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广和通发布基于<span style='color:red'>高通</span>X85与X82的5G FWA解决方案，加速5G-A协同AI发展

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广和通发布基于高通X85与X82的5G FWA解决方案，加速5G-A协同AI发展

　　10月16日，2025年欧洲通讯展(NetworkX2025)期间，广和通宣布推出全新5G固定无线接入(FWA)产品组合，该系列产品搭载高通技术公司的高通®X85和X82调制解调器及射频。该系列产品包括高性能5G模组FG200/FG201，以及覆盖室内CPE、室外ODU和移动热点(MHS)的定制化终端解决方案，可满足家庭、企业及移动场景下的多样化连接需求。　　广和通FG200/FG201模组搭载高通X85和X82 5G调制解调器及射频，提供快速可靠的连接，实现更卓越的性能表现。该方案全面支持5G-Advanced特性，包括增强的载波聚合与上行链路。广和通解决方案基于广泛的软件兼容性(支持OpenWRT 24.10、RDK-B、prpl OS)及业内首个3CC+1CC双卡双通(Turbo DSDA)技术，显著简化开发流程。集成的5G AI处理能力可赋能家庭、企业及工业场景下的智能应用。　　FG200/FG201与高通技术公司前代产品骁龙X75/X72调制解调器及射频设计管脚兼容，支持无缝平台升级，加速产品上市时间。其高性能的5G连接能力与AI能力相结合，进一步赋能混合AI和AI智能体体验，为下一代智能终端奠定坚实基础。　　广和通的终端产品组合通过定制化解决方案扩展了5G FWA的能力：　　室内CPE解决方案：Wi-Fi 7三频设计，Wi-Fi峰值速率高达19Gbps，可实现全屋千兆覆盖。　　室外ODU解决方案：支持高达12.5Gbps蜂窝速率，采用POE供电设计，具备强劲的户外性能。　　移动热点MHS解决方案：Wi-Fi 7双频同时传输速率最高达5.8Gbps，专为移动场景优化，支持快速充电。现场展示MHS解决方案、CPE解决方案、ODU解决方案　　高通技术公司高级副总裁兼连接、宽带与网络总经理Gautam Sheoran表示：“高通技术公司始终致力于通过业界领先的调制解调器到天线技术，推动5G FWA生态系统的发展。广和通基于高通X85和X82打造的解决方案，进一步展现了我们所开拓的FWA领域的发展势头，使5G运营商能够提供增强的5G-Advanced性能和可靠性，并强化了我们致力于构建更智能、更互联世界的承诺。”　　广和通无线解决方案事业群副总裁兼MBB事业部总经理陶曦表示：“广和通与高通技术公司的合作，始终聚焦用户需求与创新技术落地。基于高通X85和X82的全新FWA解决方案不仅是5G-A技术的落地载体，也为AI智能体融入工作生活的各个环节提供了支撑，深度赋能家庭宽带、企业联网、工业互联等领域。未来，广和通将继续携手高通，推动FWA应用向智能化、全场景化升级，为用户带来更智能、更可靠的连接服务。”

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广和通

发布时间：2025-10-17 15:11 阅读量：527 继续阅读>>

常见低通、<span style='color:red'>高通</span>、带通三种滤波器的工作原理

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常见低通、高通、带通三种滤波器的工作原理

　　滤波器　　滤波器是对波进行过滤的器件，是一种让某一频带内信号通过，同时又阻止这一频带外信号通过的电路。　　滤波器主要有低通滤波器、高通滤波器和带通滤波器三种，按照电路工作原理又可分为无源和有源滤波器两大类。本文主要对低通、高通还有带通三种滤波器做以下简单的介绍，希望电子爱好者的朋友们看完有一点小小的收获。　　低通滤波器　　电感阻止高频信号通过而允许低频信号通过，电容的特性却相反。信号能够通过电感的滤波器、或者通过电容连接到地的滤波器对于低频信号的衰减要比高频信号小，称为低通滤波器。　　低通滤波器原理很简单，它就是利用电容通高频阻低频、电感通低频阻高频的原理。对于需要截止的高频，利用电容吸收电感、阻碍的方法不使它通过;对于需要放行的低频，利用电容高阻、电感低阻的特点让它通过。　　最简单的低通滤波器由电阻和电容元件构成，如下图。该低通滤波器的作用是让低于转折频率f。的低频段信号通过，而将高于转折频率f。的信号去掉。RC无源低通滤波器RC无源低通滤波器的幅频特性曲线　　这一低通滤波器的工作原理是这样：当输入信号Vin中频率低于转折频率f。的信号加到电路中时，由于C的容抗很大而无分流作用，所以这一低频信号经R输出。当Vin中频率高于转折频率f。时，因C的容抗已很小，故通过R的高频信号由C分流到地而无输出，达到低通的目的。这一RC低通滤波器的转折频率f。由下式决定：低通滤波器除这种RC电路外，还可以是LC等电路形式。　　高通滤波器　　最简单的高通滤波器是“一阶高通滤波器”，它的的特性一般用一阶线性微分方程表示，它的左边与一阶低通滤波器完全相同，仅右边是激励源的导数而不是激励源本身。当较低的频率通过该系统时，没有或几乎没有什么输出，而当较高的频率通过该系统时，将会受到较小的衰减。　　实际上，对于极高的频率而言，电容器相当于“短路”一样，这些频率，基本上都可以在电阻两端获得输出。换言之，这个系统适宜于通过高频率而对低频率有较大的阻碍作用，是一个最简单的“高通滤波器”，如下图。RC元件构成的高通滤波器　　RC高通滤波器的幅频特性曲线　　这一电路的工作原理是这样：当频率低于f。的信号输入这一滤波器时，由于C1的容抗很大而受到阻止，输出减小，且频率愈低输出愈小。当频率高于f。的信号输入这一滤波器时，由于C1容抗已很小，故对信号无衰减作用，这样该滤波器具有让高频信号通过，阻止低频信号的作用。这一电路的转折频率f。由下式决定：　　高通滤波器除可以用元件外，还可以用LC构成。　　带通滤波器　　带通滤波器是一种仅允许特定频率通过，同时对其余频率的信号进行有效抑制的电路。由于它对信号具有选择性，故而被广泛地应用现在电子设计中。比如RLC振荡回路就是一个模拟带通滤波器。带通滤波器是指能通过某一频率范围内的频率分量、但将其他范围的频率分量衰减到极低水平的滤波器，与带阻滤波器的概念相对。带通滤波器的作用　　一个理想的带通滤波器应该有一个完全平坦的通带，在通带内没有放大或者衰减。实际上，并不存在理想的带通滤波器。滤波器并不能够将期望频率范围外的所有频率完全衰减掉，尤其是在所要的通带外还有一个被衰减但是没有被隔离的范围。这通常称为滤波器的滚降现象，并且使用每十倍频的衰减幅度的dB数来表示。　　通常，滤波器的设计尽量保证滚降范围越窄越好，这样滤波器的性能就与设计更加接近。然而，随着滚降范围越来越小，通带就变得不再平坦，开始出现“波纹”。这种现象在通带的边缘处尤其明显，这种效应称为吉布斯现象。以上是三种常见的滤波器的简单介绍，其实滤波器的种类多种多样，在这里我们就不一一介绍了。

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滤波器

发布时间：2025-08-25 13:22 阅读量：469 继续阅读>>

芯讯通携手<span style='color:red'>高通</span>共绘AI智联蓝图，深化欧洲物联网战略布局

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芯讯通携手高通共绘AI智联蓝图，深化欧洲物联网战略布局

　　6月9日，芯讯通总经理肖建波、副总经理原舒等领导一行前往欧洲，与高通公司高层进行了深入会晤。高通公司IoT副总裁 Eric Mazzoleni、运营商BD高级总监 Fabio laione、产品营销总监Marco Paoluzi等出席会议，双方就进一步拓展欧洲市场业务展开了广泛而深入的探讨。　　芯讯通与高通公司在欧洲市场的合作始于2007年，历经多年的携手深耕，双方在欧洲的合作项目已遍地生花。芯讯通基于高通方案的模组产品，凭借高性能、高可靠性及对欧洲复杂网络环境和严苛行业标准的出色适应性，赢得了智慧网联、智慧能源、智慧交通等领域头部客户的长期信赖。　　随着欧洲数字化进程提速及“绿色协议”等政策推动，传统连接需求正加速向智能感知、边缘决策、数据价值挖掘跃升。芯讯通与高通公司敏锐地捕捉到这一趋势，希望在现有产品线持续拓展的同时，在AI模组产品领域寻求更大突破。　　会晤中，高通公司IoT副总裁 Eric Mazzoleni 对芯讯通一行表示热烈欢迎，他强调：“芯讯通是高通公司在欧洲市场极为重要的合作伙伴，多年来，双方凭借彼此的优势互补，在众多领域取得了卓越的成绩。当前，AI浪潮正重塑物联网产业格局，我们期待与芯讯通在AI模组产品开发、市场推广等方面展开更紧密的协作，将高通的技术优势与芯讯通的市场洞察力相结合，为欧洲客户带来更具创新性的无线通信解决方案。”　　芯讯通总经理肖建波也表示：“与高通公司的合作是芯讯通在欧洲市场稳健发展的重要基石。过去几年，我们共同见证了合作带来的丰硕成果。在AI蓬勃发展的当下，芯讯通将与高通公司进一步深化合作，加大研发投入，加速AI技术在物联网模组产品中的应用落地。我们有信心，通过双方的携手努力，在欧洲市场开拓更广阔的天地，推动物联网产业向智能化方向加速迈进。”　　芯讯通与高通公司计划联合欧洲本地运营商、垂直行业领导企业及创新开发者，共同构建繁荣的AIoT应用生态。高通公司作为全球领先的无线科技创新者，在芯片技术、AI算法等方面拥有深厚的技术积累和创新能力。而芯讯通作为物联网无线通信模组领域的重要参与者，凭借对市场的深刻理解、广泛的客户基础以及强大的产品研发能力，能够快速将高通公司的先进技术转化为符合市场需求的产品。　　当全球AI浪潮席卷千行百业，芯讯通与高通公司在欧洲的这场高层战略对话，传递出清晰的信号：深耕多年的合作伙伴正将其协同效应推向全新高度。从稳定的物联基石，到澎湃的AI动能，芯讯通与高通公司的深度协同，不仅将加速欧洲市场从“万物互联”向“万物智联”的质变跃迁，更将为欧洲工业4.0的深化、绿色数字化转型注入强大的动力，持续塑造一个更具竞争力和创新活力的欧洲物联网智能未来。

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芯讯通

发布时间：2025-06-27 11:37 阅读量：550 继续阅读>>

意法半导体与<span style='color:red'>高通</span>合作开发的Wi-Fi/蓝牙二合一无线模块正式量产

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意法半导体与高通合作开发的Wi-Fi/蓝牙二合一无线模块正式量产

　　意法半导体宣布Wi-Fi 6和低功耗蓝牙5.4二合一模块ST67W611M1正式进入量产阶段，与此同时，重要客户Siana采用该模块的设计项目已取得初步成功，大大缩短了无线连接解决方案的研发周期。　　该模块是意法半导体与高通科技公司于2024年宣布的合作项目的首款产品，能够降低在基于STM32微控制器(MCU)的应用系统中实现无线连接的难度。双方以芯片的形式实现了合作目标，将意法半导体在嵌入式设计方面的专业知识、STM32微控制器以及软件和开发工具的生态系统与高通科技的无线连接技术专长融为一体。　　意法半导体连接业务线总监Jerome Vanthournout指出：“无线连接是将智能边缘设备连接到云端的关键技术。消费电子和工业市场对智能物联网设备的需求不断增长，增速也越来越快，掌握复杂的Wi-Fi和蓝牙协议，并将其引入设备和物联网应用中是一个巨大的挑战。我们的模块化解决方案采用业界先进的技术知识，让产品开发人员能够集中资源和精力开发应用层，加快新产品的上市速度。”　　高通科技公司产品管理高级总监Shishir Gupta表示：“很高兴看到我们通过ST67W模块与意法半导体公司合作的影响。该模块包含高通的无线连接组件，不仅简化了Wi-Fi和蓝牙与STM32微控制器驱动的各种设备的集成，还提供了令人难以置信的灵活性和可扩展性。该模块证明了我们共同致力于推动物联网领域的创新和卓越性。”　　ST67W模块可以与任何一款STM32 MCU集成到一起，内置高通科技的多协议网络协处理器和2.4GHz射频收发器。模块内置所需的全部射频前端电路，包括功率放大器、低噪声放大器、射频开关、巴伦和集成PCB天线，并配备4MB代码和数据闪存，以及40MHz晶振。该模块预装Wi-Fi 6和蓝牙5.4协议栈，并获得了强制性规范预认证，不久将通过软件更新增加对Thread和Matter协议的支持。此外，新模块还提供同轴天线或板级外接天线连接器。安全保护功能包括加密加速器和安全服务，例如，达到PSA 1级认证的安全启动和安全调试，让客户能够轻松满足即将出台的《网络弹性法案》和RED指令的要求。　　产品开发人员无需掌握射频设计知识技能，就能够使用新模块开发可行的解决方案。该模块在32引脚LGA封装内集成了丰富功能，可直接安装到电路板上，并支持使用简单的低成本两层PCB板开发应用。　　Siana Systems作为首批探索该无线连接模块潜力的物联网技术公司，正通过深度挖掘其性能优势，以提升产品性能并加速产品上市进程。　　Siana Systems创始人、解决方案架构师Sylvain Bernard强调：“ST67W模块拓展了在STM32终端设备上实现Wi-Fi连接的可能性，让我们无需再担心系统的最低需求。只需集成该模块，即可快速获得蓝牙和Wi-Fi连接，几乎无需额外的开发测试工作，为我们的下一代产品设计提供了简单、完美的解决方案。该模块集成了射频收发器和射频前端电路，性能非常强大，灵活的电源管理和快速唤醒时间让我们能够开发出高能效的新产品。”　　ST67W611M1依托STM32生态系统的资源优势，该生态覆盖4,000多款微控制器，包括强大的STM32Cube开发工具和软件，以及支持边缘人工智能开发的增强功能。STM32是一个庞大的产品家族，涵盖经济实惠的Arm® Cortex®-M0+微控制器和搭载高性能内核的高端产品，例如，基于Cortex-M55的微控制器、带DSP扩展指令集的Cortex-M4微控制器和搭载Cortex-A7内核的STM32MP1/2微处理器。

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意法半导体

发布时间：2025-06-05 10:37 阅读量：650 继续阅读>>

海凌科：2.4G+ 5G双频1GHz主频无线WiFi6模组 <span style='color:red'>高通</span>IPQ5018+QCA8337+QCN6102芯片方案

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海凌科：2.4G+ 5G双频1GHz主频无线WiFi6模组高通IPQ5018+QCA8337+QCN6102芯片方案

　　海凌科推出HLK-RM68是一款面向智能终端与工业物联的高性能双频无线WiFi 6模组，使用高通 IPQ5018+QCA8337+QCN6102 芯片方案，理论最大无线速率 574Mbps+2402Mbps，外挂 4 颗功率放大 FEM，性能强大，性价比高。　　1产品介绍HLK-RM68　　HLK-RM68 是海凌科电子推出的高性能嵌入式 WiFi6 AX3000 模块，是一款高度集成化的片上系统无线网络路由器模组，使用 IPQ5018+QCA8337+QCN6102 方案，理论最大无线速率 574Mbps+2402Mbps。　　模块外挂 4 颗功率放大 FEM，专为高性能、低功耗、高性价比的无线网络应用而设计和构建，包括家用路由器、网状节点和网关。　　产品参数　　- 双频(2.4GHz 和 5GHz) MIMO 802.11 a/b/g/n/ac/ax RF，带宽 20/40/80/160MHz;　　- 1Gb Flash/2GbDDR3;　　- 频宽范围：2.4-2.4835GHz 5.180-5.885GHz;　　- 集成 2.4GHz/5GHz PA、LNA;　　- 无线连接方式：I-pex 一代座子;　　- 接口：　　WAN.LAN1.LAN2.LAN3.LAN4.LAN5.USB3.0;　　- WAN 接入方式 PPPoE、动态 IP、静态 IP、3G/4G/5G;　　- 静态地址分配，虚拟服务器，端口转发 DMZ 主机;　　- 模组供电电压：DC 3.3V/>5A　　2、产品特点HLK-RM68　　旗舰级硬件架构，　　性能与能效双优　　HLK-RM68模块核心搭载IPQ5018 SoC，1GHz双核A53处理器+12线程网络协处理器，处理器完全卸载 Wi-Fi 处理，并可为客户应用提供近100%的CPU余量。　　HLK-RM68模块集成QCN6102射频芯片，支持2x2 MU-MIMO与160MHz频宽，同时外挂FEM，使得模块的信号覆盖范围大幅度提升，穿墙性能更好。　　2.4G与5G双频并发，　　WiFi6 AX3000极速体验强　　HLK-RM68模块支持2.4GHz与5GHz双频并发，OFDMA与1024-QAM技术加持，单模组可稳定挂载多个终端，满足8K视频、云游戏等高吞吐需求。　　模组电源图　　工业级扩展性与稳定性，　　应用简单广泛　　HLK-RM68模块提供USB3.0、PCIE及5千兆网口(1WAN+4LAN)，支持外接5G模组、NAS存储及边缘计算设备;　　模块宽温设计(-40℃~85℃)，搭配DC5V/3.5A低功耗供电，长时间稳定运行，适配智慧工厂、户外基站等严苛环境。　　3、应用场景HLK-RM68　　WiFi6 AX3000 模块 HLK-RM68支持5G和2.4G双频，160MHz频宽，可以有效消除智能家居设备干扰，实现WiFi全屋覆盖。　　WiFi6 AX3000 模块 HLK-RM68可以实现多个终端高并发接入，QoS保障视频会议优先带宽，5G蜂窝备份链路确保网络零中断，可用于中小企业办公网络。　　WiFi6 AX3000 模块 HLK-RM68也可以很好的用于智慧工厂和智慧城市等场景，为智能化设备提供稳定可靠的网络。

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海凌科

发布时间：2025-03-24 14:21 阅读量：1002 继续阅读>>

广和通发布基于新一代<span style='color:red'>高通</span>调制解调器及射频方案的小尺寸低功耗Cat.M模组MQ780-GL

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广和通发布基于新一代高通调制解调器及射频方案的小尺寸低功耗Cat.M模组MQ780-GL

　　3月5日，在2025世界移动通信大会(MWC Barcelona 2025)期间，广和通发布基于高通®E51 4G调制解调器及射频方案的小尺寸Cat.M模组MQ780-GL。MQ780-GL凭借极致尺寸、超低功耗、全球频段覆盖、稳定网络兼容性四大核心优势，为智能表计、资产追踪、智慧城市等场景提供高性价比的物联网连接解决方案，助力LPWA技术向规模化商用加速迈进。　　双模支持，灵活部署　　MQ780-GL支持3GPP Release 14 Cat.M1和NB-IoT标准，可根据网络环境自动切换模式，最大化覆盖范围与连接可靠性;兼容全球主流频段，适用于北美、欧洲、亚洲等地区的LPWA网络部署，便于全球稳定连接。　　精巧尺寸，超低功耗　　MQ780-GL采用先进的电源管理技术，支持PSM(省电模式)和eDRX(扩展不连续接收)功能，显著延长设备电池寿命。在PSM模式下，待机电流低至微安级(μA)，适用于水表、气表等需要10年以上续航的设备。MQ780-GL采用LCC+LGA封装设计，适合空间受限的物联网设备。　　增强性能，丰富接口　　MQ780-GL支持MQTT/CoAP/LwM2M等丰富网络协议，并兼容UART/I2C/I2S等标准接口，便于拓展至更多物联网设备。在定位能力上，MQ780-GL内置Soft GPS定位功能，满足资产追踪等场景的高精度定位需求。MQ780-GL内置硬件级安全引擎，支持数据加密与安全认证，保障设备与网络通信的安全性。　　高通技术公司产品管理副总裁Vieri Vanghi表示：　　广和通搭载高通®E51 4G调制解调器及射频方案的MQ780-GL模组，展现了我们对于推动LPWA技术的承诺。我们很期待看到这款模组推动Cat.M和NB-IoT技术的应用，并在智能表计、资产追踪、智慧城市等场景实现更加高效和可靠的连接。　　广和通MTC产品管理部总经理刘荪枝表示：　　MQ780-GL的极致尺寸与超低功耗设计，将大幅降低LPWA终端的开发难度，进一步加速物联网规模化连接。未来，我们将持续深化与芯片伙伴、垂直行业的协同创新，推动低功耗Cat.M/NB-IoT商用落地。

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广和通

发布时间：2025-03-06 09:15 阅读量：789 继续阅读>>

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广和通发布基于高通®X85/X82 5G调制解调器及射频系统的模组及解决方案，增强FWA AI特性

　　3月4日，在2025世界移动通信大会(MWC Barcelona 2025)期间，广和通发布基于高通技术公司最新一代高通®X85和X82 5G调制解调器及射频系统的模组及解决方案，有助于行业客户快速迭代到新一代的FWA解决方案，快速实现新平台的商业化。　　高通最新的X85/X82 5G调制解调器及射频系统，相比高通上一代X75/X72平台在综合性能上有了全面的提升：　　符合3GPP R18标准，支持5G-Advanced关键特性。　　NR Sub-6GHz下行载波聚合(CA)从原来的5CA升级到了6CA，聚合频宽高达400MHz。　　支持Intra-band ULCA上行链路载波聚合TDD，提高上行链路的数据速率，优化网络资源的利用。　　软件平台能力增强，支持OpenWRT 24.x版本，还将兼容RDK-B和prpl OS。　　旨在提供混合AI和智能体AI体验所需的高性能5G连接。　　支持DSDA(首个3CC+1CC的双卡双通)。　得益于四核处理器、全新软件套件以及多项全球首创特性，此次广和通5G模组及解决方案在网络覆盖、时延、能效和移动性上具备更优性能。同时，利用AI能力，广和通5G模组融合AI，强有力地赋能5G FWA智能化。　　在传输速率及信号覆盖方面，其5G模组及解决方案在NR Sub-6GHz下行支持六载波聚合，频宽高达400MHz。同时，其还支持Intra-Band上行链路载波聚合TDD，用户设备可相比使用单个载波具备更快的速率传输数据‌，提高整体网络效率，满足视频会议、在线游戏和实时协作等应用的需求‌。　　除硬件上的升级，高通®X85还在软件平台上进行创新。基于高通®X85的模组及解决方案将支持OpenWRT 24.x版本，这个版本是目前最流行的开源路由器操作系统，具有丰富的功能和强大的扩展性。此外，模组及解决方案还兼容RDK-B和prpl OS等操作系统，用户可根据自己的实际情况选择合适的系统进行使用。　　高通®5G AI套件与高通®联网AI套件相结合，实现QOS管理和智能化的网络流量优先级调度。这些强大的AI套件功能能够自动识别高清视频流媒体、在线游戏等高优先级的任务，并确保它们获得足够的带宽资源，从而显著提升用户体验。　　高通技术公司副总裁兼无线与宽带通信总经理Gautam Sheoran表示：　　我们很高兴与广和通合作，推出搭载我们最新高通®X85/X82 5G调制解调器及射频系统的全新5G模组和解决方案。双方携手树立新的行业标杆，提供卓越的网络覆盖、低时延、高能效和增强的移动性，最终推动实现更加互联高效的未来。　　广和通MBB产品管理部副总裁陶曦表示：　　我们很高兴广和通与高通技术公司基于高通®X85/X82持续进行合作，推出更多智能化FWA解决方案，赋能家庭宽带、企业联网、工业互联等领域。广和通始终致力于推动5G技术的普及和AI应用，我们相信，此次与高通技术公司的合作将进一步加速FWA市场的智能化发展，为全球用户提供更加智能、高效的连接服务。

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广和通

发布时间：2025-03-05 09:26 阅读量：749 继续阅读>>

电源的优选 | 维安VDMOS：<span style='color:red'>高通</span>用性与耐用性

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电源的优选 | 维安VDMOS：高通用性与耐用性

　　VDMOSFET全称垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，它具有高输入阻抗，开关速度快，热稳定性好等优点，同时具有正温度系数和良好的电流自调节能力。　　维安VDMOS的产品优势及特点　　在VDMOSFET的设计中，维安重点优化耐压和导通电阻的矛盾，提高耐压并兼顾低导通电阻;同时降低Qg及开关损耗。维安VDMOSFET通过优化设计提高雪崩耐量、拓宽安全工作区进而提高通用性和耐用性。针对工业控制等高可靠应用场景，维安开发高质量的氮化硅钝化层工艺，显著提高器件的可靠性。　　图一晶圆结构图　　图二晶圆钝化提高可靠性　　依托维安成熟的电源及工业控制客户群，维安开发了200V-1500V的VDMOSFET产品，电流涵盖2A~40A，封装涵盖TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等;　　图三维安VDMOS Roadmap　　图四维安VDMOS 量产规格　　图五维安VDMOS 封装　　VDMOS被广泛应用于适配器、LED驱动电源、TV电源、工业控制、电机调速、音频放大、高频振荡器、不间断电源、节能灯、逆变器等各个领域。　　图六 VDMOS 应用行业　　维安VDMOS典型应用　　1、适配器(开关电源)的应用　　2、高速风筒(BLDC驱动)的应用　　功率半导体作为电力系统的重要组成部分，是提升能源效率的决定性因素之一。未来维安会结合客户应用开发更多的VDMOS新规格、新封装;比如高压300V，400V快恢复系列等规格。为客户提供更多选择，以在高性能效率转换、高可靠应用场合实现效率、功率密度和可靠性的最佳组合。

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维安

发布时间：2024-10-10 13:04 阅读量：1524 继续阅读>>

<span style='color:red'>高通</span>宣布收购Sequans的4G物联网技术

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高通宣布收购Sequans的4G物联网技术

　　高通公司宣布，通过其子公司高性能低功耗解决方案商高通技术公司收购物联网4G和5G半导体解决方案供应商Sequans的4G物联网技术。此次收购包括某些员工、资产和许可证。交易需满足惯例成交条件，包括法国监管部门的批准。　　高通正在通过其尖端的物联网解决方案革新行业、重新定义商业模式并增强用户体验。高通物联网技术和解决方案利用现实世界的互联智能边缘提供端到端、随时可部署的解决方案，以便客户能够数字化转型其业务，以优化其运营、将大量数据货币化、以新方式创新并推动成本节约。　　Sequans是面向大规模和关键物联网市场的蜂窝半导体解决方案的设计者、开发者和供应商。Sequans的4G物联网技术加入高通先进的端到端物联网解决方案将增强高通的工业物联网产品组合，并为在该领域建立领导地位提供独特的机会。　　高通技术公司汽车、工业和嵌入式物联网及云计算部门总经理Nakul Duggal表示：“数字化转型由高性能处理和边缘智能驱动，高通有望在最大的潜在机遇之一中实现增长。此次收购Sequans的4G物联网技术扩充了高通广泛的产品组合，进一步增强了我们面向企业客户提供的低功耗解决方案，为工业物联网应用提供可靠、优化的蜂窝连接。”　　Sequans将通过永久许可协议保留继续在商业上使用该技术的全部权利，支持公司扩展其4G业务和开发其5G产品组合的能力。　　Sequans首席执行官Georges Karam表示：“我们很高兴宣布与高通达成的这项重要交易。该协议凸显了我们4G物联网技术的价值，并为我们提供了大量资本，让我们能够继续进一步投资于我们的物联网业务。我们致力于突破创新界限，提供尖端的 4G/5G半导体解决方案，满足人工智能驱动的物联网应用不断发展的需求。此次交易有望为我们提供资源和灵活性，以增强我们的产品供应并扩大我们的市场占有率。”

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高通

发布时间：2024-08-27 14:05 阅读量：1135 继续阅读>>

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三星宣布携手高通，助力高级车载信息娱乐与高级驾驶员辅助系统

　　三星LPDDR4X车载内存通过高通汽车模组验证　　强大的车载存储解决方案产品阵容　　将确保供应链长久、稳定、可靠。　　2024年8月27日，三星电子今日宣布，其用于高级车载信息娱乐(IVI)和高级驾驶辅助系统(ADAS)的LPDDR4X车载内存，已通过高通最新的骁龙® 数字底盘™平台验证。这不仅证明了三星LPDDR4X车载存储器的卓越性能，也体现了三星在汽车应用领域的深厚技术实力和长期支持客户的坚实承诺。　　▲三星和高通携手共同助力高级车载信息娱乐(IVI)　　和高级驾驶员辅助系统(ADAS)　　“三星电子副总裁兼存储器事业部　　汽车业务负责人Hyunduk Cho表示：　　三星丰富的DRAM和NAND车规产品组合，且均通过了AEC-Q100¹ 验证。因此，三星是高通技术公司携手共进、为客户打造长期解决方案的理想伙伴，三星凭借在存储器解决方案领域的设计、生产和封装能力的领先优势，不仅能够提供快速的开发周期，同时能够保障可靠性、验证和卓越的产品控制，满足汽车行业的严格要求。　　AEC-Q100标准是针对车载封装集成电路产品的应力测试标准。　　三星正在开发下一代LPDDR5车规芯片，预计今年第四季度可以提供样品。LPDDR5将能够支持三星车轨内存能达到的最高数据传输速度，即每秒9.6千兆位(Gbps)，即使在极端温度条件下，依旧保持卓越性能。

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三星

发布时间：2024-08-27 11:02 阅读量：1203 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
MC33074DR2G	onsemi
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
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BU33JA2MNVX-CTL	ROHM Semiconductor
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