<span style='color:red'>罗姆</span>丨“大容量电容器”已经风光不再？颠覆LDO常识的ROHM NanoCap™技术
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罗姆丨“大容量电容器”已经风光不再？颠覆LDO常识的ROHM NanoCap™技术

　　随着车载电子设备和工业设备的不断发展，电路板上电容器容量不足和安装空间紧张已成为亟待解决的严峻课题。但另一方面，在LDO(Low Dropout)稳压器的输出电容器选型时，为避免振荡等非常恶劣的情况发生，即便牺牲电路板空间和成本，也需要配置大容量电容器，这已成为业界惯例。然而，担心这种方法在未来是否依然可行的工程师应该不在少数。　　对此，ROHM开发出适用LDO的新技术“NanoCap™”，可在将输出电容容量降至470nF(0.47µF)的同时实现稳定工作。这为工程师提供了一种降低振荡风险的同时削减电路板安装面积的设计方法。本文将为您介绍颠覆LDO设计常识的创新技术——NanoCap™。　　※NanoCap™是ROHM Co., Ltd. 的商标或注册商标。　　目录　　1. 这种LDO设计，真的有那么好吗?　　2. ROHM的设计理念：为何470“nF”的电容也不会振荡?　　3. NanoCap™ LDO有何独特之处?　　4. 设计人员的福音：摆脱电容的束缚　　5. 有疑问不妨在“ROHM官方技术论坛”上讨论一下?　　6. “真的不会振荡吗?”致心存疑虑的你　　7. 设计，因思维而大不同　　8. 产品介绍、详细信息、其他链接等　　1.这种LDO设计，真的有那么好吗?　　LDO是一种可在输入输出电位差较小状态下工作的线性稳压器，而“NanoCap™”则是一项通过内部电路控制其相位裕度的创新技术。　　“担心发生振荡，姑且先装上偏大容量的电容器吧。”　　在LDO设计中，您是否有过这样的“保险”经历?　　为了使输出稳定，需要配置数µF〜数十µF的电容，为保险起见会选择更高一级的容量。若启动时出现异常行为，再进一步追加容量——这种方法本身并无不妥，多数电路借此便能稳定运行。　　然而，这种稳定性也需要付出一些代价。　　那就是电路板面积被挤压，元器件数量也不断增加，随之而来的是成本的持续攀升。　　即便如此，振荡的风险也不能完全消除。　　如今，在车载、工业设备及消费电子等众多领域的高密度安装趋势中，LDO的应用场景也在不断扩大。“因为担心发生振荡，姑且先装上大容量电容器再说”这种传统认知，今后是否仍能称之为更优解呢?　　ROHM的NanoCap™技术，正是源于对这种“传统认知”的质疑而诞生的创新成果。　　如果有一种LDO，即使采用容值非常小的电容器也能稳定运行，而且同时具备高速响应特性会怎么样呢?有了这样的产品，还要继续沿用传统做法采用大容量电容器吗?　　2.ROHM的设计理念：为何470“nF”的电容也不会振荡?　　LDO的输出电容器主要有两个作用。　　一个是通过相位补偿实现稳定，另一个是在负载波动时提供电荷。　　传统LDO将电容容量(及ESR)作为稳定性的核心考量要素。因此，降低容量会导致相位裕度不足，从而使电压波动增大，严重时甚至会引起振荡。　　ROHM的NanoCap™ LDO设计理念，恰恰与之相反——　　并不依赖电容，而是专注于在“控制电路层面”实现稳定性。　　该技术并非依赖外部电容来获取相位裕度，而是通过优化LDO内部的补偿电路，实现了即使使用仅纳法(nF)级的小容量电容器，也能确保充分相位裕度的设计。　　然而，若减少容量，在负载骤变时可供给的电荷量便会减少，从而导致电压大幅下降。　　对此，ROHM在NanoCap™ LDO中融入了高速响应技术“QuiCur™”。这样，可以将频率特性发挥到更优，即使容量很小也能瞬时响应负载波动，从而成功维持了实用的电压精度。　　※“QuiCur™”是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　3.NanoCap™ LDO有何独特之处?　　NanoCap™ LDO与传统LDO的本质区别在于“更小电容”这一前提。　　常规LDO通常以2.2µF至10µF左右的容值规格为前提进行评估和设计，而NanoCap™ LDO仅需470nF(0.47μF)的输出电容即可。也就是说，即使将输出电容降至传统产品的1/5到1/20，在数百mA级的负载波动状态下，仍可将电压波动控制在数十mV至100mV范围内，实现了与传统产品同等的性能。　　具体在哪些应用场景中采用NanoCap™ LDO，更能充分发挥其优势性能呢?　　例如，车载摄像头模块、ADAS传感器等空间非常有限的车载应用，以及需要超小型封装的IoT设备和可穿戴设备等应用，都非常适合采用该产品。　　如果应用于工业传感器网络，将有助于降低配置多个LDO时电路板的BOM成本，并减轻元器件管理负担。　　ROHM针对车载设备、工业设备、通信基础设施等领域所使用的12V/24V级一次电源应用，已经开发出输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)，并已投入实际应用。　　本产品为输出电流150mA的“BD9xxN1系列”的电流扩展型号。其输出电流提高至500mA，是以往型号的3倍以上，适用于需要更大电流的应用，应用范围更广。　　(产品详情：单通道输出 低饱和稳压器 (LDO) - 产品搜索结果 | 罗姆半导体集团- ROHM Semiconductor)　　4.设计人员的福音：摆脱电容的束缚　　不仅仅是容量减小，这个差异将给实际设计带来四大显著变化。　　1. 减少电路板安装面积　　若选用470nF(0.47μF)级的电容器，在0603尺寸中进行贴装也具备可行性。　　越是大量使用LDO的电路板，这种空间节省对整体尺寸的影响就越大。　　另外，即使常规的10μF级别LDO在市场上出现紧缺，只要拥有了470nF(0.47μF)这一选项，就能确保在不更改设计的前提下灵活应对。　　2. BOM的精简优化　　无需“为了以防万一而增加并联”。　　由于可直接在建议条件下完成设计，因此能将元器件数量控制在更低限度。　　另外，减少元器件数量有助于降低采购管理成本，从而有望带来经营层面的效益。　　3. 提升布局灵活性　　电容器的布局限制得以放宽，因此可以将资源分配给更需要优先考虑的布局事项，如热设计、噪声对策和更短布线等。另外，取消大电容器可以扩大电路板的铜箔走线面积，从而有望提升LDO自身的散热效率。　　4. 加快设计决策　　摆脱“为应对振荡而疲于调试”的困扰。　　考量的维度得以简化，从而加快试制与评估的循环。　　5.有疑问不妨在“ROHM官方技术论坛”上讨论一下?　　“曾因启动时的振荡而耗时数日苦苦排查原因”　　“应对负载波动的对策，最终演变成电容器的数量战”　　对于许多拥有此类经历的工程师而言，NanoCap™ LDO作为“增加容量之外的解决方案”，必将成为设计过程中的一大利器。　　不过，即便是这样的NanoCap™ LDO也并非是万能的。　　这是一款与传统电容器的设计理念截然不同的产品，因此大家难免会有诸多顾虑，例如“在自己的设计环境中效果如何?”“采用时有哪些注意事项?”等。　　为此，ROHM在免费的官方技术论坛“ROHM官方技术论坛”上，与各位工程师共享电源设计中的实际困扰与见解，跨越行业、业务领域及企业的壁垒，并推进各项举措以解决工程师所面临的难题。　　“您的电路板上，电容器所占面积的百分比大约是多少?”“是否出现过470nF(0.47μF)电容器实际上不够用的情况?”诸如此类仅靠企业内部难以收集到的与小型化相关的信息，以及实际试用过“NanoCap™”的工程师的反馈与建议，乃至其他各种问题和疑惑，ROHM工程师也会一起参与其中展开讨论。　　例如，不妨试着浏览一下ROHM官方技术论坛中的社区小组“DCDC转换器的PCB Layout指南(仅限会员)”。从电源设计的基本理念到基于具体产品的疑问，以及ROHM技术人员对此的解答和各位工程师的真知灼见，您一定能找到有助于提升技术开发能力和解决疑难问题的信息。　　欢迎随时浏览，更期待您加入小组，分享您的经验和见解。　　小组：DCDC转换器的PCB Layout设计指南　　6.“真的不会产生振荡吗?”致心存疑虑的你　　“道理明白了，但还是想在实机设备上验证一下。”作为工程师，这么想是理所当然的。　　NanoCap™的详细特性数据和评估波形，已在ROHM官网上公开。　　另外，对于“希望在实机运行前先进行测试”的工程师，推荐使用ROHM Solution Simulator，该工具可在浏览器上对NanoCap™ LDO的瞬态响应和稳定性进行仿真。同时ROHM还提供SPICE模型，有助于降低客户的试制成本，并使元器件用量的优化调整过程更加顺畅。　　针对车载设备、工业设备和通信基础设施等领域所使用的12V/24V级一次电源应用，输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)正获得越来越多工程师的青睐，该系列是输出电流150mA的“BD9xxN1系列”的电流扩展型号。　　该产品的输出电流提高至500mA，是以往型号的3倍以上，非常适用于需要更大电流的应用。详情请点击以下链接：　　单通道输出 低饱和稳压器 (LDO) - 产品搜索结果 | 罗姆半导体集团 - ROHM Semiconductor　　7.设计，因思维而大不同　　电源的不稳定性是从根本上动摇整个系统可靠性的重大课题。　　是依靠“堆叠电容器”来实现稳定，还是通过“控制”来创造稳定，拥有更多的选择，理应成为设计人员的优势。　　不妨在您的下一次设计中，尝试加入“NanoCap™”这个新选项吧?
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发布时间：2026-08-12 13:54 阅读量：464 继续阅读>>
报名有礼！8月27日<span style='color:red'>罗姆</span>邀您线上逛展
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报名有礼！8月27日罗姆邀您线上逛展

　　全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布将于8月26日～28日参展深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(简称PCIM Asia Shenzhen)。作为电力电子领域技术创新与发展的专业平台，该展会聚焦工业、智能运动及电动汽车等核心应用场景，集中展示前沿解决方案。　　展会期间，罗姆将同步举办展位直播，为未能到场的朋友们带来方便的看展通道。资深工程师将为您详细讲解参展产品，更有精美礼品等您领取。扫描下方二维码报名直播，干货礼品享不停!　　直播时间：2026年8月27日 10:00　　展位概览　　AI服务器展区　　针对市场快速增长的AI服务器和数据中心领域，将展出以搭载EcoGaN™电源解决方案为首、适合新一代HVDC电源架构的功率器件。此外，还将介绍面向热插拔控制器的Wide-SOA MOSFET以及MPC/SPS解决方案等各类产品。　　车载展区　　除用于xEV驱动逆变器和OBC等的SiC器件、IGBT及功率MOSFET外，还将演示搭载罗姆PMIC的车载SoC。同时，还将介绍面向ADAS和驾驶舱等车载应用的产品，助力整车系统实现小型化和高效化。　　工业设备展区　　将展出采用DOT-247-7L封装的小型SiC模块、采用TOLL封装及顶面散热封装的SiC MOSFET，以及搭载EcoGaN™ Power Stage IC的电源解决方案。此外，还将展出隔离式开关驱动器和分流电阻器等产品，助力太阳能光伏逆变器、ESS(能源存储系统)等工业设备的创新，并推动能源设备的节能。　　应用案例展区　　将通过客户应用案例和合作项目，展示功率模块、分立器件及电源解决方案的应用实例。同时，将介绍罗姆产品在电动空调压缩机、主动悬架、主驱动逆变器、工业用振动传感器、商用空调、650V GaN电源等广泛领域的应用。　　EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　更多信息请访问 www.rohm.com.cn/pcim　　注意事项　　1. 请注意，想获得以上好礼都需要关注“罗姆半导体集团”微信公众号(微信号：rohmsemi)。　　2. 每位用户仅可领取一种奖品，报名信息须真实有效。　　3. 活动最终解释权归罗姆半导体集团所有。
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发布时间：2026-08-12 13:32 阅读量：387 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>即将亮相2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会
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罗姆即将亮相2026深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会

　　中国上海，2026年8月6日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于8月26日～28日参展深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(简称PCIM Asia Shenzhen)。作为电力电子领域技术创新与发展的专业平台，该展会聚焦工业、智能运动及电动汽车等核心应用场景，集中展示前沿解决方案。　　在本次展会上，罗姆将围绕“AI服务器”、“车载”、“工业设备”和“应用案例”四大主题设置展区，集中展示其在功率半导体领域的最新技术和系统级解决方案。与此同时，展位内另设技术演讲区，围绕“AI服务器”、“汽车电子”等热点主题举办现场演讲。诚邀莅临现场，近距离体验罗姆先进的功率半导体技术!　　此外，罗姆工程师还将在大会同期举办的“AI电源应用”和“碳化硅应用”两场主题论坛上发表演讲，分享罗姆在功率半导体领域的最新成果，进一步展现其在电力电子技术创新与产业化应用方面的实力。　　【展位概览】●　AI服务器展区　　针对市场快速增长的AI服务器和数据中心领域，将展出以搭载EcoGaN™电源解决方案为首、适合新一代HVDC电源架构的功率器件。此外，还将介绍面向热插拔控制器的Wide-SOA MOSFET以及MPC/SPS解决方案等各类产品。　　●　车载展区　　除用于xEV驱动逆变器和OBC等的SiC器件、IGBT及功率MOSFET外，还将演示搭载罗姆PMIC的车载SoC。同时，还将介绍面向ADAS和驾驶舱等车载应用的产品，助力整车系统实现小型化和高效化。　　●　工业设备展区　　将展出采用DOT-247-7L封装的小型SiC模块、采用TOLL封装及顶面散热封装的SiC MOSFET，以及搭载EcoGaN™ Power Stage IC的电源解决方案。此外，还将展出隔离式开关驱动器和分流电阻器等产品，助力太阳能光伏逆变器、ESS(能源存储系统)等工业设备的创新，并推动能源设备的节能。　　●　应用案例展区　　将通过客户应用案例和合作项目，展示功率模块、分立器件及电源解决方案的应用实例。同时，将介绍罗姆产品在电动空调压缩机、主动悬架、主驱动逆变器、工业用振动传感器、商用空调、650V GaN电源等广泛领域的应用。　　EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　【展会信息】时间：2026年8月26日(周三)～28日(周五)09:30-17:00 (28日下午16：00结束)　　会场：深圳国际会展中心(宝安新馆)　　展位号：16号馆D12　　地址：深圳市宝安区福海街道展城路1号　　更多信息请访问：www.rohm.com.cn/pcim
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发布时间：2026-08-06 14:13 阅读量：474 继续阅读>>
交期拉长、涨价在即，熊本地震再添变数！AMEYA360开启<span style='color:red'>罗姆</span>“预购锁定产能”专项通道
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交期拉长、涨价在即，熊本地震再添变数！AMEYA360开启罗姆“预购锁定产能”专项通道

　　据新华社消息，当地时间7月28日16时27分(北京时间15时27分)许，日本熊本县发生7.1级地震，辖区内观测到最大震度7(日本震度分级最高等级)。日本气象厅对震中附近海域沿岸发布海啸预警，预计最大浪高可达1米。随后余震不断，日本气象厅警告未来2至3天内仍可能发生同等规模强震。　　这场地震，直接震在了全球半导体供应链的关键节点上。　　01熊本——“硅岛”心脏，半导体企业密集　　熊本县所在的九州地区素有日本“硅岛”之称，半导体产值占日本全国比重超过五成。从2021年到2024年6月，九州共有100个半导体相关投资项目，熊本一县独占52个。熊本已构建起覆盖晶圆制造、设备、材料及零部件的完整产业链。　　核心企业包括：台积电熊本合资厂(JASM，月产5.5万片12英寸晶圆，主打28至12纳米车规芯片)、索尼半导体制造SCK(全球图像传感器主要基地)、瑞萨电子(车规MCU)、三菱电机(车规IGBT及8英寸SiC功率器件)以及东京电子(全球第二大前道设备商)等。　　02强震突袭，核心工厂紧急停工　　地震发生后，多家半导体巨头紧急启动应急机制：　　台积电：熊本工厂因震度达“5强”触发疏散标准，员工疏散至室外，产线停工、复产时间未知;在建第二工厂部分暂停施工。　　瑞萨电子：熊本市川尻工厂和锦町锦工厂两处工厂已暂停生产，确认天花板面板掉落、漏水等损害。　　三菱电机：功率半导体基地——车规IGBT和8英寸SiC产线——正在评估重启生产所需校准时长。　　东京电子：熊本县内两家工厂7月29日全天停工，开展系统性安全与设备检测。　　索尼：CMOS传感器工厂紧急疏散，暂未爆出结构性损坏。　　此外，堀场制作所阿苏工厂停止运转，凸版控股暂停封装工厂运营，物流方面九州新干线停运、熊本机场航班暂停——区域物流的短暂中断可能对半导体材料运输产生连锁反应。　　03交期本已拉长，地震雪上加霜　　实际上，在地震发生之前，全球半导体供应就已经持续趋紧。　　投资机构Susquehanna数据显示，6月全球半导体行业交货时间创下本轮周期以来最大单月增幅，环比增加5天至19.4周;行业定价6月出现“最大单月涨幅”，环比扩大5%。功率分立器件领域依然紧张，功率集成电路和MOSFET交期上涨超过10天。罗姆半导体(ROHM)、瑞萨电子等企业交期大幅增加。　　功率器件方面，罗姆半导体、英飞凌、安森美等自2026年3至4月已启动首轮调价，幅度在10%上下。薄膜电阻交期已拉长至26至32周。　　地震的突发，无疑是在本就紧绷的供需关系上又加了一把力。即便按行业测算检修周期为3至7天，但半导体设备对震动极度敏感，光刻机、涂胶显影设备等精密仪器在强震下极易触发自动安全联锁，即便设备未受物理损坏，纳米级的重新校准和洁净室复检也需要漫长周期。2016年熊本地震的经验是，供给缺口2到4周就会传导到整车端。　　04LED、IGBT、MOSFET——供应风险正在积聚　　综合来看，以下品类的供应风险正在快速上升：　　LED：熊本产业链中断叠加整体交期拉长，后续缺货风险显著;　　IGBT：三菱电机功率半导体基地停工评估，车规IGBT供给首当其冲;　　MOSFET：功率集成电路和MOSFET交期本已上涨超10天，地震冲击将进一步加剧供需矛盾。　　05罗姆半导体——功率器件领域的可靠之选　　在全球功率半导体供应持续趋紧的背景下，罗姆半导体(ROHM) 作为行业领军企业，值得客户重点关注和提前布局：　　产品布局全面，覆盖关键赛道。 罗姆不仅提供以Si、SiC为材料的功率元件，还将GaN元件投入量产。其“Power Eco Family”品牌概念涵盖EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™四大产品群，全面覆盖IGBT、MOSFET、SiC功率器件等当前最紧缺的品类。罗姆是业内首家量产SiC功率元器件的公司，在SiC功率器件和模块开发方面处于领先地位。此外，罗姆在电阻业务方面绑定SiC/GaN功率器件协同配套，车规级AECQ200金属板合金电阻主攻BMS、主驱电控、ADAS等关键应用。　　产能持续扩张，保障长期供应。 罗姆在九州福冈县筑后工厂扩大SiC生产，计划引入8寸晶圆产线，并投资2892亿日元在宫崎市建设第二工厂，预计2029年产能将大幅超越现有基地。同时，罗姆加强GaN功率器件供应能力，融合台积电工艺技术在集团内部建立一体化生产体系。在熊本地区(大津町)，罗姆还拥有车规封装产线。这些扩产举措为客户的长期供应提供了坚实保障。　　交期压力之下，早下单就是早锁定。 当前罗姆等功率半导体大厂的高压MOSFET、IGBT、SiC与GaN等高阶功率元件，正迎来新一轮结构性供需失衡，部分产品交期已拉长至半年甚至一年以上。罗姆已启动首轮调价。在此背景下，提前下单罗姆产品，就是提前锁定产能、锁定价格、锁定交付。
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发布时间：2026-07-30 13:02 阅读量：826 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>上半年都推出了哪些重磅新品？
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罗姆上半年都推出了哪些重磅新品？

　　当2026年的进度条过半，全球半导体产业在AI算力爆发、智能电动汽车加速渗透，以及绿色能源转型的多元需求驱动下，正经历前所未有的技术变革。作为全球知名半导体制造商，罗姆上半年持续在功率器件、电源管理、模拟芯片等核心领域精耕细作，交出了一份覆盖多元应用场景的“期中答卷”。　　功率器件　　多维发力　　罗姆持续深耕功率器件领域。2026年上半年，公司推出多款覆盖SiC、IGBT等不同技术路径的产品，围绕性能提升与产品拓展持续发力，进一步完善产品线布局。　　01　　第5代SiC MOSFET　　该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。　　02　　业界超低损耗650V耐压IGBT　　该产品适用于车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支持车载应用的650V级产品，实现了业界超低导通损耗VCE(sat)=1.55V，同时具备出色的短路耐受能力，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101。　　03　　搭载新型SiC模块的　　三相逆变器参考设计　　此参考设计可覆盖高达300kW级的输出功率范围，支持在车载设备及工业设备等广泛的应用领域中使用SiC功率模块。　　电源管理　　从车载到工业的全面覆盖　　在电源管理领域，罗姆围绕LDO稳压器、车载电源解决方案及升降压电路等方向，推出了多款产品，覆盖不同功率等级的应用需求，进一步丰富了电源管理产品线。　　01　　输出电流500mA的LDO稳压器　　面向车载设备、工业设备、通信基础设施等所用的12V/24V系统一级电源，罗姆开发出搭载自有超稳定控制技术“Nano Cap™”、输出电流500mA的LDO稳压器IC“BD9xxN5系列”(共18款产品)。可进一步助力解决电源设计中输出电容相关的课题。　　Nano电源技术是罗姆利用多年来积累的模拟技术，为了进一步实现节能和小型化而诞生出的创新型电源技术。通过从开发到生产均在集团内部完成的一贯制生产体系，得以实现的创新型电源技术“Nano”(Nano Pulse Control™、Nano Energy™、Nano Cap™)将作为满足市场需求的电源技术为社会做出贡献。　　02　　车载SoC的具有出色扩展性的　　电源解决方案　　该电源解决方案由PMIC“BD968xx-C系列”和DrMOS“BD96340MFF-C”相结合，非常适用于ADAS(高级驾驶辅助系统)、DMS(驾驶员监控系统)和感测摄像头等车载应用的SoC。　　03　　超小安装面积的　　升降压电源电路板　　此参考板旨在实现小型电池供电设备所要求的“升降压电源最小安装面积”而设计，由“BD83070GWL”与线圈、电容器等共5个元器件组成，实现了12.87mm²(3.3×3.9mm)的超小型安装面积。　　多元产品　　丰富生态支撑广泛应用　　除上述产品外，罗姆上半年在MOSFET、模拟芯片、保护器件及无线供电等领域同样有亮眼表现，持续丰富产品矩阵。　　产品参考资料　　车载48V系统MOSFET“AG16xFNxx系列”：罗姆面向车载应用中日益普及的48V电源系统，推出80V耐压MOSFET“AG16xFNxx系列”。　　600V耐压表贴型超级结MOSFET：该产品不仅更小、更薄，还具备优异的散热性能，非常适合AI服务器、工业设备电源等需要节省空间和提高功率密度的应用。　　17款高性能运算放大器：该产品系列适用于对精度要求高的传感器信号处理、电流检测电路、电机驱动控制及电源监控系统等众多应用领域。　　支持10Gbps以上高速I/F的ESD保护二极管：该系列产品适用于需要高速数据传输的众多应用领域。　　超小型无线供电芯片组：该产品支持近场通信技术(NFC，近距离非接触式无线通信技术)，适用于智能戒指、智能手环等小型可穿戴设备以及智能笔等小型外围设备应用。　　面向未来，罗姆将继续以前沿技术为锚，以客户需求为舵，在半导体创新的航道上稳步前行。让我们一同期待，以技术创新之“芯”，共筑产业发展新高度。
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发布时间：2026-07-09 09:27 阅读量：571 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026
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罗姆将携多元解决方案亮相electronica Shanghai 2026

　　中国上海，2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于7月1日～3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时，罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位，集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案，以及丰富的应用案例。　　当前，AI算力基础设施、新能源汽车和工业智能化正在推动电子系统向更高功率密度、更高能效和更高 可靠性方向演进。尤其是在AI服务器和数据中心领域，电源架构正面临大功率、高效率和系统级优化的多重 挑战;在汽车电子领域，智能座舱、ADAS和车载高速通信对电源管理与信号传输提出了更高要求;在工业设备领域，小型化、高效率和稳定运行同样成为电源系统升级的重要方向。　　面对这些产业趋势，罗姆依托功率半导体和模拟半导体领域的技术积累，不仅提供丰富的硅功率元器 件，还持续推进SiC、GaN等宽禁带半导体产品布局，为AI服务器、汽车电子和工业设备等应用提供高效率、 高可靠性的产品支持。　　在本次electronica Shanghai 2026上，罗姆将设立AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，通过展示以下产品和解决方案，全方位呈现在半导体领域的综合技术实力。AI服务器：面向下一代数据中心电源架构提供高效支持　　下一代AI服务器的配置　　涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。　　适用于AI服务器48V电源热插拔电路的100V功率MOSFET　　采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，可满足AI服务器电源热插拔电路对可　　靠性和低损耗的要求，并已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。　　第5代SiC MOSFET　　采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下，导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV2 / 2　　牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用，计划2026年7月起提供样品。　　具备业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT　　实现业界超低开关损耗和10µsec超高短路耐受能力，助力车载电动压缩机和工业设备逆变器等应用提升效率与可靠性。车载应用：助力智能座舱与ADAS系统发展　　面向SoC的PMIC　　罗姆与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计。该参考设计配备罗姆的PMIC，符合ISO 26262及　　ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定、高效的电源管理支持。　　用于汽车多屏显示器的SerDes IC　　支持成对双向高速长距离通信，适用于车载信息娱乐系统和ADAS的高速通信需求。　　搭载SiC模块的三相逆变器参考设计　　覆盖5kW～100kW输出功率，提供完整设计数据，可大幅缩减实际设备评估周期。工业设备：以GaN与AC/DC转换器推动高效电源升级　　650V 耐压GaN HEMT　　罗姆的EcoGaN™系列产品——650V耐压GaN HEMT，已被应用于AI服务器电源等领域，推动工业设 备更广泛领域的电源小型化和效率提升。　　AC/DC用PWM方式DC/DC转换器　　面向各类带AC输入接口的工业设备提供可靠的电源解决方案，支持绝缘/非绝缘设计，可帮助客户轻松实现低功耗、高效率、低EMI的电源设计。　　此外，罗姆还将设立应用案例展区，集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化的方案演示，让观众更直观地了解罗姆技术从器件到系统的落地价值。　　【展会信息】　　时 间 ：2026年7月1日(周三)～3日(周五)09:00～17:00 (3日观众开放时间截止到16：00)　　会 场 ：上海新国际博览中心N4馆　　展位号： N4馆500号　　地 址 ：上海市浦东新区龙阳路2345号　　<关于electronica Shanghai 2026(慕尼黑上海电子展)>　　慕尼黑上海电子展是电子行业重要盛会。走过了20个年头，展会已成为带领未来电子科技的创新平台。慕尼黑上海电子展将呈现更为丰富的展示形式和多样化的行业主题，引入更多垂直领域的应用技术解决方案，聚焦新能源汽车、智能汽车、绿色能源、智能工厂、物联网+、智能可穿戴、工业互联网、无线通信、数据中心、智能家居等行业热点。同时也为观众与展商提供了技术交流的专业平台，共同见证全球电子产业发展趋势。
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发布时间：2026-06-18 14:38 阅读量：841 继续阅读>>
方案速览 | <span style='color:red'>罗姆</span>助力多个应用场景性能升级
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方案速览 | 罗姆助力多个应用场景性能升级

　　随着汽车领域车载系统的迭代升级以及工业设备中机器人技术等对感测精度的要求不断提升，市场对能够精确处理微小电压信号的运算放大器需求正快速增长，这就要求运算放大器具备输入失调电压、噪声、压摆率等主要特性的均衡表现。同时在边缘计算领域，各类设备对基于AI技术的状态监控和劣化预测功能的需求不断增长。另外在电机驱动应用中，三相电机驱动器长期面临“抑制功耗”与“降低噪声”此消彼长的权衡难题。　　针对这些需求，罗姆不断推出相应产品及解决方案，为不同场景应用提供支持。本文为各位工程师整理了罗姆近期推出的相关产品，方便您查看。　　1.高性能运算放大器　　罗姆的TLRx728系列与BD728x系列共17款高性能CMOS运算放大器。该产品系列适用于车载设备、工业设备及消费电子设备等众多领域。出色地兼顾了低输入失调电压、低噪声及高压摆率，通过丰富的产品阵容可为用户提供便捷的选型体验。另外，该产品支持轨到轨输入输出，能够充分利用电源电压范围，因此可确保更宽的动态范围。　　当这些经过精密放大的高质量模拟信号被采集后，下一个关键问题是如何在本地对其进行实时分析与决策，尤其是在网络受限或需要低延迟响应的场景中。这正是边缘AI技术发挥核心价值的地方。　　2.完全独立型AI解决方案“Solist-AI™”　　该方案主要由配备罗姆自有AI处理专用硬件加速器“AxlCORE-ODL”的Solist-AI™微控制器，以及支持系统引入的专用实用软件构成，具有“独立AI工作”、“设备端学习和增量训练”以及“同时执行AI以外的处理”的特点。　　当边缘AI做出决策后，需要驱动执行模块来响应。在各类执行机构中，电机是最常见且能耗最高的部件之一。接下来要考虑的是，如何让电机在响应指令的同时，兼顾高效与低噪，成为整个链路中不可忽视的关键环节。　　3.三相无刷直流电机驱动器IC　　适用于中等耐压系统(12V～48V系统)的三相无刷直流电机驱动器IC“BD67871MWV-Z”。该产品采用罗姆自有的智能栅极驱动技术“TriC3™”，能够高速感测来自FET的电压信息，并实时进行栅极控制。　　采用这种控制方式，不仅通过降低开关时的FET功耗减少了发热量，同时还抑制了振铃的产生，实现了低EMI特性。经实际电机验证，与罗姆以往的恒流驱动产品相比，该产品在同等EMI水平下的FET发热量可降低约35%。另外，该产品采用的是中等耐压工业设备电机驱动器IC常用的封装形式(UQFN28)和引脚排列，有助于减轻电路修改和新设计时的工作量。
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发布时间：2026-06-11 10:13 阅读量：764 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~
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罗姆参展PCIM Europe 2026 ~推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展~

　　中国上海，2026年6月2日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将参展2026年PCIM欧洲展览会暨研讨会(PCIM Expo & Conference 2026)。该展会是全球电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会，将于2026年6月9日至11日在德国纽伦堡举办。　　今年，罗姆诚邀各位来宾莅临9号展厅的318号展位——与去年位于同一展厅，但位置不同。今年的展台设计焕然一新，展现出罗姆作为先进功率半导体供应商持续精进的发展态势。　　在2026年的PCIM欧洲展览会上，罗姆将展示其前沿功率半导体技术如何助力汽车、工业及基础设施应用提高效率、实现系统小型化并降低能量损耗。　　展位概览●　汽车电气化解决方案　　展示内容涵盖牵引逆变器、车载充电器、电池断路装置、电动汽车热管理系统以及面向下一代汽车的嵌入式技术。　　●　面向工业应用的高效电源技术　　展示适用于可再生能源系统、AI服务器、数据中心及工业电源领域的SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)解决方案。　　●　面向广泛应用的功率模块和元器件组合　　展示通过全球合作开发出的功率模块、分立器件及功率转换拓扑结构。　　更多信息请访问：www.rohm.com/pcim
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发布时间：2026-06-03 10:41 阅读量：1158 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
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罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元

　　中国上海，2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。　　随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相关产品正在加速采用旨在降低输电损耗的HVDC架构。在这种大功率、高电压环境中，为了在停电或瞬停等异常情况下保护系统及海量数据，以服务器机架为单位进行电力补偿的BBU和CU(电容单元)的作用变得越来越重要。　　此次被采用的产品是750V耐压的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服务器用±400V供电架构的电源单元中。该产品可充分发挥SiC的特性，具备最高结温(Tj)达175°C的优异耐高温性能，即使在因电压和功率密度日益提升而导致发热量增加的BBU中也能稳定工作。　　另外，在下一代800VDC供电架构中，由于供给BBU内部电池组的电源电压约为560V，因此同样可以使用750V耐压的罗姆 SiC MOSFET。　　下一代AI服务器的HVDC电源所需的备份系统，要能够在发生异常时，以瞬时响应且低损耗的方式控制高电压和大电流。针对这样严苛的要求，兼具高耐压、低损耗、耐高温特性的SiC功率器件，作为电力控制核心的关键器件备受期待。　　罗姆今后将继续着眼于AI服务器及数据中心市场的发展，不断加强采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的开发与供应。同时，通过提供与模拟IC等产品相组合的综合解决方案，为提高电力效率和实现可持续发展的社会贡献力量。　　<关于“EcoSiC™”品牌>EcoSiC™是采用了因性能优于硅(Si)而在功率元器件领域备受关注的碳化硅(SiC)的元器件品牌。从晶圆生产到制造工艺、封装和品质管理方法，罗姆一直在自主开发SiC产品升级所必需的技术。另外，罗姆在制造过程中采用的是一贯制生产体系，目前已经确立了SiC领域先进企业的地位。　　EcoSiC™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　<相关信息>罗姆已在官网上公开了SiC功率器件的概要、便于按条件选型的“简易搜索”功能，以及支持评估和引入的各种设计模型。技术资料及本文相关资料参见下方链接：　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和电路设计的注意点　　・应用笔记：第4代SiC MOSFET使用时的应用优势　　・白皮书：ROHM面向AI服务器的800VDC架构解决方案　　・访谈文章：数据中心的电力问题日益严重——Delta与ROHM倾力打造HVDC的原因
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发布时间：2026-05-28 09:23 阅读量：991 继续阅读>>
<span style='color:red'>罗姆</span>课堂 | 阻抗测量：方式选择和精度提升要点
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罗姆课堂 | 阻抗测量：方式选择和精度提升要点

　　在电路设计中，阻抗测量之所以非常重要，是因为它能够准确掌握交流信号下的复阻抗特性(Impedance: Z)。例如，在数GHz频段下，若天线阻抗发生偏移，将导致通信质量显著下降，并造成非预期的噪声和损耗。在实际应用场景中，虽然需要借助LCR测试仪、阻抗分析仪、VNA(矢量网络分析仪)等测量仪器进行准确测量，但若对测量和分析流程的理解不够充分，则难以发挥预期性能。本指南将从阻抗测量的方式选择和使用方法到精度提升方法，介绍高效率的阻抗测量。　　01 阻抗测量的原因和意义　　在电路性能未达设计预期时，准确识别元器件的实际特性对于锁定原因而言非常重要。仅依据规格书参数进行设计，会忽略频率特性和温度变化等因素导致的波动，从而引发非预期工作。这就要求通过阻抗测量来量化波动因素，从而提高设计精度。　　实测值与规格值存在差异的原因：寄生分量和频率特性　　产品规格书中列出的数值，通常是在1kHz和120Hz等标准测试条件下测得的值。若实际应用设备的工作频段、信号电平、直流偏置、温度及安装条件与其存在差异，实测结果将系统性偏离理想模型。要想预见差异并进行调整，需以理想元件的特性为出发点，了解现实中元器件的寄生分量和频率响应特性，下面以三种元件为例进行说明。　　影响测量结果的因素　　本节将重点关注元件固有的因素(电容和电感的频率、直流偏置、交流电平、温度)，并梳理导致测量结果变化的主要因素。有关因夹具和测量相关因素(校准、布线、周围环境)导致的误差，请参阅“测量步骤和测量环境”章节。　　02 阻抗测量的步骤和解读方法　　要想进行准确的元器件评估和电路性能预测，就需要掌握测量步骤和数据解读方法。如果测量值的判定标准模糊不清，就无法获得预期的性能。下面通过典型的电子元器件测量实例，详细介绍技术和数据的解读方法。　　自谐振的发现方法和解读　　在自谐振频率下，容抗与感抗相等，相位跨越0°。阻抗模值|Z|根据元件取极值：电容器为极小值，电感器为极大值。在实际应用中，通常通过频率扫描来确认|Z|的极值(极小值/极大值)与相位0°在同一频率处重合，并将该频率定义为“SRF”。电容器超过SRF后会呈现感性，而电感器超过SRF后则会呈现容性。　　测量前的校准步骤：开路、短路、负载补偿以及夹具管理　　通过矢量网络分析仪等进行单端口(1-port)校准时，需使用开路(Open)、短路(Short)、负载(Load)三种标准件，并将它们分别定义为理想元件叠加实际寄生分量后的模型。
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发布时间：2026-05-21 09:19 阅读量：883 继续阅读>>

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