鲁光LGE3D10065G 碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管
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鲁光LGE3D10065G 碳化硅二极管

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高工作温度的现代电力电子领域，碳化硅应运而生，成为推动下一代功率转换系统发展的关键。鲁光电子推出的LGE3D10065G，便是一款在紧凑的DFN8x8封装内集成了优异性能的碳化硅二极管，为众多高效能应用提供了理想的解决方案。　　核心特性优势：　　1.零反向恢复：消除了开关过程中的电流“拖尾”现象，显著降低了开关损耗和开关噪声。　　2.开关速度极快：不受反向恢复限制，可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。　　3.优异的温度特性：其反向漏电流和开关特性随温度变化很小，在高温下依然能保持高效稳定。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　基于上述卓越性能，鲁光LGE3D10065G广泛应用于以下领域：　　1.高频功率因数校正电路：　　在通信电源、服务器电源的PFC升压电路中，它是升压二极管的绝佳选择。其零反向恢复特性可以显著降低开关损耗，使PFC级能够工作在更高频率。　　2. 开关电源/太阳能逆变器：　　用于反激、正激、LLC谐振等拓扑中的续流或钳位二极管。在高频下实现高效率，有助于提升整个电源的功率密度。　　3. 工业电机驱动与不间断电源：　　在变频器的整流或缓冲电路中，其高性能可以降低系统损耗，提高功率密度和动态响应速度。　　4. 高频焊接与感应加热：　　这些应用要求极高的开关频率，传统硅二极管无法胜任，而碳化硅二极管正是理想之选。　　四、总结　　鲁光LGE3D10065G 650V/10A碳化硅二极管，以其零反向恢复、高开关频率、高效率、出色的高温稳定性，完美地满足了现代电力电子设备对高性能和高可靠性的苛刻要求。是替代传统硅二极管的战略性选择，能够显著提升产品竞争力，推动绿色能源和高效电力应用的发展。
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发布时间：2025-10-31 17:57 阅读量：207 继续阅读>>
捷捷微电JCT151F-650R可控<span style='color:red'>硅</span>为雅迪电动车充电安全保驾护航
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捷捷微电JCT151F-650R可控硅为雅迪电动车充电安全保驾护航

　　在电动车普及率持续攀升的今天，充电安全已成为用户关注的核心焦点。近日，行业领导品牌雅迪在其新一代智能充电器中，采用了捷捷微电JCT151F-650R高性能可控硅，专门用于输出端反接保护电路，以650V耐压、12A通流的强悍规格，为充电安全筑起一道“硬核防线”。　　电动车的日常使用中，充电接口频繁插拔，难免出现误操作或接口老化导致的接触不良。若在通电状态下正负极意外反接，瞬间产生的反向电流可能损坏电池管理系统，甚至引发危险。　　捷捷微电JCT151F-650R在此关键保护电路中扮演着“高速开关”的角色。一旦检测到输出反接，它能在微秒级时间内迅速关断电路，有效阻断异常电流，从硬件层面彻底杜绝因反接可能导致的短路、过流等故障。　　为何雅迪选择JCT151F-650R?　　高耐压，更安全：650V的断态重复峰值电压，足以应对充电过程中各种复杂的电压波动与浪涌冲击，为系统预留充足的电压余量。　　大电流，更稳定：12A的有效通态电流，确保在持续充电的大电流场景下，器件导通损耗低、发热小，稳定性与寿命显著提升。　　TO-220F全绝缘封装：封装本身具备良好的绝缘性与散热性，无需额外绝缘垫片，简化生产安装流程，同时提升整机安全等级与散热效率。　　安全无小事，选对“守护芯”　　雅迪充电器采用捷捷微电JCT151F-650R，体现了品牌对产品安全性的极致追求。在电动车充电器这类关乎用户生命财产安全的产品中，核心保护元器件的选择，直接决定了产品的安全基线。　　捷捷微电的功率半导体器件，已在家电、充电电源、工控及汽车电子等领域获得广泛应用。公司始终致力于通过高可靠性、高一致性的产品，为行业领先客户的关键设计与创新赋能。
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发布时间：2025-10-17 11:57 阅读量：460 继续阅读>>
鲁光LGE3M180065F 碳化<span style='color:red'>硅</span>MOSFET
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鲁光LGE3M180065F 碳化硅MOSFET

　　在追求更高效率、更高功率密度和更小体积的现代电力电子领域，碳化硅MOSFET 正逐渐成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的关键器件。作为国内功率半导体行业的领军企业之一，鲁光电子推出的LGE3M180065F 是一款性能优异的650V / 180mΩ 碳化硅MOSFET，为众多中高功率应用提供了高效、可靠的解决方案。　　核心优势(基于SiC MOSFET特性)　　1. 高频开关能力　　开关损耗比硅IGBT降低70%，支持100kHz以上高频应用。　　2. 低导通电阻(Rds(on))　　正温度系数特性，易于并联均流。　　3. 零反向恢复电流　　体二极管无Qrr，消除桥式电路死区损耗。　　4. 高温工作　　结温(Tj)可达175°C，散热设计更简化。　　3. 高可靠性： 高工作结温、优异的耐高温性能和强大的短路耐受能力，确保器件在恶劣环境下稳定工作。　　二、特性曲线　　三、典型应用领域　　1.服务器/数据中心电源(SMPS)： 用于高功率(5kW以上)的服务器电源和通信电源。高开关频率允许使用LLC等高效拓扑，显著提升电源效率，降低数据中心的运营成本。　　2. 新能源光伏逆变器： 用于5-10kW组串式光伏逆变器的DC-DC升压环节，利用其高频率和高效特性，可以最大化太阳能板的发电效率，同时减小逆变器体积。　　3. 工业电机驱动与变频器： 用于5-10kW驱动风机、水泵、压缩机等工业电机。其高速开关能力可实现更精确的电机控制和更低的谐波失真。　　4. 不间断电源(UPS)： 其5-10kW高功率特性，用于提升中大功率UPS的逆变效率，延长电池续航时间，同时减小设备体积。　　5. 储能系统的功率转换： 用于5-10kW电池储能与电网之间高效的双向能量流动。　　四、总结　　鲁光电子的LGE3M180065F 碳化硅MOSFET以其650V/180mΩ的平衡性能，提供了一个强大而可靠的国产化功率开关解决方案。随着碳化硅技术的不断成熟和成本的持续下降，像LGE3M180065F这样的器件必将成为推动工业、能源和交通等领域迈向绿色、高效未来的核心力量。
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发布时间：2025-10-11 15:39 阅读量：332 继续阅读>>
鲁光LGE3D30120H碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管
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鲁光LGE3D30120H碳化硅二极管

　　在追求高效率、高功率密度和高可靠性的现代电力电子世界中，碳化硅技术正以前所未有的速度取代传统硅基器件。鲁光电子推出的LGE3D30120H，便是一款采用标准TO-247AC封装的碳化硅肖特基二极管，它以其卓越的性能，成为中大功率应用领域升级换代的理想选择。　　一、LGE3D30120H主要参数　　核心特性优势：　　1.零反向恢复：消除了开关过程中的电流“拖尾”现象，显著降低了开关损耗和开关噪声。　　2.开关速度极快：不受反向恢复限制，可以实现数百kHz甚至MHz级别的高频开关。　　3.优异的温度特性：其反向漏电流和开关特性随温度变化很小，在高温下依然能保持高效稳定。　　4. 正温度系数： 正向压降随温度升高而增大，这一特性使得多个二极管并联时能够自动实现电流均衡。　　二、特性曲线　　三、应用领域　　凭借1200V的高压和30A的大电流能力，LGE3D30120H在以下中高功率应用场景中表现出色：　　1. 高频功率因数校正电路　　1.1在通信电源、服务器电源及工业电源的PFC升压电路中，LGE3D30120H是升压二极管的绝佳选择。　　2. 光伏/储能逆变器　　2.1用于5-30KW功率的光伏逆变器和储能变流器的DC-AC逆变级中，常作为逆变桥的续流二极管或Boost电路的升压二极管。　　3. 工业电机驱动与变频器　　3.1 用于5-25KW的功率变频器的整流单元或逆变单元中，提高驱动系统的效率和响应速度。　　4. 充电机及DC-DC变换器　　4.1用于5-25KW功率的PFC和DC-DC阶段，以及高压到低压的DC-DC转换器中。　　5. 不间断电源及焊接电源　　5.1 用于5-30KW功率的高频化、模块化的UPS和工业焊接设备中。　　四、总结　　鲁光LGE3D30120H 碳化硅二极管，凭借其1200V/30A的额定值以及碳化硅材料带来的零反向恢复和高速开关特性，提供了一个强大而可靠的解决方案。它不仅能够直接提升现有系统的效率和频率，更是推动下一代高功率密度、高性能电力电子设备创新的关键元件。
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发布时间：2025-10-11 13:24 阅读量：271 继续阅读>>
鲁光LGE3M40120Q 碳化<span style='color:red'>硅</span>MOSFET
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鲁光LGE3M40120Q 碳化硅MOSFET

　　在追求更高效率、更高功率密度和更高可靠性的电力电子领域，宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)正以前所未有的速度改变行业格局。作为国内功率半导体行业的重要参与者，鲁光电子推出的LGE3M40120Q 是一款极具竞争力的1200V碳化硅MOSFET，为众多高性能应用提供了优秀的解决方案。　　一、LGE3M40120Q主要参数　　二、核心优势(基于SiC MOSFET特性)　　1. 高压高效：1200V的耐压使其能轻松应对光伏逆变器、工业电机驱动等高压场合。　　2. 低导通损耗：40mΩ的低内阻确保了在导通状态下极低的功率损耗。　　3. 高频操作能力：极小的开关损耗和几乎为零的反向恢复电荷，允许电路工作在几十甚至上百kHz的频率，从而减小无源元件(电感、电容)的体积。　　4. 高温稳定性：175℃的最高结温提高了系统可靠性或允许使用更小的散热器。　　三、特性曲线　　四、典型应用领域　　凭借其优异的性能，LGE3M40120Q广泛应用于对效率和功率密度有严苛要求的领域：　　1.新能源发电与储能　　1.1光伏逆变器：特别是组串式和微型逆变器，SiC器件的高频特性可以最大程度提升效率和功率密度，同时降低系统成本。　　1.2储能变流器：用于电池储能系统的双向充放电，高效能意味着更少的能量在转换过程中被浪费。　　2. 电动充电设施　　2.1充电机(OBC)：是OBC的核心开关器件，实现高效、快速的充电。　　2.2直流-直流变换器(DC-DC Converter)：为高压电池与低压系统之间进行能量转换。　　2.3充电桩：作为直流快充桩内部电源模块的核心开关元件，是实现大功率、小体积充电桩的关键。　　3. 工业自动化与电机驱动　　3.1伺服驱动器与变频器：高频开关使得电流波形更平滑，电机运行更安静、扭矩响应更迅速。　　3.2不间断电源(UPS)：特别是在高端数据中心和工业级UPS中，SiC技术能显著提升整机效率，降低运行成本和冷却需求。　　4. 通信电源与服务器电源　　4.1用于实现高功率密度、高效率的AC-DC整流和DC-DC转换模块。　　5. 其他领域　　5.1感应加热、激光电源、医疗设备电源等任何需要高效电能转换的场景。　　五、总结：　　鲁光电子的LGE3M40120Q碳化硅MOSFET是一款性能出色的国产功率器件，是推动众多产业向高效化、小型化、绿色化迈进的关键引擎。其核心采用先进的碳化硅技术，相较于传统的硅基IGBT和MOSFET，它在高温、高频和高电压环境下表现出卓越的性能，能够显著降低系统能耗。
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发布时间：2025-09-26 17:13 阅读量：405 继续阅读>>
一文了解单晶<span style='color:red'>硅</span>的生长方法
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一文了解单晶硅的生长方法

　　一、单晶硅的发展背景　　科技进步和对高效智能产品需求的增长进一步奠定了集成电路产业在国家发展中的核心地位。而半导体硅单晶作为集成电路产业的发展基石，其对促进技术革新和经济增长起到至关重要的作用。　　国际半导体产业协会公布的数据显示，全球半导体硅片市场销售额达126亿美元，出货面积增至142亿平方英寸，且市场需求仍呈持续增长的趋势。　　然而，当前全球硅片产业高度集中，如下图所示:　　五大供应商占据超过85%的市场份额。这五家供应商分别是日本信越(Shin-Etsu)，日本盛高(SUMCO)，环球晶圆，德国Siltronic和韩国SK Siltron。　　这种垄断态势使得我国现投入使用的硅单晶严重依赖进口，成为制约我国集成电路产业发展的卡脖子问题之一。　　为了破解当前我国在半导体硅单晶制造领域的困境，投入研发，全面加强自身发展是必然选择。　　二、单晶硅材料概述　　硅单晶是集成电路产业发展的基石。迄今为止，超过90%的集成电路芯片和电子器件均以硅单晶作为首选基础材料。硅单晶材料之所以拥有如此庞大的市场需求和多样化的产业应用，其原因是多方面：　　首先，硅材料本身安全、无害、环保，且在地壳中含量极高;　　其次，硅单晶天然具有电绝缘性，其在热处理后表明会形成防护性的二氧化硅层，可以有效阻隔电量流失;　　最后，硅单晶生长技术较为成熟，长期以来的技术积累使得其拥有比其他半导体材料更为娴熟的生长工艺。　　这些因素共同作用使得硅单晶在行业中始终处于主导地位，这也是其他材料不可替代的关键因素。　　从晶体结构上看，硅单晶是硅原子按照周期性排布构成的具有连续点阵结构的材料，也是芯片制造行业的基础。　　下图为硅单晶制备全流程示意图：　　首先从硅矿中经过一系列步骤提炼得到生长硅单晶的材料——多晶硅，然后在单晶炉内生长得到硅单晶棒，再经过切、磨、抛等操作形成可用于芯片制造的硅晶圆片。　　硅片按照用途可简单分为光伏级和半导体级。两者主要存在着结构、纯净度和表面品质上的差异。　　半导体硅片纯度高达99.999999999%，且严格要求为单晶，而光伏用硅单晶片纯度相对较低，仅为99.99%至99.9999%之间即可，且并不执着于对晶体品质的要求。　　与此同时，半导体硅片在光滑度和清洁度方面的要求也高于光伏级硅片。半导体硅片的高要求使得制备难度和后续的应用价值也大幅提升。　　下图给出了半导体硅片规格的发展脉络，从早期的4英寸(100mm)、6英寸(150mm)逐步增大至现在的8英寸(200mm)、12英寸(300mm)。　　在实际硅单晶制备过程中受不同应用类型和成本的影响，硅片尺寸也有所不同，如存储芯片多采用12英寸硅片，功率器件则常用8英寸硅片。　　总之，硅片尺寸的演进是摩尔定律和经济因素共同作用的结果。相较而言，硅片尺寸的增大会使得相同工艺条件下可以生长出更多可用于芯片制造的可用面积，降低生产成本的同时有效降低硅片边缘材料的浪费。　　半导体硅片作为现代科技发展不可或缺的关键材料，通过后续一系列精密工艺如光刻与离子注入，赋予了其生产各类电子器件的能力，包括大功率整流器、晶体管、三极管以及开关器件等。　　这些器件在多个领域如人工智能、5G通信、汽车电子、物联网及航空航天扮演着至关重要的角色，是国家经济发展与科技创新的基石。　　三、单晶硅的生长技术　　提拉法是一种高效的从熔体中提拉生长高质量单晶材料的工艺技术方法，由扬·柴可拉斯基(J. Czochralski)在1917年提出，该方法也被行业称为CZ法或晶体直拉法。　　目前，CZ法已被广泛应用于各类半导体材料制备过程中。据不完全统计，约98%的电子元器件采用硅单晶材料制造，其中85%使用的是CZ法制备的硅单晶材料。　　CZ法制备硅单晶材料之所以备受青睐，是因为其具有出色的晶体品质、可控的尺寸、快速的生长速度和高效的生产效率等优点。　　这些特性使得CZ硅单晶成为满足电子工业对高品质、大规模硅单晶材料需求的首选材料。　　CZ法的制备原理见下图：　　CZ法生长硅单晶要求在高温、真空且封闭的条件下进行，而CZ型单晶炉(以下称单晶炉)设备则是实现这一条件的核心技术装备。　　CZ硅单晶的生长步骤是先将纯净的硅原料置于坩埚内熔化，继而在熔融态的硅表面置入一颗籽晶。通过精确控制温度、拉升籽晶速率和坩埚旋转速度等关键参数，籽晶与熔体接触 的界面上原子或分子会持续重组，伴随着系统的冷却逐步固化，最终形成单晶体。　　因此，这种晶体生长技术能够生产出高质量、大直径且具有特定晶体取向的硅单晶材料。　　CZ硅单晶生长工艺流程如下图所示：　　具体步骤为：　　(1)拆炉及装料：取出晶体，彻底清理炉膛和各组件上的附着物，如石英颗粒、石墨颗粒和石墨毡尘等杂质。如果长期未使用，需关闭炉子并进行气密性检查。清理完成后，重新装回各组件。　　(2)装炉：在确认组装无误后，将石英坩埚放入炉中，添加掺杂剂(按要求准确添加)，然后放入硅料。在副室内安装籽晶。确认无误后，合炉，整理、清扫装料现场。　　(3)抽真空和熔化：先进行1-2次气体清扫，然后抽真空(小于10mTorr)，接着充入Ar气体(流量为50-120L/min)，使炉内压力约为20Torr，并保持气氛流动。同时启动冷却水系统(压力为0.2-0.4MPa)。在加热前，进行密封性检查，确认无异常后，以45-60V电压和1500-2500A电流加热熔料，并持续观察整个过程。　　(4)引晶：将籽晶缓慢降至主室，预热3-5分钟，缓慢接近硅熔体界面。为了确保熔体液面平静，不能出现水波纹。如果发现有水波纹可能是由振动引起的，需要排除振动源;另一种可能是温度过高导致大量的SiO挥发物生成，然后在冷却后滴回坩埚内。　　在确认问题已解决后，需要控制使温度稳定，并将籽晶缓慢降低到与熔体液面接触的位置。为了准确判别引晶温度是否合适，需要观察以下三种情况：　　1) 温度过高，界面会出现亮且宽的光圈，并带有尖角，光圈会发生抖动，甚至熔断，这时无法提高拉速缩颈。　　2)温度过低，界面不会出现光圈，籽晶未能熔接，反而出现结晶向外长大的假象。　　3)温度合适，界面会慢慢出现柔和圆润的光圈，没有尖角，此时可以进行缩颈操作。晶体既不会因为缩小而熔断，也不会继续扩大。在进行熔接后，稍微降低温度，开始缩颈操作，以消除位错并获得无位错晶核。　　(5)放肩阶段：拉速度为0.5mm/min，放肩角度为140°-160°。需要注意的是，在此过程中需适当降低温度。如果引晶时拉速较快，难以缩颈，说明熔体温度偏低，可以稍微减少降温幅度;反之，若引晶速度较快且容易缩细，说明熔体温度较高，可以适当增加降温幅度。　　(6) 转肩及等径阶段：在放肩阶段，拉速较快，需要监控直径变化。当接近目标直径时，将拉速提高至3-4mm/min，进入转肩阶段。在转肩过程中，原本位于肩部后方的光圈会迅速向前方扩散，并最终闭合。为了避免直径在转肩时缩小，预先适当降低温度。 在转肩过程中，晶体继续生长，但速度逐渐变慢，最后停止生长，完成转肩。此时将拉速降至设定速度，并按比例调整埚升速度，进入自动控径状态，等待晶体继续生长。　　(7) 收尾和停炉：当晶体生长到尾部，余料较少时，开始进行收尾操作。将计算机切换至手动模式。提高埚升速度，利用温度控制实现自动加热，以保持液面不结晶。　　在收尾过程中，有两种方式可选择：慢收和快收。　　慢收的优点是易于控制，不容易断棱线，但时间较长;而快收的优点是时间短，但控制难度较大且容易断棱线。　　不论选择快收还是慢收，都需要进行收尖操作，以防止位错攀移到等径部位。如果直接将晶体提高离开液面而不进行收尾，由于热应力的作用，会产生大量位错并沿着滑移面攀爬。　　如果位错进入等径部位并被切除，这会造成不可忽视的损失，尤其对于大直径单晶。因 此，必须收尾成尖形，以确保无位错生长到结束。当尖形脱离液面时，产生的位错攀爬长度将无法达到等径部位。 收尾完成后，将晶体提高，降低坩埚位置，停止升温和晶转。　　因此，稳定控制温度与提拉速度对于生产高品质、无瑕疵的晶体至关重要。其他影响品质的工艺参数还涉及加热器功率、晶体和坩埚的旋转速度、磁场强度、保护气体(如氩气)流量等。这些参数的优化组合是实现高品质、低或无缺陷晶体的基础。　　四、单晶硅的难点　　鉴于此，突破大尺寸半导体硅单晶生长过程中的核心工艺技术瓶颈，尤其是需要解决晶体生长环节中所面临的晶体缺陷预测与控制问题：　　(1)硅单晶品质一致性差、产出良率较低：随着硅单晶尺寸的增加，晶体生长环境愈发复杂，热场、流场、磁场的耦合作用加强，晶体品质控制难度呈指数级增长。这与行业对于硅片品质的高要求是相悖的。　　因此，如何对晶体生长品质进行预测和控制成为了关键难题。然而，硅单晶生长过程的复杂性和不确定性因素使得精准系统模型的建立几乎不可实现。　　此外，由于晶体生长设备物理结构的约束，使得直接在晶体生长过程中进行品质检测难以实现，而离线检测又存在着检测周期长，人力、物力耗费大的问题。　　因此，迫切需要发展晶体生长品质检测理论与方法，实现对晶体生长状态的实时在线预测 并指导工艺调整，以减少晶体缺陷产生的可能性，提升硅单晶品质的管控能力。　　(2)控制过程不稳定、精度和效率欠佳：半导体硅单晶生长过程高度复杂，具有多物理场强耦合、强非线性等显著特征，且复杂的工艺参数调整机制和控制流程使得现有的控制系统易出现控制精度不稳定，并由此导致产品良率较低。　　与此同时，现行的控制策略主要以晶体宏观尺寸作为直接控制目标，而晶体品质仍依赖人工经验进行现场调节，因而这些客观和主观因素使得生长的大尺寸硅单晶品质难以满足集成电路芯片微细纳米制程的要求。　　因此，如何实现晶体宏观尺寸精准控制的同时保证晶体质量满足行业要求成为了当前亟待解决的重要控制难题。
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发布时间：2025-09-08 13:58 阅读量：591 继续阅读>>
森国科推出用于5G微基站电源的碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管（SiC JBS）
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森国科推出用于5G微基站电源的碳化硅二极管（SiC JBS）

　　第5代通信技术5G频率越高，穿透和绕射能力会相对下降，信号智能直射传播，很多偏僻地方就会收不到信号，微基站很好弥补了这项缺陷。因此5G将会采取“宏基站+微基站”组网覆盖的模式，整个5G网络基站近80%将由微基站承载。　　微基站是一种从产品形态、发射功率、覆盖范围等方面都相比传统宏站小得多的低功率基站设备。特征是：小型化;低发射功率;可控性好;智能化;组网灵活。微基站电源应用场景如下：　　直流远供电源　　应用于BBU、RRU基站整合优化，运营商的室分系统、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备;　　光电一体箱供电　　是对未来城市主干道信号覆盖提供支点，并与现有城市设施相融合，可应用于居民小区、沿街小巷、商业密集区、地下停车场。光电一体箱将传统的交流配电箱、光纤配线箱融为一体，有效解决了微基站配套设备的建设需求，满足了市政美化需求。微站电源产品，应用于小型程控交换机、接入网、传输设备、移动通信、卫星通信地面站、微波通信供电、室外基站、灯杆站、微基站、直放站、综合接入 ONU 等设备。　　太阳能模块供电　　主要安装在高山、公路、铁路等地，扩大基站的覆盖面，解决乡村信号盲区;高速公路、国道及铁路线上的信号覆盖;在需要建基站但又没有条件建的地方;解决业务边界问题。但是这些地方供电较为困难或有可能解决供电问题但耗资巨大，而且电力解决以后还有安全、维护等因素。具有可靠性、寿命长、连续阴雨天，全天侯、不间断地野外工作时间长的特点，与拉电力线相比有经济安全、故障率低、维护方便等优点。　　智慧路灯电源　　通过市政对路灯进行供电，解决路灯微基站供电问题。“智慧灯杆联网系统”，是以照明灯杆为基础，集成了音视频监控设备、无线基站、WIFI热点、多媒体屏幕、充电桩以及天气、环境等各种感知器的新型智能设备，结合应用“NB—IOT系统”技术通讯手段，将采集的交通信息、环境信息、河道信息和安防信息等进行运算、分析、形成大数据平台层，实现对城市照明、安防、交通、能源、市政等公共设施运营管控应用层面的智慧城市管理。　　微基站内部电源系统系统中对交流接触器的选用、断路器熔断器及空气开关的选用、保护电路的设计、交流电量检测电路的设计、防雷及抗涌措施的选择等要符合规范。　　下图是一款研发的5G基站建设的移动微站电源：　　由上图可以看出，此款电源产品主要由4个单元组成，其中通信模块和开关电源部分决定了5G微基站运行的可靠性。开关电源部分：由于基站供电多样性和复杂性，决定了微基站电源需要综合考虑不同输入兼容问题，其开关电源的功率从1000W~3000W不等，处理大功率器件及相关模块的稳定性是非常关键的。对于如此之大的大功率开关电源开机瞬间的浪涌电流抑制成为了关键中的关键。森国科为此开发了高Bv、低Vf、高浪涌电流的碳化硅二极管KS06065，标称650V的Bv值，实际测试可以达到900V,冲击电流高达65A，典型漏电流低至1nA。　　森国科SiC二极管系列产品主要分为650V和1200V系列，使用6寸晶圆生产，车规级的生产工艺，具有高耐温，高频，高效，高压特性，在广大高功率电源产品中得到广泛应用。主要应用于矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源、充电桩电源模块、新能源汽车充电机、光伏逆变器等。
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发布时间：2025-08-19 11:43 阅读量：496 继续阅读>>
森国科推出极小封装碳化<span style='color:red'>硅</span>二极管，提升电源效率！
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森国科推出极小封装碳化硅二极管，提升电源效率！

　　深圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS® 碳化硅二极管KS02065(650V/2A),该系列二极管主要用来提升电源类产品的效率、减少体积、降低EMI问题、提升高温特性，进而全面提升功率密度。目前2A系列的碳化硅二极管已通过多家客户的测试验证，并实现了大批量供货。　　森国科第五代650/2A TMPS二极管具有一流的鲁棒性和耐久性 ，具备高浪涌电流和雪崩能力，并通过100%雪崩(UIL)生产测试，技术参数对标国际一线公司的最新产品，足以满足高端领域的国产化替代需求。为了提升KS02065在不同应用中的灵活性，确保整个流程的稳定运行，森国科为客户提供TO-220, TO-252， SMA三种不同的封装：　　TO-220-2L封装散热效果最佳，但是相对来说占用空间;　　TO-252-2L封装具备优秀的散热能力，体积上也有一定的优势，在应用场景上的利用率较高;　　SMA是碳化硅功率器件封装中体积最小的一款，约为4.5mm*2.7mm，也是目前国内少有的封装样式。SMA封装通常在硅二极管中比较常见，在一些电源类产品中如需使用碳化硅二极管来替代，可以在节省电路修改和PCB设计的前提下，保障系统效率的稳步提升，这对应用端来说是一举多得的选择。　　典型应用电路如单向PFC电路: D5，电路简单，成本低，初级无电解电容。　　森国科深耕宽禁带半导体领域多年，目前已与国内外TOP级工艺厂商(X-FAB\积塔等)达成友好合作，秉承着“做最合适的功率器件”的理念，致力于打造性能优越、尺寸体积可控的功率器件全系列产品，助力来自OBC、工业电源、数据电源、储能逆变器、变频驱动、快充头、适配器等多个领域的客户实现高耐压、耐高温、耐高频、低功耗、低成本的应用需求，持续赋能低碳发展。
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发布时间：2025-08-19 11:40 阅读量：681 继续阅读>>
森国科：当人工智能遇上碳化<span style='color:red'>硅</span>，高算力时代的“电力心脏”革新
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森国科：当人工智能遇上碳化硅，高算力时代的“电力心脏”革新

　　人工智能掀起的高算力浪潮中，算力中心日夜不息地运转，训练着庞大的模型，支撑着自动驾驶、科学发现和智能体机器人技术的快速发展。然而，这辉煌算力背后却藏着不容忽视的“能量焦虑”--急剧增长的电力消耗与转换效率瓶颈。传统硅基功率器件这只能量转换的“老旧心脏”，在高频、高温的极限环境下已日益力不从心。　　这场能源革命的曙光，落在了第三代半导体碳化硅(SiC)身上。　　1. 破局者诞生：碳化硅功率器件的核心优势　　如果说传统硅(Si)材料打造的功率器件是我们熟悉的“蒸汽机”，那么碳化硅功率器件便是新时代的“内燃机”，实现了能源转换效率的颠覆性跨越。作为功率半导体材料的新物种，材料特性独具一格：　　相对于第一代(硅基)半导体，第三代半导体(碳化硅等)禁带宽度大，电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，具有更强的耐高压、高功率能力，耐温能力大幅提升(最高200°C以上，硅器件极限约150°C)，高温可靠性无可比拟;　　碳化硅更适合作为衬底材料：在高压和高可靠性领域选择碳化硅外延;　　碳化硅衬底器件体积小：由于碳化硅具有较高的禁带宽度，碳化硅功率器件可承受较高的电压和功率，其器件体积可变得更小，约为硅基器件的1/10。同样由于碳化硅较高的禁带宽度，碳化硅器件可进行重掺杂，碳化硅器件的电阻将变得更低，约为硅基器件的1/100。　　碳化硅衬底材料能量损失小：在相同的电压和转换频率下，400V电压时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的29%～60%之间;800V时，碳化硅MOSFET逆变器的能量损失约为硅基IGBT能量损失的30%～50%之间。碳化硅器件的能量损失更小。　　碳化硅功率器件卓越的性能，　　带来了电力电子系统层面的跃升表现　　--更优转换效率：碳化硅材料的核心指标优势使系统综合效率得以极致突破，电能损耗可大幅降低;　　--更强功率密度：更高频的开关允许电路中使用更小的磁性元件(电感、变压器)，电源整体尺寸可缩小30%～50%;　　--更简冷却系统：低发热使得所需冷却资源大幅缩减，冷却结构设计得以简化。　　2. 高算力背后的电力脉搏：碳化硅的应用战场　　在算力中心与电力基础设施的心脏部位，碳化硅功率器件已成为高电压、大功率应用的隐形“力量源泉”。　　AI算力中心的“能源命脉”　　-- 服务器电源(PSU)：数据中心海量服务器需要超高效率、极高功率密度的电源单元。全球领先电源厂商已发布超过钛金级效率的3kW+碳化硅电源模块，能将整机效率拉升到97%+以上;　　--高压直流供电(HVDC)：直接支持400V～1000V直流输入，减少转换环节，损耗预计降低30%以上;　　--不间断电源(UPS)：备用电源效率提升是关键。碳化硅UPS系统实现了行业领先的98%+效率，同时在功率密度、体积上也极具优势，100kW~200kW 的碳化硅UPS已经陆续量产;　　--机架级配电：48V母线和新型分布式架构中，SiC功率芯片负责高压到中低压的高效、高频降压转换。　　支撑算力基石的“绿色枢纽“　　--光伏/储能变流器：光伏发电和电网级储能装置中，碳化硅功率器件让逆变器效率可超过99%。　　--新能源充电桩：电动汽车快速发展的支撑关键，15分钟充满电的超级快充需800V/1000V高压平台。碳化硅模块满足高电压(1200V/2000V)高频高功率要求。　　未来科技的”动力心脏“　　--电动汽车：从电机驱动控制器(电驱)、车载充电器(OBC)到DC/DC变换器，采用碳化硅可有效实现5%～10%的系统效率提升，同等电量下续航延长30公里以上。　　--高速轨道交通、工业电机驱动：碳化硅是高频、大功率应用的理想选材。　　3. 因果循环：人工智能如何驱动碳化硅革命　　这是一个不可分割的因果闭环链：　　· AI引爆算力 ▶ 算力渴求电力 ▶ 效率亟待提升 ▶ 硅基功率芯片效率已达瓶颈　　· SiC带来电力电子效率革命 ▶ 更高效能源转换支撑更庞大算力 ▶ 推动更复杂的AI落地　　没有碳化硅功率器件对电力损失的精简优化，支撑千万级服务器的数据中心根本无法运作，更不可能为ChatGPT这样的人工智能提供稳定澎湃的基础保障。每一次AI模型的迭代背后，都是高效电力心脏“泵血”能力的跃迁式支撑。　　当千层算法在计算洪流中奔涌探寻智慧之光，是碳化硅功率器作为隐形的能量心脏，在高频节律中泵送着支撑未来所需的磅礴能量。它不再只是硬件清单中的寻常元器件--从算力中心、智能电网到风驰电掣的电动汽车，每一份高效电能都在突破硅时代的物理边界，重绘AI时代的能源图景。或许这硬核革命终将隐匿于技术进步的光辉之中，但这枚第三代“电力之心”在高算力时代的核心价值不言自明--它带来的不仅是能效跃升的百分点，更是通往智能时代的能源通行证。　　硅基时代的老旧心脏渐弱，碳化硅芯的电力脉搏已在高算力胸腔中强劲共振。　　当万亿参数规模的GPT模型在服务器阵列中高速运行，300亿美元的碳化硅市场如同新生血管般在全球电力网络深处悄然延伸--每一次计算脉冲的传递，都是新材料对物理极限的重新定义。　　森国科作为中国第三代半导体碳化硅(SiC)功率器件的领军企业，是驱动AI算力时代高效能基础设施的关键赋能者，历经8年的努力，推出了覆盖650V, 1200V, 1500V, 2000V 系列的碳化硅功率器件及模块，成为革新电源系统效率的“硬核力量”。森国科正以SiC之“芯”，为澎湃的AI算力打造高效、绿色的“电力血管”。
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发布时间：2025-08-18 17:17 阅读量：962 继续阅读>>
森国科推出SOT227封装碳化<span style='color:red'>硅</span>功率模块，赋能高效能源系统升级
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森国科推出SOT227封装碳化硅功率模块，赋能高效能源系统升级

　　碳化硅(SiC)功率半导体技术引领者森国科，推出了采用SOT227封装的SiC MOSFET及JBS功率模块系列。这一突破性封装方案结合了高功率密度与系统级可靠性，为新能源发电、工业电源及电动汽车等领域提供高效能解决方案。　　SOT227作为成熟工业级封装标准，其结构性优势完美适配SiC器件的特性需求，是释放SiC 功率器件性能潜力的最优载体。SOT227 有如下的封装结构及工艺特性：　　PART.01超低寄生参数　　--超低寄生参数：　　一体成型的端子布局与紧凑内部结构，寄生电感<10nH，显著抑制开关振荡，使SiC MOSFET的超快开关性能(开关频率达100kHz+)得以充分发挥。　　--紧凑型模块设计　　SOT227是一种内绝缘封装，基板(DBC)面积大于TO-247，可容纳更多或更大尺寸的SiC芯片(如多芯片并联或混合拓扑集成)，同时整体体积显著小于传统大功率模块，适用于空间受限的高密度设计。　　引脚设计：终端引脚尺寸更大，支持更高电流承载能力(例如1200V SiC MOSFET通流能力达121A，较TO-247提升9%)。　　--绝缘与散热优化　　内绝缘陶瓷垫片：内置Al₂O₃或AlN陶瓷绝缘层，无需外加绝缘垫片，减少外部热阻并简化安装流程;　　低热阻设计：结到散热器的热阻(Rθ-jHs)比TO-247降低50%以上。例如，部分SiC MOSFET模块的结壳热阻低至0.67 K/W，显著提升散热效率。　　--机械与安全特性　　高绝缘可靠性：端子间爬电距离≥10.4mm，隔离电压达2500Vrms，满足工业安全标准(如IEC 60601);　　简化安装：支持标准M4螺钉安装，扭矩规格明确(1.5N·m)，降低装配复杂度并提高生产良率。　　PART.02电气性能优势高频与低损耗特性　　--开关性能　　SiC器件支持超高速开关(如Turn-On Delay 19ns，Rise Time 27ns)，开关损耗极低(175℃时Eon=500μJ, Eoff=250μJ)，适用于高频应用(如射频电源、LLC谐振转换器)。　　--低导通损耗　　SiC MOSFET导通电阻可低至7.6mΩ。　　SiC肖特基二极管正向压降低至1.36V，电容电荷(Qc)仅56nC，显著降低导通与开关损耗。　　--高温与可靠性表现　　工作温度：支持高达175℃环境温度，正温度系数特性便于多器件并联均流。　　鲁棒性设计：内置SiC SBD续流二极管无反向恢复问题(反向恢复时间16ns)，避免电压尖峰和EMI噪声;雪崩耐量设计增强抗负载突变能力。　　SOT227 封装的SiC 模块出色的性能，可在如下的典型应用场景中大显身手：01　　中高功率工业系统　　填补功率缺口：适用于数十至数百千瓦功率段(如TO-247与62mm模块之间的空白)，覆盖光伏逆变器、充电桩、工业UPS等场景。　　高频电源：AC/DC PFC、DC/DC超高频整流(如电信电源、服务器电源)，依赖低Qc和高速开关实现>95%效率。　　02　　精密与严苛环境设备　　半导体制造设备：等离子体射频发生器、PECVD电源，需高精度功率控制与低EMI特性。　　医疗与航空航天：密封设计适配高湿度环境，金属法兰安装增强机械稳定性(如至信微模块应用于航空航天领域)。　　森国科基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆，基于SOT227 封装，适时推出了SOT227 封装的SiC MOSFET 及 JBS 模块产品　　KC017Z12J1M1 SiC MOSFET　　KC100D12J1M1 SiC JBS　　SOT227封装赋予了SiC器件系统级创新的战略支点。森国科的SOT227模块化方案让客户在保持设计兼容性的同时，直接解锁SiC的能效红利。SOT-227封装通过结构创新(内绝缘、紧凑布局)与SiC材料优势(高频、耐高温)的结合，解决了中高功率系统在功率密度、散热效率和安装成本上的痛点。其标准化设计(如引脚兼容性)进一步推动了对传统硅基器件的替代，尤其在高频、高温及可靠性要求严苛的领域具备不可替代性。
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发布时间：2025-08-15 15:54 阅读量：1026 继续阅读>>

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