<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>2026马来西亚电子展元器件及生产设备展览会圆满落幕
  为期三天的2026马来西亚国际电子元器件及生产设备展览会在槟城国际会展中心圆满落下帷幕。萨瑞微电子(SALLTECH)亮相A189展位,携全系列功率半导体产品及定制化应用方案重磅登场,凭借稳定的产品性能、成熟的IDM制造能力与专业的技术服务,圆满完成本次海外参展之旅,顺利收官本次南洋市场拓展之行。  01  SALLTECH GROUP  聚焦海外需求  展现国产芯硬实力  针对东南亚新能源、工业控制、光伏储能、消费电子、智能家居等主流应用场景,萨瑞微电子本次精准输出适配本地化市场的核心产品矩阵,包含功率MOSFET、SiC碳化硅器件、IGBT、快恢复二极管、电路保护器件、模拟IC等全系核心品类,同时配套提供一站式场景化解决方案,精准匹配海外终端客户的选型与生产需求。  依托自主IDM全产业链优势,公司实现芯片设计、晶圆制造、封装测试一体化自主可控,从源头把控产品品质与交付稳定性。相较于传统供应链模式,萨瑞微电子可有效解决海外客户选型适配难、供货周期不稳定、方案定制度低等痛点,充分展现了国产半导体企业的创新能力与规模化制造实力。  02  SALLTECH GROUP  现场高效对接  开拓海外市场  展会全程,萨瑞微电子A189展位人气持续火热,现场客户络绎不绝,深度观摩产品展示、咨询技术参数、了解合作模式,交流洽谈氛围十分热烈。  我司销售与技术团队全程在岗,为到访客户提供一对一专属服务,围绕产品场景适配、技术方案优化、批量供货、个性化定制、区域合作等核心需求深度对接、精准答疑。本次展会收获海量优质客户资源,达成多项初步合作意向,为企业深耕东南亚市场、完善全球化产业布局夯实了坚实基础。  03  SALLTECH GROUP  展会落幕不止步  展会落幕,不是终点,而是深耕海外、赋能产业的全新起点。  未来,萨瑞微电子将持续深耕功率半导体核心赛道,坚守技术创新与品质升级,持续迭代产品体系、优化海外本地化服务方案,精准适配全球多元化市场需求。持续深耕东南亚、布局全球,以可靠产品、前沿技术、稳定交付赋能客户产业升级,携手海内外伙伴共拓半导体产业新蓝海,共创产业高质量发展新未来!
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发布时间:2026-07-28 09:44 阅读量:269 继续阅读>>
收官!江西<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>2026慕尼黑上海电子展之旅圆满落幕
  为期三天的2026慕尼黑上海电子展(electronica China)于7月3日在上海新国际博览中心圆满落下帷幕。作为电子行业的风向标盛会,本届展会规模再创新高,近12万平米的展示面积汇聚了1800+海内外优质展商,吸引了超7万名专业观众齐聚一堂,共探产业未来。  在这场群星璀璨的行业盛宴中,江西萨瑞微电子(SALLTECH)携全系列功率半导体与保护器件产品矩阵重磅亮相,凭借IDM模式的硬核实力与创新技术,成为现场备受瞩目的焦点之一,为这场夏日盛会增添了一抹来自江西的“芯”光。  硬核“芯”品,直击高端应用  作为国内领先的一站式电路保护器件与功率半导体IDM公司,萨瑞微电子此次参展准备充分,全面展示了从芯片设计、晶圆制造到封装测试的全产业链能力。  重磅展品集中亮相  WORK REPORT  在展位上,萨瑞微电子重点展示了覆盖功率器件、保护器件、二三极管及模拟IC的全品类产品矩阵  此次展会,萨瑞微电子还集中展示了多款备受关注的前沿新品与技术方案:  第三代半导体全系布局:现场展出的碳化硅(SiC)MOSFET系列,覆盖650V/1200V/1700V等电压等级,可广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器及充电桩等高端场景,助力系统效率提升与体积缩减。同时,萨瑞微电子依托IDM全产业链能力,积极布局氮化镓(GaN) 相关功率器件方案,针对快充与高功率密度应用场景提供高效能选择。  理想二极管方案首发:针对电源防反接与低损耗应用,萨瑞微电子此次展出了全新理想二极管解决方案。通过极低的正向导通压降替代传统肖特基二极管,可显著降低系统功耗与温升,特别适用于对效率要求严苛的工业电源、通信设备及储能系统等场景。  精英团队,共话合作商机  展会不仅是产品的秀场,更是交流合作的桥梁。在为期三天的展会中,萨瑞微电子专业的技术与销售团队全程驻守展位,以饱满的热情接待了来自国内外的众多行业同仁与专业买家。  面对每一位到访的客人,团队都进行了一对一深度技术讲解与需求对接,详细解读产品参数、应用场景及定制化方案。现场气氛热烈,不仅巩固了与老客户的合作关系,更拓展了广阔的“朋友圈”。  展望未来,持续深耕IDM  此次慕尼黑上海电子展的圆满收官,不仅是萨瑞微电子综合实力的一次全面展示,更是其深度融入全球产业链、提升品牌影响力的重要一步。  短暂相聚,长久同行。2026 慕尼黑上海电子展虽已落幕,但萨瑞微电子深耕功率半导体、助力国产半导体产业升级的步伐从未停歇。未来,公司将持续加码 SiC、GaN 第三代半导体研发,扩充车规级功率器件产线,完善 EMC 联合实验室检测服务,面向新能源汽车、储能、工业控制、AI 算力硬件推出更多高性能、高性价比国产化器件方案。  感谢所有莅临 N4.541 展位的新老客户、行业伙伴的信任与交流!未能到场的客户,可随时联系我司深圳销售中心获取产品样品、规格书与技术支持。后续我们将持续亮相全国各大行业展会,持续输出前沿功率半导体技术方案,期待与更多行业同仁携手,以国产芯力量赋能全球绿色电子产业发展。
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发布时间:2026-07-07 10:22 阅读量:450 继续阅读>>
聚力追光,不负相遇!2026广州光亚展<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>之行完美落幕
  6 月 12 日,为期四天(6.9-6.12)的 2026 第 31 届广州国际照明展览会(光亚展)在广州琶洲展馆正式落下帷幕。作为照明全产业链风向标盛会,本届展会汇聚全球数千家上下游企业,共探照明节能、智能化发展新赛道。江西萨瑞微电子携全系列照明专用功率半导体产品亮相5.2 馆 C56展位,以 IDM 全产业链硬实力,与海内外客商、行业专家深度交流,满载收获圆满收官。  盛况直击  回顾本次展会全程,处处皆是行业蓬勃生机:展馆外停车场座无虚席,客商齐聚奔赴盛会;展馆入口观众络绎不绝,场内人来人往,全产业链从业者共赴这场光影盛宴。  萨瑞微电子展位全程热度不减,源源不断的行业客户、合作伙伴驻足参观,现场交流氛围浓厚。每一次驻足停留,都是对国产芯片实力的认可;每一次深入沟通,都是行业思想的同频碰撞。  以芯会友,一对一精准对接需求  四天展期内,5.2 馆 C56 萨瑞微电子展台访客络绎不绝,吸引海内外照明厂商、电源方案商、工程集成商驻足洽谈。  现场技术团队一对一接待来访客商,针对家用照明、商业亮化、户外路灯、植物照明、智能调光驱动等多元应用场景,深度讲解 MOSFET、肖特基二极管、ESD 防护器件、整流桥等核心元器件方案,精准解决灯具电源高效率、低损耗、小型化、高稳定性行业痛点。  不少深耕照明多年的行业同仁,对萨瑞从芯片设计、晶圆制造到封装测试一体化 IDM 模式表示高度认可。  芯品亮相,适配全场景照明需求  萨瑞微电子深耕功率半导体 IDM 一体化模式,覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全链路,本次光亚展针对性展出适配各类 LED 照明驱动的核心元器件,精准匹配行业降本增效、小型化、高可靠需求:  01  肖特基二极管  Schottky Diode  超低正向压降,高频特性优异,适配宽压驱动、植物照明、户外路灯电源方案。  02  MOSFET 系列  MOSFET Series  低压 / 高压全规格,低内阻、低损耗,适配室内家居照明、商业筒灯、面板灯驱动电源,有效降低灯具发热、提升整机能效。  03  ESD 防护器件  ESD Protection Device  小体积高抗静电,解决智能照明、调光灯具静电损坏痛点。  配套碳化硅功率器件方案  面向大功率户外照明、工业智慧照明,实现更高功率密度、长寿命运行  感恩相遇,展会落幕初心不止  四天相聚,感恩每一位莅临 5.2 馆 C56 展位的客户、合作伙伴与行业同仁。每一次沟通、每一份信任,都是萨瑞持续技术创新、优化产品方案的动力。  展会虽落幕,合作不止步。未到现场或需深度对接的客户,可随时联系我司销售与技术团队,获取完整器件规格书、样品测试及定制化配套方案。  未来,萨瑞微电子将持续以芯片为基,以创新为翼,打磨更高性能、更具竞争力的功率半导体产品,携手广大照明伙伴,共筑低碳、智能的光环境新生态,下一场行业盛会再会
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发布时间:2026-06-17 09:34 阅读量:458 继续阅读>>
芯连光储,智启新程|江西<span style='color:red'>萨瑞微电子</span> SNEC2026 上海光伏展圆满收官!
  为期三天(6 月 3 日 - 5 日)的SNEC 第十九届 (2026) 国际太阳能光伏和智慧能源(上海)大会暨展览会在国家会展中心(上海)圆满落幕。作为国内领先的IDM 模式功率半导体企业,江西萨瑞微电子携光伏 & 储能领域核心器件与解决方案重磅亮相,以硬核 “芯” 实力链接全球光储生态,满载而归,完美收官!  01  展会高光  SNEC 作为全球光伏与智慧能源领域规模最大、影响力最广的风向标盛会,汇聚 3500 + 顶尖企业、50 万 + 专业观众,聚焦光储融合、技术创新与生态共建。本次参展,萨瑞微电子以 “功率芯・筑光储”为核心,全方位展现 IDM 全产业链实力与光储场景定制化解决方案,成为现场备受瞩目的功率半导体核心供应商 。  硬核展品:聚焦光储核心,赋能高效能源  依托芯片设计、晶圆制造、封装测试一体化 IDM 优势江西萨瑞微电子技术有限公司,本次展会重点展示适配光伏、储能、光储充一体化场景的核心产品矩阵,精准匹配行业高效、低耗、高可靠需求:  ⚡ 高压超结 MOSFET:低导通损耗、高耐压,适配光伏逆变器、储能变流器(PCS),助力系统高效转换;  ⚡ IGBT 单管 / 模组:600V-1200V 全电压覆盖,开关性能优异,赋能光伏逆变、储能并网、充电桩核心单元;  ⚡ 中低压 SGT MOSFET:高效低耗,适配户用光伏、储能系统、光储充一体机电源管理;  ⚡ ESD/TVS 保护器件:响应速度<0.5ns,钳位精准,为光储设备提供过压、静电防护,保障系统安全稳定运行。  02  现场盛况:人气爆棚  展会期间,萨瑞微电子展位人气持续高涨,吸引大批海内外光伏逆变器、储能系统集成商、行业专家及合作伙伴驻足交流、深度洽谈。团队以专业技术解读、定制化方案对接,高效响应客户需求,达成多项合作意向与技术对接,进一步巩固光储领域市场布局,提升品牌全球影响力。同时,公司凭借在功率半导体领域的技术沉淀与创新实力,收获业界高度认可,彰显国产功率半导体企业在光储产业链中的核心价值与责任担当。  03  感恩同行:共赴光储新征程  盛会落幕,感恩致远!衷心感谢每一位莅临展位的客户、行业同仁与合作伙伴的信任与支持,感谢团队成员的专业付出与高效协作,让本次参展圆满成功、收获满满!  作为深耕功率半导体领域的 IDM 企业,萨瑞微电子始终以 “创新、成长、永续、责任”为理念,聚焦光储、新能源等核心赛道,坚持技术创新,打磨优质产品,完善解决方案。  未来,我们将持续深耕光伏逆变、储能系统核心功率器件研发与产业化,以更先进的技术、更可靠的产品、更优质的服务,携手全球伙伴,聚芯力・筑光储・赢未来,助力双碳目标实现,共创绿色能源新辉煌!
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发布时间:2026-06-08 10:28 阅读量:737 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>与您相约2026第24届深圳国际小电机及磁性材料展
  尊敬的合作伙伴:  您好!  感谢您长期以来对江西萨瑞微电子技术有限公司(SALLTECH) 的关注与支持!  随着电机产业向高效、节能、智能化方向飞速发展,对核心功率半导体器件及电路保护方案的要求日益严苛。作为国内领先的功率半导体与保护器件IDM厂商,萨瑞微电子将携最新的MOSFET、IGBT、电机驱动方案及电路保护器件盛装亮相本届盛会。  我们诚挚邀请您拨冗莅临8号馆 A313展位,共同探讨电机行业的最新“芯”技术,期待与您面对面的交流!  展会时间  2026年5月27-29日  展会地点  深圳国际会展中心(宝安新馆)  萨瑞展位号  8号馆 A313  01.关于展会  About the exhibition  第24届深圳国际小电机及电机工业、磁性材料展览会(Motor & Magnetic Expo 2026)是电机磁材行业一年一度的盛会。本届展会汇聚了800+家行业精英,展出面积达40000㎡,是展示前沿技术、洞察市场趋势、拓展行业人脉的绝佳平台。  02.关于萨瑞(SALLTECH)  About SALLTECH  江西萨瑞微电子技术有限公司是一家专业从事半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试及应用服务于一体的国家级专精特新“小巨人”企业和国家高新技术企业。  IDM核心优势:我们拥有从芯片设计到成品应用的全产业链布局(IDM模式),确保产品的高可靠性、高性能及稳定供应。  制造实力:总部位于江西南昌,拥有35000㎡制造基地,具备年产200万片4/5/6寸晶圆及年产300亿只分立器件的封装能力。  品质保障:通过IATF 16949等汽车行业质量管理体系认证,产品满足车规级要求。  03.核心亮点抢“鲜”看  Watch first  在本次电机展上,萨瑞微电子将重点展示针对电机及磁性材料行业痛点的解决方案:  1. 高效能电机驱动解决方案  针对各类家用电器电机、工业自动化及机器人电机,萨瑞将展示其低导通电阻、高开关速度的SGT MOSFET和IGBT产品。这些产品能有效降低电机驱动过程中的发热损耗,提升整机效率,适用于无人机电机、机器人舵机等高性能场景。  2. 全方位的电路保护  电机在启停及运行过程中容易受到浪涌和静电冲击。萨瑞的TVS和ESD产品线提供从微安级到超大功率的全方位保护,确保电机控制系统的稳定运行,广泛应用于汽车电机、通讯设备及安防领域。  3. 汽车电子与工业控制  依托IATF 16949体系,萨瑞的车规级产品可助力新能源汽车的电机驱动、热管理系统(水泵/油泵)等应用,展示国产半导体在高端制造领域的替代实力。  04.观展小贴士  Exhibition Tips  交通指引:  深圳市宝安区福海街道展城路1号,深圳国际会展中心(宝安新馆)。  地铁:乘坐12号线或20号线至“国展站”或“国展北站”下车。  展馆展区:  本次展会主要在8号馆,萨瑞展位号:A313。  2026年5月27-29日  深圳国际会展中心·宝安新馆  8号馆 A313  萨瑞微电子在这里等您!
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发布时间:2026-05-26 09:59 阅读量:819 继续阅读>>
邀请函 | <span style='color:red'>萨瑞微电子</span>邀您共赴第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会
  尊敬的行业同仁、合作伙伴:  您好!  春风送暖,万物勃发。2026 第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会将于4 月 15 日 - 16 日在珠海国际会展中心 A 座 4 号展厅盛大启幕。作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业,江西萨瑞微电子将携智能电表全系列半导体解决方案重磅亮相,展位号T134。我们诚挚邀请您拨冗莅临,共探行业新趋势,共话合作新机遇!  展会信息  展会名称:2026第五十二届中国电工仪器仪表产业发展大会及展会  展会主题:中国电工仪器仪表产业发展技术研讨  展会时间:2026年4月15-16日  萨瑞微展位:T134【期待您的驻足!】  展会地址:珠海国际会展中心A座4号展厅  亮点抢先看  作为国内领先的功率半导体与保护器件 IDM 企业,本次展会我们将聚焦智能电表核心应用,全方位展示适配电表场景的高可靠性器件方案:  ESD 静电保护:SEU/SEH 系列 DFN/SOD 封装,低容值、高抗静电,适配以太网 / RS485/USB/ANT/ 键盘等多接口  TVS 浪涌保护:SMBJ/SMAJ 系列,6V–440V 全电压段,600W 高功率,强效抵御雷击浪涌  TSS 半导体放电管:P 系列高可靠性,满足 IEC 标准,通信口 / 电源口稳定防护  全系列器件通过IEC61000-4-2/4/5等 EMC 测试,适配 1.2/50μs、8/20μs、10/700μs 标准波形,助力智能电表稳定可靠、合规入市。
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发布时间:2026-04-14 13:08 阅读量:960 继续阅读>>
为智能健身注入高效动能|<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
  在现代智能健身器材中,高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET,凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性,成为跑步机、动感单车、划船机、力量器械等设备中电机控制与电源系统的理想半导体解决方案。  一、产品核心特点  1、先进沟槽单元设计  采用高效Trench结构,实现低导通电阻与高开关速度的平衡。  2、低热阻设计  结到壳热阻(Rjc)仅为 1.3℃/W,散热性能优异,支持高功率持续输出。  3、低栅极电荷与快速开关  栅极电荷(Qg)低至 33.6nC(N沟道) 与 30nC(P沟道),配合 ns 级开关时间,提升系统响应效率。  4、全面可靠性保障  100% EAS(雪崩能量)测试、100% Rg(栅极电阻)测试,确保每颗器件都符合严苛标准。  5、环保工艺  符合无卤、无铅环保要求,适用于绿色电子产品设计。  二、关键性能参数  作为一款兼顾高电流承载与低损耗的 MOSFET,SR45C03PS 的关键参数堪称 “实力派”:  N沟道 MOSFET  VDSS:30V  RDS(on):6.5mΩ @ VGS=10V, ID=30A  连续漏极电流:82A @ TC=25℃  栅极阈值电压:1.0V ~ 2.5V  P沟道 MOSFET  VDSS:-30V  RDS(on):7.0mΩ @ VGS=-10V, ID=-30A  连续漏极电流:-75A @ TC=25℃  栅极阈值电压:-1.2V ~ -2.5V  三、在健身器材中的核心应用  跑步机  高连续电流与峰值电流能力,满足电机驱动的动力需求,应对启动瞬间的冲击电流;低导通损耗减少长时间运行的能耗,配合宽温范围适配不同使用环境;  筋膜枪  N+P 沟道集成设计适配无刷电机驱动,快速开关响应支持精准 PWM 调速,实现多档位力度调节;紧凑封装与低功耗特性,助力产品小型化与长续航;  动感单车  稳定的功率控制性能适配电动磁控系统,实现 32 档以上精准调阻,让阻力变化均匀丝滑;低损耗设计延长设备使用寿命,适配智能阻力自动调节场景;  椭圆机  高效 DC-DC 转换能力助力能量回收系统,将运动产生的可变电压稳定转换,实现绿色能源再利用;  健身功率计  低栅极电荷与快速开关特性,提升功率检测的响应速度与精度,为运动数据监测提供可靠支持。
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发布时间:2026-01-20 11:49 阅读量:1110 继续阅读>>
专为安防网通设计:<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>P0080TB-MC TSS保护器件,大通流低残压,为设备安全保驾护航
  在安防监控、网络通信等设备中,各类接口(如RJ45网口、BNC视频端口等)常因静电放电(ESD)、雷击浪涌等瞬态过电压而损坏,严重影响系统稳定性和使用寿命。  针对这一痛点,江西萨瑞微电子推出了一款性能优异的TSS系列浪涌保护器件——P0080TB-MC,以其大通流、低残压的卓越特性,成为安防、网通设备端口防护的可靠选择。  › 01 产品核心优势:大通流、低残压  大通流能力  800A 峰值脉冲电流(10/700μs波形),可抵御强浪涌冲击,满足国内外安规要求。  多次浪涌冲击后性能不衰减,可靠性高,适用于恶劣电磁环境。  低容低残压  残压(Vs)仅为4V(@10mA),有效钳位过电压,避免后级电路受损。  导通电压低,响应速度快,能为敏感电路提供更平顺的保护。  低电容(≤30pF),不影响高速信号完整性。  短路失效模式,过载后仍可提供一定保护,避免开路风险。  符合无铅环保标准(E3级),适合出口与绿色制造。  › 02 关键电气参数速览  该器件构建了由“预警-击穿-钳位”组成的层层递进的三重动态防护体系,其核心电气参数如下表所示:  工作温度范围:-40℃ ~ +125℃,适用于户外及工业环境。  › 03 实测性能解析  根据萨瑞微实验室的测试报告,P0080TB-MC在浪涌冲击测试中表现优异:  测试结果:  可通过 4.2KV 浪涌测试(对应峰值电流约 112A)  极限测试在 4.8KV 时产品击穿,仍表现出较高的浪涌耐受能力  残压表现:在 4.2KV 浪涌下,钳位电压仅约 25–26V,展现优异的低残压特性。  结论:该产品可满足绝大多数安防、通信设备的雷击浪涌防护需求,具备高可靠性。  › 04 典型应用方案推荐  RJ45网口静电浪涌防护方案  用于交换机、路由器、网络摄像机等设备的以太网端口。  P0080TB-MC并联在信号线与地之间,可有效吸收雷击感应、ESD等瞬态干扰,保护PHY芯片不受损。  BNC视频端口静电浪涌防护方案  适用于模拟摄像机、视频采集卡、监控矩阵等视频传输线路。  在BNC接口的信号线与屏蔽层之间接入TSS,可抑制浪涌及静电脉冲,提升视频信号稳定性与设备寿命。  选择萨瑞微,选择可靠  在安防与通信设备日益追求高可靠性与长寿命的今天,端口防护已成为设计中的关键一环。  萨瑞微电子P0080TB-MC TSS器件,凭借其大通流、低残压、高可靠的综合性能,为各类接口提供了一道坚固的“电压防火墙”,是工程师在安防、网通、工控等场景中实现稳健防护的优选器件。
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发布时间:2025-12-12 16:00 阅读量:1198 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>推出M4SMFxxA-LC系列TVS:低负压钳位技术引领电路保护新方向
  在日益精密的电子设备中,瞬态电压抑制二极管(TVS)作为电路保护的"安全卫士",其性能直接关系到整个系统的可靠性。江西萨瑞微电子最新推出的M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列TVS二极管,以其创新的低负压钳位技术,为电路保护领域带来了突破性解决方案。  › 01 系列产品概览:双型号覆盖主流应用  萨瑞微电子此次推出的两个型号分别针对不同的工作电压需求:  M4SMF24A-LC核心参数:  M4SMF28A-LC核心参数:  两款产品均采用SMF/SOD-123FL封装,在仅3.0×1.9mm的微小空间内实现了卓越的保护性能。  › 02 核心技术突破:低负压钳位的革命性意义  什么是不对称钳位?  传统TVS二极管通常提供对称的双向保护,但实际电路中,正向和负向的瞬态威胁往往不同。萨瑞微电子的M4SMFxxA-LC系列采用创新的不对称钳位设计:  实测钳位性能对比:  M4SMF24A-LC:  正向钳位(PIN1→PIN2):34V  负向钳位(PIN2→PIN1):8V  M4SMF28A-LC:  正向钳位(PIN1→PIN2):34V  负向钳位(PIN2→PIN1):9V  › 03 实测性能验证:实验室数据说话  M4SMF24A-LC测试结果(5样品):  VBR@1mA:26.64-26.96V(均在25.2-28.5V规范内)  IR@24V:0.003-0.052μA(远低于≤1μA标准)  一致性表现优秀,全部PASS  负向钳位效果显著:  200V冲击:钳位电压8.6-9V,电流90.4A  400V冲击:钳位电压17.2-17.6V,电流184-186A  全部样品在各级别测试中均通过  M4SMF28A-LC测试结果(10样品):  VBR@1mA:32.42-33.33V(符合31.1-34.4V规范)  IR@28V:0.014-0.083μA(优于≤1μA标准)  良率100%,全部PASS  正接时(负向保护)表现出极高的负向浪涌承受能力和超低钳位电压:  100V冲击:钳位电压仅4.16-4.24V  200V冲击:钳位电压6.8-7V,电流92A  400V冲击:钳位电压12-12.4V,电流184-188A  600V冲击:钳位电压18-19.2V,电流272-276A  在650V极高冲击下才出现保护性短路  关键发现: M4SMF28A-LC在正接测试中,即使面对200V的高浪涌冲击,负向钳位电压仍能保持在7V左右,充分验证了其卓越的低负压钳位能力。  低负压的技术价值  低负压的技术价值:充电保护的关键突破  这种负向极低钳位电压的特性,在各类充电接口应用中具有重要价值:  Type-C接口保护  现代Type-C接口集成了高速数据、音频视频和充电功能,其中CC逻辑控制芯片对负向电压极其敏感。M4SMF28A-LC的9V负向钳位电压为这些精密芯片提供了精准保护。  快充协议保护  在QC、PD等快充协议中,协议识别芯片工作电压低,对负向浪涌耐受度差。低负压TVS确保协议握手过程不因电压扰动而中断。  充电端口热插拔保护  用户热插拔充电器时产生的负向电压振铃,可能损坏充电管理IC。传统TVS钳位电压较高,保护效果有限,而M4SMF系列的低负压特性能够及时钳制这些瞬态威胁。  无线充电系统  无线充电线圈中的反向感应电动势会产生负向电压尖峰,低负压TVS为功率接收端的精密整流电路提供可靠保护。  › 04 应用场景深度解析  电源端口保护  保护优势:  低负压钳位(8-9V)有效保护电源管理IC  6400W高浪涌防护应对电源线引入的雷击浪涌  防止热插拔和感性负载产生的负向电压尖峰  低速通信端口保护  快速响应(<1.0ps)有效抑制ESD静电  低电容设计不影响信号完整性  30kV ESD防护等级满足严苛环境要求  选择萨瑞微,选择可靠  在电路保护技术日益重要的今天,萨瑞微电子通过M4SMF24A-LC和M4SMF28A-LC系列产品,展现了在TVS技术领域的创新实力。其独特的低负压钳位特性不仅解决了实际应用中的痛点,更为电子设备提供了更加精准、可靠的保护方案。  随着5G、物联网、汽车电子等领域的快速发展,对电路保护器件提出了更高要求。萨瑞微电子此系列产品的推出,正当时且具有重要的技术意义。
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发布时间:2025-11-27 13:24 阅读量:992 继续阅读>>
江西<span style='color:red'>萨瑞微电子</span>荣获2025年“江西名牌产品”称号
  近日,江西省品牌建设促进会正式发布《关于认定2025年江西名牌产品的公告》,江西萨瑞微电子技术有限公司凭借卓越的产品质量、领先的技术实力和良好的市场口碑,成功荣获2025年“江西名牌产品” 称号,这一荣誉是对萨瑞微电子综合实力的高度认可。  权威认证,实至名归  “江西名牌产品”认定是江西省为深入实施质量强省战略而开展的重要工作,其认定标准严苛、程序规范。根据《江西名牌产品认定管理办法》有关规定,认定过程需要经过企业自愿申请、省级行业协会审核推荐、组织审查、行业评审、现场评审、市场测评、征求行业协会意见、专家委员会会议审议及社会公示等多项严格程序。  此次认定工作贯彻落实了《国家发展改革委等部门关于新时代推进品牌建设的指导意见》和《中共江西省委江西省人民政府关于深化质量强省建设的实施意见》精神,旨在培育一批具有核心竞争力的江西品牌,推动全省经济高质量发展。  技术实力,铸就品牌基石  江西萨瑞微电子技术有限公司自成立以来,始终坚持以技术创新为驱动,以产品质量为生命,在半导体分立器件领域深耕不辍。  公司采用IDM(垂直整合制造)模式,集芯片设计、晶圆制造、封装测试与应用服务于一体,建立了完善的质量管理体系和技术创新平台。  核心产品优势显著  功率器件系列:包括MOSFET、IGBT等产品,性能指标达到行业先进水平  保护器件系列:ESD/TVS等电路保护器件响应速度快,可靠性高  第三代半导体:SiC、GaN器件技术取得突破性进展  先进封装技术:多系列封装产品满足不同应用场景需求  品质卓越,赢得市场认可  萨瑞微电子的产品以优异的性能、稳定的质量和可靠的服务,赢得了国内外客户的广泛信赖,市场占有率持续提升。公司产品广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制、新能源等领域,与多家行业龙头企业建立了稳定的合作关系。  此次荣获“江西名牌产品”称号,不仅是对萨瑞微电子产品质量的肯定,更是对公司品牌影响力、市场竞争力、技术创新能力的全面认可。  公司将继续加大研发投入,强化技术创新,完善质量管理体系,为客户提供更优质的产品和解决方案,助力江西制造业高质量发展,为中国半导体产业的繁荣发展贡献更多力量!
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发布时间:2025-11-13 13:55 阅读量:1213 继续阅读>>

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