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电源<span style='color:red'>芯片</span>或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

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电源芯片或MOSFET严重发烫可能是什么原因？如何解决

　　在电子设备中，电源芯片和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为关键元件，起着调节电压、电流和功率管理的重要作用。然而，当电源芯片或MOSFET出现严重发烫时，可能会引起设备故障、降低性能甚至造成损坏。本文将探讨电源芯片或MOSFET严重发烫的可能原因，并提供解决方法。　　1. 原因分析　　1.1 高负载工作　　原因：过大的电流负载可能导致电源芯片或MOSFET处于超负荷工作状态，加剧其内部损耗，进而引起发热问题。　　解决方法：优化设计，确保合理匹配负载和芯片功率，减少负载电流，避免超负荷运行。　　1.2 过电压或过电流　　原因：过电压或过电流情况下，电源芯片或MOSFET容易受到损害，产生异常发热。　　解决方法：添加保护电路，如过电压保护、过电流保护等，及时切断电路以保护元件免受损伤。　　1.3 散热不良　　原因：不良的散热设计或散热器失效可能导致电源芯片或MOSFET无法有效散热，从而产生过热现象。　　解决方法：改进散热设计，增加散热面积、使用更高效的散热器或风扇，确保元件能够有效散热。　　1.4 环境温度过高　　原因：工作环境温度过高会影响元件的散热效果，使电源芯片或MOSFET更容易发热。　　解决方法：优化设备安装位置、通风条件，降低工作环境温度，提高散热效率。　　1.5 质量问题或老化　　原因：电源芯片或MOSFET本身质量问题或长期使用导致老化也可能引起发热异常。　　解决方法：定期检查维护电路元件，避免使用劣质元件，及时更换老化严重的电源芯片或MOSFET。　　2. 解决方案　　2.1 合理设计　　根据实际需求选择符合要求的电源芯片或MOSFET。　　合理布局电路板，减少热量堆积区域，优化电路连接方式。　　2.2 添加保护电路　　安装过电压保护、过电流保护等保护电路，预防突发情况给电源芯片或MOSFET带来损害。　　2.3 改善散热　　使用高导热材料，如铜制散热片或热管，提高散热效率。　　添加风扇或风道，增加空气流通量，帮助散热。　　2.4 优化工作环境　　控制工作环境温度，避免高温环境下长时间运行。　　确保设备安装位置通风良好，不受阻碍。　　2.5 定期检查和维护　　定期检查电源芯片或MOSFET是否正常工作，有无明显损伤或老化迹象。　　及时更换质量问题或老化严重的元件，确保设备正常运行。　　电源芯片或MOSFET严重发烫可能会对设备稳定性和寿命造成影响，通过合理设计、添加保护电路、改善散热、优化工作环境以及定期检查维护，可以有效预防和解决电源芯片或MOSFET发热问题，确保设备运行稳定可靠。

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电源芯片

发布时间：2025-12-18 15:31 阅读量：199 继续阅读>>

士兰微12英寸<span style='color:red'>芯片</span>生产线项目迎来最新进展

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士兰微12英寸芯片生产线项目迎来最新进展

　　12月17日，士兰微(600460.SH)发布公告称，公司与厦门方面合作的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目已获厦门市备案，标志着该项目正式进入落地实施阶段。　　该项目一期投资100亿元，其中资本金60.10亿元，项目由合资公司厦门士兰集华微电子有限公司实施，目标建成月产能2万片。　　对外投资概述　　杭州士兰微电子股份有限公司于2025年10月18日与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目战略合作协议》。同时，为落实前述《战略合作协议》，公司、公司全资子公司厦门士兰微电子有限公司与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司签署了《12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目之投资合作协议》。　　根据《战略合作协议》和《投资合作协议》，各方合作在厦门市海沧区合资经营项目公司“厦门士兰集华微电子有限公司(以下简称“士兰集华”)”，作为“12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目”的实施主体，建设一条12英寸集成电路芯片制造生产线，产品定位为高端模拟集成电路芯片。一期项目投资100亿元，其中资本金60.10亿元，建成后形成月产能2万片。　　此前10月18日，厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府与士兰微电子股份有限公司正式签署战略合作协议，决定在海沧投资建设一条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线，项目规划总投资达200亿元。　　根据士兰微的公告，该项目由公司联合全资子公司厦门士兰微，与厦门半导体投资集团、厦门新翼科技实业共同向子公司士兰集华增资51亿元，作为项目实施主体。项目计划分两期建设，一期投资100亿元，主要用于建设主体厂房、配套库房等设施，计划于2025年年底前开工建设，2027年四季度初步通线并投产，2030年达产，届时将形成月产能2万片的规模。二期项目规划投资100亿元，在一期基础上通过购置工艺设备及配套实施，建成后新增月产能2.5万片，达产后两期将合计实现月产能4.5万片，对应年产量54万片。　　据悉，这条12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线将对标国际领先水平，采用半导体设计与制造一体化(IDM)模式运营，拥有完全自主知识产权。其产品主要面向汽车电子、工业控制、新能源、通信等高端应用领域，有望填补国内汽车、工业、大型服务器、机器人、通讯等产业领域关键芯片的空白。

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士兰微

发布时间：2025-12-18 14:44 阅读量：216 继续阅读>>

保险丝熔断或<span style='color:red'>芯片</span>烧毁，通常是什么原因导致的？如何检查

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保险丝熔断或芯片烧毁，通常是什么原因导致的？如何检查

　　在电子设备中，保险丝熔断或芯片烧毁是常见的故障现象，可能会导致设备无法正常工作甚至损坏其他部件。本文将探讨保险丝熔断或芯片烧毁的原因以及如何通过检查来准确定位问题，为电子设备维修提供指导。　　1. 保险丝熔断或芯片烧毁的原因　　1.1 保险丝熔断　　过载电流：当电路中的电流超出保险丝额定电流容量时，保险丝将熔断以保护电路和设备。　　短路故障：电路中的短路故障会导致大电流瞬间流过保险丝，引发保险丝熔断。　　1.2 芯片烧毁　　过热：长时间工作或环境温度过高可能导致芯片内部温度升高，进而造成芯片烧毁。　　电压突变：电路中的电压波动或过高电压可能会对芯片产生不利影响，引发芯片烧毁。　　2. 如何检查保险丝熔断或芯片烧毁问题?　　2.1 视觉检查　　保险丝：检查保险丝是否断裂或熔化，确认是否熔断。　　芯片：观察芯片表面是否有明显烧焦、黑化等迹象，判断是否烧毁。　　2.2 测试仪器使用　　万用表：使用万用表测量保险丝的电阻值，若显示无限阻抗则表示熔断，需要更换。　　红外热成像仪：通过红外热成像仪检测芯片周围温度异常，判断是否存在过热情况。　　2.3 电路分析　　追踪电路：通过电路图追踪信号路径，检查可能引起故障的元器件或连接处。　　排除故障源：逐步排除可能导致保险丝熔断或芯片烧毁的故障源，例如短路、过载等问题。　　2.4 温度监测　　温度计：在设备运行期间使用温度计监测芯片周围温度，避免过热情况发生。　　保险丝熔断或芯片烧毁是电子设备常见的故障现象，通常由于过载、短路、过热或电压波动等因素引起。通过视觉检查、测试仪器使用、电路分析和温度监测等手段，可以快速准确地定位问题所在，进行有效维修和调试。维修人员应注意安全操作，根据具体故障情况采取相应处理措施，保证设备正常运行，并提高设备的稳定性和可靠性。

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保险丝

发布时间：2025-12-18 14:24 阅读量：197 继续阅读>>

江苏润石科技：16位八通道、250kSPS AD转换<span style='color:red'>芯片</span>RS1438

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江苏润石科技：16位八通道、250kSPS AD转换芯片RS1438

　　RS1438是一款16位的八通道AD转换芯片，采用PulSAR架构设计，单端输入或者伪差分输入(对GND)，最高支持250kSPS的转换速率。　　RS1438为非同步采样，内部采用高速选择开关选通输入通道，并内置有2.5V/4.096V低温漂基准源，工作电压支持2.3V至5.5V，提供兼容SPI、Mircowire、QSPI和DSP的串行通信接口，在工业现场数据采集、各种仪器仪表测量设备\分析设备上有着广泛的应用。　　RS1438是在AD7689的参数基础上，基于现有工艺条件、尽可能实现相当的参数指标，并对部分参数做了优化，以使其能满足更多的应用场景。　　其主要参数特性如下：　　Ø 16位/无丢码　　Ø 8通道输入，可配置为单端、差分(对GND)、伪双极输入　　Ø 转换速率最高250kSPS　　Ø INL：±1.5LSB(Typ) / ±3LSB(Max)　　Ø DNL：±0.4LSB(Typ)　　Ø 动态范围91.5dB　　Ø 模拟信号输入范围0V~VREF　　Ø 支持多种基准源　　内置2.5V、4.096V基准源　　外接缓冲(REFIN)电压最高可以到4.096V　　外接基准源电压最高可以到VDD　　Ø 集成温度传感器　　Ø 通道序列器，可选单端滤波，繁忙指示　　Ø 无流水延迟，SAR架构　　Ø 单电源2.3V~5.5V工作电压，逻辑接口支持1.8V~5.5V　　Ø 兼容SPI、MICROWIRE、QSPI和DSP的串行接口　　Ø 低功耗：　　3.5mW at 2.5V/200kSPS　　14.6mW at 5V/250kSPS　　Ø 扩展级工业温度范围：-40°C ~ 125°C。　　随着RS1438系列ADC的推出，润石科技SAR架构的ADC已量产6颗，涵盖了12bit、14bit和16bit，进一步丰富了ADC产品线，从而为用户提供更为全面方便的选择。RS1438封装和管脚定义　　RS1438提供QFN4X4-20封装，管脚定义和软件时序完全兼容AD7689，欢迎各界工程师朋友索样品鉴评测。

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润石

发布时间：2025-12-18 11:42 阅读量：209 继续阅读>>

纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样<span style='color:red'>芯片</span>

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纳芯微推出NSI1611系列隔离电压采样芯片

　　纳芯微今日宣布正式推出全新一代隔离电压采样芯片NSI1611系列。作为纳芯微经典产品NSI1311系列的全面升级，NSI1611系列基于其领先的电容隔离技术，在性能与适配性上实现双重突破。　　其核心创新在于支持0~4V宽压输入的同时，能够保持1Gohm的高阻输入，可显著提升电压采样的精度与抗干扰能力;同时部分料号亦兼容传统0~2V输入，为客户提供更灵活的器件选择。　　NSI1611系列包含差分输出的NSI1611D和单端输出的NSI1611S。其中，差分输出均为固定增益，单端输出则提供固定增益和可调比例增益两类选项，进一步满足不同系统架构与设计需求。　　在新能源汽车与工业自动化领域，对高压系统采样提出了“高精度、高灵活度”的严苛要求，隔离电压采样芯片的性能迭代与场景适配能力已成为行业竞争关键。全新NSI1611系列通过创新的宽压+高阻输入与灵活输出配置两大特点，能够同时支持新项目设计与存量平台升级，为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机(OBC)等汽车应用，以及伺服、变频器、电机驱动等工业应用带来更优的器件选择。　　创新宽压+高阻输入　　精度抗扰双重提升　　以新能源汽车主驱系统为例，随着其母线电压进一步提升至800V，以及SiC/GaN器件的应用，控制系统对电压采样的精度及抗干扰能力有了更高的要求。　　市面上多数隔离电压采样芯片的输入范围为0~2V，而NSI1611创新性地在保持1Gohm高阻输入的同时，将其拓展至0~4V，突破前代及行业同类产品的输入范围限制，带来精度和抗干扰的双重升级，在适配更高母线电压的同时，降低了设计复杂度和开发周期。　　抗干扰能力增强：NSI1611采用宽压输入时，参考地的噪声对输入信号的干扰比例直接减半。结合NSI1611内部的电路优化，其芯片EOS能力大幅提升，且EMI可通过CISPR 25 Class 5等级测试，CMTI高达150kV/μs。在新能源汽车主驱、工业变频器等高开关频率的复杂电磁环境中，宽压输入能够保证采样信号更纯净，大大提升了系统运行的稳定性，降低终端应用的失效风险。　　采样精度再升级：0~4V的宽压输入范围可扩大分压比，结合优化的信号调理设计，在保持高阻输入的同时显著降低输入误差，让测量数据更接近真实电压值，为系统的精准控制提供可靠数据;在采样误差测试中，相比前代产品NSI1311系列，NSI1611系列凭借更宽的输入范围在系统的低压区域取得了较大的精度优势，在满量程800V母线电压系统中，当输入电压100V时，NSI1611的采样误差相比NSI1311降低超30%，误差低于1.2%。　　NSI1611和NSI1311的采样误差随输入电压变化曲线　　单端/差分输出灵活选择　　简化设计更高效　　凭借深刻的系统级理解，NSI1611系列基于前代产品的应用痛点，全新加入单端输出版本，并且提供“固定增益/比例增益”双版本选择，适配多元化的系统配置需求，可帮助客户简化选型和设计：　　简化设计、降低BOM成本：NSI1611的单端输出信号可直接接入MCU的ADC接口，彻底省去了传统差分输出方案所必需的后级运放及调理电路，不仅直接降低了BOM成本，还简化了PCB布局与器件选型复杂度，为紧凑型和高功率密度应用提供了更优的解决方案。　　增益自适应适配多元需求：比例增益版本(NSI1611S33/NSI1611S50)可通过REFIN引脚进行配置，使输出增益匹配后端ADC的满量程输入范围，最大化利用ADC的动态范围，提升了整体信号链的有效位数与采样精度，进一步满足多元化的高精度测量需求。　　同时，NSI1611系列亦保留差分输出版本NSI1611D02，与纳芯微NSI1311完全引脚兼容，客户无需修改PCB即可实现无缝升级或跨品牌替换，显著降低迁移成本。　　多项参数优化　　性能全面升级　　随着系统功率密度的提升，对器件耐压能力、采样精度、EMI性能等提出了更高的要求。NSI1611针对相关关键参数进行了优化，在全面升级器件可靠性和性能的同时，亦优化了器件成本，为客户提供“性能-成本-可靠性”兼得的选择。　　车规级可靠性保障：NSI1611系列的车规版本满足AEC-Q100 Grade 1要求，工作温度覆盖-40℃~125℃，隔离耐压高达5700Vrms，最大浪涌隔离耐压Viosm达10kV，适配汽车高温高压严苛环境，可在极端场景下确保隔离的可靠性。　　精度参数全面进阶：NSI1611系列的输入偏置电压Vos(Offset Voltage)指标优化至±0.8mV，相较于前代NSI1311同规格产品的±1.5mV，精度表现实现巨大提升;此外，增益温漂(Gain Drift)从前代的45ppm/℃优化至40ppm/℃，全温区精度稳定性进一步提升;非线性误差、温漂(Offset Drift)维持在行业优异水平，有效加快了系统开发的标定流程;同时，NSI1611系列的采样带宽达到330kHz，适配SiC和GaN等新一代高频开关器件控制，满足高动态响应需求。　　功耗优化更节能：相比前代产品，NSI1611系列功耗表现进一步优化，助力终端产品降低能耗。对比前代，NSI1611的Idd1由11.4mA降低至7.2mA，Idd2由6.3mA降低至4.7mA(均为典型值Typ.)，NSI1611系列的整体综合功耗下降约33%，可助力客户打造更节能的汽车电子系统，提高新能源汽车的续航里程。　　EMI表现更优异：NSI1611基于时钟信号隔离通道复用技术，大幅优化了EMI表现。在200MHz到1000MHz频段的EMI测试中，NSI1611的辐射发射(RE)指标在水平方向和垂直方向均保持10dB以上裕度(3dB～6dB裕度即可满足工程需求)，可轻松通过CISPR 25 Class 5认证。面对汽车主驱、OBC等复杂电磁环境，可以减小对系统其他部件的电磁干扰，有效减少系统电磁兼容整改工作量，加快产品上市进度。　　封装和选型　　NSI1611系列选型表　　丰富的“隔离+”产品　　满足多元化应用需求　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列 “隔离+”产品。纳芯微正以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。

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纳芯微

发布时间：2025-12-17 16:06 阅读量：290 继续阅读>>

芯动神州推出射频收发器<span style='color:red'>芯片</span> TRX9361，全面兼容，高性能无线通信新选择

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芯动神州推出射频收发器芯片 TRX9361，全面兼容，高性能无线通信新选择

　　在万物互联、智能化浪潮席卷全球的时代，射频通信作为信息传输的核心技术，正在不断突破性能极限。芯动神州重磅推出新一代高性能射频收发芯片——TRX9361。该芯片与ADI的AD9361实现Pin-to-Pin兼容，为通信系统提供更灵活、高效、可控的国产化替代解决方案。　　TRX9361核心特性　　•PintoPin兼容AD9361：TRX9361在硬件封装与引脚定义上与AD9361完全兼容，支持直接替换，帮助客户在不修改PCB设计的情况下实现国产化替代。　　•宽频带覆盖：支持70MHz至6.0GHz的超宽频带，适配全球主流通信频段，满足4G/5G、工业、卫星、无人机等多样场景的部署需求。　　•灵活带宽配置：可支持200kHz至56MHz的通道带宽配置，适应不同制式协议(如LTE、WiFi、LoRa、NB-IoT)与多种应用场景下的传输需求。　　•双通道同步收发结构：内部集成两路完全同步的Tx/Rx通道，支持MIMO架构和多载波聚合，实现大吞吐量与高可靠性传输。　　•高动态范围与优异的噪声性能：具备出色的线性度与接收灵敏度，有效抵御信道干扰与信号衰减，保障通信质量与系统稳定性。　　•数字处理集成：内建高速模数/数模转换器、可编程滤波器、增益控制模块，简化系统设计流程，加快产品上市周期。　　•可编程时钟与低功耗优化：支持片内时钟合成与灵活功耗配置，满足便携设备、远程终端等场合对功耗的严苛要求。　　TRX9361典型应用领域　　•5G/4G小基站与中继系统：提供完整的物理层射频收发支持，适配低成本、高性能的小基站部署、FDD/TDD模式切换以及上/下行分集等场景。　　•软件定义无线电(SDR)平台：具备高度灵活的参数配置能力，是科研、高校、军工单位进行协议仿真、波形研究、系统开发的理想硬件平台。　　•工业无线控制与远程操控系统：在高干扰、高负载的工业场景中，实现稳定低延迟通信，广泛应用于智能工厂、远程机械控制、AGV等系统。　　•无人机通信与卫星遥感链路：支持远距离、低功耗、高速图像传输，适用于无人机遥控/图传链路、小型卫星地面终端等场合。　　•物联网与智能边缘网关：支持多制式、多频段的无线连接能力，满足智能水表、城市感知终端、环境监控等泛在连接需求。　　•高清视频传输链路：TRX9361可实现1080P及4K视频的无线低延迟传输，适用于远程医疗、安防监控、直播回传、无人机图传等带宽敏感型场景。　　•点对点通信与卫星回传：在微波回传及卫星通信中，TRX9361通过高线性度发射器(EVM≤–40dB)和低噪声接收器(NF<2.5dB)确保远距离、低误码的可靠链路。　　•广播与测试测量：在ADS-B系统或无线电测试平台中，可模拟多目标RF信号进行航空雷达交织验证，亦可作为广播中继器实现FM信号(87–108MHz)的接收、调制与再发射。　　国产化创新价值与优势，安全可控。　　•国产化自主可控：在供应链风险日益突出的背景下，TRX9361以高稳定性、高一致性为系统提供核心保障，强化安全可控。　　•快速部署与生态兼容：完全兼容AD9361的系统设计，可快速替换部署，同时支持现有驱动与SDK接入，降低迁移成本。　　•系统级可靠性设计：TRX9361经过多项电磁兼容性测试、高低温循环测试、振动冲击测试，保障工业级、车规级稳定运行。　　•定制化与本地技术支持：芯动神州提供本地技术支持，助力客户快速部署与调优，确保产品快速落地。　　高性能射频收发芯片市场趋势与发展机遇　　06随着新基建、车联网、工业互联网、低轨卫星通信、智慧城市等新兴场景对无线通信的依赖加深，对射频芯片的性能、灵活性、国产化率提出了更高要求。　　TRX9361凭借其高度集成、灵活配置与本土支持能力，正成为未来多场景无线通信解决方案的关键器件之一。　　TRX9361，不仅是一款兼容AD9361的替代芯片，更是芯动神州对射频通信核心技术的全面掌握与创新体现。我们相信，在智能化、无线化深入融合的新时代，TRX9361将助力更多企业打造更强竞争力的无线通信系统，共同迈向“国产替代”的全新高度。

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芯动神州

发布时间：2025-12-17 14:20 阅读量：210 继续阅读>>

纳芯微“隔离+”再获权威认可｜两款车规<span style='color:red'>芯片</span>斩获中国汽车<span style='color:red'>芯片</span>创新成果奖

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纳芯微“隔离+”再获权威认可｜两款车规芯片斩获中国汽车芯片创新成果奖

　　在中国汽车工业协会发布的2025中国汽车芯片创新成果奖中，纳芯微两款车规级产品成功入选，以核心技术持续赋能汽车电动化、智能化发展。　　NSI6602B-Q1|隔离式双通道栅极驱动器　　面向 SiC / 高频 MOSFET 驱动应用，为高速、高压环境提供高效、精准且高鲁棒性的驱动性能。　　5.7kVrms 隔离能力、±100 kV/µs CMTI　　4A/6A 输出、25 ns 延迟、6 ns 脉宽失真　　可编程死区时间，轻松适配多类功率架构　　NSI1311-Q1|隔离电压采样放大器　　专为高压平台的精确监测设计，支持快速、稳定、长期可靠的隔离采样。　　5kVrms 耐压、150 kV/µs CMTI　　0.02V–2V 输入、固定增益 1、全温域高精度　　400 kHz 带宽、82 dB SNR　　纳芯微“隔离+”系列产品在成熟电容隔离技术的基础上，构建包含隔离驱动、隔离采样、隔离接口、隔离电源、数字隔离器的全生态产品矩阵，通过更高的系统安全裕度与更完善的一站式产品生态，为客户在电动汽车、光储充和服务器电源等核心应用中实现更可靠、更高效的系统体验。

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纳芯微

发布时间：2025-12-16 14:07 阅读量：252 继续阅读>>

富瀚微发布FH8662V100: 智能高清网络摄像机SoC<span style='color:red'>芯片</span>

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富瀚微发布FH8662V100: 智能高清网络摄像机SoC芯片

　　富瀚微FH8662V100是一颗具备专业安防图像品质智能网络摄像机处理器Soc芯片。集成0.5TOPS算力的轻智能神经网络处理引擎，满足摄像机人车检测，宠物检测等大多数AI智能要求;集成高性能的ISP图像处理模块和视频编码器，具备优异的图像处理能力和编码能力。支持2个Mipi接口输入，满足双目产品开发要求。

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富瀚微

发布时间：2025-12-15 15:31 阅读量：235 继续阅读>>

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富瀚微发布FH8856V500: 4K智能高清AI ISP网络摄像机SOC芯片

　　富瀚微FH8856V500是面向网络摄像机应用的高性能H.264/H.265智能AI降噪SoC芯片。该系列芯片支持4K图像输入，内置1Tops智能引擎，具备卓越的图像处理能力、高品质编码性能及智能处理功能;同时支持AI ISP 技术，可提供优异的夜视图像处理效果，适用于4MP/6MP/8MP规格的智能IPC应用方案。此外，其配备应用所需的完备外设接口，如USB、SDIO及Ethernet PHY等，满足多种网络摄像机产品应用需求。

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富瀚微

发布时间：2025-12-15 15:29 阅读量：250 继续阅读>>

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富瀚微发布FH8857V500: 4K智能高清AI ISP网络摄像机SOC芯片

　　富瀚微FH8857V500是面向网络摄像机应用的高性能H.264/H.265智能AI降噪SoC芯片。该系列芯片支持4K图像输入，内置1Tops智能引擎，具备卓越的图像处理能力、高品质编码性能及智能处理功能;同时支持AI ISP 技术，可提供优异的夜视图像处理效果，适用于4MP/6MP/8MP规格的智能IPC应用方案。此外，其配备应用所需的完备外设接口，如USB、SDIO及Ethernet PHY等，满足多种网络摄像机产品应用需求。

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富瀚微

发布时间：2025-12-09 16:17 阅读量：294 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
BP3621	ROHM Semiconductor
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ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR	Texas Instruments
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