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车载便携式<span style='color:red'>电源</span>需求激增，瑞萨解决方案赋能创新之路

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车载便携式电源需求激增，瑞萨解决方案赋能创新之路

　　在当今科技飞速发展且生活节奏日益加快的时代，便携式电源设备应用越来越广泛。其中，太阳能充电功能与精确电池管理的电量计虽极具价值，但也面临诸多挑战，如充电效率起伏不定，难以保障设备持续稳定供电;以及太阳能充电模块的集成设计需兼顾便携性与转换效率，在有限空间内实现高效转化等。　　面对这些趋势与挑战，瑞萨的便携式电源系统解决方案应运而生，其专为多功能、高功率充电而精心设计，具备多种输入和输出选项，完美契合当下多样化的用电需求。　　瑞萨便携式电源系统解决方案　　瑞萨的便携式电源系统方案集成了一个数字控制升降压电池充电器，搭配用于充电和放电的USB Type-C®端口控制器(TCPC)，符合USB供电(PD)3.1扩展功率范围(EPR)标准，可从车载电源向USB Type-C®端口提供高达240W的功率。该方案配备3.6KW双向功率因数校正(PFC)和双有源桥(DAB)数字电源，不仅实现了高效稳定的充电，还能灵活应对不同设备的连接需求。　　值得一提的是，该方案还具备太阳能充电功能，能够充分利用可再生能源，为电源系统提供更多的能量来源途径，进一步提升其在各种环境下的适用性。此外，用于精确电池管理的电量计IC在单个封装中集成了MCU和模拟前端(AFE)，能够实时监控电池状态，有效延长电池续航能力。　　该系统由中央控制板、供电端和负载端三个模块组成。　　控制部分，中央控制板采用瑞萨入门级MCU RA2E1，该MCU基于48MHz Arm Cortex®-M23内核打造,具有高达128KB代码闪存和16KB SRAM存储器，支持构建各种通用设计。RA2E1具有1.6V至5.5V宽工作电压范围，拥有各种内存和封装可供选择。　　为系统提供电池电量测量和管理的电量计模块采用瑞萨旗下3至10串锂离子电池电量计IC RAJ240100GFP，它将一个MCU器件和AFE器件集成在单个封装中，具备多种电池管理功能。此外，瑞萨还提供用于电池管理的RAJ240090/100评估套件和快速入门指南，该套件具有用户可配置的设置，用于确定器件的不同阈值，实现从评估到客户认证的无缝过渡，而无需进行固件开发。　　方案中的双向PFC+DC/DC是一个数字电源系统，采用瑞萨高性能MCU RA6T2，专为支持650V GaN FET而设计，通过DAB和图腾柱拓扑结构，提供3.6kW双向转换，可实现>98.5%的效率。　　在太阳能应用的部分，本方案搭载的智能太阳能电池充电器模块通过MPPT和降压升压优化太阳能电池阵列的功能，实现高效充电、可调电压、可编程速率和强大的电池保护，从而获得最佳性能。供电端的240W USB PD AC/DC适配器模块则是一个符合USB PD 3.2 EPR标准的电源，具有紧凑的设计。其内置的零电压开关(ZVS)最大限度地减少了开关损耗，确保高转换效率(>94%)。　　100W USB Type-C DC输入模块支持宽输入电压范围(4-20V，高达8A)。它提供符合USB PD标准的 VBUS电源，具有可编程电压选项(3.3至21V)，并支持双 USB Type-C® 输出。此外，该模块具有多端口电源管理器功能，可为现代USB供电应用提供可扩展的系统。　　负载端的12V同步降压稳压器RAA211650是一个集成式60V 5A同步降压稳压器，开关频率200kHz-2.5MHz可调。其集成的低导通电阻MOSFET、栅极驱动器和控制器，使之成为一个高效的降压解决方案。　　瑞萨的便携式电源系统方案专为快速原型设计而构建，适合移动电源、离网能源解决方案和现场应用的便携式电源。

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瑞萨

发布时间：2025-06-05 09:16 阅读量：205 继续阅读>>

<span style='color:red'>电源</span>模块的概述及结构特点分析

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电源模块的概述及结构特点分析

　　在现代电子设备和电气系统中，电源模块扮演着至关重要的角色。它不仅为各种电路提供稳定、可靠的电能，还能实现多种功能，比如电压转换、滤波、保护等。　　电源模块的概述　　电源模块，简称为“电源”或“电源单元”，主要任务是将输入的电能(交流或直流)转换为设备所需的直流电压形式，供应给各种电子电路。根据应用场景的不同，电源模块的设计也存在多样性，包括线性电源、开关电源、适配器和高压电源等。　　主要功能　　电压转换：将输入电压转换为所需的输出电压(如5V、12V、±15V等)。　　稳压：保持输出电压的稳定性，避免因负载变化而引起的波动。　　滤波：降低噪声和干扰，确保输出信号干净、稳定。　　保护功能：过载保护、短路保护、过压保护和过温保护，保障设备安全。　　隔离：实现输入和输出的电气隔离，增强安全性和稳定性。　　分类　　线性电源：结构简单，噪声低，响应快，但效率较低，体积较大。　　开关电源：效率高、体积小、能量转换效率高，但设计复杂，可能引入电磁干扰(EMI)。　　模块化电源：即插即用，易于维护和扩展。　　电源模块的结构特点分析　　电源模块的结构设计是保证其性能的关键，合理的结构布局能有效提升效率和可靠性。一般来说，电源模块由输入端、变换部分、滤波部分、控制部分以及输出端等几大部分组成，下面详述其结构特点。　　1. 变换部分　　核心变换部分主要是电感、电容、晶体管(包括MOSFET、晶闸管等)等元件组成的开关电路。它实现直流到直流(DC-DC)或交流到直流(AC-DC)的转换。开关电源中的开关元件通过高速开关控制实现能量的高效转换，具有高效率的特点。　　2. 控制电路　　控制电路负责调节开关元件的导通时间，以实现稳定的输出电压。这部分通常包括PWM控制器、反馈电路和比较器等。通过反馈系统，电源能实时监测输出电压变化，并调整开关频率和占空比，确保输出电压的稳定。　　3. 滤波和保护电路　　滤波电路包含各种电感和电容，用于降低输出电压中的纹波和噪声，提高信号质量。同时，保护电路如过载保护、短路保护、过压保护和热保护，保证电源在异常工作环境下安全稳定运行。这些保护措施既能延长电源的使用寿命，又能保障设备安全。　　4. 隔离设计　　在许多电源模块中，输入和输出采用电气隔离设计，如变压器隔离或光隔离。隔离结构不仅能有效保护用户安全，还能减少电磁干扰，提高电源的抗干扰能力。　　5. 散热设计　　电源模块在工作过程中会产生大量热量，为保证其稳定性和延长使用寿命，散热结构设计尤为重要。常见的措施包括散热片、风扇、散热孔等，确保芯片和关键元件温度控制在合理范围内。　　6. 结构布局与体积　　电源模块的结构布局应合理紧凑，减少信号路径长度，降低干扰和损耗。同时，现代电源追求微型化趋势，采用表面贴装技术(SMT)和多层PCB设计，有效实现体积缩小和性能优化。　　电源模块作为电子设备的“动力系统”，其设计的优劣直接影响设备的性能和稳定性。理解其结构特点，有助于工程师进行合理选型和设计优化。

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电源模块

发布时间：2025-06-04 13:39 阅读量：205 继续阅读>>

士兰微发布汽车级DC-DC一级<span style='color:red'>电源</span>解决方案：SQD3430系列

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士兰微发布汽车级DC-DC一级电源解决方案：SQD3430系列

　　产品概述　　随着汽车工业的飞速成长，汽车零部件不断向高集成化发展，这对汽车电源管理芯片的性能提出了更严峻的挑战。　　士兰微推出了汽车级40V/3A同步降压型DC-DC转换器：SQD3430系列。　　它将四大指标做到了业内领先水准：　　①3.0V最低冷启动电压;　　②6μA超低静态电流;　　③86%@1mA超高轻载效率;　　④<7mV极佳负载调整率。　　SQD3430采用QFN12_2x3紧凑型封装，具有良好的EMC电磁兼容特性，满足汽车AEC-Q100标准，使其成为汽车12V蓄电池一级电源的理想选择。　　典型参数与应用场景　　SQD3430的典型参数　　AEC-Q100 Grade1车规级认证　　宽输入电压范围：3.0V-40V　　抛负载(Load Dump)：42V　　冷启动(Cold Crank)：最低至3.0V　　额定输出电流：3A　　开关频率：400KHz / 2.1MHz　　优越的最小导通时间：30ns　　可在所有负载下实现极高转换效率　　◇ 峰值效率 >94% @12VIN 2.1MHz　　◇ 1mA 轻载效率 >86% @12VIN 2.1MHz　　◇ 100μA 极轻载效率 >75% @12VIN 2.1MHz　　超低静态电流　　◇ 6μA 超低休眠电流(VOUT in Regulation)　　◇ <1μA 超低关断电流　　优秀的Load Regulation　　◇ <7mV from 0A-3A　　优秀的EMI特性，通过CISPR 25标准Class5最高等级　　紧凑型封装：QFN12_2x3，可润湿侧翼工艺(Wettable Flanks)　　SQD3430的应用场景　　座舱仪表　　T-BOX　　车灯　　车身域控　　超低待机功耗极高转换效率　　SQD3430在常温全电压范围内的都具有6μA超低静态工作电流，对于T-BOX、蓝牙钥匙等具有休眠模式的应用场景，可以满足低待机功耗的设计需求。　　SQD3430在全负载范围内具有极高转换效率，尤其是轻载效率表现极佳，在fSW= 2.1MHz、 12VINto 5VOUT 情况下：峰值效率>94% ，1mA轻载效率>86% ，100μA极轻载效率>75%。　　超低静态电流 + 极高转换效率，使SQD3430成为汽车整机低功耗设计的最佳选择!　　冷启动&抛负载　　为了应对寒冷天气下启动蓄电池的电压跌落，电源芯片需保证在冷启动(Cold Crank)不能出现关机行为。如下图模拟了蓄电池启动时电池电压下降至 3.0V 左右，在此情况下SQD3430依旧能保持正常运行。　　详细测试标准参见ISO 16750-2: 2010　　抛负载(Load Dump)是模拟汽车蓄电池在正常充电时，断开蓄电池和发电机的连接而导致交流发电机感性线圈产生电压尖峰的过程。如下图SQD3430，在VIN出现一段被钳位至42V的电压尖峰后依旧能保证正常运行。　　详细测试标准参见ISO 16750-2: 2010　　负载调整率　　在12VIN to 3.3VOUT、空载至满载全负载范围条件下，SQD3430的负载调整率 (Load Regulation) 仅有7mV左右的漂移，其中正负偏移为+5mV(+0.15%)， -2mV(-0.07%)。这一指标也是达到了汽车级同类产品的最佳水准，为客户实现了优越的输出电压准确度保障。

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士兰微

发布时间：2025-06-04 10:24 阅读量：213 继续阅读>>

ROHM开发出适用于AI服务器48V<span style='color:red'>电源</span>热插拔电路的100V功率MOSFET

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ROHM开发出适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET

　　~兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件~　　全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)于6月3日宣布，开发出100V耐压的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服务器的48V电源热插拔电路*2以及需要电池保护的工业设备电源等应用的理想之选。　　RY7P250BM为8×8mm尺寸的MOSFET，预计该尺寸产品未来需求将不断增长，可以轻松替代现有产品。另外，新产品同时实现了更宽SOA范围*3( 条件：VDS=48V、Pw= 1ms/10ms) 和更低导通电阻(RDS(on))*4，由此既可确保热插拔(电源启动)工作时的更高产品可靠性，又能优化电源效率，降低功耗并减少发热量。　　为了兼顾服务器的稳定运行和节能，热插拔电路必须具有较宽的SOA范围，以承受大电流负载。特别是AI服务器的热插拔电路，与传统服务器相比需要更宽的SOA范围。RY7P250BM的SOA在脉宽10ms时可达16A、1ms时也可达50A，实现业界超优性能，能够应对以往MOSFET难以支持的高负载应用。　　RY7P250BM是具有业界超宽SOA范围的MOSFET，并且实现了更低导通电阻，从而大幅降低了通电时的功率损耗和发热量。具有宽SOA范围的普通8×8mm尺寸100V耐压MOSFET的导通电阻绝大多数约为2.28mΩ ，而RY7P250BM 的导通电阻则降低了约18% —— 仅有1.86mΩ ( 条件： VGS=10V 、ID=50A 、 Tj=25℃)。这种低导通电阻有助于提升服务器电源的效率、减轻冷却负荷并降低电力成本。　　与此同时，RY7P250BM还被全球知名云平台企业认证为推荐器件，预计未来将在AI服务器领域得到更广泛的应用。在注重可靠性与节能的服务器领域中，RY7P250BM更宽SOA范围与更低导通电阻的平衡在云应用中得到了高度好评。　　新产品已经暂以月产100万个的规模投入量产(样品价格800日元/个，不含税)。前道工序的生产基地为ROHM Co., Ltd.(日本滋贺工厂)，后道工序的生产基地为OSAT(泰国)。另外，新产品已经开始通过电商进行销售，通过电商平台均可购买。　　未来，ROHM将继续扩大适用于服务器和工业设备48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为建设可持续ICT基础设施和节能贡献力量。　　<开发背景>　　随着AI技术的飞速发展，数据中心的负载急剧增加，服务器功耗也逐年攀升。特别是随着配备生成式AI和高性能GPU的服务器日益普及，如何兼顾进一步提升电力效率和支持大电流这两个相互冲突的需求，一直是个难题。在此背景下，相较传统12V电源系统具有更高转换效率的48V电源系统正在加速扩大应用。另外，在服务器运行状态下实现模块更换的热插拔电路中，需要兼具更宽SOA范围和更低导通电阻的 MOSFET，以防止浪涌电流*5和过载时造成损坏。新产品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同时具备业界超宽SOA范围和超低导通电阻，有助于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，从而提升服务器的可靠性并实现节能。　　<产品主要特性>　　<应用示例>　　・AI(人工智能)服务器和数据中心的48V系统电源热插拔电路　　・工业设备48V系统电源(叉车、电动工具、机器人、风扇电机等)　　・AGV(自动导引车)等电池驱动的工业设备　　・UPS、应急电源系统(电池备份单元)　　<电商销售信息>　　发售时间：2025年5月起　　新产品在其他电商平台也将逐步发售。　　产品型号：RY7P250BM　　<关于EcoMOS™品牌>　　EcoMOS™是ROHM开发的Si功率MOSFET品牌，非常适用于功率元器件领域对节能要求高的应用。 EcoMOS™产品阵容丰富，已被广泛用于家用电器、工业设备和车载等领域。客户可根据应用需求，通过噪声性能和开关性能等各种参数从产品阵容中选择产品。　　・EcoMOS™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<术语解说>　　*1)功率MOSFET　　适用于功率转换和开关应用的一种MOSFET。目前，通过给栅极施加相对于源极的正电压而导通的Nch MOSFET是主流产品，相比Pch MOSFET，具有导通电阻小、效率高的特点。因其可实现低损耗和高速开关而被广泛用于电源电路、电机驱动电路和逆变器等应用。　　*2)热插拔电路　　可在设备电源运转状态下实现元器件插入或拆卸的、支持热插拔功能的整个电路。由MOSFET、保护元件和接插件等组成，负责抑制元器件插入时产生的浪涌电流并提供过流保护，从而确保系统和所连接元器件的安全工作。　　*3)SOA(Safe Operating Area)范围　　元器件不损坏且可安全工作的电压和电流范围。超出该安全工作区工作可能会导致热失控或损坏，特别是在会发生浪涌电流和过电流的应用中，需要考虑SOA范围。　　*4)导通电阻(RDS(on))　　MOSFET工作(导通)时漏极与源极间的电阻值。该值越小，工作时的损耗(功率损耗)越少。　　*5)浪涌电流(Inrush Current)　　在电子设备接通电源时，瞬间流过的超过额定电流值的大电流。因其会给电源电路中的元器件造成负荷，所以通过控制浪涌电流，可防止设备损坏并提高系统稳定性。

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ROHM

发布时间：2025-06-04 09:42 阅读量：228 继续阅读>>

海凌科：12W系列DCDC<span style='color:red'>电源</span>模块HLK-UR(A)B_YMD-12WR3

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海凌科：12W系列DCDC电源模块HLK-UR(A)B_YMD-12WR3

　　海凌科HLK-UR(A)B_YMD-12WR3系列产品输出功率为 12W，4:1宽电压输入范围，效率高达91%，1500VDC的常规隔离电压，允许工作温度-40°Cto+85℃，具有输入欠压保护，输出过压、过流、短路保护功能，裸机满足CISPR32/EN55032CLASSA，体积小巧，性价比高，应用简单。　　1. 12W系列DCDC电源模块亮点　　HLK-UR(A)B_YMD-12WR3系列电源模块，体积小巧，大小仅为25.4mmx25.4mm，共有28款系列产品。HLK-URA_YMD-12WR3系列电源模块为隔离稳压双路输出，HLK-URB_YMD-12WR3系列电源模块为隔离稳压单路输出，输出功率均为12W，用户可根据需求自行选购。　　2. 12W系列DCDC电源模块亮点　　超宽范围输入(4:1)，输出12W　　转换效率 91%(Typ)　　隔离电压 1500Vdc　　超低待机功耗:0.036W(典型值)　　超快速启动:1mS(典型值)　　工作温度范围:-40°C~+85°C　　输入欠压，输出短路，过流，过压　　金属外壳，输出纹波低　　国际标准引脚，PCB板直插安装　　3. 12W系列DCDC电源模块应用场景　　UR(A)B YMD-12WR3系列电源模块，体积小巧，性价比高，具备高转换效率、超宽范围输入(4:1)、启动速度快、安全性高等特点，广泛应用于医疗、工控、电力、仪器仪表、通信、铁路等领域。

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海凌科

发布时间：2025-06-03 13:26 阅读量：332 继续阅读>>

华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器<span style='color:red'>电源</span>高效可靠运行

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华润微第6代高性能SGT MOS产品，保障AI服务器电源高效可靠运行

　　随着训练与推理端的算力需求越来越大，AI芯片的功率持续攀升，具有更高功率密度、更高效率的大功率服务器电源会持续迭代，以满足日益增长的市场需求。根据2025年欧陆通的研究报告，2027年全球AI服务器电源和全球服务器电源市场规模分别有望达783.13亿元和911.83亿元。华润微电子功率器件事业群(以下简称PDBG)凭借在MOSFET领域的深厚技术积累，推出新一代25V SGT MOSFET产品CRSK010NE2L6。该产品的开关损耗更低、UIS性能优异，适用于AI计算服务器DC-DC二次电源及砖块电源等高频电源领域，保障设备高效可靠运行。　　一、产品简介　　PDBG依托12吋功率器件晶圆生产线的技术优势，加速中低压SGT G6平台的产业化进程。此次推出的CRSK010NE2L6是基于公司第6代SGT技术平台的最新成果，综合性能大幅提升。相比上一代产品，CRSK010NE2L6在Ciss、Crss、Rg以及体二极管软度等方面显著优化，可为MHz级高频电源领域提供更高效、更可靠的解决方案。　　△产品封装外形　　二、产品优势　　01产品性能显著提升　　(1)体二极管特性：在DC-DC应用中，SR MOSFET的体二极管会参与续流工作。PDBG针对客户需求，对体二极管进行了优化。实测波形显示，CRSK010NE2L6在反向恢复阶段，体二极管的反向恢复特性更“软”，能有效降低Vds尖峰，提升系统可靠性。同时，其DS振荡幅度更小，电磁干扰(EMI)表现更优。虽然CRSK010NE2L6的体二极管VF参数与竞品A相当，但凭借更高的软度因子，其Vrrm电压尖峰显著降低，对抑制Vds尖峰效果显著。　　(2) 开关特性：CRSK010NE2L6 VS竞品A开关特性对比实测数据如下：　　△实测关断对比波形：CRSK010NE2L6 vs 竞品A(绿)　　从CRSK010NE2L6与竞品A的开关特性实测波形以及开关时间对比来看，CRSK010NE2L6通过优化开关特性参数，显著提升开关速度。这一改进有效减少了MOSFET开关过程中的电流与电压的交叠时长，从而降低了MOSFET的开关损耗，在高频应用场景中，这一优势尤为突出，大幅降低了电源系统的整体损耗。　　(3)UIS能力：CRSK010NE2L6与竞品A从UIS的实测数据如下：　　△实测UIS波形(CRSK010NE2L6 264A未失效波形)　　△实测UIS波形(竞品A 263A未失效波形)　　CRSK010NE2L6的Rsp略优于竞品，PDBG通过创新产品设计和结构优化调整，优化UIS性能，提升了器件的鲁棒性，加强系统的冗余可靠性。这一技术突破不仅提升了产品性能，更实现了成本优化，为客户提供兼具高性能与高性价比的解决方案，助力客户综合竞争力提升。　　02技术亮点　　先进12吋fab低压小线宽工艺　　产品采用ONO resurf 结构　　Rsp值已达到行业优异水平　　薄片工艺，减薄厚度50um　　三、应用领域　　CRSK010NE2L6广泛适配高频电源应用领域，如AI计算服务器DC-DC二次电源模块(buck)、砖块电源等。

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华润微

发布时间：2025-06-03 13:07 阅读量：453 继续阅读>>

10W 超小型系列模块<span style='color:red'>电源</span>模块转换效率81%

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10W 超小型系列模块电源模块转换效率81%

　　10W 超小型系列模块电源是海凌科电子为客户设计的小体积，高效率模块电源，具有全球输入电压范围、低温升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔离等优点。　　2、10W ACDC 电源模块　　HLK-10MxxB系列电源，体积小巧，性价比高，大小仅47.5*28.5*22mm。　　该系列电源模块共6款产品，额定功率10W，输出电压电流每款产品各有不同，用户可根据需求来挑选适合使用场景的模块。　　3、模块特点　　HLK-10MxxB系列电源，高密度、高转换效率，转换效率81%以上，良好的输出短路和过流保护并可自恢复，安全性高，即插即用，使用简单。　　1. 超薄型、超小型、业内最小体积　　2. 全球通用输入电压(85~265Vac)　　3. 低功耗、绿色环保、空载损耗<0.1W　　4. 低纹波、低噪声　　5. 良好的输出短路和过流保护并可自恢复　　6. 高效率、功率密度大　　7. 输入输出隔离耐压 3000Vac　　8. 100% 满载老化和测试　　9. 高可靠性、长寿命设计，连续工作时间大于 100000 小时　　10. 满足 UL、CE 要求;产品设计满足 EMC 及安规测试要求　　11. 采用高品质环保防水导热胶灌封，防潮、防振，满足防水防尘 IP65 标准12. 经济的解决方案、性价比高　　13. 无需外接电路即可工作　　14. 1 年质量保质期　　4、模块特点　　海凌科电子推出的10W超小型模块电源，凭借超薄设计、高效性能、安全稳定等优势，成为智能家居、工业控制、通信设备等领域的理想电源解决方案。

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海凌科电子

发布时间：2025-05-29 13:42 阅读量：666 继续阅读>>

如何降低<span style='color:red'>电源</span>的开关损耗？

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如何降低电源的开关损耗？

　　开关电源使用过程中有开关损耗，若其开关损耗过大，容易影响整体效率。为了提升电源性能，工程师需要在电源设计合理降低MOSFET和二极管的开关损耗，如何做到？　　01选择低导通电阻RDS(ON)的MOSFET　　具体选择：优先选用具有低RDS(ON)值的MOSFET，同时考虑芯片尺寸与漏源极击穿电压(VBR(DSS))的平衡，以达到最优的导通损耗。　　温度管理：保持MOSFET的结温在较低水平，以减少RDS(ON)的温漂影响。　　栅极电压优化：使用足够大的栅极电压以降低RDS(ON)，但需权衡栅极驱动损耗的增加。　　02优化MOSFET的开关速度　　降低米勒电容：选择具有低米勒电容(CRSS或CGD)的MOSFET，以减少开关过程中的充电时间和损耗。　　开关频率调整：根据MOSFET的电容特性，谨慎选择电路的开关频率，以平衡开关损耗和传导损耗。　　03选择合适的二极管　　低VF二极管：对于小尺寸、低额定电压的应用，选择导通压降VF较低的二极管。　　快恢复二极管：根据需求选择快恢复二极管或超高速快恢复二极管，以降低反向恢复时间和损耗。　　肖特基二极管应用：在低压低功耗应用中，考虑使用肖特基二极管，其反向恢复时间几乎为零，VF也较低。　　04采用同步整流技术　　MOSFET替代二极管：在同步整流架构中，用MOSFET替代二极管，与主MOSFET同步工作，以降低传导损耗。　　同步整流MOSFET选择：选择具有低RDS(ON)的同步整流MOSFET，并确保其驱动功耗在可接受范围内。

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开关损耗

发布时间：2025-05-22 16:10 阅读量：277 继续阅读>>

海凌科：DCDC非隔离<span style='color:red'>电源</span>模块转换效率高达95%

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海凌科：DCDC非隔离电源模块转换效率高达95%

　　海凌科K78xx-500R3系列是高效率的开关稳压器，是LM78xx系列三端线性稳压器的理想替代品。模块具有效率高，空载功耗低，短路保护功能等特性，同时在使用中无需外加散热片，可支持负输出。　　一、产品介绍　　K78xx-500R3系列电源模块体积小巧，转换效率高达95%，该系列共有5款产品，每款产品的输出电压、输入电压和转换效率有所区别，用户可根据需求来选择适配的型号。　　二、产品参数　　— 特点:宽电压输入,非隔离稳压单路输出　　— 效率:高达 95%　　— 工作环境温度:-40°C~+85°C　　— 空载输入电流低至 0.2mA　　— 输出短路保护　　— 引脚与 LM78xx系列兼容　　— 小型 SIP 封装，塑料外壳　　三、应用场景　　K78xx-500R3系列电源模块,具备非隔离稳压单路输出、转换效率高达95%、宽输入电压范围、紧凑封装以及与LM78xx引脚兼容的特性，产品可广泛应用于工业自动化控制、电力系统与智能电表、仪器仪表与测试设备、通信基础设施、汽车电子与交通运输、消费电子与智能家居、医疗设备等多个行业中。

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海凌科

发布时间：2025-05-19 13:15 阅读量：302 继续阅读>>

EMC对策产品：TDK推出用于<span style='color:red'>电源</span>线路的业界最高额定电流8A的积层贴片磁珠

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EMC对策产品：TDK推出用于电源线路的业界最高额定电流8A的积层贴片磁珠

　　　TDK株式会社(TSE：6762)宣布扩展其MPZ1608-PH系列大电流积层贴片磁珠，适用于汽车及商用电源线路(长x宽x高-1.6x0.8x0.6mm)。该系列产品已于2025年5月量产。　产品的实际外观与图片不同，TDK标志没有印在实际产品上。　　此款1608尺寸的电源线路用贴片磁珠实现了8A额定电流，达到业内最高水平*。贴片磁珠作为电源与信号电路中的噪声抑制元件使用。在8A及以上电流的电路中，通常需要并联两个或多个贴片磁珠。此方式存在电流在铁氧体磁珠间分布不均的缺点。TDK的新产品通过减少传统方案所需元件数量，既简化了电路结构，又提升了电源电路质量。　　与使用两个传统1608尺寸贴片磁珠的电路相比，MPZ1608-PH系列可将元件占用面积减少一半。该系列元件具有高达+125 °C的额定工作温度，专为汽车及工业设备等高温环境设计，具备高可靠性。　　凭借与市场需求适配的独有材料与结构设计，TDK正致力于扩展汽车、工业设备及消费设备领域的高额定电流产品系列。这些贴片磁珠将作为EMC元件，助力提升电源电路品质。　　*截至2025年5月, 根据 TDK　　术语　　EMC：电磁兼容性　　主要应用　　各类设备的电源电路：　　车载ECU、动力总成、车身控制、汽车多媒体(车载智能通信)、　　基站、个人电脑、服务器、机顶盒、智能电网、机器人、智能手机、平板设备等。　　主要特点与优势　　支持最高8A电流　　减少元件数量与占用面积　　具备高可靠性，适用于汽车应用等高温环境

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TDK

发布时间：2025-05-15 14:38 阅读量：325 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments

型号	品牌	抢购
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
STM32F429IGT6	STMicroelectronics

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