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估值超百亿！碳化<span style='color:red'>硅</span>龙头冲刺港交所，华为比亚迪参投

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估值超百亿！碳化硅龙头冲刺港交所，华为比亚迪参投

　　7月22日，广东天域半导体股份有限公司(下称“天域半导体”)向港交所主板递交上市申请书，中信证券为独家保荐人。这是天域半导体继2024年12月23日首次递表失效后，再次向港股市场发起冲击。此前，中国证监会国际司已于6月13日发布关于天域半导体境外发行上市及境内未上市股份“全流通” 备案通知书(国合函 [2025] 1000 号)，为其港股上市进程扫除关键障碍。　　天域半导体成立于2009年，总部位于广东东莞松山湖，是中国最早专注于碳化硅外延片技术开发的专业供应商之一。公司主要产品为 4H-SiC 外延片，并提供相关增值服务。经过多年发展，天域半导体已成为中国碳化硅外延片行业的领军企业。据弗若斯特沙利文资料，2023年，天域半导体在中国碳化硅外延片市场的市场份额达 38.8%(以收入计)及 38.6%(以销量计)，稳居国内首位;在全球市场，其以收入及销量计的外延片市场份额均约为 15%，位列全球前三。　　作为国内首家获得汽车质量认证(IATF 16949)的碳化硅材料企业，天域半导体技术实力雄厚。公司不仅在国内率先实现 4 英寸、6 英寸外延片量产，更于2024年完成 8 英寸产品量产突破，构建起了 600 - 30000V 全电压等级外延片技术体系，并成功进入英飞凌、安森美等国际大厂的供应链体系。目前，公司在东莞松山湖国家高新区的生产车间具备每年 42 万片的 6 英寸及 8 英寸碳化硅外延片产能，正在建设的东莞生态园新生产基地预计 2025 年投产，投产后将新增 38 万片年产能，总产能逼近 80 万片。　　然而，天域半导体的发展并非一帆风顺。半导体行业的周期性波动以及市场竞争加剧，给公司业绩带来了一定压力。财务数据显示，2022-2024年，天域半导体营收分别为 4.37 亿、11.71 亿、5.20 亿，呈现出较大波动，净利润更是从2023年的 9590 万元盈利骤降 2024年的 5 亿元亏损。2024 年，受碳化硅外延片价格同比下跌 30% 影响，公司计提了 3.15 亿元存货减值，其中 4 英寸产品因技术迭代遭全额计提，存货周转天数从 97 天激增至 218 天，占总资产比例达 35%。此外，最大客户 J(某美企子公司)因贸易政策调整削减订单，也直接导致公司2024年收入锐减 55.6%。　　面对业绩挑战与行业竞争，天域半导体此次赴港上市意图明显。招股书显示，公司计划将 IPO 募集所得资金净额用于扩张整体产能、提升自主研发及创新能力、战略投资及 / 或收购、扩展全球销售与市场营销网络等。通过上市融资，天域半导体有望缓解当前面临的资金压力，进一步巩固其在碳化硅外延片领域的技术领先地位，加速产能扩张与市场拓展，提升公司在全球半导体市场的竞争力与抗风险能力。　　在全球新能源汽车、光伏发电等行业快速发展的背景下，碳化硅作为第三代半导体材料，市场需求持续增长。但与此同时，全球碳化硅产能也正以 48% 的年均增速扩张，行业竞争日益激烈。天域半导体此次再度冲刺港股 IPO，既是其自身发展的关键节点，也将为国内碳化硅半导体产业的发展注入新的活力，其后续上市进展及在资本市场的表现备受关注。

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碳化硅

发布时间：2025-07-25 14:55 阅读量：852 继续阅读>>

Microchip与台达电子签署碳化<span style='color:red'>硅</span>解决方案合作协议，共创电源管理未来

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Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议，共创电源管理未来

　　随着人工智能(AI)快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)(纳斯达克代码：MCHP)今日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司(Delta Electronics, Inc.)(以下简称“台达电子”)签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC™产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅(SiC)解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。　　Microchip负责高功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“凭借宽禁带特性，碳化硅在可持续电源解决方案中的重要性日益凸显。它能为高压、高功率应用提供更小巧、更高效的设计，同时降低系统成本。我们期待与台达电子共创卓有成效的发展路径，在碳化硅解决方案领域持续创新，以满足万物电气化带来的不断增长的市场需求。”　　作为电源管理领域的全球领导者，台达电子持续强化在高效电力电子技术领域的核心竞争力，并不断评估与利用下一代技术以提升产品与解决方案的能源效率。台达电子计划借助Microchip在碳化硅与数字控制领域的丰富经验与先进技术，加速其解决方案在人工智能、移动出行、自动化及基础设施等高增长细分市场的上市速度。　　本合作协议将优先调配双方资源，验证并加速Microchip mSiC解决方案在台达电子设计与项目中的落地。协议的其他关键优势还包括一流的设计支持，涵盖技术培训、对研发工作的洞察及产品样品优先获取。　　Microchip在碳化硅器件与电源解决方案的开发、设计、制造与支持领域拥有逾20年经验，致力于帮助客户轻松、快速且自信地采用碳化硅技术。Microchip的mSiC产品包括碳化硅MOSFET、二极管及栅极驱动器，可选择标准、可调型及定制方案。

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Microchip

发布时间：2025-07-24 15:37 阅读量：239 继续阅读>>

总投资30亿元，这一碳化<span style='color:red'>硅</span>相关项目将落户内蒙古

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总投资30亿元，这一碳化硅相关项目将落户内蒙古

　　“准格尔旗融媒体中心”消息，7月22日，准格尔旗人民政府与新疆陆铁港投资集团、秦皇岛远东金控公司召开合作洽谈会，就高纯石英砂及碳化硅项目签约落地准格尔旗事宜进行洽谈，并签署项目投资合作协议。　　会上，准格尔旗人民政府、准格尔经济开发区、内蒙古东海科技有限公司签署了项目投资合作协议。据悉，项目总投资30亿元，拟分期建设1500万吨高纯石英砂及碳化硅项目。　　资料显示，近年内蒙古依托丰富的硅石、煤炭资源等优势，在碳化硅产业领域逐步形成特色布局。　　碳化硅生产需高纯度石英砂、碳素材料(如焦炭、煤)及低成本电力。内蒙古丰富的资源为碳化硅产业发展提供核心支撑。目前内蒙古碳化硅产业布局主要集中在乌海市、包头市、阿拉善盟与鄂尔多斯市等地。　　此外，内蒙古已将碳化硅等硅基材料纳入“十四五”新材料产业发展规划，政策将推动乌海、包头建设碳化硅产业基地，并设立新材料产业基金，支持企业研发半导体级碳化硅、高纯度碳化硅微粉等高端产品。

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碳化硅

发布时间：2025-07-24 13:51 阅读量：271 继续阅读>>

士兰微8英寸碳化<span style='color:red'>硅</span>项目披露新进展

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士兰微8英寸碳化硅项目披露新进展

　　6月26日，中建三局一公司承建的厦门士兰微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目(一期)首台设备提前搬入。该项目是2025年福建省及厦门市重点建设项目，也是厦门最大的碳化硅项目。　　项目位于福建省厦门市，总建筑面积 23.45万平方米，建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，助推厦门市第三代半导体产业加快发展。　　2024年5月，士兰微宣布拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.50亿元，并于2024年5月21日签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　当时消息显示，该项目拟建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，产能规模6万片/月。　　其中，第一期项目总投资70亿元，其中资本金42.1亿元，占约60%;银行贷款27.9亿元，占约40%。　　第二期投资50亿元，在第一期的基础上实施(第二期项目资本结构暂定其中30亿元为资本金投资，其余为银行贷款)。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。　　士兰微电子董事会秘书、副总裁陈越表示，他们总投资70亿元的一期项目，将尽最大努力争取在今年年底实现初步通线，明年一季度投产，到2028年底最终形成，年产42万片8英寸SiC功率器件芯片的生产能力。

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士兰微

发布时间：2025-07-04 16:27 阅读量：332 继续阅读>>

<span style='color:red'>硅</span>IGBT与碳化<span style='color:red'>硅</span>MOSFET的优缺点

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硅IGBT与碳化硅MOSFET的优缺点

　　随着电力电子技术的不断发展，硅IGBT和碳化硅MOSFET作为主要功率开关器件，在电力变换、驱动等领域都扮演着重要角色。两者在性能、功耗、效率等方面有着不同特点，本文将探讨硅IGBT和碳化硅MOSFET的特性，并对它们的优缺点进行详细对比分析。　　1. 硅IGBT的优缺点　　优点：　　低导通压降：硅IGBT具有较低的导通压降，能够减少功耗和散热需求。　　稳定性强：在高温、高电压条件下仍能保持稳定工作。　　成熟技术：已经经过长期发展和改进，技术相对成熟，生产工艺稳定。　　缺点：　　开关速度慢：IGBT的开关速度较慢，导致在高频应用中性能受限。　　功耗较高：由于导通压降存在，会产生一定的功耗损耗。　　温升较高：在高负载情况下容易产生较高的温度升高，需要额外散热处理。　　2. 碳化硅MOSFET的优缺点　　优点：　　高开关速度：碳化硅MOSFET具有极快的开关速度，适合高频应用。　　低导通损耗：由于导通特性优秀，功耗损耗较低。　　低温升：在高负载情况下温升较低，对散热要求不高。　　缺点：　　价格较高：碳化硅器件相对硅IGBT价格较高，成本较大。　　新技术：相对硅IGBT，碳化硅器件的生产工艺和技术较新，仍在不断完善中。　　抗干扰能力差：对于电磁干扰的抵抗能力相对较弱。　　3. 对比分析　　性能比较：　　开关速度：碳化硅MOSFET具有更快的开关速度，适合高频应用;而硅IGBT则速度较慢。　　功耗：在功耗方面，碳化硅MOSFET表现较优，而硅IGBT存在一定的功耗损失。　　稳定性：硅IGBT在高温高压条件下的稳定性较好，而碳化硅MOSFET则更适合高频、高效率应用。　　成本和可靠性：　　成本：硅IGBT的成本相对较低，技术相对成熟，生产规模大;而碳化硅MOSFET的价格较高，因为生产工艺和材料技术要求较高。　　可靠性：硅IGBT在长期应用中表现出稳定的可靠性，且故障率较低;碳化硅MOSFET作为新技术，其长期稳定性尚待进一步验证。　　应用领域：　　硅IGBT：电力电子、工业变频器、风力发电等领域，对稳定性和成本要求较高。　　碳化硅MOSFET：高频变换器、电动汽车驱动系统、太阳能逆变器等需要高效率、高频率开关的领域。

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IGBT

发布时间：2025-06-06 11:31 阅读量：481 继续阅读>>

<span style='color:red'>硅</span>二极管和锗二极管的区别是什么

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硅二极管和锗二极管的区别是什么

　　二极管是一种重要的半导体器件，广泛应用于电力、通信、计算机等各个领域。硅二极管和锗二极管作为最早被发明和广泛应用的两种二极管类型，它们在材料特性、工作性能、温度稳定性等方面存在显著差异。本文将探讨硅二极管和锗二极管之间的区别。　　1. 硅二极管与锗二极管的材料特性　　1.1 硅二极管：　　硅(Silicon) 是一种常见的半导体材料，具有较高的热稳定性和机械强度，适用于高温环境。硅二极管的导电性较好，具有较高的击穿电压和较短的载流子寿命。　　1.2 锗二极管：　　锗(Germanium) 是另一种常见的半导体材料，比硅具有较低的禁带宽度，因此其导电性也较好。然而，锗材料相对脆弱，导致其应用范围受到一定限制。　　2. 工作特性比较　　2.1 导电性：　　硅二极管：由于硅的禁带宽度较大，硅二极管的导电性较差，需要较高的电压才能使其导通。　　锗二极管：锗的禁带宽度较小，因此锗二极管具有较好的导电性，只需较低电压即可导通。　　2.2 温度稳定性：　　硅二极管：硅材料具有较好的热稳定性，在高温环境下仍能保持较好的性能。　　锗二极管：锗材料对温度变化较为敏感，温度升高会影响其性能表现。　　3. 应用场景对比　　3.1 硅二极管：　　由于硅二极管具有较高的击穿电压和热稳定性，常用于功率放大器、整流器等高功率应用场合。　　3.2 锗二极管：　　锗二极管由于其导电性能优良，常用于射频放大器、检波器等低功率高频电路中。

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硅二极管

发布时间：2025-06-06 11:29 阅读量：360 继续阅读>>

捷捷微电可控<span style='color:red'>硅</span>BTA16-600CW助力徕芬高速电吹风SE 02

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捷捷微电可控硅BTA16-600CW助力徕芬高速电吹风SE 02

　　捷捷微电其核心产品 BTA16-600CW双向可控硅成功应用于徕芬新一代高速电吹风SE 02，成为该产品功率控制模块的关键组件。　　该可控硅额定参数为16A/600V，采用TO-220封装，具备高耐压、强散热及抗浪涌能力(I²t≥120A²s)，适配高功率家电场景。在徕芬实验室测试中，器件连续满负荷运行超1000小时无异常，可靠性通过严苛验证。　　徕芬SE 02吹风筒以“10万转高速电机”为核心卖点，对电路稳定性要求极高。此次与徕芬的合作体现了国产功率器件在智能家电领域的成熟应用，未来，我们将持续拓展消费电子与工业控制市场，以创新驱动行业升级，为全球用户带来更安全、更高效的智慧能源解决方案!

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捷捷微电

发布时间：2025-05-14 09:34 阅读量：475 继续阅读>>

森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管KS10065(650V/10A)

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森国科推出第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A)

　　深圳市森国科科技股份有限公司发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS10065(650V/10A), 该系列产品提供多达八种封装，充分满足客户在OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个应用场景的需求。　　森国科KS10065系列产品拥有超低的VF值，可降低正向导通损耗;少子器件零反向恢复，在反向恢复过程中极大的减少了反向恢复损耗，同时又减少了EMI干扰，可大大提升整机效率，整体损耗的减少也带来更小的温升;卓越的IFSM值，在抗雷击/浪涌等产品可靠性上有极其出色的表现;灵活多样的封装形式，助力客户在不同场景中的高效应用。　　KS10065(650V/10A) 碳化硅二极管, 主要应用于5种PFC电路和IGBT续流二极管，以下是典型应用电路：　　无桥PFC: D1,D2，使用SiC二极管和SiC MOS替代了传统的整流二极管，可明显提高效率。　　单向PFC: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　交错并联PFC: D5, D6，可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC ：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。　　名词释义　　TMPS：是Thinned Merged PIN Schotty Diode 的缩写，中文翻译为：减薄的混合型PN结势垒肖特基二极管，森国科将该系列产品注册商标为：Thinned MPS®　　PFC：英文全称为“PowerFactorCorrecTIon”，意思是“功率因数校正”，功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系，也就是有效功率除以总耗电量(视在功率)的比值。基本上功率因数可以衡量电力被有效利用的程度，当功率因数值越大，代表其电力利用率越高。　　维也纳整流桥：Vienna 整流桥是脉冲宽度调变的整流器，可以接收三相交流电源，也是功率因数修正电路，是Johann W. Kolar在1990年发明。

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森国科

发布时间：2025-05-12 14:27 阅读量：403 继续阅读>>

半导体芯片中，什么是多晶<span style='color:red'>硅</span>耗尽效应？

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半导体芯片中，什么是多晶硅耗尽效应？

　　1. 引言：多晶硅栅极的重要性及耗尽效应的问题　　在现代集成电路制造领域，多晶硅栅极是场效应晶体管(FET)的核心组件，其性能直接决定着晶体管的开关特性与集成电路的整体功能。凭借良好的电学性能、与现有硅基工艺的高兼容性，多晶硅栅极长期以来成为集成电路制造的首选材料，在推动晶体管尺寸不断缩小、性能持续提升方面发挥了关键作用。　　然而，随着集成电路制造工艺向纳米级不断迈进，多晶硅栅极耗尽效应逐渐成为制约器件性能提升的关键瓶颈。该效应不仅影响晶体管的开关速度与驱动能力，还会导致电路功耗增加、可靠性下降，严重阻碍了集成电路产业的进一步发展。　　2. 耗尽效应的物理机制　　多晶硅栅极耗尽效应的产生源于栅极与硅衬底间的电荷分布变化。当栅极施加电压时，会在电介质与沟道界面吸引少数载流子，形成反型载流子分布。为维持电中性，电介质与多晶硅界面附近会出现载流子积累，进而耗尽附近半导体的电荷。当半导体电荷完全耗尽时，该区域呈现绝缘特性，等效增大了栅介质的有效厚度。尽管耗尽层厚度极薄，仅相当于几个埃的二氧化硅厚度(NMOS 约 2 - 4 埃，PMOS 约 3 - 6 埃)，但在栅介质厚度不断缩减的纳米级工艺中，其对器件性能的影响变得不容忽视。此外，栅介质厚度变薄时，相同栅极电压下内建电场增强，促使更多载流子积累，进一步加剧耗尽效应。　　3. 耗尽效应对器件性能的影响　　耗尽效应会显著降低器件的电学性能。由于耗尽层的存在，栅极对沟道的控制能力减弱，导致晶体管的阈值电压漂移、亚阈值摆幅增大，影响器件的开关速度与信号传输能力。同时，耗尽效应还会增加栅极电容，导致充放电时间延长，进一步降低电路的工作频率。此外，耗尽效应引起的电荷分布不均会使器件的漏电流增大，不仅增加了电路的静态功耗，还会产生额外的热量，影响集成电路的稳定性与可靠性。　　4. 传统解决方法的局限(如掺杂浓度)　　提高多晶硅栅极的掺杂浓度曾是缓解耗尽效应的常用方法。通过增加自由载流子浓度，可减少耗尽现象的发生。然而，随着工艺节点的不断缩小，如28纳米以下，这一方法逐渐面临诸多限制。一方面，栅极掺杂浓度已接近饱和状态，难以进一步提升;另一方面，高浓度掺杂会引发严重的工艺问题。以 PMOS 为例，高浓度的硼掺杂极易穿透栅介质，破坏器件结构，影响器件性能与可靠性。目前，NMOS 掺杂浓度需控制在 10²⁰ cm⁻³ 以下，PMOS 掺杂浓度需控制在 10¹⁹ cm⁻³ 以下，这使得通过提高掺杂浓度解决耗尽效应的途径愈发困难。　　5. 金属栅极的引入及其优势　　鉴于传统方法的局限性，金属栅极在 28nm 节点及以下工艺中逐步得到应用，如HKMG工艺28纳米以下先进制程为何离不开HKMG。金属具有极高的自由载流子浓度，从根本上避免了耗尽效应的产生。采用金属栅极后，晶体管的阈值电压稳定性显著提高，亚阈值摆幅减小，开关速度与驱动能力大幅提升。同时，金属栅极还能有效降低栅极电阻与电容，减少信号传输延迟，提高电路的工作频率。此外，金属栅极与高K电介质的结合使用，进一步优化了器件的电学性能，降低了功耗，为集成电路的持续发展提供了有力支撑。　　6. 结论与未来展望　　多晶硅栅极耗尽效应是集成电路纳米级工艺发展过程中面临的重要挑战，传统解决方法的局限性促使金属栅极成为主流解决方案。金属栅极的引入有效克服了耗尽效应的影响，推动了集成电路性能的大幅提升。然而，随着集成电路向更小尺寸、更高性能方向发展，新的挑战依然存在。未来，需要进一步探索新型栅极材料与工艺技术，优化器件结构设计，以满足不断增长的高性能、低功耗需求，持续推动集成电路产业的创新与发展。

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多晶硅耗尽效应

发布时间：2025-05-07 09:48 阅读量：574 继续阅读>>

硅二极管系列产品" alt="森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品">

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森国科推出广泛用于"光、风、储、充、荷"的1200V碳化硅二极管系列产品

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS®1200V碳化硅二级管，涵盖了10A、15A、20A、30A、40A、50A系列等数十款型号，相比Si器件，碳化硅肖特基二极管具有导通电阻低，开关损耗小的特点，完美满足中高压系统的需求，成为了光伏逆变器、风能逆变器、储能双向逆变器、充电桩模块、大功率工业电源、车载充电机等领域客户的不二选择，碳化硅功率器件的使用对于能源领域朝着轻量化、节能低碳化的转型升级也具有重要的意义。　　碳化硅作为第三代宽禁带半导体的代表性材料之一，与传统Si基材料相比，其电子饱和漂移速率是硅的2倍，更加适合在高频电路中使用;热导率相当于Si的3倍，因而散热效果更佳，可靠性更高;SiC材料的临界击穿场强能力高达硅的10倍之多，可使器件更加耐高压;禁带宽度上来说，SiC材料是Si材料的3倍，使其具备了低漏电的优异性能。　　此外，经过多轮测试与验证，森国科1200V碳化硅二级管拥有强大的抗浪涌冲击能力、抗雪崩能力，强健性和鲁棒性。较高的热性能降低了对冷却系统的需求，同时由于反向恢复时间短，可降低电磁干扰的问题。在"风、光、储、充、荷"等领域常用的电路可参考：　　交错并联PFC: D5, D6：可以减小输入电流纹波和输出电容纹波电流的有效值，并提升电路的功率等级。　　维也纳(VIENNA)PFC：具有谐波含量低、功率因数高、动态性能良好的特性。　　IGBT续流二极管：降低开关损耗，增大开关频率。　　森国科深耕集成电路领域多年，目前已与国内外多家著名的FAB厂达成紧密的合作关系。秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自新能源汽车、充电桩、光伏逆变器、OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。

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森国科

发布时间：2025-05-07 09:09 阅读量：420 继续阅读>>

型号	品牌	询价
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
MC33074DR2G	onsemi
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BP3621	ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
TPS63050YFFR	Texas Instruments
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