国产首家！纳芯微LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化<span style='color:red'>车载</span>通信设计
行业新闻

国产首家！纳芯微LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计

　　近日，纳芯微宣布其推出的汽车级LIN收发器芯片NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1成为国产首家全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的LIN收发器芯片。　　在此之前，纳芯微CAN收发器芯片 NCA1044-Q1、NCA1057-Q1、NCA1145B-Q1、NCA1462-Q1、NCA1043D-Q1、NCA1463-Q1已率先通过IBEE/FTZ-Zwickau全项测试。LIN收发器顺利通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微全国产化汽车级CAN/LIN接口解决方案的EMC性能达到行业领先水平，助力车企与零部件客户简化车载总线EMC系统性认证流程，加速国产替代落地。　　全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的　　CAN/LIN收发器系列，简化EMC验证　　鉴于CAN/LIN收发器芯片的EMC性能对车身控制、智能座舱等系统的稳定运行至关重要，各地区均制定了严格的汽车电子电磁兼容标准与认证流程，如美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲IBEE/FTZ-Zwickau认证均对汽车通信接口的EMC性能提出了明确要求。其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证依据IEC 62228-2开展，排除了外围电路差异对结果的干扰，更聚焦于收发器芯片本身的EMC特性，且考核等级更为严苛，已获全球主流车企广泛认可。　　此次IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬态抗扰度(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试，纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过。　　表-1：纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过四项测试　　在此次 IBEE/FTZ-Zwickau 认证中，NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1的抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)能力表现优异。测试覆盖正常通信、休眠唤醒等关键工作状态及误唤醒防护维度，即便在无总线滤波电容的最恶劣条件下，所有测试项均一次性通过测试，达到IEC 62228-2标准的最高Class III等级。尤其在休眠状态下，芯片不会因外界电磁干扰发生异常唤醒，可有效保障整车静态电流合规。　　表-2：纳芯微NCA1021A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　表-3：纳芯微NCA1029A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　全国产化的汽车级CAN/LIN接口解决方案　　增强供应链韧性和选型便利性　　NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微由此成为国产首家可同时提供经权威认证、EMC性能领先的、全国产化的汽车级CAN/LIN收发器厂商，有效增强了供应链的韧性与客户选型便利性。　　目前纳芯微可提供完整的汽车级CAN/LIN收发器产品，覆盖客户的全场景需求：　　表-4：CAN收发器选型表　　表-5：LIN收发器选型表　　平台化接口IP　　快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN、LIN、RS485、I2C、I3C、SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
关键词：
发布时间：2026-09-16 13:52 阅读量：204 继续阅读>>
全面迈向48V<span style='color:red'>车载</span>新架构！思瑞浦首发全国产化80V CAN SIC收发器TPT1662xQ
行业新闻

全面迈向48V车载新架构！思瑞浦首发全国产化80V CAN SIC收发器TPT1662xQ

　　48V车载系统正加速取代传统12V架构，凭借功率承载能力提升4倍、线束重量降低60%的显著优势，成为燃油车向纯电动过渡的关键技术路径。　　然而，48V系统带来的不仅是性能提升，更是对车载电子元件耐压能力的严峻考验。ISO 21780:2020标准的发布，为48V车载电气系统建立了统一的技术规范。该标准明确了供电电压范围最高达60V，过压实验更要求70V/40ms的短时过压。这意味着，48V车载网络中的CAN总线节点，必须具备远超传统12V系统的耐压能力。　　48V电源系统重构汽车未来　　针对48V车载应用的严苛需求，3PEAK推出TPT1662VQ与TPT1662Q系列CAN FD SIC收发器。TPT1662xQ系列完全符合ISO 11898-2:2024、CiA601-4以及SAE J2284-1至J2284-5高速CAN物理层标准，支持经典CAN和优化CAN FD SIC网络，数据传输速率最高可达8Mbps。　　产品核心优势对比：　　领先业界的±80V耐压，从容应对最恶劣工况　　ISO 21780是针对48V车载系统电源电压标准。标准要求48V系统芯片的供电耐压至少60V，并且能抗住瞬态高压可到70V/40ms。因此对CAN芯片总线耐压要求较高，TPT1662芯片总线故障保护电压高达±80V，完美覆盖ISO 21780标准所定义的全部过压场景——无论是60V长期过压还是70V短时浪涌，　　都能从容应对。　　ISO 21780 48V供电电压标准　　48V系统CAN短路工况　　总线有CMC条件下总线短路60V，　　芯片端振荡可达80V　　TPT1662xQ针对性优化总线耐压设计，具备±80V超宽总线耐压范围，远超行业常规水平，无论瞬态耐压还是长时间耐压表现均大于±80V。　　总线高压脉冲和1min短路耐压测试均>80V芯片无损伤，故障撤销可恢复通信　　高共模输入电压：48V车载CAN通信的“隐形守护者”　　ISO 25769是针对12V/24V/48V车载电气系统的电气要求和试验方法，明确将“地丢失”纳入考核，48V系统设计中，“地丢失”导致的共模电压骤升是必须通过的硬性考核项。当ECU接地回路断开时，参考地会被拉至48V电池电位，总线共模电压实测可达70V以上的高压脉冲。常规CAN收发器共模范围仅±12~±30V，接收器立即饱和失效，无法满足ISO 25769测试要求，节点通信中断甚至拖垮整条总线。　　TPT1662xQ凭借±60V超宽共模能力，在面对60V共模冲击下接收器仍能精准识别差分电平，确保RXD输出无误。确保通信不中断——是满足ISO 25769标准、保障48V系统极端故障下通信可靠性的关键保障。　　Lost of Ground下共模电压路径　　地丢失工况下靠近芯片端总线共模电压最大飙升至70V　　模拟芯片在不同共模电压下5Mbps通信表现，TPT1662xQ凭借极高抗干扰表现，在>±60V共模干扰接收器都能保持稳定工作，有效抑制共模噪声，确保仅有差分信号被正确放大。这使得TPT1662xQ在48V高噪声环境中依然能实现零误码的高可靠通信。　　TPT1662xQ共模±80V 无错误帧竞品共模±20-30V 有错误帧　　卓越EMC性能，保障通信稳定　　在48V车载系统中，CAN收发器除了承受高压冲击与共模干扰外，还需在复杂网络环境和强电磁干扰中可靠通信、协同工作。TPT1662xQ系列在IOPT互操作测试与EMC电磁兼容测试中的出色表现，为系统提供了额外一重保障。　　无需共模电感即可通过全部车规EMC测试：针对总线信号质量与EMC性能进行特殊优化，省去外部共模电感，降低BOM成本与PCB面积;　　同时TPT1662xQ凭借卓越的BCI(大电流注入)抗干扰能力，有效抵御电磁干扰，保障CAN总线通信稳定，满足车载电磁兼容性(EMC)标准要求。　　不止硬核性能，更懂客户需求　　TPT1662xQ完全兼容ISO 11898-2:2024、CiA601-4以及SAE J2284-1至J2284-5高速CAN物理层标准等行业标准，可直接替换传统CAN收发器，无需修改系统软件，大幅降低客户的升级成本和研发周期，性能更是行业领先，实现从晶圆制造、芯片设计到封装测试的全流程国产化，为国内车企提供48V自主可控方案。　　未来，我们将持续深耕车载半导体领域，以技术创新驱动产品升级，推出更多具备核心竞争力的48V车载器件，助力汽车电子化、智能化产业高质量发展!
关键词：
发布时间：2026-09-08 09:55 阅读量：260 继续阅读>>
村田新品 | <span style='color:red'>车载</span>Ethernet标准“10Base-T1S”适用、3225尺寸金属端子型CMCC
行业新闻

村田新品 | 车载Ethernet标准“10Base-T1S”适用、3225尺寸金属端子型CMCC

　　移动出行领域正在追求更安全、更舒适的驾驶体验，汽车基本控制技术正在迅速向高度智能化升级。“Connected(互联)”、“Autonomous(自动驾驶)”、“Shared & Service(共享与服务)”、“Electrification(电动化)——在移动出行变革CASE的趋势驱动下，车载控制系统接口所采用的网络标准正逐步从传统的CAN总线向已成为信息系统接口主流的Ethernet(以太网)统一，并加速引入数据传输速度上限可达10Mbps的10Base-T1S 标准。　　为此，村田在绕线和铁氧体组装技术的基础上，通过引进新型金属端子技术，开发了10Base-T1S适用的共模扼流圈。近日，村田制作所完成了3225尺寸金属端子型共模扼流圈“DLW32MH241MX2”的商品化，并已开始量产。　　该产品符合车载Ethernet(以太网) 标准“10Base-T1S”的现行规范要求，满足OPEN Alliance标准的 Scc21: Class3、Cp：Class3的技术指标。10Base-T1S是用于连接以太网设备的车载通信标准，可实现10Mbps的通信;Scc21: Class3/ Cp: Class3是车载以太网“10Base-T1S”的OPEN Alliance标准。在此标准中，要求共模扼流圈满足Scc21: Class3(240uH), Cp:Class3(≤10pF)。　　本产品可为车企加速10Base-T1S车载以太网接口的市场布局做出贡献。
关键词：
发布时间：2026-08-26 13:07 阅读量：318 继续阅读>>
上海雷卯丨ISO 16750-2:2023 新标准解读｜汽车抛负载防护，<span style='color:red'>车载</span>电子的硬核 “防弹衣”
行业新闻

上海雷卯丨ISO 16750-2:2023 新标准解读｜汽车抛负载防护，车载电子的硬核 “防弹衣”

　　做车载硬件的工程师一定都踩过抛负载的坑：整车耐久测试时ECU莫名烧毁、路试偶发控制器黑屏、ISO 16750-2:2023 抛负载10次脉冲测试直接失效。根源就在于发电机断开蓄电池瞬间产生的百伏级长时能量浪涌。如今汽车电子检测全面切换至更严苛的ISO 16750-2:2023标准，旧防护方案早已无法达标。本文雷卯EMC小哥结合标准细则、TVS防护原理、实战选型与车规器件方案，一次性讲透符合ISO 16750-2:2023的抛负载完整防护设计思路。　　一、抛负载是什么?车载电子的瞬间 “致命杀手”　　当发电机处于大电流充电工况，蓄电池接线松动、腐蚀断开后，励磁绕组储存的磁场能量E=½LI²无法被电池吸收，电源总线瞬间生成破坏性高压尖峰，这就是抛负载，三大致命特性：　　●高幅值：电压瞬间飙升至数十甚至上百伏特，远超12V/24V汽车系统正常工作范围;　　●高能量：脉冲持续时间 40ms~400ms，长脉冲易造成大量热能堆积;　　●高破坏性：能量足以导致下游ECU中的 MCU、收发器、逻辑芯片发生永久性硬击穿或热击穿。　　二、行业标准：ISO 7637-2(旧)与 ISO 16750-2(新)核心对比　　行业抛负载测试已全面切换ISO 16750-2:2023新标准，相比旧版ISO 7637-2，测试门槛大幅提高，核心差异一目了然：　　核心结论：通过 ISO 16750-2标准连续10次脉冲考验的方案，其可靠性可完全覆盖并超越ISO 7637-2的要求。　　三、防护核心：TVS二极管的工作逻辑与选型标尺　　TVS(瞬态电压抑制二极管)是应对抛负载能量的核心器件，其防御过程分为三个阶段，且工程师选型需把握三大核心指标。　　(一)TVS 二极管 “三步走” 工作逻辑　　1.待机高阻态：电路电压低于VRWM　　(额定反向截止电压)时，TVS处于静默状态，仅微安级漏电流，不干扰整车电路正常工作;　　2.箝位阶段(低阻态)：瞬态电压超过VBR　　(击穿电压)时，TVS迅速进入雪崩击穿区，阻抗骤降，将浪涌电流泄放到地，并将残压锁定在安全的VC　　(箝位电压)附近;　　3.自动恢复高阻态：抛负载能量耗尽后，TVS自动恢复至高阻态，电路无需人工干预即可继续工作。　　(二)工程师选型三大必备“标尺”　　1.VRWM：必须高于系统正常工作电压上限，确保器件平时不误动作;　　2.VBR：区分电路“正常工作” 与 “危险浪涌” 的临界值;　　3.VC：后端IC实际承受的电压，必须低于受保护芯片的绝对最大额定电压，否则防护失效。　　四、实战指南：抛负载防护器件的　　精准选型方法　　4.1 两大工况防护策略(匹配 ISO 16750-2 Pulse5a/5b)　　●策略 A Pulse5a(无内置抑制发电机)：原始浪涌能量最强，ECU 电源输入端必须选用大功率车规 TVS(雷卯 SM8S 系列);　　●策略 B Pulse5b(发电机自带初级抑制)：母线残压仍会达到标准规定\(U_S^*\)，若残压高于 MCU 耐压，需增加 TVS 二次泄放，\(V_{RWM}\)略高于抑制后残压。　　4.2 峰值电流估算公式(校核器件耐受能力)　　IPP≈(US-VC)/Ri　　US=ISO 16750-2 标准测试电压; VC=TVS箝位电压;Ri= 测试源阻抗，用于预判TVS峰值电流压力。　　4.3 行业通用选型避坑规则　　●12V整车系统：优先选VRWM≥22V TVS，覆盖跳车启动、双电池24V应急工况，避免低压TVS持续导通烧毁;　　●24V 商用车系统：推荐 33V/36V 档车规 TVS。　　4.4 全车型强制测试端口范围(ISO 16750-2:2023)　　所有直接暴露在抛负载瞬态脉冲下的电源端口，均需要完成标准测试，覆盖燃油车、新能源车低压12V/24V系统：　　五、高阶防御：TVS二极管的串联与并联策略　　单颗TVS无法满足高压、超大能量ISO 16750-2测试时，可通过串联、并联提升防护能力，优缺点整理如下：　　六、雷卯电子选型推荐：SM8S 系列　　车规 TVS 器件　　雷卯电子SM8S系列是专为汽车抛负载设计的防护器件，全线通过AEC-Q101车规认证，在ISO 16750-2严苛条件下完成验证，实测数据如下：　　SM8S 系列核心优势(适配 ISO 16750-2:2023 难点)　　1.6600W大功率浪涌耐受，0.5Ω低阻抗、400ms长脉冲10次循环无损坏，热稳定性远超同类竞品;　　2.双向/单向可选，漏电流低、正向压降低，不影响车载小信号电路;　　3.结温耐受175℃，满足车规高温耐久，通过MSL1防潮等级;　　4.封装DO-218AB，便于PCB大功率散热布局。　　七、结语：构建汽车电子抛负载防护的系统工程　　ISO 16750-2:2023新标准抬高了车载抛负载防护的准入门槛，单纯依靠小功率TVS器件无法通过长时、多次脉冲测试。抛负载防护不是单一部件选型，是从标准解读、电流计算、器件选型到PCB布局的整套系统工程，实测验证是量产前必不可少的环节。　　雷卯电子(Leiditech)作为领先的EMC元件与方案品牌，为汽车电子抛负载防护提供全方位支持：　　1.自建专业EMC实验室，配备完善抛负载发生器，为客户提供免费测试与整改服务;　　2.提供全适配方案，从抛负载防护到接口防静电，输出一站式定制化报告;　　3.核心器件均通过车规认证，保障产品高可靠性。　　即刻行动，为您的汽车电子系统穿上“防弹衣”!欢迎联系雷卯电子，提交您的电路图进行免费抛负载分析与器件匹配，我们在雷卯实验室见!
关键词：
发布时间：2026-08-20 09:41 阅读量：362 继续阅读>>
纳芯微丨SafeNovo® | <span style='color:red'>车载</span>电源系统功能安全系统方案
行业新闻

纳芯微丨SafeNovo® | 车载电源系统功能安全系统方案

　　在智能驾驶向高阶演进的过程中，高压直流转换器(DC-DC)作为车载电源系统的核心组成部分，承担着将动力电池高压直流电转换为低压稳定电压的关键功能，持续为激光雷达、域控制器及电子门把手等低压负载供电，其输出电压的稳定性与可靠性直接决定上述设备能否正常工作。DC-DC 处于新能源汽车高压电气架构的关键节点，除完成电压变换外，还须集成过压、欠压保护及诊断功能。　　本文将围绕车载电源系统的低压安全目标，阐述其功能安全方案的设计思路与实现路径。　　01　　车载电源的功能安全要求　　车载充电机(OBC)负责将外部交流电转换为高压直流电，为动力电池充电，并在 V2L/V2V/V2G 等场景下实现反向逆变;DC-DC 转换器则将电池高压直流电转换为低压为整车低压网络供电，并在整车上电时通过低压电池对高压电容进行反向预充(上高压)。两者在高压电气架构中共享高压直流母线接口，且在功率拓扑、开关器件及磁性元件上存在复用空间，这为集成化设计提供了技术基础。　　基于上述特性，OBC 与 DC-DC 转换器的集成化已成为行业主流设计。此类“二合一”乃至“多合一”方案通过共享结构壳体、冷却流道及控制电路，或在功率拓扑层面进一步复用开关器件或磁性元件，有效提升了功率密度，降低了整机重量。集成后的电源系统需同时满足充电高压安全、热安全与低压供电安全等多重目标。尽管现行国标尚未要求低压系统按功能安全流程开发，但高阶智驾与线控底盘等应用的渗透率不断提升，行业实践已对其提出更严苛的要求。　　整车安全目标的导出，须基于危害分析与风险评估(HARA)，分析故障行为对人员的影响，通过标准化流程评定风险等级，进而推导出整车层面的安全目标。　　以车载电源系统的低压安全为例，若 DC-DC 低压侧输出过压，可能对下游低压负载造成直接且不可逆的损害。典型受影响的关键负载包括域控制器、激光雷达、摄像头等智能驾驶感知与决策单元，ABS/ESP 等线控制动执行模块，电动转向助力系统(EPS)控制器，以及行车大灯、制动灯等照明系统。一旦发生过压，上述负载可能在瞬间被击穿或烧毁，进而引发 ADAS 感知与决策功能完全丧失、转向与制动助力异常退出、全车灯光失效、车门锁止系统失控等连锁高危场景。依据 SAE J2980 给出的风险评估方法，可结合故障行为对人身安全影响的严重度、暴露概率与可控性三个维度，对上述场景进行危害分析与等级评定。　　图二 低压安全目标推导示例　　基于上述危害分析，国内外主流车企已形成技术共识：低压网络功能安全水平实质上构成了整车安全能力的上限。因此，DC-DC 须集成低压过压与欠压的检测及保护功能，一旦检测到相关事件，系统须在故障容错时间间隔(FTTI)内主动进入安全状态，以最大限度阻断故障对后端敏感负载的冲击。　　在安全等级分配上，过压检测与关断功能通常按最高等级 ASIL D 进行开发。而在欠压工况下，由于整车低压蓄电池具备一定的储能容量，能在 DC-DC 输出跌落时短期维持关键负载供电，事故可控性相对较高，因此一般遵循 ASIL B 的要求予以实现。　　根据上述安全目标，可进一步导出 DC-DC 输出过欠压分级保护的功能安全需求(本文中阈值相关参数仅为示例，具体定义应按主机厂要求)：　　1. 过压保护　　需依据过压幅值定义分层响应策略：　　第一级阈值(16V~17V)：要求系统在百毫秒级完成检测与关断。该设计允许短时轻度过压不被误触发，以提升系统在负载动态及纹波扰动下的鲁棒性。　　第二级阈值(21V及以上)：要求系统在微秒级快速响应并立即关断输出，以防止敏感低压负载瞬间击穿。　　2. 欠压保护　　同样采用分级策略，并根据故障严重程度施加额外的隔离措施：　　第一级阈值(低于9V)：系统通过毫秒级检测进行故障报告。　　第二级阈值(7V及以下)：低压蓄电池能量可能反向倒灌进入 DC-DC 输出端，需由硬件电路实现反向过流检测并立即触发保护。　　强制隔离要求：与过压保护仅关断输出不同，欠压保护还要求 DC-DC 在停止工作的同时，主动断开与低压蓄电池之间的电气连接，以防止输出端口内部短路时反灌回路无法被安全切断。　　未来随着整车低压网络向48V演进，过压与欠压的保护阈值及故障容错时间间隔(FTTI)窗口需重新标定，但分层保护的基本逻辑保持不变。该策略同样可应用于双 DC-DC 冗余供电架构中：当某一路 DC-DC 出现异常过压时，可在规定的时间窗口内关闭故障通道，并由另一路无故障通道持续供电，从而实现故障隔离与功能维持。这种双 DC-DC 冗余设计(例如两路独立的 DC-DC 分别供电或互为备份)在智驾、线控底盘控制器等高安全等级系统中已较为常见，可有效防止单点过压故障导致系统掉电。　　02　　低压过压保护功能安全方案　　在当前的 OBC/DC-DC 控制架构中，主要存在几种不同的架构方案。一种方案采用单颗高性能 MCU 完成全部控制。另一种方案采用 DSP+MCU 的芯片架构：DSP 仅专注于 OBC、DC-DC 的功率算法控制，低压功能及系统相关控制则由 MCU 实现。在功能划分上，还有一种实践是将与交流桩、直流桩、充电插座、充电盖板的复杂交互功能全部集成到 BMS 或 VCU 中，此时 OBC/DC-DC 只需用 DSP 进行功率算法控制，无需 MCU。　　上述不同的控制架构在芯片选型及功能集成度上差异显著，这直接决定了 DC-DC 两级过压保护(如第一级慢速保护与第二级硬件快速保护)在实现 ASIL D 系统功能安全时需要采取截然不同的分解与冗余策略。下文将分别围绕上述不同的架构方案，逐一探讨如何通过安全功能设计满足 DC-DC 两级过压保护的 ASIL D 要求。　　架构一：单颗高性能 MCU　　该架构升级功能安全的核心逻辑是追求每一个核心器件的“功能安全”，即 DC-DC 系统的 MCU、PMIC/SBC 等核心器件本身需要具备对应的 ASIL 等级。OBC 的控制功能视 MCU 资源而定，可以和 DC-DC 控制共用 MCU，或单独用 DSP 进行控制。　　图三 单颗高性能 MCU 功能安全升级措施　　通过单颗 ASIL D MCU 实现电压监控功能，部分关键安全机制如下：　　冗余电压采样　　低压电压采样故障在 DC-DC 系统中构成典型的单点失效：一旦采样值偏低，控制环路会误判输出电压不足而持续升压，导致实际电压过冲，同时依赖该采样值的过压保护功能也会随之失效。为消除这一单点风险，需设置两路独立的低压电压采样通道(图四.a)，其中一路供应用层软件实现控制功能，监控层软件则同时接入这两路采样信号，执行电压采样合理性校验，从而有效诊断并覆盖该单点故障。　　控制与冗余关断　　应用层软件专注于功率算法;监控层软件则作为独立安全通道，利用独立的采样与判断逻辑持续监测第一级慢速过压。一旦识别到故障，监控层直接控制安全状态输出信号(图四.b)。在此基础上，引入硬件过压比较器作为第二级快速过压检测，当输出电压超过硬件设定阈值时，比较器直接通过纯硬件链路触发关断，从而以极低延迟(微秒级)响应过压事件(图四.c)，与第一级过压保护形成时间域上的分层覆盖，满足对故障容错时间间隔的要求。　　关键供电和基础设施安全　　关键电源轨(采样参考供电、MCU 主核供电)及硬件比较器电路需由 ASIL D 等级的 PMIC/SBC 供电保障。该 PMIC/SBC 与 MCU 需建立相互看门狗机制，并对各自内部状态进行持续监控，同时通过上电自检确认硬件关断路径完好。任一监控项异常，均触发独立的故障关断路径使系统进入安全状态(图四.d)，避免因关键供电、芯片或安全机制失效导致安全目标被违背。　　关断路径　　故障汇总使能硬件单元(基于或门逻辑)，集中汇聚 MCU 监控层软件触发的安全状态、MCU/PMIC 硬件监控层触发的安全状态以及硬件故障相关的安全状态，并直接控制驱动芯片的使能端执行关断(图四.e)。任意一路信号有效，即触发硬件关断。　　图四 架构一 功能安全系统框图　　架构二：DSP+MCU 组合架构　　该架构将功率控制、低压功能与功能安全进行了解耦拆分：两颗 DSP 芯片仅专注于功率算法控制，另由一颗独立的功能安全 MCU 承担低压功能管理、故障检测及安全状态使能。　　图五 DSP+MCU 组合功能安全升级措施　　与架构一相比，该方案将监控相关功能全部移植到 MCU 中。监控功能的安全等级可依据 DC-DC DSP 是否为功能安全芯片进行灵活分解：图六所示方案中，DC-DC DSP 自身仅执行基本看门狗等监控，达到 ASIL A(D) 等级;而核心监控功能则按照 ASIL C(D) 开发：　　冗余电压采样(图六.a);　　MCU 监控层检测第一级慢速过压，两路合理性故障过压触发安全状态(图六.b);　　硬件第二级快速过压检测触发安全状态(图六.c);　　硬件监控层触发安全状态(图六.d);　　安全状态汇总触发驱动芯片关闭(图六.e);　　与单 MCU 架构的唯一区别在于，该方案将功率相关的 PWM 控制放入了 DC-DC DSP。　　图六 架构二 功能安全系统框图　　架构三：纯 DSP 组合　　升级方案一　　当 OBC/DC-DC 的低压相关功能均集成到整车其他控制器的时候，对于 OBC/DC-DC 来说就仅需执行功率控制，这个时候功能安全实现也就转移到了 DSP 中。　　图七 纯 DSP 组合功能安全升级措施一　　在该双 DSP 冗余架构下，DC-DC 输出级的“检测—判断—执行”安全功能被分解至两颗 DSP，并通过 PMIC/SBC 及外围电路满足相应安全等级，以 DSP 冗余实现系统级高功能安全。关键安全机制细化为以下四个层面：　　冗余电压采样　　DC-DC 输出电压两路采样信号同时接入 DC-DC DSP 与 OBC DSP，第一路采样仅需提供给 DC-DC DSP 用于功率算法控制，另外两颗 DSP 监控层软件均采样两路进行合理性校验(图八.a)。　　控制与冗余关断　　正常工作时，由 DC-DC DSP 负责实现输出功率算法控制。与此同时，DC-DC DSP 与 OBC DSP 均具备独立检测第一级慢速过压的能力，并各自控制一路安全状态输出信号。任一 DSP 识别到过压，会通过监控层软件触发关断(图八.b/c)，即使 DC-DC DSP 发生失效，冗余 DSP 仍能可靠地使系统进入安全状态。同时第二级快速过压检测和前述架构保持一致(图八.d)。　　关键供电与基础设施安全　　两颗 DSP 的关键电源轨(包括采样参考供电、主核供电等)、硬件比较器电路均由满足 ASIL D 等级的 PMIC/SBC 提供。该 PMIC/SBC 与 DSP 需建立看门狗机制，并对各自内部状态进行持续监控。DC-DC DSP 也应具备上电自检功能检查硬件关断路径是否正常。任何监控机制检测到异常，都需触发安全状态输出(图八.e)。　　关断路径　　所有安全状态信号包括：两颗 DSP 监控层软件触发的故障、PMIC/SBC、两颗 DSP 硬件监控层触发的故障以及硬件过压比较器信号，统一汇入一个基于或门逻辑的故障汇总硬件单元，该单元直接控制驱动芯片的使能端执行关断(图八.f)。　　图八 架构三 功能安全系统框图一　　升级方案二　　鉴于基于 DSP 的功能安全监控软件开发存在一定难度(需构建严格的软件分区隔离、双通道交叉比较、程序流检测与窗口看门狗等复杂冗余机制)，且对该软件监控自身的鲁棒性(如发生共因失效或软件本身缺陷时可能无法可靠关断)存在顾虑，下述方案完全摒弃 DSP 内部自带的安全机制，转而通过增加独立外部硬件电路来实现第一级电压监控，从而简化系统安全架构的设计。　　图九 纯 DSP 组合功能安全升级措施二　　与架构三的升级方案一相比，该方案将第一级过压检测移植到硬件比较器进行实现。图十所示方案中，DC-DC DSP 自身仅执行基本看门狗等监控，达到 ASIL A(D) 等级;两级的过压检测均由硬件实现：　　控制用电压采样(图十.a);　　硬件检测用电压采样(图十.b);　　硬件第一级慢速过压检测触发安全状态(图十.c);　　硬件第二级快速过压检测触发安全状态(图十.d);　　硬件监控层触发安全状态(图十.e);　　安全状态汇总触发驱动芯片关闭(图十.f);　　图十 架构三 功能安全系统框图二　　该方案有三个局限性：　　硬件冗余关断与自检　　硬件过压慢速保护提供冗余关断路径，必须通过关断路径自检覆盖潜伏失效;该保护路径的自检可能显著延长上电时间，需在安全覆盖与启动性能间取得平衡。　　硬件过压滤波的响应　　硬件 RC 滤波下，触发时间随过压幅值增大而缩短，无法实现软件的延时一致性;若采用该方案则滤波参数须与客户共同定义并达成一致，避免因响应差异导致鲁棒性问题。　　图十一 硬件滤波时间示例　　欠压保护功能安全实现　　欠压保护采用冗余硬件实现难度较大，部分 DC-DC 要求不带小电池启动，一般由软件实现故障检测。　　在电源系统升级的实际落地中，升级方案一采用系统集成与开发简化的设计思路：通过复用现有 MCU 资源实现高功能安全要求，无需额外使用高安全等级的 MCU，从而降低 BOM 成本和开发投入。该方案将软件及系统架构的改动限制在可控范围内，显著缩短开发周期。此外，该设计支持 OBC 系统后续平滑升级功能安全等级，具备良好的架构扩展性。　　03　　低压欠压保护功能安全方案　　在基于上述架构的前提下，第一级欠压故障的检测方法与过压基本一致，但欠压无法采用硬件比较器进行快速检测。第二级欠压故障因 DC-DC 输出端口与小电池之间的压差较大，可利用低压侧反向过流检测实现快速判断。在故障响应中，为避免内部短路导致能量反灌，除停止 DC-DC 功率输出外，还需断开 DC-DC 输出端口与小电池的连接，这就要求在 DC-DC 输出端口配置一个安全开关。同时，DC-DC 还可利用该安全开关断开与闭合前后的电压变化，来判别故障属于 DC-DC 内部还是外部，进而采取不同的关断措施。　　图十二 欠压检测功能安全系统框图
关键词：
发布时间：2026-08-04 14:31 阅读量：461 继续阅读>>
国际权威认证 | 纳芯微NSSine™实时控制MCU获ISO 26262 ASIL B认证，筑牢<span style='color:red'>车载</span>电机电源安全底座
行业新闻

国际权威认证 | 纳芯微NSSine™实时控制MCU获ISO 26262 ASIL B认证，筑牢车载电机电源安全底座

　　近日，纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP——中端算力NS800RT5/3 系列 正式通过德国DEKRA颁发的ISO 26262 ASIL B功能安全产品认证(证书编号：ZP/C059/26)。该认证由国际独立第三方权威机构完成全面评估与验证，标志着NSSine™系列在车规级领域的又一重要里程碑，可为车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、汽车空调压缩机、热管理系统、充电桩等汽车电子应用提供经过验证的高可靠实时控制解决方案，进一步助力客户加速车规产品开发与量产落地。　　国际权威认证，筑牢车规安全基石　　ISO 26262是全球汽车行业公认的功能安全标准，针对道路车辆中电子电气系统的安全性提出了严格的开发流程与验证要求。ASIL(汽车安全完整性等级)从A到D分为四级，ASIL B 是车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、空调压缩机、热管理系统等应用常见的功能安全等级要求，是车载MCU进入主流汽车供应链的关键准入门槛。　　本次认证由德国DEKRA Testing and Certification GmbH独立完成评估与测试，认证依据ISO 26262:2018第2、5、8、9部分要求开展，覆盖产品设计、安全机制及相关硬件要求。　　NS800RT3/5系列以SEooC(Safety Element out of Context，脱离上下文安全元件)形式通过认证，可作为安全元件集成至满足ASIL B要求的汽车系统中。根据认证要求，客户可结合产品安全手册完成安全机制配置，并基于系统安全目标开展整车级功能安全验证。　　实时控制 x 功能安全　　打造车载电源与热管理可靠平台　　中端算力NS800RT5/3系列是NSSine™实时控制MCU/DSP产品矩阵的重要成员，面向车载充电机(OBC)、DC-DC变换器、汽车空调压缩机、热管理系统、充电桩等汽车电子应用场景。　　在汽车闭环控制系统中，作为核心"决策与执行中心"，承担数据采集与验证、控制算法运算、指令输出与监控、故障诊断与响应等关键任务。　　此外，产品内置44个基础ASIL B安全功能模块，包括Cortex-M7处理器安全机制、Flash/SRAM ECC校验、CRC校验等。并定义了三项顶层安全目标(TLSR)，覆盖：　　• 避免MCU输出异常控制值导致受控对象出现非预期动作;　　• 正确检测反馈系统输出，避免影响闭环控制;　　• 保证通信交互系统正常运行，避免异常功能触发。　　当检测到相关故障时，芯片可在故障容忍时间间隔(FTTI)≤100ms内进入安全状态，包括芯片复位或ERRORSTS故障信号触发，从而提升系统整体安全可靠性。　　持续深耕功能安全　　构建车规级产品矩阵　　功能安全是车规级芯片进入全球主流汽车供应链的核心门槛，也是纳芯微持续深耕的战略方向。　　2021年12月，纳芯微率先通过ISO 26262 ASIL D "Managed"(体系建立)级别认证;此后持续、系统性地推进功能安全研发能力建设及流程体系优化，并通过德国TÜV莱茵的严格审核，升级至ASIL D "Defined-Practiced"(体系实践)级别——成为国内少数在功能安全领域完成从"体系建立"到"体系实践"能力跃迁的芯片企业。纳芯微正以体系化的功能安全能力为底座，持续推出满足严苛标准的车规级芯片产品，为智能电动化时代的汽车安全保驾护航。
关键词：
发布时间：2026-07-24 09:52 阅读量：648 继续阅读>>
纳芯微<span style='color:red'>车载</span>SerDes产品的ESD防护技术介绍
行业新闻

纳芯微车载SerDes产品的ESD防护技术介绍

　　摘要　　车载SerDes系统在整车环境中面临严峻的ESD挑战，直接影响行车安全与系统可靠性。　　纳芯微通过三重防护架构——器件级ESD防护、RS-FEC前向纠错、物理层重传机制——为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器提供了系统级解决方案。基于ISO 10605-2023标准的完整测试验证表明，产品在上电ESD(接触放电±8KV、空气放电±25KV)和下电ESD(Pin放电±8KV)测试中均满足等级A要求。与对标同类器件相比，纳芯微SerDes在CE/RE测试中裕量普遍高2-6dB，为整车厂商提供了更高的设计余量和可靠性保障。　　1. 车载SerDes系统的ESD挑战：从客户痛点出发　　现代智能汽车中，摄像头到域控制器的高速数据传输链路已成为ADAS和自动驾驶系统的关键组成部分。NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器构成的SerDes系统通常部署在车外摄像头模组与车内域控制器之间，暴露于复杂的整车电磁环境中。车外摄像头镜头、外壳及线束接口等位置直接面临静电放电的风险，这些位置在车辆使用、维护过程中极易与人体或工具接触，产生高达数千伏的静电放电事件。　　在实际工程应用中，客户在ESD测试中常遇到两类典型问题：　　带电ESD测试异常：系统正常工作时施加ESD干扰，导致画面黑屏、闪屏、卡顿，直接影响ADAS、智能座舱功能的实时性与可靠性　　不带电ESD测试损坏：系统未上电状态下的ESD冲击，造成芯片永久性损坏、器件失效，增加物料成本与维修复杂度　　这些问题不仅延长了研发验证周期，更对行车安全构成潜在威胁。一次ESD测试失败可能意味着数周的设计迭代与重新验证，直接拖慢项目进度并增加开发成本。　　2. ESD问题根因深度剖析：带电与不带电场景的差异　　ESD失效机理因系统工作状态不同而存在本质差异，理解这些差异是设计有效防护方案的前提。　　带电ESD失效机制　　系统正常运行时，ESD瞬态干扰通过以下路径影响系统功能：　　信号链路瞬时扰动：ESD电流耦合至高速差分信号线，导致信号波形畸变，产生纳秒级误码突发　　FEC纠错能力超限：传统SerDes的前向纠错(FEC)机制在密集误码冲击下无法完全恢复数据，错误累积超过阈值　　缺乏动态重传机制：链路层协议未设计针对瞬态干扰的快速重传机制，导致画面中断时间延长　　这种失效模式表现为功能暂时性异常，在ESD事件结束后系统可能恢复正常，但期间的功能中断已对安全关键应用构成风险。　　不带电ESD失效机制　　系统未上电时，ESD能量直接作用于器件物理结构：　　引脚耐压击穿：高压静电直接击穿I/O引脚的ESD保护结构，造成永久性硬件损伤　　内部结构过载：芯片内部ESD防护电路在超出设计规格的电压下烧毁，失去保护功能　　器件参数漂移：ESD应力导致晶体管阈值电压、漏电流等关键参数发生不可逆变化　　此类损伤是硬件永久性的，通常需要更换芯片或模块才能修复，直接增加物料与维修成本。　　3. 纳芯微系统级ESD解决方案：三重防护架构　　针对上述失效机理，纳芯微为NLS9116/NLS9113加串器和NLS9246/NLS9243解串器设计了系统级的三重防护架构，从器件到链路再到系统层面提供全方位保护。　　3.1 器件级ESD防护设计　　在芯片设计阶段，纳芯微采用了多层级的ESD防护策略：　　高等级HBM/CDM防护：芯片内部集成经过车规验证的ESD保护结构，提供8KV HBM和±2KV CDM的防护能力　　接口浪涌抑制：高速差分接口采用对称的TVS阵列设计，对共模和差模ESD干扰均有良好的抑制效果　　电源域隔离：数字与模拟电源域之间设计隔离缓冲，防止ESD噪声通过电源网络传播　　这些设计确保在不带电ESD场景下，芯片具备足够的鲁棒性避免永久性损伤。　　3.2 隔离电源设计参数　　为应对带电ESD导致的瞬时误码，纳芯微SerDes集成了增强型RS-FEC(里德-所罗门前向纠错)机制：　　高纠错能力：采用RS(528,514)编码方案，可纠正单个符号中的7字节错误，纠错能力较传统方案提升40%　　低延迟处理：专用硬件编解码器实现纳秒级处理延迟，确保实时视频流不受影响　　自适应纠错：根据链路误码率动态调整纠错策略，在ESD事件期间最大化数据完整性　　在实际测试中，该FEC机制能在ESD干扰下确保画面质量不受影响。　　3.3 物理层重传机制　　针对FEC无法纠正的严重误码情况，纳芯微设计了物理层自动重传协议：　　快速错误检测：在物理层实时监测链路质量　　选择性重传：仅重传出错数据包，避免整帧重传带来的带宽浪费　　链路自愈：重传成功后自动恢复至正常传输模式，无需上层协议干预　　这套机制确保在允许有错误包，但要重传成功的测试标准下，系统能够快速恢复，避免画面黑屏或卡顿。　　4. 严苛测试验证：基于ISO 10605-2023标准的完整闭环　　为验证三重防护架构的实际效果，纳芯微使用软龙格工装和度信工装，在实验室暗室中完成了基于ISO 10605-2023标准的完整ESD测试。　　4.1 测试照片　　4.2 上电ESD测试验证　　测试系统配置2米和8米两种线长，模拟实际车载部署中的不同布线场景。测试严格按照ISO 10605-2023标准执行，具体条件如下：　　测试结果：在所有测试等级下，NLS9116/NLS9246系统均满足等级A要求。测试过程中画面保持稳定，无黑屏、闪屏或卡顿现象。特别值得注意的是，在标准允许的“错误包重传成功”机制下，系统能够快速恢复，展现了物理层重传机制的实际效果。　　4.2 下电ESD测试验证　　在不带电状态下，对芯片引脚进行±8KV的接触放电测试，每个等级重复10次。测试后对芯片进行完整功能验证，并测量关键引脚的LCR参数。　　测试结果：所有被测芯片功能正常，无任何异常。LCR参数变化率均小于5%，远低于标准要求的10%上限。这验证了器件级ESD防护设计的有效性，确保芯片在运输、装配等未上电场景下的可靠性。　　5. 竞品EMC性能对比：裕量优势彰显技术领先性　　除了ESD性能，纳芯微SerDes在整体EMC性能上也展现出显著优势。与对标同类器件的对比测试显示，纳芯微产品在多个关键指标上具有明显裕量优势。　　竞品对比EMC优势　　CE/RE多频段裕量高2-6dB：在150K-245MHz传导骚扰和150K-6GHz辐射骚扰测试中，裕量普遍优于竞品　　满足GNSS加严格要求：1G-5GHz频段满足CISPR 25-2021 Class 5的加严限值，部分频段裕量达8-14dB　　更宽松的设计余量：更大的EMC裕量意味着PCB设计约束更少，系统成本更低，量产一致性更高　　具体数据表明，在150K-175MHz频段的CE测试中，纳芯微产品在50mm位置的PK裕量达到7dB，比竞品高1dB;在171M-245MHz频段(1MHz带宽)的AVG裕量达到9dB，优势明显。RE测试中，1G-5GHz GNSS加严频段的垂直极化裕量达到3-4dB，而竞品在该频段的部分极化方向接近限值边缘。　　6. 客户价值：从测试通过到整车可靠性的跨越　　对于整车厂商和Tier1供应商，纳芯微SerDes解决方案带来三重核心价值：　　降低研发风险与成本：一次性通过ESD测试，避免重复验证的设计迭代，缩短项目周期3-4周　　提升系统可靠性：在整车寿命周期内，抵御实际使用环境中的ESD事件，降低现场故障率　　增强供应链安全性：本土化研发与技术支持，快速响应客户需求，保障项目进度　　纳芯微SerDes通过系统级ESD设计，帮助客户一次性通过严苛的车规测试，显著降低研发验证风险，加速产品上市进程，最终提升整车系统的长期可靠性。三重防护架构的协同作用，确保了从芯片级鲁棒性到系统级功能完整的全方位保障。
关键词：
发布时间：2026-07-22 09:18 阅读量：467 继续阅读>>
上海雷卯丨<span style='color:red'>车载</span>百兆以太网CI测试频繁丢包、千兆却稳？根源+解决方案一次讲清
行业新闻

上海雷卯丨车载百兆以太网CI测试频繁丢包、千兆却稳？根源+解决方案一次讲清

　　整车EMC测试常遇到诡异问题：同一块PCB、相同电路架构，100BASE-T1百兆以太网CI耦合持续断流、Ping包大量丢失，1000BASE-T1千兆端口却全程稳定无异常。　　今天雷卯EMC小哥将结合实测案例拆解故障核心诱因，同时分享符合IEEE、ISO车规标准的标准化防护方案，硬件工程师可直接复用。　　一、实测故障现象与验证　　1.测试对比：　　▲✖ 100BASE-T1(百兆 T1)：CI 耦合干扰下通信频繁中断，控制台持续弹出Request timed out，Ping 丢包严重;　　▲✔ 1000BASE-T1(千兆 T1)：相同干扰环境下链路稳定，无丢包、无断连。　　2.故障复现：　　只有单独耦合单根非屏蔽双绞线才能复现丢包;多线束捆绑测试无异常。　　示波器抓取MDI差分波形可见：CI射频干扰会严重扭曲差分信号，影响数据传输。　　3.验证实验：　　拆除以太网端口ESD保护器件后，波形畸变完全消失，丢包、断流故障彻底解决。　　→ 锁定问题核心：普通ESD器件在射频干扰下发生误导通。　　二、为什么百兆丢包、千兆没事?　　1.根本原因：　　普通低触发电压ESD耐受射频干扰能力差，CI持续耦合的高频噪声叠加线路电压，会造成 ESD反向误导通;导通后强行拉低/拉高差分电平，破坏高速差分信号完整性，直接导致以太网通信丢包。　　2. 千兆端口不受干扰的原因:　　1000BASE-T1整车方案强制配套屏蔽双绞线+屏蔽连接器，线束+连接器双层屏蔽，大幅阻挡外部射频噪声侵入差分信号线，ESD不会被干扰触发;　　而传统100BASE-T1方案允许使用非屏蔽双绞线，缺少屏蔽隔离，CI干扰直接耦合至差分线，极易触发普通ESD。　　三、传统方案三大短板　　早年NXP官方参考设计普遍把ESD放在AC耦合电容后端(靠近PHY芯片)，搭配压敏电阻防护，现在已经难以满足车载EMC严苛要求：　　1.静电、浪涌泄放路径长，防护能力大打折扣;　　2.线束引入的高频CI/BCI干扰无前置泄放通道，整机抗扰余量极低;　　3.压敏电阻响应速度慢，钳位电压精度差，高速信号保护效果差。　　四、雷卯优化方案：选用≥100V高击穿专用以太网ESD　　1　　行业硬性标准要求　　IEEE车载以太网规范强制规定：以太网ESD器件反向击穿电压VBR≥100V，该标准可从根源规避CI/BCI射频干扰误触发，同时满足ISO 10605:2023　　±25kV整车静电测试要求。　　2　　推荐车规雷卯电子专用ESD：PESD2ETH1GXT-QR　　3　　核心参数适配车载以太网场景：　　◎反向断态电压 24V，完美匹配车载总线电压;　　◎最小击穿电压 100V，杜绝射频干扰误导通;　　◎I/O 间寄生结电容≤1.2pF，超低电容不劣化高速眼图;　　◎大电流下钳位电压低至 32.5V，可靠防护PHY芯片不被击穿;　　◎SOT-23 通用封装，PIN TO PIN兼容进口同类器件，无需改版PCB。　　雷卯电子专注车载EMC防护方案研发，提供车规级ESD、TVS等全套器件，支持国产替代、定制化EMC整改方案，工程落地案例丰富，交期稳定可控，自建实验室供客户免费摸底测试。
关键词：
发布时间：2026-07-17 09:35 阅读量：543 继续阅读>>
松下丨 | 导电性聚合物片式铝电解电容器SP-Cap AX系列全新上市，专为<span style='color:red'>车载</span>应用研发！
行业新闻

松下丨 | 导电性聚合物片式铝电解电容器SP-Cap AX系列全新上市，专为车载应用研发！

　　特点　　• 符合AEC-Q200-Rev E　　• 耐久性125℃ 3000小时保证品　　• 高温高湿85℃ 85% 1000小时保证品　　• 低ESR产品 (3～6mΩ max.)　　• 已应对RoHS指令，无卤对应完成　　规格　　性能　　*1: 额定纹波电流(100 kHz / +85 ℃)　　*2: ESR(100 kHz / +20 ℃)　　◆ 有关回流焊保修条件和包装规格，请参考各说明页。
关键词：
发布时间：2026-07-16 14:12 阅读量：472 继续阅读>>
AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI服务器与<span style='color:red'>车载</span>方案引关注
行业新闻

AMEYA360直击慕尼黑上海电子展：ROHM展台亮点全揭秘，AI服务器与车载方案引关注

　　2026年7月1日，慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)在上海新国际博览中心盛大开幕。作为全球电子行业的重要盛会，本届展会聚焦新能源汽车、智能汽车、AI服务器、数据中心等前沿领域。　　全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)携多元化产品与解决方案重磅亮相N4馆500号展位。AMEYA360作为ROHM官方授权代理商，派出FAE小哥亲临现场，特邀罗姆车载营业部高级经理Jojo深度拆解全系核心展品，通过抖音直播带广大工程师和观众“云逛展”，零距离感受ROHM的最新技术成果。　　AMEYA360直播直击：　　FAE小哥带你“云逛”ROHM展台　　本次慕展罗姆搭建AI服务器、车载电子、工业设备、应用案例四大核心展区，覆盖当下电子行业三大黄金赛道。AMEYA360 FAE小哥通过抖音直播镜头带领线上工程师“云逛展”，逐一实拍展台实物、评估板、功率模块样品。镜头前，ROHM展台人气火爆，吸引了大批专业观众驻足交流。　　FAE小哥在直播中重点介绍了ROHM面向AI服务器的最新产品方案。他特别提到，ROHM展出的100V功率MOSFET采用8mm×8mm小型封装，兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，非常适合AI服务器48V电源热插拔电路，已被全球知名云平台企业认证为推荐器件。此外，第5代SiC MOSFET首次公开亮相，采用优化的器件结构与制造工艺，在高温(Tj=175℃)下导通电阻比第4代降低约30%，适用于xEV牵引逆变器及AI服务器电源等大功率应用。现场还展出了650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列) ，已被应用于AI服务器电源等领域，推动电源小型化和效率提升。　　在车载展区，FAE小哥重点介绍了ROHM与芯驰联合开发的车载SoC“X9SP”参考设计，配备ROHM的PMIC，符合ISO 26262及ASIL-B功能安全等级，可为中高端智能座舱系统提供稳定高效的电源管理支持。　　ROHM车载营业部高级经理Jojo专场介绍：　　深度解读AI服务器核心优势　　直播的高潮环节，ROHM车载营业部高级经理Jojo亲自为AMEYA360平台观众进行专场介绍。Jojo在ROHM展台C位区域，详细解读了ROHM在AI服务器和汽车电子领域的技术布局。　　Jojo首先回顾了ROHM的发展历程：“罗姆自1980年起步，目前全球销售额已达到480亿日元，其中一半来自汽车业务。我们在车载领域的增长非常迅速，客户采用率和产能扩张都非常显著。”　　在AI服务器方面，Jojo重点介绍了ROHM的宽禁带半导体产品线：“罗姆在碳化硅(SiC)领域布局非常早，2000年就开始了碳化硅业务，是一家非常传统的碳化硅IDM企业——从晶圆到最终产品，不管是单管还是模块，全部自主完成。”他透露，ROHM目前已推出第四代SiC MOSFET，并计划在明年推出第五代产品。在氮化镓(GaN)方面，ROHM同样拥有650V耐压产品，广泛应用于AI服务器电源。　　Jojo还特别提到，ROHM在AI服务器电源领域与英伟达、地平线、新石等国内外MCU厂商深度合作，提供配套电源方案。“现场展出的811系列、390系列、393系列产品，就是给英伟达Orin和SoC做配套的电源方案。其实在很多电动车、电瓶车上也都有应用，正在做测试。希望各位客户多多考虑和使用。”　　谈及ROHM的IDM优势，Jojo强调：“从材料到成品，我们在每一道工序上都坚持高品质生产，实现了卓越的可追溯性和供应链优化。无论是封装还是模块，我们都可以在AI服务器上做小型化、高效的方案。　　ROHM展台亮点速览：　　四大展区全面覆盖　　本届展会，ROHM设立了AI服务器、车载、工业设备及应用案例四大展区，全方位呈现其在半导体领域的综合技术实力。　　AI服务器展区：涵盖Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN及模块产品在高压直流(HVDC)与50V电源机架中的应用。重点展示适用于48V热插拔电路的100V功率MOSFET、第5代SiC MOSFET，以及具备业界超低开关损耗和10µsec短路耐受能力的1200V IGBT。　　车载展区：展示面向SoC的PMIC(与芯驰联合开发的X9SP参考设计)、用于汽车多屏显示器的SerDes IC，以及搭载SiC模块的5kW~100kW三相逆变器参考设计。　　工业设备展区：展示650V耐压GaN HEMT(EcoGaN™系列)和AC/DC用PWM方式DC/DC转换器，助力工业设备电源小型化和效率提升。　　应用案例展区：集中展示先进产品在实际场景中的应用成果，通过系统化方案演示，让观众直观感受ROHM技术从器件到系统的落地价值。　　AMEYA360 × ROHM：　　官方授权代理，正品保障一站式采购　　作为ROHM的官方授权代理商，AMEYA360一直致力于为广大电子工程师提供正品保障的器件供应和专业的技术服务。除了稳定供货，AMEYA360还持续输出专业技术支持，帮助客户解决电路设计中的各类难题。　　无论是AI服务器所需的SiC MOSFET、GaN HEMT、功率MOSFET，还是车载电子所需的PMIC、SerDes IC、LED驱动器，亦或是工业设备所需的AC-DC转换器、IPD智能开关——AMEYA360均可提供一站式正品采购服务。　　欢迎广大工程师和采购朋友通过AMEYA360平台咨询或购买ROHM全系列产品。
关键词：
发布时间：2026-07-03 15:44 阅读量：602 继续阅读>>

跳转至

/ 16

热门分类
半导体 电路保护 机电产品 嵌入式解决方案 连接器，互连器件 传感器，变送器 光电元件 开发套件 测试与测量 电源 风扇，热管理 盒子，外壳，机架 电缆，电线 无源元件 其它
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
MC33074DR2G onsemi
TL431ACLPR Texas Instruments
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
原厂授权品牌
更多授权品牌>>
资讯排行榜
  • 周排行榜
  • 月排行榜

关于我们
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年，现有超过3500家优质供应商，收录600万种产品型号数据，100多万种元器件库存可供选购，产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、BOM配单及提供产品配套资料等，为广大客户提供一站式购销服务。

请输入下方图片中的验证码：

验证码