二极管

发布时间:2022-08-04 17:52
作者:Ameya360
来源:网络
阅读量:2367

    二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件。它具有单向导电性能, 即给二极管阳极加上正向电压时,二极管导通。 当给阳极和阴极加上反向电压时,二极管截止。 因此,二极管的导通和截止,则相当于开关的接通与断开。

    二极管是最早诞生的半导体器件之一,其应用非常广泛。特别是在各种电子电路中,利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接,构成不同功能的电路,可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。无论是在常见的收音机电路还是在其他的家用电器产品或工业控制电路中,都可以找到二极管的踪迹。

二极管

二极管的结构组成

    二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。

    采用不同的掺杂工艺,通过扩散作用,将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体(通常是硅或锗)基片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

    由P区引出的电极称为阳极,N区引出的电极称为阴极。因为PN结的单向导电性,二极管导通时电流方向是由阳极通过管子内部流向阴极。

    二极管有两个电极,由P区引出的电极是正极,又叫阳极;由N区引出的电极是负极,又叫阴极。三角箭头方向表示正向电流的方向,二极管的文字符号用VD表示。


二极管的工作原理

    二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性,在PN结上加上引线和封装就成了一个二极管。

    晶体二极管为一个由P型半导体和N型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。

    当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

    当外加的反向电压高到一定程度时,PN结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。PN结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。


二极管的主要分类

    点接触型二极管

    点接触型二极管的PN结接触面积小,不能通过较大的正向电流和承受较高的反向电压,但它的高频性能好,适宜在高频检波电路和开关电路中使用   。

    面接触型二极管

    面接触型二极管的PN结接触面积大,可以通过较大的电流,也能承受较高的反向电压,适宜在整流电路中使用   。

   平面型二极管

    平面型二极管在脉冲数字电路中作开关管使用时PN结面积小,用于大功率整流时PN结面积较大   。

   稳压管

    稳压管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管,具有稳定电压的作用。稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。通过在制造过程中的工艺措施和使用时限制反向电流的大小,能保证稳压管在反向击穿状态下不会因过热而损坏。

    稳压管与一般二极管不一样,它的反向击穿是可逆的,只要不超过稳压管电流的允许值,PN结就不会过热损坏,当外加反向电压去除后,稳压管恢复原性能,所以稳压管具有良好的重复击穿特性。

    光电二极管

    光电二极管又称光敏二极管。它的管壳上备有一个玻璃窗口,以便于接受光照。其特点是,当光线照射于它的PN结时,可以成对地产生自由电子和空穴,使半导体中少数载流子的浓度提高,在一定的反向偏置电压作用下,使反向电流增加。因此它的反向电流随光照强度的增加而线性增加。

    当无光照时,光电二极管的伏安特性与普通二极管一样。光电二极管作为光控元件可用于各种物体检测、光电控制、自动报警等方面。当制成大面积的光电二极管时,可当作一种能源而称为光电池。此时它不需要外加电源,能够直接把光能变成电能。

    发光二极管是一种将电能直接转换成光能的半导体固体显示器件,简称LED(Light Emitting Diode)。和普通二极管相似,发光二极管也是由一个PN结构成。发光二极管的PN结封装在透明塑料壳内,外形有方形、矩形和圆形等。发光二极管的驱动电压低、工作电流小,具有很强的抗振动和冲击能力、体积小、可靠性高、耗电省和寿命长等优点,广泛用于信号指示等电路中。

    在电子技术中常用的数码管,发光二极管的原理与光电二极管相反。当发光二极管正向偏置通过电流时会发出光来,这是由于电子与空穴直接复合时放出能量的结果。它的光谱范围比较窄,其波长由所使用的基本材料而定。

(备注:文章来源于网络,信息仅供参考,不代表本网站观点,如有侵权请联系删除!)

上一篇:EPS应急电源

下一篇:单片机

在线留言询价

相关阅读
肖特基二极管和齐纳二极管的区别
  二极管作为电子电路中常见的元器件,有多种类型,常见的包括肖特基二极管和齐纳二极管。它们虽然同属二极管,但结构、工作原理及应用有显著差异。  一、基本定义与结构差异  肖特基二极管  肖特基二极管是一种金属-半导体结二极管,由金属(如铂、铬等)与N型半导体直接接触形成。因为没有PN结,肖特基二极管具有较低的正向压降和快速开关速度。  齐纳二极管  齐纳二极管是通过掺杂形成特殊的PN结二极管,设计用于反向击穿电压精确稳定的工作状态。其主要功能是利用齐纳击穿效应或者雪崩击穿效应实现稳压。  二、工作原理差异  肖特基二极管  肖特基二极管的导电是基于金属和半导体交界处的势垒高度变化,正向导通时压降小(一般约0.2~0.3V),反向截止性能好,响应速度极快。  齐纳二极管  齐纳二极管在正常正向工作时与普通二极管类似,但工作重点在于反向击穿区。当反向电压达到齐纳击穿电压(通常5~200V)时,二极管开始导通,保持稳定电压,用于稳压、电压参考等。  三、应用领域  肖特基二极管应用  开关电源与整流电路,减少损耗,提高效率。  高频电路中的快速整流。  低压降二极管保护电路。  齐纳二极管应用  稳压电路,提供稳定基准电压。  过压保护,防止电路损坏。  电压钳制和浪涌抑制。  总结来说,肖特基二极管以低正向压降和快速响应为特点,适合高频和低电压场合。齐纳二极管则专注于稳压和保护功能,通过精准的击穿电压维持电路稳定。肖特基二极管和齐纳二极管虽同为二极管,但针对不同的电路需求和工作环境设计。
2025-10-22 16:16 阅读量:440
二极管正负极识别指南
  在电子技术领域,二极管作为最基础的半导体器件之一,广泛应用于整流、信号处理和保护电路中。正确识别二极管的正负极,即阳极和阴极,对于电路设计和故障排查至关重要。  一、二极管的基本结构与符号  二极管由P型半导体和N型半导体组成,形成PN结。其两个端分别称为:  阳极:连接P型半导体的一端;  阴极:连接N型半导体的一端。  电流在二极管中只能由阳极流向阴极,二极管在正向偏置时导通,在反向偏置时截止。  在电路图中,二极管符号是一个箭头加一条竖线,箭头指向电流允许流动的方向(阳极→阴极),竖线端代表阴极。  二、二极管正负极的物理识别  二极管本体标记  许多二极管在阴极一端有标记,如一条黑色环带或一端的平面,表示阴极。  有些型号会在器件表面印刷“K”字样标识阴极。  封装类型差异  玻璃封装的二极管通常通过黑环标记阴极。  插件封装(如1N4148)阴极端常有黑色环带;  表面贴装(SMD)二极管阴极一侧可能有灰色或白色条纹。  三、用万用表识别二极管极性  步骤如下:  设定万用表至二极管测试档,或欧姆档。  红表笔接触疑似阳极,黑表笔接触疑似阴极。  查看读数:  正向时,万用表显示约0.6~0.7V(硅二极管),说明此时红笔接阳极,黑笔接阴极;  反向时,显示“OL”或高阻,表示反向不导通。  如果测量结果符合以上特征,说明红笔接触的是阳极,黑笔接触的是阴极。  四、识别注意事项  不同材料电压降异同:硅二极管正向压降约0.6-0.7V,锗二极管约0.2-0.3V,肖特基二极管约0.2-0.4V,需根据具体型号判定。  器件损坏时难以判断:断路或短路的二极管可能无法判别极性,建议更换或使用示波器等专业设备检验。  正确定义极性的重要性:错误连接二极管极性可能导致电路损坏或功能异常。  总结来说,识别二极管的正负极是电子电路设计和维护中的基础技能。通过观察器件标记和借助万用表测试,可以准确判断二极管的阳极与阴极,提高工作效率并避免因极性错误引发的故障。
2025-09-01 14:30 阅读量:682
TVS二极管和齐纳二极管的区别
  TVS(Transient Voltage Suppressors)二极管和齐纳二极管都具有在施加反向电压后,在某一电压下击穿、钳制电压的特性。本 应用笔记将对 TVS 二极管和齐纳二极管的区别予以说明。I-V 特性上的使用范围区别Figure 1 是齐纳二极管的 I-V 特性,Figure 2 是 TVS 二极管的 I-V 特性。这两个二极管都利用了反方向特性这一点,但是齐纳 二极管主要用于稳压用途,所以设计成在 1mA 到 40mA 这样 的小电流区域电压稳定,不能流过大电流(Figure 1 的阴影部 分)。在击穿区域内施加指定的小电流 IZ 时,二极管两端电压值 被规定为齐纳电压 VZ。齐纳二极管通常在使用时处于击穿状态。  对于 TVS 二极管,为了不妨碍保护电路的驱动电压,通常使 用在切断电压 VRWM 以下电压范围内(Figure 2 右侧的阴影部 分)。然后,施加浪涌等过电压时会击穿、流过数 A 到数十 A 的电流(左侧的阴影部分)。由于通常情况下不可以击穿,因此规定了绝对不会引起击穿的 电压最大值即截至电压 VRWM 和击穿电压 VBR 两种。  由于击穿电压 VBR 与齐纳电压 VZ 一样使用小电流进行测量,因 此与实际应用条件下的雪崩电压不同。因此,将流过大电流时 的最大击穿电压规定为钳位电压 VCL。Datasheet 上参数定义的区别TVS 二极管和齐纳二极管的 datasheet 上规定的差异如 Table 1 所示。在前面中也说明过,由于齐纳二极管主要用于稳压用 途,所以只规定了小电流域的齐纳电压 VZ。与此相对,TVS 二极管有着小电流区域的击穿电压 VBR、截至 电压 VRWM、高电流区域的钳位电压 VCL3 个参数的区分。只有 TVS 二极管会有表示在特定浪涌波形中能承受的最大浪 涌功率的峰值脉冲功率 PPP 和表示最大浪涌电流的峰值脉冲电 流 IPP 的定义。仅有 TVS 二极管有 ESD 对策用的 ESD 耐量的规定。对于端子间电容,在通信线路中使用时,需要选择数据波形不 会被电容影响而钝化的端子间电容值,因此仅 TVS 二极管有该 项规定。如上所述,齐纳二极管主要用于稳压,因此 datasheet 上的参 数定义主要是齐纳电压等,项目较少。而 TVS 二极管的目的是 保护其他设备不受浪涌的影响,所以电压的参数定义比较广泛, 还规定了 ESD 耐量和端子间容量等重要项目。
2025-07-10 15:01 阅读量:743
  • 一周热料
  • 紧缺物料秒杀
型号 品牌 询价
TL431ACLPR Texas Instruments
MC33074DR2G onsemi
RB751G-40T2R ROHM Semiconductor
CDZVT2R20B ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2 ROHM Semiconductor
型号 品牌 抢购
BU33JA2MNVX-CTL ROHM Semiconductor
TPS63050YFFR Texas Instruments
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Infineon Technologies
ESR03EZPJ151 ROHM Semiconductor
STM32F429IGT6 STMicroelectronics
BP3621 ROHM Semiconductor
热门标签
ROHM
Aavid
Averlogic
开发板
SUSUMU
NXP
PCB
传感器
半导体
关于我们
AMEYA360微信服务号 AMEYA360微信服务号
AMEYA360商城(www.ameya360.com)上线于2011年,现 有超过3500家优质供应商,收录600万种产品型号数据,100 多万种元器件库存可供选购,产品覆盖MCU+存储器+电源芯 片+IGBT+MOS管+运放+射频蓝牙+传感器+电阻电容电感+ 连接器等多个领域,平台主营业务涵盖电子元器件现货销售、 BOM配单及提供产品配套资料等,为广大客户提供一站式购 销服务。

请输入下方图片中的验证码:

验证码