海凌科<span style='color:red'>电子</span>:C系列电源模块
  在智能硬件和物联网设备设计过程中,电源模块往往是“隐藏的英雄”——它虽不显眼,却决定了设备的稳定性、安全性与适用场景。今天我们要为大家介绍的是C系列模块电源,它不仅性能强悍,更具备广泛的应用潜力,堪称“电源专家”。  一、产品亮点  C系列电源包括了3W、5W、15W、20W、30W的不同型号供你选择,本文只列举了5W的产品供大家参考,有需要了解其他规格可以联系AMEYA360详细咨询。  C系列5W电源具有以下特性:  ·输入全能:85~265Vac或120-350Vdc宽压输入,全球通用  ·高效节能:空载损耗<0.1W,效率最高达80%  ·安全可靠:3000Vac高隔离耐压,IP65防水防尘  ·认证齐全:符合UL、CE认证要求,内置EMC电路,可以直接通过安规认证。  二、型号全面  设计友好,集成无忧  ·内置保护机制:短路、过流自恢复,提升系统可靠性。  ·内置EMC电路:满足EMC与安规要求。  ·兼容性强:支持AC/DC输入,灵活适配多种供电方式。  详细资料可查看:海凌科5W(C)系列规格书V1.0.pdf。  三、应用场景  1. 智能家居与安防系统  为智能门铃、摄像头、烟雾报警器提供稳定电源,适应多变电网环境。  IP65防护等级,无惧潮湿与灰尘,阳台、厨房、浴室均可安心使用。  2. 工业自动化与控制  适用于PLC扩展模块、继电器控制板、小型步进电机驱动。  宽温工作范围(-25℃~+60℃),适应车间、户外等恶劣环境。  3. 便携式设备与户外物联网  搭配锂电池或太阳能板,为野外监测设备、GPS追踪器、气象站供电。  超低待机功耗,延长设备续航时间。  4. 消费电子与创客项目  树莓派、ESP32、STM32等开发板的理想电源解决方案。  接线简单,非常适合3D打印机、CNC小车、机器人等项目。  5. 通讯与网络设备  为4G/5G模块、路由器中继、光纤转换器提供纯净电源,降低通讯干扰。  四、总结  该系列模块价格亲民(5W参考价:9.6~10.9元/个),并具备1年质保,是中小批量项目与原型验证的理想选择。无论是智能家居的“隐形供电”,还是工业现场的“稳定支撑”,海凌科C系列5W电源模块都能以极致的性能,成为你产品中“看不见的守护者”。
关键词:
发布时间:2025-11-03 16:15 阅读量:196 继续阅读>>
纳芯微 NSUC1602:<span style='color:red'>电子</span>水泵油泵的高可靠之选
  纳芯微集成预驱的嵌入式电机驱动芯片 NSUC1602 为新能源汽车电子水泵、油泵提供高可靠嵌入式电机控制 “MCU+”解决方案。该方案不仅适配当前热管理系统集成化需求,更着眼于技术演进趋势,推动“MCU+”芯片技术向更深层次迭代,助力行业突破效率与可靠性瓶颈。  一、新能源汽车热管理市场高增技术向 “高效集成” 加速迭代  2025 年国内乘用车热管理市场规模将达 1157 亿元,其中新能源汽车市场规模占比超七成,达 878 亿元,近四年的年复合增长率(CAGR4)高达 45%;预计 2028 年,新能源汽车热管理市场规模将进一步攀升至 1441 亿 - 1546 亿元,成为驱动汽车电子产业增长的核心赛道之一*。  (*数据来源于一览咨询、申万宏源研究等第三方数据)  在 “碳中和” 目标下,节能减排成为行业核心导向;同时,消费者对车辆续航里程、安全性能的高要求,推动热管理系统从传统 “分散运行” 向 “高效化、集成化、智能化” 转型。传统燃油车中,空调与发动机冷却系统独立运行,而新能源汽车需统筹三电系统(电池、电机、电控)、空调座舱的热量需求,热管理管路复杂度显著提升,对阀类、泵类、换热器、传感器等核心零部件的集成度与协同效率提出更高要求。  技术层面,热泵与液冷已成为行业主线。冷媒侧,热泵空调普及速度加快,2023 年 1-9 月新能源汽车标配搭载率达 25.3%,预计 2027 年将突破 60%,技术方案逐步收敛为 R1234yf 冷媒热泵与低功率 PTC 耦合;水路侧,动力系统以液冷散热为主,适配高压大功率平台及芯片算力提升带来的新增散热需求。更关键的是,“打通冷媒路与水路” 的集成化趋势已成定局 —— 通过统筹热量交换,可进一步提升系统效率,这也成为零部件厂商构建核心竞争力的关键壁垒。  二、国内首颗175℃结温车规电机驱动芯片破解电子泵控核心难题  针对电子水泵、油泵的高可靠控制需求,纳芯微 NovoGenius® 系列汽车专用“MCU+”芯片的核心产品——NSUC1602 车规级嵌入式电机驱动芯片,凭借全集成、高可靠、强适配的特性,成为行业关注焦点。  作为国内首颗量产支持175℃结温(AEC-Q100 Grade 0) 的电机控制芯片,NSUC1602 在架构与性能上实现多重突破:  1. 全集成设计简化系统  芯片内置 ARM Cortex-M3 内核微控制器(MCU)、LDO 电源管理单元、LIN 收发器及 6 通道栅极驱动器,构建起车用三相直流无刷电机的最小控制系统,大幅减少 PCBA 体积与硬件成本,适配电子水泵(电池包、水冷电机冷却)、电子油泵(油冷电机、车载充电机、电机逆变器散热)等核心场景。  2. 高可靠与强诊断保障安全  集成过流、过压、短路、MOSFET 退饱和检测等多重保护功能,同时优化 EMC 性能,满足车规严苛的电磁兼容要求;支持LIN 通讯接口及位置传感器接口,可实现双电阻或单电阻采样的无感控制,适配电子油泵对高转速、长寿命的需求 —— 以 DriveONE 电驱系统为例,采用油冷技术后,电机绕组平均峰值温度降低 30℃,磁钢峰值温度降低 15℃,使用寿命可延长一倍。  3. 场景化适配平衡效率与成本  针对电子水泵与油泵的差异需求,NSUC1602 提供灵活解决方案:水泵场景中,可简化冷却回路、降低整体成本;油泵场景中,支持直接冷却转子、加快散热速度,且能与混动变速箱冷却油路集成,突破高转速电机散热瓶颈。目前,该芯片已在海外主流车型实现量产交付,验证了其市场认可度。  三、“MCU+”技术演进,引领行业方向从 “功能集成” 到 “算法硬件化”  电子水泵、油泵的发展,也推动“MCU+”芯片技术向更深层次迭代。未来技术将围绕三大方向突破:  1. 集成化深化  从单一功能集成向系统级集成迈进,进一步减少零部件数量,实现 PCBA 轻量化,提升热管理系统整体效率,这也是零部件厂商长期成长的核心竞争力所在。  2. 能量效率优化  以 “最小能量消耗” 满足整车冷媒路、水路的制热与制冷需求,适配统筹热管理系统复杂度提升的趋势,平衡性能与能耗。  3.算法硬件化  当前 BLDC 电机 FOC 控制算法多依赖主控 MCU 算力,未来将逐步 “下放” 至预驱域,通过数模混合技术与硬件深度耦合,实现算法硬件化 —— 此举可解放中央 MCU 算力,同时降低系统噪声、优化成本。目前,已有头部主机厂与 Tier 1 就该方向与纳芯微探讨芯片定制需求,技术趋势已逐步明确。  四、深耕车规赛道,构建全栈解决方案能力  作为专注于高性能模拟与数模混合芯片的企业,纳芯微在车规领域已形成深厚积累。自 2016 年推出首款汽车芯片以来,公司车规业务持续高速增长:截至 2025 年上半年,汽车芯片累积出货量超 9.8 亿颗,汽车业务营收占比超三分之一,其中,2025 年上半年就实现了汽车芯片出货 3.1 亿颗,展现出强劲的增长势头。  产品布局上,纳芯微覆盖新能源汽车八大核心应用领域,包括车身控制与照明、智能网联 / 座舱、底盘与安全、热管理系统等。除 NSUC1602 嵌入式电机驱动芯片外,还拥有电机预驱(NSD3602、NSD3604)、DC 电机驱动(NSD731X)、步进电机驱动(NSD8381)等系列产品;传感器领域,2024 年通过并购麦歌恩完善磁传感器 IP 布局,实现 TMR、AMR、霍尔技术全覆盖,进一步丰富产品矩阵。  值得关注的是,纳芯微还获得 TÜV 莱茵 ISO 26262 ASIL D “Defined-Practiced” 级别功能安全管理体系认证,成为国内少数完成从 “体系建立” 到 “体系实践” 能力跃迁的芯片企业,为产品可靠性提供坚实保障。  未来,纳芯微将持续以创新驱动 IC 为核心,围绕新能源汽车热管理等关键领域,深化与产业链伙伴的合作,推动行业向更智能、更绿色的方向发展,助力新能源汽车产业高质量升级。
关键词:
发布时间:2025-10-28 14:26 阅读量:254 继续阅读>>
杭晶<span style='color:red'>电子</span>:普通晶体振荡器到温补晶振与恒温晶振的演变之路
  普通晶体振荡器向温补晶振(TCXO)和恒温晶振(OCXO)的演变,勾勒出人类在不同应用环境下对更高频率稳定度与精准控制的持续追求。  1921年,沃尔特·盖顿·卡迪发现石英晶体可作谐振器,标志着普通晶体振荡器的诞生。尽管其频率准确性较早期振荡器显著提升,却容易受温度变化影响,导致频率漂移。  随着电信、军事等领域对振荡器稳定性的要求日益提高,温补晶振(TCXO)应运而生。TCXO 内部配备补偿电路,借助热敏电阻等温度感应元件实时调整输出频率,有效抑制因温度变化引起的频率偏差,从而在不同温度条件下保持更稳定的频率输出。  而在对精度要求更高的应用场景中,恒温晶振(OCXO)逐渐发展成熟。0CXO 将晶体置于精密控制的恒温槽内,使晶体始终在恒定温度下工作,大幅削弱外界温度波动对频率的影响。因此,OCX0 的频率稳定度显著优于普通晶体振荡器与 TCXO,同时还具备优异的长期稳定性与低相位噪声特性。  这一技术演进历程,源自高端电子系统对准确性、稳定性与频率控制可靠性不断提升的需求,目标在于使振荡器能够适应更复杂苛刻的工作环境,满足卫星通信、全球定位系统(GPS)及高速数字网络等关键应用的严苛要求。  近年来,技术仍在不断创新:双恒温晶振(DOCXO)进一步提升了稳定度;集成数字补偿技术不断融入TCXO与 OCXO,优化其性能表现;微机电系统(MEMS)技术也为晶振的微型化与性能突破开辟了新路径。
关键词:
发布时间:2025-10-24 16:45 阅读量:261 继续阅读>>
纳芯微<span style='color:red'>电子</span>:ZCU电机驱动芯片怎么选?
瑞萨<span style='color:red'>电子</span>新品RA8M2&RA8D2,高算力与图形显示MCU新标杆!
  全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器(MCU)产品。全新MCU产品基于1GHz Arm® Cortex®-M85处理器(可选配250MHz Arm® Cortex®-M33处理器),以7300 CoreMark的原始计算性能刷新行业基准,实现业界卓越的计算效能。可选配的Cortex®-M33处理器有助于实现高效的系统分区和任务隔离。  RA8M2与RA8D2同属RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2为通用型产品,RA8D2 MCU则集成多种高端图形外设。它们与瑞萨今年早些时候推出的RA8P1和RA8T2产品相同,均基于高速度、低功耗的22nm ULL工艺制造,提供单核与双核配置,并拥有针对不同计算密集型应用需求的专属特性集。新产品充分发挥Arm® Cortex®-M85处理器的高性能及Arm的Helium™技术优势,为数字信号处理器(DSP)和机器学习(ML)应用带来显著的性能提升。  RA8M2和RA8D2搭载嵌入式MRAM,相较闪存技术具备多重优势——高耐用性与更强的数据保持能力、更快的写入速度、无需擦除操作、支持字节寻址,同时具备更低的漏电流和制造成本。对于要求更高的应用,还提供单个封装中带有4或8MB外部闪存的SIP选项。此外,RA8M2和RA8D2两款MCU均包含千兆以太网接口和双端口TSN交换机,可满足工业网络应用场景的需求。  这两款MCU产品群结合Cortex®-M85内核的高性能,搭配大容量存储器与丰富的外设集,特别适用于各类物联网及工业场景。较低功耗的CM33内核可作为后台管理MCU,在高性能CM85内核处于休眠模式时执行系统任务,并仅在需要更高阶计算任务时才将CM85内核唤醒,从而有效降低系统功耗。  Daryl Khoo, Vice President of the Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示:“RA8M2和RA8D2进一步完善了瑞萨新一代RA8 MCU产品线,专为高性能微控制器市场设计。该产品组合使得瑞萨能够提供可扩展、安全,且支持AI的嵌入式处理解决方案,助力客户在工业、物联网及特定汽车应用领域加速创新,缩短上市周期。RA8系列在满足复杂处理需求的同时,能够保持低功耗并最大限度地降低总拥有成本,体现了瑞萨对技术创新的持续承诺,助力客户打造更具前瞻性的设计。”     RA8D2特性集:专为图形与HMI应用优化  RA8D2 MCU为图形与HMI应用提供了丰富的特性和功能:  高分辨率图形LCD控制器,支持1280×800显示分辨率,兼容并行RGB及双通道MIPI DSI接口  集成2D绘图引擎,可卸载CPU图形渲染任务,支持图形基元处理  多种摄像头接口选项,适用于摄像头与视觉AI应用:  - 16位相机接口(CEU),支持图像数据获取、处理,及格式转换  - MIPI CSI-2接口提供低引脚数双通道设计,每通道速率达720Mbps  - VIN模块可对来自MIPI CSI-2接口的YUV和RGB数据输入执行垂直和水平缩放,以及格式与色彩空间转换  I2S和PDM等音频接口支持数字麦克风输入,适用于音频与语音AI应用  集成SEGGER emWin和微软GUIX等行业先进的嵌入式图形GUI套件,构成全面图形解决方案,并已整合至瑞萨的灵活配置软件包(FSP)  针对Helium™技术优化的软件JPEG解码器,兼容emWin与GUIX解决方案,结合Helium™加速可实现最高27fps的端到端图形性能  与Embedded Wizard、Envox、LVGL及SquareLine Studio等图形生态合作伙伴合作,提供采用RA8D2的解决方案,利用Helium™技术进一步加速图形功能和JPEG解码  RA8M2和RA8D2 MCU产品群的关键特性  内核:1GHz Arm® Cortex®-M85(配备Helium™技术);可选配250MHz Arm® Cortex®-M33  存储:集成1MB高速MRAM和2MB SRAM(包括Cortex®-M85的256KB TCM及M33的128KB TCM);4MB和8MB SIP产品即将推出  模拟外设:两个16位ADC(含23个模拟通道)、两个3通道S/H模块、2通道12位DAC、4通道高速比较器  通信外设:双千兆以太网MAC(带DMA)、USB2.0 FS主机/设备/OTG、CAN2.0(1Mbps)/CAN FD(8Mbps)、I3C(12.5Mbps)、I2C(1Mbps)、SPI、SCI、八线串行外设接口  高阶安全性:RSIP-E50D加密引擎、基于片上不可变存储中FSBL的强健安全启动功能、安全调试、安全工厂编程、DLM支持、防篡改保护、DPA/SPA防护  全新RA8M2和RA8D2 MCU产品群由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供开发所需的所有基础架构软件,包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈,以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件,从而助力客户加快应用开发速度。它支持客户将自己的既有代码和与选定的RTOS(FreeRTOS和Azure RTOS)集成至FSP,为应用开发提供高度灵活性。此外,现已支持Zephyr开发平台。FSP还可简化现有设计向全新RA8系列产品的迁移过程。  成功产品组合  瑞萨将全新RA8 MCU产品群与其产品组合中的众多兼容器件相结合,创建出广泛的“成功产品组合”,包括基于RA8M2的智能眼镜以及宠物摄像机器人,以及基于RA8D2的Ki无线电源收发器系统(Tx)和Ki无线电源接收器系统(Rx)。这些“成功产品组合”基于相互兼容且可无缝协作的产品,具备经技术验证的系统架构,带来优化的低风险设计,以加快产品上市速度。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品,推出超过400款“成功产品组合”,使客户能够加速设计过程,更快地将产品推向市场。  供货信息  RA8M2与RA8D2 MCU产品群和FSP软件现已上市。RA8M2产品提供176引脚LQFP封装、224引脚及289引脚BGA封装。RTK7EKA8M2S00001BE评估套件同步上市。RA8D2 MCU提供224引脚和289引脚BGA封装。RTK7EKA8D2S01001BE评估套件支持RA8D2产品。  瑞萨MCU优势  作为全球卓越的MCU产品供应商,瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗,其中约50%用于汽车领域,其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合,所提供的产品具有出色的质量和效率,且性能卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验,并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
关键词:
发布时间:2025-10-23 11:30 阅读量:407 继续阅读>>
Cadence <span style='color:red'>电子</span>设计仿真工具标准搭载村田制作所的产品数据
  株式会社村田制作所(以下简称“村田”)已在 Cadence Design Systems, Inc.(总部:美国加利福尼亚州,以下简称“Cadence”)提供的 EDA 工具(1) “OrCAD X Capture™”以及“AWR Design Environment™”中标准搭载了部分产品数据。由此,在 EDA 工具中即可选择村田产品并开展仿真,可用于应对用户多样化的设计需求与规格的选项较以往进一步增多,从而有助于推动电路设计的高阶化。  (1)EDA 工具:电子设计自动化(Electronic Design Automation)工具的总称。指在计算机上进行电子电路设计时,用于对所设计电路进行评价与验证的仿真工具。  近年来,伴随人工智能与物联网的发展,电子设备的多功能化与高性能化不断推进,装载于电路板上的电路也日趋复杂。为减少设计失误、缩短开发周期并降低试制成本,电子电路设计领域正加速引入数字孪生(2),基于 EDA 工具的设计正逐步成为主流。针对不同用途与要求选择合适的元器件,是实现电子电路设计高阶化所需的重要一环。因此,人们期待在仿真工具中进一步扩充可选电子元器件的数据库。  (2)数字孪生:基于现实空间(物理空间)的信息,在数字空间(网络空间)中再现对应的虚拟现实的方法。  为此,村田与 Cadence 开展协作,在 Cadence 具有代表性的 EDA 工具“OrCAD X Capture”以及“AWR Design Environment”中标准搭载了村田的产品数据。  通过此次标准搭载,用户可直接在 EDA 工具中选择村田产品。以往如需在 EDA 工具中使用村田产品,必须从村田网站下载产品数据并手动安装到工具中,费时且耗力。现在上述流程已无需执行,可用于应对用户多样化设计需求与规格的选项较以往进一步增多,有助于电子电路设计的高阶化。  今后,村田将继续与在 EDA 工具领域位居前列的企业之一 Cadence 展开协作,持续扩充标准搭载的产品数据与支持的工具。同时也在考虑引入产品数据自动更新功能,以期为电子电路设计的高阶化与便利性提升作出贡献。
关键词:
发布时间:2025-10-21 14:22 阅读量:255 继续阅读>>
江西萨瑞微<span style='color:red'>电子</span>M4SMF系列4500W TVS二极管强势登场!
  高功率瞬态电压抑制二极管  在现代电子设备精密复杂的电路中,瞬时电压冲击犹如隐形杀手,随时可能造成致命损伤。统计数据显示,超过35%的电子设备故障源于电压瞬变和静电放电。无论是突如其来的雷击浪涌,还是看似微不足道的静电释放,都足以让精心设计的电路板瞬间瘫痪。  作为国内领先的电路保护解决方案提供商,萨瑞微电子深谙电压防护的重要性。今天,我们隆重推出M4SMF系列4500W TVS二极管,为您构筑可靠的电压防护壁垒,让您的产品在严苛环境中稳如磐石。  产品简介  M4SMF系列采用紧凑的 SOD-123FL封装,专为表面贴装(SMT)应用而优化。低剖面适应了现代电子产品轻薄化的趋势;低电感特性确保了其对高速瞬态脉冲的快速响应能力,使其即使在空间受限的高密度PCB设计中也能游刃有余。  系列型号齐全,覆盖广泛:  电压范围广:从5.0V至28V,提供多达十余种标准电压选项,满足从低功耗MCU到较高压电源总线等各种电路的防护需求。  极性选择灵活:提供单向(A型号) 与双向(CA型号) 两种类型。单向型适用于直流电路,提供精准的极性保护;双向型则能轻松应对交流信号或可能存在正负浪涌的复杂工况,为设计提供极大灵活性。  关键参数解析  惊人的峰值脉冲功率:4500W (@8/20µs)  4500W的峰值脉冲功率,能吸收并化解极其巨大的瞬态能量,轻松应对如雷击感应浪涌、电机负载突卸、继电器开关等引起的严峻挑战,为系统设立了一道坚固的“电压防火墙”。  优异的钳位性能  M4SMF系列具备极快的响应速度(可达皮秒级),能在纳秒时间内从高阻态转变为低阻态。  高ESD防护等级  该系列产品集成高效的ESD保护能力,完美符合 IEC-61000-4-2 Level 4 标准,支持±30kV(空气放电)与±30kV(接触放电)。  稳定的电气参数与低泄漏电流  全系列产品具有精确的击穿电压(VBR)和低至微安(µA)级别的反向泄漏电流(IR)。  产品优势与特点  1. 高可靠性  封装材料采用UL 94V-0级阻燃塑料,安全可靠。  湿度敏感等级达到MSL 1,意味着拆封后无需在特定时间内完成烘烤与焊接,仓储和使用更为便捷。  端子镀层符合军用焊接标准(MIL-STD-750),确保焊接牢固性。  2. 高效率  极低的漏电流有助于降低整机待机功耗,满足绿色环保的能效标准。  3. 高灵活性  同一功率平台下提供单向与双向、多电压档位的丰富选择,方便工程师根据实际电路需求进行灵活选型,实现标准化设计。  4. 出色的开关特性  作为半导体保护器件,其响应速度可达皮秒级,远快于压敏电阻(MOV)或气体放电管(GDT),能有效抑制快速的电压尖峰。  典型应用领域  M4SMF系列凭借其强大的性能,已成为以下领域的理想保护解决方案:  通信基础设施:路由器、交换机、基站等设备的电源输入端口及通信线路保护。  汽车电子:车载充电器(OBC)、电源管理系统(BMS)、ECU控制单元、LED车灯驱动,抵御负载突降等严峻考验。  工业控制:PLC、变频器、伺服驱动器、I/O模块,在恶劣的工业电磁环境中稳定运行。  消费电子:智能电视、家电主控板、适配器、以及各类USB/HDMI端口的ESD和浪涌防护。  安防监控:户外摄像头、门禁系统的电源及信号线路防雷防浪涌。  选择萨瑞微,选择可靠  作为国内领先的IDM模式半导体企业,萨瑞微电子拥有从芯片设计到封装测试的全产业链能力。我们的M4SMF系列TVS二极管,在晶圆材料、钝化工艺、封装技术上都进行了深度优化,历经多轮严格的可靠性测试与质量验证,其性能与可靠性完全可比肩国际一线品牌。在当下供应链格局重塑的背景下,萨瑞微电子是您实现关键器件国产化替代、优化成本结构、保障供应安全的优质战略伙伴。
关键词:
发布时间:2025-10-21 14:09 阅读量:263 继续阅读>>
瑞萨<span style='color:red'>电子</span>采用下一代功率半导体为800 伏直流AI数据中心架构赋能
  2025年10月13日,全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)宣布,支持NVIDIA宣布的800伏直流电源架构的高效电源转换和分配,推动下一代更智能、更快速的人工智能(AI)基础设施发展。  随着GPU驱动的AI工作负载日益密集,数据中心功耗攀升至数百兆瓦级别,现代数据中心亟需兼具能效优化与可扩展性的电源架构。GaN FET开关为代表的宽禁带半导体,凭借其更快的开关速度、更低的能量损耗,及卓越的热管理性能,正迅速成为关键解决方案。此外,GaN功率器件将推动机架内800V直流母线的发展,在通过DC/DC降压转换器支持48V组件复用的同时,显著降低配电损耗,并减少对大尺寸母线排的需求。  瑞萨基于GaN的电源解决方案特别适用于此类应用场景,支持高效且密集的DC/DC电源转换,工作电压范围覆盖48V至400V,并可通过选配叠加至800V。这些转换器基于LLC直流变压器(LLC DCX)拓扑结构,可实现高达98%的转换效率。在AC/DC前端,瑞萨采用双向GaN开关,以简化整流器设计并提升功率密度。同时,瑞萨的REXFET MOSFET、驱动器及控制器则为新型DC/DC转换器的物料清单(BOM)提供了有力补充。  Zaher Baidas, Senior Vice President and General Manager of Power at Renesas表示:“AI正以前所未有的速度改变各行各业,电源基础设施必须同步快速演进,以满足激增的电力需求。依托我们全系列GaN FET、MOSFET、控制器及驱动器产品组合,瑞萨致力于以面向规模化应用的高密度能源解决方案,为AI的未来赋能。这些创新不仅带来卓越性能与能效,也具备支撑未来增长所需的可扩展性。”  瑞萨电子已发布一份白皮书,深入探讨其在AI基础设施中支持800V配电的设备拓扑结构。  瑞萨电源管理技术优势  作为全球卓越的电源管理产品供应商,瑞萨电子近年来的平均年出货量超15亿颗,其中大量产品服务于计算行业,其余则广泛应用于工业、物联网、数据中心以及通信基础设施等领域。瑞萨拥有业界广泛的电源管理器件产品组合,在产品质量、效率及电池寿命方面表现卓越。同时,作为一家值得信赖的供应商,瑞萨拥有数十年的电源管理IC设计经验,并以双源生产模式、业界先进的工艺技术,以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
关键词:
发布时间:2025-10-17 15:31 阅读量:405 继续阅读>>
产品选型指南  | 村田xEV功率<span style='color:red'>电子</span>解决方案
  预计到2029年,电动汽车(xEV)的销售将达到约6000万辆,主要受BEV(电池电动车)推动,该市场的年复合增长率(CAGR 2022-2029)预计达22.5%。随着电动汽车数量的增加,功率电子技术市场也在整体增长,主逆变器将是使用量占比居首的应用,其次是DC/DC转换器、车载充电器和升压转换器(数据来源:Power Electronics for e-mobility 2023 report, Yole Intelligence, 2023)。  随着电动汽车数量的增加,功率电子技术市场也在整体增长。(数据来源:Power Electronics for e-mobility 2023 report, Yole Intelligence, 2023)  电动汽车面临诸多挑战,特别是对功率电子技术提出了更高的要求,比如:  更高的效率  小型化(低高度)  减轻重量  更高的功率等  更高的电压  应对功率电子技术所面临的挑战,一个解决方案是功率半导体的演进。碳化硅(SiC)功率半导体在功率电子技术中被大量应用,成为功率电子技术中的关键器件。例如在主逆变器中使用SiC功率半导体就能带来几个好处:  效率与续航的提升:SiC功率半导体与硅IGBT功率半导体相比,显著减少了功率损耗。通过在主逆变器中使用SiC功率半导体,预计电池电动汽车(BEV)的电力消耗可减少高至10%。  降低电池成本:SiC功率半导体与硅IGBT功率半导体相比,显著减少了功率损耗。通过在主逆变器中使用SiC功率半导体,预计电池电动汽车(BEV)的电力消耗可降低10%。  提高单元设计灵活性:SiC功率半导体相比于硅IGBT功率半导体提高了开关频率。通过在主逆变器中使用SiC功率半导体,预计主逆变器的体积可减少50%。因此可以根据车辆布局灵活设计主逆变器。  硅IGBT功率半导体一直作为主流应用于主逆变器,然而,SiC功率半导体的使用预计将持续扩大。预计到2027年,SiC功率半导体将占全部电池电动汽车(BEV)主逆变器的40%。SiC的材料特性优于硅,SiC作为功率半导体器件能够实现高电压、高温和高速操作——这也意味着xEV的功率电子电路设计需要应对随之而来的更大挑战:  高温  电磁兼容性对策  小型封装尺寸  村田技术指南《xEV功率电子解决方案》,为你介绍伴随 xEV 市场增长的电力电子技术最新趋势。内容包括:  市场趋势:xEV市场与功率电子的扩展  技术趋势:  SiC功率半导体、集成技术、高电压Y电容器  抑制高频噪声  村田解决方案:  吸收电容器:抑制高电压浪涌  热敏电阻:凭借高温和高绝缘耐压提高安装灵活性
关键词:
发布时间:2025-10-17 15:16 阅读量:353 继续阅读>>
瑞萨<span style='color:red'>电子</span>与奥海科技联合创新实验室正式揭牌,共拓高功率服务器电源技术新赛道
  近日,瑞萨电子与东莞市奥海科技股份有限公司(以下简称“奥海科技”)联合创新实验室揭牌仪式在奥海科技总部隆重举行。联合创新实验室的成立标志着瑞萨电子与奥海科技围绕高功率电源技术的合作,正式迈向资源深度整合、技术协同攻关的实践新阶段,为双方后续实现技术突破、提升产品竞争力奠定坚实基础。  合作动态瑞萨电子中国总裁 赖长青(左二)奥海科技研发副总 郭修根(右二)瑞萨电子中国区资深技术总监 郑军(左一)奥海科技董事会秘书 蔺政(右一)  瑞萨电子与奥海科技双方核心团队出席联合创新实验室揭牌仪式。瑞萨电子中国总裁赖长青、中国区资深技术总监郑军,奥海科技研发副总郭修根、董事会秘书蔺政以及双方团队成员共同出席。此外,成之杰科技(Sotel)项目管理副总裁张永春受邀出席,共同见证这一重要时刻。双方代表深入交流合作规划,为联合创新实验室的未来发展凝聚共识。  合作动态  作为瑞萨电子深化与奥海科技合作的重要载体,联合实验室以“诚实互信、友好合作、互惠互利”为宗旨,瑞萨将依托自身在氮化镓(GaN)、微控制单元(MCU)、光耦等关键元器件领域的技术积累,与奥海科技在电源产品开发与产业化落地的丰富经验相结合,聚焦高功率服务器电源(PSU)、800V HVDC、直流变换(DCX)解决方案的核心研发任务,共同攻克技术难点,加快12KW服务器电源等前沿产品的开发速度,推动产品性能与性价比双重提升,进一步巩固瑞萨在半导体行业的技术领先地位。  合作动态  未来,瑞萨将持续深化与奥海科技的合作,在技术研发、产品迭代、市场推广等方面携手共进,充分整合双方资源优势,为全球客户提供更具竞争力的电源解决方案,共同推动高功率电源行业的创新发展。
关键词:
发布时间:2025-10-17 13:43 阅读量:323 继续阅读>>

跳转至

/ 80

  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
型号 品牌 抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
TPS63050YFFR Texas Instruments
BP3621 ROHM Semiconductor
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码