到10~20，乘以2的话能到20~40um，所以容隔的二氧化硅耐压特性是非常好的。　　川土微电子的隔离器采用的就是容隔这种架构。容隔还有一个优点，它一般是用两个隔离电容进行串联，耐压就是两个隔离电容耐压之和，可以起到双重保护作用。如果有一个电容出现故障，另外一个电容依旧能作用起到隔离作用。川土微电子为了实现耐压增强的技术，从四方面做了工作：　　1.工艺合作开发：川土微电子与一些工厂进行工艺合作开发，提升产品耐压。　　2.版图设计：采用圆形电容，实现更高的耐压。　　3.超强解调电路设计　　4.封装设计　　三、高CMTI技术　　所谓CMTI就是共模瞬态抗扰度，它是指在原边和副边两个地之间加入一个快速的扰动，然后看传输信号是否出错。它的关键因素是扰动幅度和斜率，幅度一般为1500v，斜率一般是用千伏每微秒的单位来衡量。川土微电子的CMTI技术包含以下三种：　　全差分发射及接收机架构技术：创新的高CMTI接收电路(专利保护)　　等效共模输入阻抗控制技术：实现接收电路共模电平在CMTI情形下仍能够正常工作　　数字滤波技术：以延迟时间或更低的传输码率兑换更优的CMTI性能　　四、低EMI技术　　由于越来越多的客户对EMI都非常关注，川土微电子针对EMI也实现了以下技术：　　抖频技术：将内部时钟频率进行展频，将频谱能量打散，将能量峰值降低。　　晶圆上使用金属屏蔽层：在裸芯的顶层铺满金属，用来屏蔽电磁干扰和电场干扰。　　Pulse-Coding技术：只在信号边沿发射编码脉冲，降低发射能量。　　高增益RX电路设计：只需较小隔离电容值，便能正常解调工作，减小共模耦合。　　容隔架构：通过电场传递信号，相比磁隔通过磁场传递信号，辐射天然较小。　　五、全集成隔离DC-DC　　全集成隔离DC-DC相当于多合一的高度集成的芯片，包括三个部分：隔离电源模组、数字隔离器、数字隔离接口。　　这颗集高度集成三合一的产品，能够将左边三者同时集成到一颗芯片里面，可以看到上图右侧，就是这颗芯片的内部结构示意图，芯片内部有平面变压器、隔离器以及接口多颗裸芯合封在一起，将全集成的隔离器芯片的封装尺寸做到业界最小，装在一颗SOW16封装里。同时转化效率达到了53%，这在业界也是非常高的一个指标。　　以上，就是川土微电子隔离器的一些核心技术。目前川土微电子的隔离器产品已经广泛应用于工业控制、电源能源、仪器仪表、消费电子、汽车电子等多个领域，未来，川土微电子将持续新品研发，以满足不同客户需求。

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川土微

发布时间：2025-07-17 15:26 阅读量：267 继续阅读>>

上海雷卯<span style='color:red'>电子</span>：智能机器人里的MOSFET选型要求

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上海雷卯电子：智能机器人里的MOSFET选型要求

　　具身智能机器人，通常由多个子系统组成，而 MOSFET 作为关键的功率开关器件，在多个子系统中扮演着核心角色。下面我们来拆解一下：　　一、具身智能机器人的主要组成部分　　1、主控制器/计算单元：　　机器人的“大脑”。通常是高性能处理器(如CPU、GPU、NPU)组成的计算平台，运行操作系统、AI算法、路径规划、决策控制等。　　2、感知系统：　　机器人的“感官”。　　传感器：摄像头(视觉)、激光雷达/超声波雷达(测距、建图)、IMU(惯性测量单元，姿态)、编码器(电机位置/速度)、力/力矩传感器、麦克风(声音)、触摸传感器等。　　传感器接口与处理电路：负责采集、滤波、放大、模数转换传感器信号。　　3、运动系统：　　机器人的“肢体”。　　执行器：最核心的是电机(直流有刷电机、直流无刷电机、步进电机、伺服电机)。还可能包括液压/气动执行器(在工业机器人或大型机器人中更常见)。　　驱动器/功率放大器：将控制信号(来自主控制器)转换成驱动执行器所需的大电流/大电压功率信号。这是MOSFET应用最密集的地方。　　机械结构：关节、连杆、齿轮箱、轮子/履带等。　　4、电源管理系统：　　电池：通常是锂离子/锂聚合物电池组。　　充电管理电路：控制电池充电过程。　　电压转换模块：将电池电压转换成系统各部分(主控、传感器、驱动器等)所需的不同电压等级(如12V, 5V, 3.3V, 1.8V等)。DC-DC转换器大量使用MOSFET。　　电源分配与保护：开关控制各路电源通断，过压/过流/欠压保护。　　5、通信系统：　　内部通信总线： CAN, I2C, SPI, UART, Ethernet等，连接主控与各子系统。　　外部通信： Wi-Fi, 蓝牙, 4G/5G, 以太网等，用于与云端、其他设备或用户交互。　　人机交互：显示屏、扬声器、指示灯、触摸屏、语音交互模块等。　　软件与算法：操作系统、驱动程序、感知算法(SLAM、目标检测识别)、导航规划算法、运动控制算法、决策AI、应用程序等。　　二、MOSFET在智能机器人中的应用及选型要点　　MOSFET在智能机器人的核心作用是在各种电路中作为高效、快速、可控的电子开关或放大器，用于功率控制和转换。　　1、电机驱动(运动系统-驱动器)　　(1)MOSFET应用　　H桥驱动电路(有刷直流电机)：由4个MOSFET组成全桥或半桥电路，或者用上海雷卯两颗合封(N+P)MOSFET精确控制MOSFET的开通和关断，可以控制电机的方向、速度(通过PWM脉宽调制)和启停。开关损耗和导通损耗是关键。N+P合封MOSM,驱动简单，电路尺寸更小。下图为合封。　　三相逆变器(无刷直流电机/永磁同步电机)：由6个MOSFET(每相上桥臂和下桥臂各一个)组成三相全桥逆变电路，或三颗合封MOSFET，通过精确控制MOSFET的开关时序(通常采用空间矢量脉宽调制SVPWM)，产生旋转磁场驱动电机。要求开关频率高、开关速度快、损耗低。　　(2)常用MOSFET类型：　　功率MOSFET：这是最主要的应用。根据电机功率(电压、电流)选择合适规格的N沟道增强型MOSFET。　　低导通电阻MOSFET：至关重要!导通电阻直接决定导通损耗和发热。常用 Trench MOSFET 或 Super Junction MOSFET 技术实现低 Rds(on)。　　快速开关MOSFET：高开关频率可提高控制精度和效率，降低电机噪声(人耳可闻噪声)。需要低栅极电荷和米勒电容。　　集成模块：为简化设计、提高功率密度和可靠性，常使用将MOSFET、栅极驱动、保护电路集成在一起的 IPM 或 PIM。　　(3)选型关键参数：　　额定电压、额定电流、导通电阻、栅极电荷、开关速度、热阻、封装。　　上海雷卯有多种型号MOSFET适合用于智能机器人电机驱动。　　2、电源管理系统　　(1)MOSFET在电源管理系统应用　　同步整流：DC-DC转换器 (降压/升压/升降压)　　电池保护板：MOSFET串联在电池组充放电回路中，作为开关。当检测到过充、过放、过流或短路时，关断MOSFET 以切断回路，保护电池安全。要求导通电阻极低(减小压降损耗)、开关速度适中、可靠性极高。　　负载开关：控制子系统电源的通断(如关闭未使用的传感器模块以省电)。MOSFET作为受控开关串联在电源路径上。要求导通电阻低、关断漏电流小。　　(2)电源管理常用MOSFET类型　　功率MOSFET：用于DC-DC主开关和同步整流开关。同样追求低 Rds(on) 和高开关速度。　　低导通电阻 MOSFET：在同步整流和负载开关中至关重要。　　专用电池保护MOSFET：通常为N沟道，具有极低的导通电阻和适合保护板应用的封装。　　小信号MOSFET：可能用于控制逻辑或辅助电源开关。　　(3)选型关键参数　　额定电压、额定电流、导通电阻、栅极电荷、开关速度(对于开关管)、体二极管特性(对于同步整流)、关断漏电流(对于负载开关)。　　3、传感器接口与执行器控制　　(1)作用　　高功率传感器/执行器驱动：某些特殊传感器(如大功率激光发射管)或执行器(如电磁阀、大功率LED灯)可能需要MOSFET作为开关来控制其供电。　　脉冲信号放大：在驱动某些需要较大电流脉冲的传感器(如超声波发射器)时，可能用到MOSFET进行功率放大。　　(2)常用MOSFET类型：　　中小功率MOSFET：通常对开关速度要求不如电机驱动那么高，更关注导通电阻和成本。　　逻辑电平MOSFET：方便由微控制器GPIO直接驱动。比如说2N2007。　　(3)选型关键参数：　　额定电压、额定电流、导通电阻、栅极阈值电压。　　综上所述: MOSFET在智能机器人中的核心战场是电机驱动和电源管理(特别是DC-DC转换器中的同步整流)。

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雷卯电子

发布时间：2025-07-16 17:36 阅读量：251 继续阅读>>

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