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6.68 亿颗！纳芯微汽车<span style='color:red'>芯片</span>出货创里程碑，赋能汽车照明新变革

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6.68 亿颗！纳芯微汽车芯片出货创里程碑，赋能汽车照明新变革

　　汽车照明与智能表面技术趋势与市场需求　　随着产业竞争重心从电动化向智能化转移，汽车产业发展进入“下半场”——2024 年下半年起，汽车行业正加速迈向智能化、自主化转型。这一趋势对汽车座舱领域提出全新技术需求，尤其在照明场景与智能表面技术的智能化、交互化应用方面，已呈现三大显著特征。这一趋势为汽车座舱领域提出了全新的技术需求，特别是在照明场景和智能表面技术的智能化与交互化应用方面呈现出三大显著特征。　　首先，智能化与交互化在重塑人车互动模式。传统机械按键正快速被触控、语音、手势等多模态交互方式所取代，显著提升了用户体验。现代多模态交互系统能够实现更自然、便捷的人机互动，如语音控制导航、手势调节音量等功能，充分满足了用户多样化需求。这种交互方式的升级不仅提高了操作便利性，更赋予了座舱更强的科技感和未来感。　　其次，轻量化与集成化需求日益凸显。最新的智能表面技术可将部件数量减少90%，PCB面积降低25%，有效减轻车身重量并提升能效。这种集成化设计使汽车内部结构更加紧凑，为中控台等区域集成更多功能模块创造了条件，同时也为车内空间优化提供了新的可能性。这种技术演进不仅响应了节能减排的行业要求，也满足了消费者对更大车内空间的期待。　　第三，个性化与场景化体验持续升级。内饰氛围灯正从单一色温向RGB动态光效演进，外饰灯则支持ADB、流水动画等高级功能。这些创新能够根据不同驾驶场景和用户偏好进行智能调整，例如在夜间行驶时自动切换为柔和光效，既提升了行车安全，又增强了科技感和仪式感。这种动态化的照明方案也正在成为汽车的重要卖点。　　纳芯微车规级芯片为照明技术创新赋能　　汽车照明系统从基础功能向智能化、交互化方向的转型，对核心驱动芯片提出了更高的要求。作为国内领先的汽车芯片供应商，纳芯微针对不同照明场景开发了系列化解决方案，持续推动行业技术创新。针对智能座舱氛围灯，纳芯微推出的NSUC1500-Q1LED驱动氛围灯驱动芯片采用高度集成化设计，单颗芯片集成了MCU、LDO、LIN-PHY和4路LED驱动四大功能模块。该芯片创新性地采用ARM Cortex-M3内核，相比行业普遍采用的M0内核，其哈佛架构带来的并行处理能力使运算效率提升了一倍，能够实时完成复杂的色彩矩阵计算，支持256色高精度调光需求。　　纳芯微技术市场经理高峰谈到，针对LED行业普遍存在的红光高温衰减问题，芯片特别设计了第四冗余通道，通过并联驱动方式有效提升了系统可靠性。在温度补偿方面，芯片同时集成外部ADC采样和内置温度传感器双重监测机制，配合自主研发的温补算法，确保全温度范围内的色彩一致性。该芯片系统可满足CISPR 25 Class 5最高等级EMC认证。外饰照明系统方面，纳芯微也能提供完整的解决方案。尾灯驱动芯片突破传统设计限制，支持贯穿式尾灯12、16、24通道线性驱动，通过先进的级联技术可实现单系统265通道控制。其独有的热均摊(Thermal Sharing)专利技术通过优化热分布，使芯片温升降低30%，大幅提升了系统稳定性。芯片的全场景保护包括LED开短路检测、通信失效自动恢复，确保照明系统的安全可靠。　　前照灯驱动方案NSL31系列则采用双极电源架构，支持65V高压输入和1.6A大电流输出，特别适配ADB矩阵大灯的像素级精确调光需求。该系列产品均已通过最严苛的EMC测试认证，能够满足各类复杂外饰照明场景的技术要求。　　高峰说，在产业化方面，纳芯微也建立了显著的市场竞争优势。公司提供从芯片到系统的完整参考设计，包括EMC解决方案、开发评估板和配套工具链，帮助客户缩短产品开发周期。　　在供应链安全备受关注的背景下，纳芯微实现了全流程国产化替代和供应链安全可控，保障客户量产稳定性。更值得一提的是，公司创新性地采用ASSP定制化合作模式，与头部车企深度协同，共同定义芯片规格参数，确保产品精准匹配市场需求。目前，纳芯微的照明驱动芯片已在多款热销车型中实现规模化应用，涵盖从经济型到豪华型的全价格带产品。　　纳芯微智能表面SoC三位一体解决方案创新探索　　在汽车智能化浪潮中，智能表面作为人机交互的重要载体，其技术复杂度远超传统氛围灯系统。纳芯微基于对智能表面架构的深入理解，创新性地提出了“感知-控制-执行”三位一体的SoC解决方案，为行业提供了全新的技术路径。　　从系统架构来看，智能表面可分为三个关键层级：感知层采用高精度传感技术，支持电容触控、压力检测、压电感应等多种交互方式;控制层采用高性能处理器实现信号处理、逻辑判断和系统调度等核心功能;执行层则通过多通道驱动电路，精准控制RGB灯效、触觉反馈等输出。这种分层设计既保证了系统可靠性，又提升了响应速度。　　高峰提到，针对实际应用场景，纳芯微提出的解决方案展现出卓越的适应性。以空调控制面板为例，纳芯微基于Cortex M3内核的智能表面SoC可驱动多组RGB灯珠，通过红蓝双色清晰区分温区状态;在门锁控制模块，三色指示灯可实时反馈闭锁状态。此外，多通道RGB LED驱动的MCU内核除用于外部LED混色算法和校准外，还支持LED灯珠的温度补偿功能和短路，断路和阈值电压监测等全功能诊断。　　他表示：“纳芯微采用开放的ASSP合作模式，希望结合应用与Tier1伙伴共同定义芯片规格，为客户的产品带来差异化竞争优势。”　　未来展望与战略布局　　随着汽车电气化进程加速，48V系统正迎来快速发展期。伴随电气架构升级，高压系统将催生更多创新应用场景，这对芯片性能提出了更高要求。纳芯微敏锐把握这一趋势，已率先布局高压平台解决方案，涵盖前照灯、电气系统隔离驱动等关键品类，以满足日益增长的48V车型技术需求。　　高峰表示，在智能化交互领域，AI技术正重塑汽车照明体验。通过将光效与用户行为、语音交互深度联动，照明系统正从静态功能向动态智能转变。纳芯微正在探索新一代智能驱动芯片，以实时感知环境变化和用户习惯，实现自适应光效调节，打造更具情感化的交互体验。　　纳芯微目前可以提供丰富的车规级解决方案，不仅聚焦于智能座舱和外饰需求，还为智能网联/驾驶、车身控制、照明、底盘安全驱动、燃油/混动车动力总成和逆变器动力总成以及三电和热管理领域提供全面的解决方案。2024年汽车电子出货量3.63亿颗;截止2024年，累计汽车电子出货量6.68亿颗，这一里程碑印证了其在国产汽车模拟芯片领域的领先地位。　　纳芯微将坚持“芯片+生态”的发展战略：一方面深化从驱动IC到全场景照明解决方案的产品布局;另一方面通过技术创新和国产化替代，助力客户实现智能化、轻量化以及差异化的照明产品和交互体验。“我们的目标是成为汽车照明全栈解决方案领导者，推动中国汽车电子产业整体升级。”他分享道。　　在智能化浪潮下，纳芯微将与产业链伙伴共建创新生态，为全球汽车产业转型贡献中国芯片解决方案。我们相信，通过芯片技术的持续突破，将助力车企打造更安全、更智能、更具情感化的未来出行新体验。

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纳芯微

发布时间：2025-04-24 17:10 阅读量：160 继续阅读>>

富瀚微发布智能眼镜<span style='color:red'>芯片</span>：MC6350

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富瀚微发布智能眼镜芯片：MC6350

　　上海富瀚微电子在CES期间发布智能眼镜芯片：MC6350。　　MC6350具备三大特点，解决目前智能眼镜产品的痛点:　　超低芯片功耗　　MC6350采用12nm低功耗工艺，大幅度降低芯片功耗。典型场景视频拍摄功耗仅为市场主力智能眼镜芯片的1/4。芯片能耗得以大幅削减。智能眼镜续航能力成倍增长，不管是户外探险，还是日常通勤，都无需担忧电量问题，电力全天候在线。　　超小芯片尺寸　　针对智能眼镜产品需求，MC6350设计了超小芯片尺寸：8*8mm，比目前主流智能眼镜芯片尺寸都要更小,并且集成了256MB DDR，进一步缩减产品BOM。帮助智能眼镜实现轻薄设计，佩戴舒适，长时间使用也毫无负担。　　更优图像效果　　富瀚微依托多年ISP技术积累和AI_ISP技术助力，提供超清晰拍照和录像效果。AI_ISP暗光效果优异，解决目前主流智能眼镜产品在暗光下拍摄效果不佳的问题。　　MC635X系列芯片在智能锁、低功耗相机等领域已经大规模量产出货，芯片成熟度得到市场验证，大幅度缩短产品开发周期。全新的MC6350专门为智能眼镜产品优化了封装和应用。目前，富瀚微正在与国内外主要的智能眼镜和智能硬件制造商接洽合作，基于MC6350开发智能硬件产品。MC6350的推出为已经蓬勃发展的智能眼镜市场注入了新的活力。

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富瀚微

发布时间：2025-04-24 15:54 阅读量：153 继续阅读>>

新品发布！国民技术推出高性能多协议快充协议SoC<span style='color:red'>芯片</span>

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新品发布！国民技术推出高性能多协议快充协议SoC芯片

　　近日，国民技术电源管理产品再添新成员，正式发布高性能多协议快充协议SoC芯片(NP11/NP12/NP21系列)，采用Arm内核，基于Flash工艺设计，产品可支持PD/QC/UFCS/APPPLE等快充协议，并且可以支持用户二次开发，具有系统设计灵活度高的特点。　　国民技术快充协议芯片在适配器端、移动电源端、设备端等方面均有产品布局，新发布的NP系列芯片可用于交流适配器、车载充电器、排插、电动工具电池包、便携储能移动电源以及其他快充输出输入产品等电源应用场景，可根据电池电量状态实时优化充电策略，动态调整电压和电流参数，最大程度地提高充电效率，可在较短时间内为设备安全地充满电量，为人们提供了一个高效快速的充电解决方案。　　产品优势特点　　NP11/NP12/NP21系列快充协议芯片具有如下优势特点：　　高性能：采用32位ARM Cortex-M4 高性能处理器内核，运行主频高达128MHz。　　可扩展：内置大容量存储空间，高达64KB片内Flash、16KB片内SRAM，支持功能扩展。　　多协议：全面支持各种快充协议，包括PD2.0/PD3.1/QC2.0/QC3.0/UFCS融合快充协议等，支持APPLE 2.4A快充协议，以及支持基于DP/DM定制的快充协议。　　安全可靠：内部集成了CC/CV 控制环路、双边泄放电路等多种系统功能，以及电流/电压/温度等安全保护功能。　　适配性好：支持USB Type-C PD或Type-A单口快充，USB Type-C PD或Type-A双口快充，可满足不同类型设备快速充电需求。双口充电具有独立的控制逻辑，支持独立环路架构，双路功率可独立控制。　　高性价比：芯片采用高度集成的设计，外部元器件少，为适配器、车载充电器等提供高集成、低成本的完整解决方案。　　芯片主要技术规格

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发布时间：2025-04-21 13:45 阅读量：207 继续阅读>>

全面掌握<span style='color:red'>芯片</span>散热设计基本概念

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全面掌握芯片散热设计基本概念

　　一般用符号θ来表示热阻。热阻的单位为℃/W。除非另有说明，热阻指热量在从热IC结点传导至环境空气时遇到的阻力。也可更具体地表示为θJA，即结至环境热阻。θJC和θCA是θ的两种其他形式，详见下文。　　一般地，热阻θ等于100℃/W的器件在1W功耗下将表现出100℃的温差，该值在两个参照点之间测得。请注意，这是一种线性关系，因此，在该器件中，1 W的功耗将产生100℃的温差。再者对于热阻θ=95℃/W，因此，1.3 W的功耗将产生大约124℃结至环境温差。当然，预测内部温度时使用的正是这种温度的上升，其目的是判断设计的热可靠性。当环境温度为25°C时，允许约150℃的内部结温。实际上，多数环境温度都在25℃以上，因此，可以处理的功耗会稍低。　　对于任意功耗P(单位：W)，都可以用以下等式来计算有效温差(ΔT)(单位：℃)：　　ΔT = P ×θ　　其中，θ为总适用热阻。下图总结了一些基本的热关系。请注意，串行热阻(如右侧的两个热阻)模拟的是一个器件可能遇到的总热阻路径。因此，在计算时，总θ为两个热阻之和，即θJA = θJC + θCA。给定环境温度TA、P和θ，即可算出TJ。根据图中所示关系，要维持一个低的TJ，必须使θ或功耗(或者二者同时)较低。低ΔT是延长半导体寿命的关键，因为，低ΔT可以降低最大结温。　　在IC中，一个温度参照点始终是器件的一个节点，即工作于给定封装中的芯片内部最热的点。其他相关参照点为TC(器件)或TA(周围空气)。结果又引出了前面提到的各个热阻，即θJC和θJA。　　先来看看最简单的情况，θJA为在给定器件的结与环境空气之间测得的热阻。该热阻通常适用于小型、功耗相对较低的IC(如运算放大器)，其功耗往往为1W或以下。一般而言，对于8引脚DIP塑封或者更优秀的SOIC封装，运算放大器以及其他小型器件的典型θJA值处于90-100°C/W水平。　　需要明确的是，这些热阻在很大程度上取决于封装，因为不同的材料拥有不同水平的导热性。一般而言，导体的热阻类似于电阻，铜最好，其次是铝、钢等。因此，铜引脚架构封装具有最高的性能，即最低的θ。

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发布时间：2025-04-18 17:26 阅读量：221 继续阅读>>

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剖析低噪放大器芯片在通讯方面的重要性

　　随着现代通信技术的迅速发展，信号的质量和传输的稳定性成为衡量通讯系统性能的关键指标。而低噪放大器芯片(Low Noise Amplifier，LNA)作为通讯系统中的核心组件，承担着放大微弱信号的重任，其性能直接影响整个通信链路的效率和可靠性。　　一、什么是低噪放大器芯片?　　低噪放大器芯片是一种专门设计用于放大输入微弱信号，而自身产生极低噪声的电子器件。它通常被置于信号接收链路的前端，目的是在其他电路放大之前提升信号幅度，同时防止噪声对信号产生过多干扰。　　二、低噪放大器芯片的重要性　　提高信号质量通信系统中，接收到的信号往往非常微弱且容易被环境噪声淹没。低噪放大器通过在早期阶段放大信号，避免后续处理电路将噪声一同放大，从而保证信号的清晰度和准确性。扩大通信距离由于LNA能够有效提升接收信号的信噪比(SNR)，通信设备能够更远距离地捕捉微弱信号，增强传输距离和覆盖范围，特别是在无线通信和卫星通信等领域表现尤为重要。降低系统功耗高效的低噪放大器设计能够以较低的电能消耗实现高增益和低噪声，使得移动通信设备、电池供电的终端在保证性能的同时，延长使用时间。提升系统灵敏度系统灵敏度决定了设备能否接收微弱信号。LNA的低噪特性有效提升系统灵敏度，支持更高质量的数据传输和更稳定的连接，确保通信的连续性和可靠性。　　三、应用领域　　无线通信：手机基站、无线局域网(Wi-Fi)、蓝牙设备等均依赖低噪放大器提升接收性能。卫星通信：卫星信号微弱，必须使用高性能LNA保证信号质量。雷达系统：雷达回波信号较弱，LNA有助于准确捕获目标信息。医疗电子：无线医疗设备中对信号质量的需求，高性能LNA同样不可或缺。　　低噪放大器芯片是现代通信系统不可或缺的关键器件，其通过在信号链路的初端实现高增益低噪声放大，极大提升了信号的清晰度和系统的整体性能。

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发布时间：2025-04-18 17:13 阅读量：204 继续阅读>>

核芯互联发布最高10V输出的1ppm/℃ CLREF1系列高精度电压基准<span style='color:red'>芯片</span>

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核芯互联发布最高10V输出的1ppm/℃ CLREF1系列高精度电压基准芯片

　　在精密电子系统领域，电压基准源是测量系统的“标尺”，其稳定性与精度直接影响整个信号链路的性能与可靠性。核芯互联团队在2019年推出了国内领先的6ppm/℃温漂基准CLREF06XX系列，而今时隔五年，再度正式推出升级版本CLREF1系列精密电压基准芯片，其初始精度达到±0.02%、温漂在全温度范围内最大值为1ppm/℃、时漂优于15ppm/√kHr、负载调整率为1.3mA/ppm、噪声为1μV/V并且可以支持10V输出，工作电压为4.5~13.2V。我们始终以客户需求为导向，在温漂、输出范围与动态负载性能上实现突破，力求为工业测量、汽车电子及高端仪器提供更优解决方案。　　技术突破：以敬畏之心追求极致　　1. 低温漂设计，致敬工业严苛环境　　CLREF1系列通过创新带隙架构与多阶曲率补偿技术，将温度系数优化至 1ppm/℃(最大值)。在-40℃至125℃全温域测试中，其输出偏差较行业典型值降低50%以上，为各热敏感的工业设备等提供更可靠的基准保障。　　2. 拓展边界，支持10V高压输出　　针对24bit+ ADC/DAC系统对高电压基准的需求，CLREF1新增 10V输出选项，免除传统方案中的分压网络误差，输出初始精度达 ±0.02%(最大值)。经第三方实验室验证，其在10V满量程下的长期稳定性优于15ppm/√kHr。　　3. 动态负载抗扰性优化　　我们深知工业场景中负载瞬变的挑战。CLREF1采用自适应负载补偿技术，实现 1.3ppm/mA负载调整率(拉/灌电流±10mA)，在电机驱动、电源管理等强干扰场景下，输出电压波动较同类产品减少60%以上。　　4. 全链路噪声抑制　　1μVp-p/V超低噪声(0.1Hz-10Hz)，1/f转折频率低至0.5Hz　　120dB PSRR(DC)，有效隔离电源扰动　　性能对比：用数据诠释进步关键指标CLREF1系列行业领先水平　　温度系数(最大值)1ppm/℃2ppm/℃　　输出电压范围1.25V-10V1.25V-5V　　负载调整率1.3ppm/mA3-45ppm/mA　　初始精度(最大值)±0.02%±0.05%　　应用场景：以专业赋能行业　　1. 工业自动化　　在伺服电机控制、PLC模块中，CLREF1的1.3ppm/mA负载调整率可抑制电流瞬变导致的基准漂移，确保编码器信号采样误差<0.001%。　　2. 高精度测量仪器　　在8½位数字万用表、半导体测试设备中，1μVp-p/V噪声特性，助力客户实现nV级微弱信号采集。　　3. 医疗与科研设备　　采用抗湿敏封装技术，降低CT成像系统、质谱仪在潮湿环境下的基准漂移风险，确保数据长期可信度。　　客户支持：携手共进，创造价值零成本迁移设计　　提供与主流封装(MSOP-8/SOP-8/SOT23-5)引脚兼容的解决方案，硬件改造成本降低90%。　　快速响应机制　　设立专项技术团队，24小时内响应客户工程问题，提供从选型到量产的全程支持。　　【结语】　　CLREF1系列的设计源于对工业客户痛点的深刻理解，以及对精密模拟技术的持续探索。我们深知，每一微伏的精度提升都意味着客户系统的巨大进步。核芯互联将以谦逊务实的态度，与行业伙伴共同推动高精度电子系统的发展。

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发布时间：2025-04-17 17:30 阅读量：224 继续阅读>>

2纳米<span style='color:red'>芯片</span>，新里程碑！

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2纳米芯片，新里程碑！

　　AMD 周一晚间宣布已获得其首款 2 纳米级硅片——核心复合芯片 (CCD)，用于其第六代 EPYC “Venice” 处理器，预计将于明年推出。Venice CCD 是业界首个采用台积电 N2 制程技术流片的 HPC CPU 设计，凸显了 AMD 积极的产品路线图以及台积电生产节点的准备就绪。　　AMD 的第六代 EPYC“Venice”预计将基于该公司的 Zen 6 微架构，并预计将于 2026 年左右推出。这款 CPU 将采用台积电 N2(2 纳米级)制程生产的 CCD，因此该公司即将在工厂生产首批 Venice CCD。然而，AMD 已经拥有可以公开谈论的芯片，这一事实凸显了 AMD 与台积电之间长期的合作关系，以及双方在台积电迄今为止最先进的制程技术之一上共同打造芯片的努力成果。　　目前，AMD 尚未讨论其 EPYC“Venice”处理器或 CCD 的细节，但该公司的新闻稿声称硅片已经流片并投入使用，这意味着 CCD 已成功启动并通过了基本的功能测试和验证。　　AMD 首席执行官苏姿丰博士表示：“台积电多年来一直是我们的重要合作伙伴，我们与其研发和制造团队的深度合作，使 AMD 能够持续提供突破高性能计算极限的领先产品。成为台积电 N2 制程和台积电亚利桑那 Fab 21 的领先 HPC 客户，是我们紧密合作、推动创新并提供驱动未来计算的先进技术的典范。”　　台积电董事长兼首席执行官魏哲家博士表示：“我们很荣幸 AMD 成为我们先进的 2 纳米 (N2) 制程技术和台积电亚利桑那晶圆厂的主要 HPC 客户。通过合作，我们正在推动技术的显著扩展，从而提高高性能芯片的性能、能效和良率。”　　台积电的N2工艺是其首个基于环栅(GAA)纳米片晶体管的制程技术。该公司预计，与上一代N3(3纳米级)相比，该制程技术将使功耗降低24%至35%，或在恒压下提高15%的性能，同时晶体管密度也将提升1.15倍。这些提升主要得益于新型晶体管和N2 NanoFlex设计技术协同优化框架。　　此前，AMD 的主要竞争对手英特尔已将采用 18A 制造技术(将与台积电的 N2 竞争)生产的下一代 Xeon“Clearwater Forest”处理器的发布时间推迟到明年上半年。　　另外，AMD 宣布已成功验证了由台积电在其位于亚利桑那州凤凰城附近的 Fab 21 工厂生产的第五代 EPYC 处理器的硅片。这意味着该公司部分当前一代 EPYC CPU 现在可以在美国生产。　　这颗芯片的重要意义　　Venice处理器计划于明年推出，与AMD的数据中心CPU路线图保持一致。此外，AMD已确认其第五代AMD EPYC CPU产品已在台积电位于亚利桑那州的新工厂成功启动和验证，这再次彰显了其对美国制造业的承诺。　　投资者和行业观察人士可能会密切关注AMD Venice处理器的进展以及该公司更广泛的举措，包括与台积电的持续合作，因为这些举措可能会影响市场动态和半导体行业的竞争格局。鉴于分析师维持乐观的预期并预计利润将大幅增长。　　近期其他新闻方面，AMD 因多项关键进展而备受关注。该公司宣布，谷歌云的全新虚拟机 C4D 和 H4D 将搭载 AMD 第五代 EPYC 处理器，有望提升云计算任务的性能。此举彰显了 AMD 在高性能计算领域创新的承诺。与此同时，TD Cowen 维持对 AMD 的“买入”评级，但将目标价从 135.00 美元下调至 110.00 美元，理由是该公司自身面临的挑战以及整体市场情绪。　　此外，KeyBanc Capital Markets 将 AMD 的股票评级从“增持”下调至“行业持股”，并表示对其在中国 AI 业务的长期生存能力以及来自英特尔的竞争加剧感到担忧。尽管评级被下调，但由于 MI308 和个人电脑的强劲需求，KeyBanc 仍上调了 AMD 的收入和每股收益预测。此外，AMD 宣布即将于 2025 年 6 月 12 日举办名为“Advancing AI 2025”的活动，重点关注其 AI 计划和新的 GPU 产品。　　台积电2纳米规划　　台积电2纳米将于2025年下半如期量产，客户排队投片下单盛况丝毫未减，到今年底可望有3万片的月产能，芯片业界也传出代工报价上看3万美元。　　尽管在制程技术与订单展望部分，老大哥台积可说是「没有对手」，再度横扫所有客户大单，但是半导体供应链端仍认为，台积后续恐怕有「四大挑战」得面对。　　部分供应链业者表示，台积电危机估计只增未减，四大挑战包括：　　一、美国厂研发中心与抢救英特尔的底线。　　二、反垄断难题。　　三、关税战通膨下的成本转嫁考验。　　四、地缘政治下的产能布局计画。　　业界人士分析，首先，是因应川普(Donald Trump)的要求，宣布投入1,000亿美元扩大亚利桑那州厂建厂大计，恐怕只是上集。　　下集包括美国研发中心内容项目，以及与英特尔(Intel)的合作底线，董事长魏哲家与台积经营团队还在精算中，这些恐都会是影响未来营运表现，　　其次，是反垄断问题。　　台积电在全球晶圆代工市占已逾6成，至年底将达7成，甚至更高，晶圆代工产业已形成台积电与「非台积」两个世界。　　台积电与美国政府的合作，并不能持盈保泰，还是希望三星(Samsung Electronics)、英特尔回神再起，多少能拿走一点市占率。　　再来，随着美国厂全面扩产，与提前量产3、2纳米以下先进制程，苹果(Apple)、NVIDIA等也都陆续投片下单。　　只不过在美国制造成本高昂，台积先前也都表示已与客户、供应链沟通过，希望共体时艰，更将因应当地成本结构，适时调涨代工报价。　　然而，川普关税战延续，对于半导体、电子产业链来说，成本转嫁是一大考验，由于通膨承压，极可能将冲击终端买气。　　最后，则是地缘政治下的产能布局问题。　　原本在台积6年产能、制程技术推进蓝图中，美国厂的比重甚低。但现今，局势改变，得兼顾「根留台湾」与「美国制造」，这个复杂的地缘政治、全球政经情势下，台积经营团队再度面临艰困关卡。　　2纳米月产能攻3万片代工报价上看3万美元　　而事实上，对于台积电来说，制程技术与晶圆制造产能本身，甚至包括订单，是最没有问题的。　　台积电上月31日就在高雄Fab 22举办P2厂2纳米扩产典礼。共同营运长秦永沛表示，2纳米推出头两年的tape out数量，将超越3纳米同期表现，量产后5年内，可带动全球约2.5兆美元的终端产品价值。　　供应链表示，2纳米率先量产厂区为竹科宝山Fab 20厂，2024年中时月产能3,000片，目前约8,000片，估计至年底将达2.2万片，高雄Fab 22 P1厂进度提前，现已准备开始量产，2座厂至年底合计月产能约3万片。　　芯片业者也坦言，台积2纳米世代仍掌握绝对制程技术、产能与市占优势，客户不想新品出错，就得乖乖排队下单。业界也传出，台积2纳米代工报价，再飙上近3万美元，这也是台积先前立下全年美元营收将「再成长25%」的底气。　　三星2纳米，良率提升　　三星在2纳米芯片制成推向市场的努力中取得重大飞跃。根据Wccftech和韩国媒体报导，三星在尖端制造的生产中已经达到约40%的良率。假设情况确实如此，那么三星很快就能为目前与英特尔和台积电合作的同一客户提供生产。　　显然，三星希望保持步伐以实现更高的成品率，但它已经在很大程度上超出预期。　　去年10月，当人们对三星3纳米和2纳米制的产量产生担忧时，传言称3纳米的良率在10%-20%之间，并且有报导称，可能有三家客户离开三星，转而选择台积电。三星董事长李在镕当时表示：「我们渴望发展业务。」「对剥离它们不感兴趣。」现在，由于可能的40%的良率，三星似乎正在加紧与英特尔和台积电等公司竞争。　　随着2纳米技术的出现，情况确实看起来相当乐观，因为在新的领导层的领导下，三星代工厂计划扭转业务，而即将到来的技术将发挥至关重要的作用。　　鉴于台积电的生产线越来越密集，并且客户也发现与三星打交道，可以获得更优惠的价格和更具吸引力，业界倾向于三星的2纳米技术。　　然而，三星的2纳米制程远不及台积电目前的水平，因为据报导台积电的成品率约为80%。这意味着三星还有很多工作要做。

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2纳米芯片

发布时间：2025-04-17 17:17 阅读量：212 继续阅读>>

特朗普审查中国<span style='color:red'>芯片</span>，即将征收<span style='color:red'>芯片</span>关税！

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特朗普审查中国芯片，即将征收芯片关税！

　　据报道，美国总统特朗普4月13日重申了其政府的最新消息，即对中国的对等关税中排除智能手机和电脑的政策将是短暂的，并承诺对半导体行业进行国家安全贸易调查。　　美国总统唐纳德·特朗普周日表示，即将宣布对进口半导体的关税税率，并补充说，该行业的部分公司将享有一定的灵活性。　　特朗普总统的承诺意味着，将智能手机和电脑排除在对中国“对等关税”之外的政策可能不会持续太久，因为特朗普希望重启半导体行业的贸易。　　“我们希望简化许多其他公司的关税程序，因为我们希望在美国生产芯片、半导体和其他产品。”特朗普表示。　　特朗普拒绝透露智能手机等某些产品是否最终仍可能获得豁免，但他补充说：“你必须表现出一定的灵活性。任何人都不应该如此僵化。”　　当天早些时候，特朗普宣布对半导体行业展开国家安全贸易调查。　　特朗普称：“在即将展开的国家安全关税调查中，我们将重点关注半导体及整个电子产品供应链。”　　美国海关和边境保护局(CBP)周五晚间向发货商发出通知，公布了一份免征进口税的关税代码清单。该清单涵盖20个产品类别，包括电脑、笔记本电脑、磁盘、半导体设备、存储芯片和平板显示器。　　白宫周五宣布将部分产品排除在高额对等关税之外，这给科技行业带来了一些希望，即科技行业或许可以摆脱中美两国不断升级的冲突，手机和笔记本电脑等日常消费品的价格仍将保持可承受。　　然而，美国商务部长霍华德·卢特尼克4月11日早些时候明确表示，未来两个月内，来自中国的关键科技产品将与半导体产品一起面临单独的新关税。　　特朗普上周在关税问题上的反复无常，引发了华尔街自2020年新冠疫情以来最剧烈的波动。自1月20日特朗普就职以来，基准标准普尔500指数(.SPX)已下跌逾10%。　　卢特尼克表示，特朗普将在一两个月内对智能手机、电脑和其他电子产品实施“特别重点关税”，同时还将对半导体和药品征收行业关税。他表示，这些新关税将不属于特朗普所谓的“对等关税”范围。根据该关税，上周对中国进口产品的关税已攀升至125%。卢特尼克预测，这些关税将促使这些产品的生产转移到美国。　　作为回应，中国已对美所有进口商品加征125%关税。中国商务部表示，“解铃还须系铃人”。　　亿万富翁投资者Bill Ackman曾支持特朗普竞选总统，但也批评了美国的新关税政策。周日，他呼吁特朗普暂停对中国实施的广泛而高额对等关税90天，就像特朗普上周对大多数国家/地区所做的那样。　　Bill Ackman写道，如果特朗普暂停对中国的关税90天，并将其暂时降至10%，那么“他将达到同样的目标，即促使美国企业将供应链从中国转移，而不会造成中断和风险。”　　NorthmanTrader创始人兼首席市场策略师Sven Henrich周日对关税问题的处理方式提出了严厉批评。　　Sven Henrich表示，“我建议政府弄清楚谁在掌控信息，无论它是什么，因为它每天都在变化。美国企业无法在不断的反复中规划或投资。”　　美国民主党参议员Elizabeth Warren批评了特朗普关税计划的最新修订，经济学家警告称，这可能会削弱经济增长并加剧通胀。　　全球最大对冲基金的亿万富翁创始人Ray Dalio在接受采访时表示，他担心美国会因为关税而陷入衰退，甚至更糟。　　“目前我们正处于决策点，而且非常接近衰退，”Ray Dalio表示，“如果处理不好，我担心会出现比衰退更糟糕的情况。”

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关税

发布时间：2025-04-14 17:36 阅读量：216 继续阅读>>

润石科技推出高压车规级LED驱动<span style='color:red'>芯片</span> RS3703-Q1

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润石科技推出高压车规级LED驱动芯片 RS3703-Q1

　　润石科技RS3703-Q1是一款三通道高侧LED驱动芯片，采用车规级工艺，最大化安全余量设计，具有高达45V的耐压承受能力，每一通道均提供最大150mA的驱动电流，支持PWM亮度调光，并提供全面的自诊断功能，包括LED开路、对地短路以及单个LED短路检测。　　RS3703-Q1主要设计用于应用于车尾灯、高位刹车灯、侧标志灯驱动，以及车内小灯的驱动，比如各种指示灯、顶灯、阅读灯、氛围灯。　　主要特性如下：　　Ø 输入电压支持4.5V~40V，极限耐压高达45V　　Ø 通过外部分流电阻实现热共享功能　　Ø 三通道高精度电流调光　　每通道最大150mA输出电流　　全温度范围内±5%控制精度　　通过外部电阻设置电流　　支持PWM独立调光　　支持非板载亮度分级电阻　　支持外部NTC温度检测进行电流调节　　Ø 低Dropout电压，315mV@150mA　　Ø 提供自诊断和保护功能：　　LED开路，具有自动恢复功能　　LED对地短路检测，具有自动恢复功能　　单LED短路检测及自动恢复　　支持自诊断并具有可调阈值　　可配置为连带失效或仅失效通道关闭的故障总线(N-1)　　支持热关断　　Ø 工作结温范围：-40°C ~ 150°C　　图1 典型应用电路　　乘用车各部件的供电目前仍然以12V电压总线为标准，接口热插拔瞬间或者传统油车在打火瞬间电池的浪涌电压，在电路设计时工程师都会重点防范，选用高耐压的降压芯片会有更加可靠的安全余量。RS3703-Q1高达45V的耐压余量提供了可靠的应对能力，可以轻松应对这些浪涌电压的冲击。　　图2 封装和管脚定义

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润石科技

发布时间：2025-04-09 10:10 阅读量：210 继续阅读>>

恩智浦：全球首款电池接线盒监测<span style='color:red'>芯片</span>MC33777

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恩智浦：全球首款电池接线盒监测芯片MC33777

MC33777 特性：　　电流测量　　多通道与高精度：具备四个电流测量通道，其中两个可满足 ASIL D 安全等级要求。每个通道又有精确测量和快速测量分支。精确测量用于获取高精度的电流数值，适用于需要准确电流数据来评估电池状态等场景;快速测量则侧重于快速捕捉电流变化，能及时响应如瞬间过流等情况。　　温度补偿：基于外部温度传感器对分流电阻进行温度漂移补偿。因为分流电阻的阻值会随温度变化，影响电流测量准确性，通过补偿可确保在不同温度下电流测量的可靠性。　　过流检测功能丰富：可进行过流检测，不仅能判断电流是否超过设定阈值，还能计算电流变化率(di/dt) ，并通过熔断器仿真模拟熔断器在过流时的行为，提前采取保护措施。　　电压和通用测量　　冗余模拟输入：拥有 16 个支持冗余测量的模拟输入。冗余设计提高了测量的可靠性，当一个输入通道出现故障时，其他通道仍能保证测量正常进行，可用于测量电池电压、其他关键节点电压等多种信号。　　决策引擎事件管理器　　可配置评估：是一个可配置的模块，能对测量输入的各种信号(如电流、电压、温度等数据)进行评估分析。用户可根据实际应用需求，设置不同的评估规则。　　多种事件信号监测：能监测一系列事件信号，如高 di/dt(电流变化率过高)、过流、过压、过热等。一旦检测到这些异常事件信号，就会触发相应反应。　　多样化触发反应：触发的反应包括控制烟火开关控制器，在危险情况下迅速断开高压电路;唤醒 MCU，通知主控制器进行进一步处理;控制 GPIO 来输出信号或控制外部设备等。　　烟火开关控制器　　独立且合规：有两个独立的控制器，且自带驱动级，符合 AK - LV 16(2012 - 07)规范。独立设计提高了系统的可靠性，即使一个控制器出现故障，另一个仍能正常工作。　　快速响应无 MCU 干预：由决策引擎事件管理器直接触发，无需 MCU 进行额外处理，能在检测到异常时快速响应，及时断开高压电池与其他负载连接，保障系统安全。　　丰富诊断功能：具备广泛的诊断功能集，如诊断电流、电容测量、等效串联电阻(ESR)测量等，可用于检测自身工作状态和相关电路参数，便于故障排查和系统维护。　　通信　　多接口支持：提供 SPI 接口和 I²C 接口，方便与不同的外部设备进行通信。SPI 接口适合高速同步通信场景，I²C 接口则常用于连接多个从设备的简单通信网络。　　MCU 接口灵活：MCU 接口支持 SPI 或 TPL3 ，可根据与主控制器(MCU)的连接需求和通信要求，灵活选择合适的通信协议，实现芯片与 MCU 之间高效的数据传输和指令交互。

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恩智浦

发布时间：2025-04-07 14:21 阅读量：263 继续阅读>>

型号	品牌	询价
MC33074DR2G	onsemi
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor

型号	品牌	抢购
IPZ40N04S5L4R8ATMA1	Infineon Technologies
ESR03EZPJ151	ROHM Semiconductor
BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6	STMicroelectronics
TPS63050YFFR	Texas Instruments
BP3621	ROHM Semiconductor

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