以小搏大,以硅基成本享碳化硅性能:森<span style='color:red'>国科微</span>型化750V SiC MOSFET晶圆的破局之道
  在功率半导体领域,碳化硅(SiC)技术以其卓越的电气性能已成为不争的未来趋势。然而,市场普及始终面临一个核心挑战:如何在不牺牲性能的前提下,将成本降至可与成熟硅基产品正面竞争的水平?森国科最新推出的KWM2000065PM(750V/2Ω)与 KWM1000065PM(750V/1Ω)两款SiC MOSFET产品,以其革命性的微型化芯片设计,给出了一个强有力的答案——通过极致缩小的Die Size,实现系统级成本与性能的双重优势,直指高压平面MOSFET与SJ MOSFET的替代市场。  01技术深潜:微型化Die引发的性能与成本革命  这两颗晶圆最引人注目的特点,是其极其紧凑的尺寸。KWM2000065PM的芯片面积(不含划片道)仅为0.314 mm²(0.560 * 0.560mm),而KWM1000065PM也仅为0.372 mm²(0.560 * 0.665mm)。这一尺寸远小于同规格的硅基器件,奠定了其颠覆性优势的基础。  热性能的先天优势:更稳定,更高效  与传统硅基MOSFET相比,SiC材料本身拥有高出三倍的热导率。这意味着,在同等体积下,SiC芯片内部的热量能更快速地传导至外壳。结合森国科这两款产品的微型化设计,其热阻(RthJC)具备先天的稳定性优势。  --热阻稳定性:硅器件在高温下导通电阻(RDS(on))会急剧增大,而SiC的RDS(on)随温度变化率远低于硅。规格书显示,即使在175°C的高结温下,KWM1000065PM的导通电阻典型值仅从25°C时的1.0Ω升至1.6Ω,变化幅度远优于同级硅器件。这带来了更可预测的功耗和更稳定的高温运行表现。  --高效散热:小尺寸Die允许采用成本更低、体积更小的封装(如DFN5x6, TO-252等)。由于芯片热点与封装外壳的热路径极短,热量能更高效地散发,从而允许器件在更高的功率密度下运行,或减少散热系统的体积与成本。  电气性能的极致化:支持高频、高可靠性应用  高开关速度与低损耗:两款产品均具备极低的电容(Ciss/Coss/Crss),例如KWM2000065PM的Crss典型值低至1.0pF。这直接转化为更快的开关速度、更低的开关损耗(Eon/Eoff)和更小的栅极振荡,为高频开关电源提升效率、缩小无源元件体积奠定了基础。  --750V耐压的可靠性裕量:相较于传统的600V-650V硅基MOSFET,750V的额定电压提供了更强的抗电压冲击和浪涌能力,在PFC电路、反激式拓扑等应用中,系统可靠性得到显著提升。  --快速体二极管:内置的体二极管具有快速反向恢复特性(Qrr低),在桥式电路或硬开关条件下,能有效降低反向恢复损耗,提升整体效率。  成本结构的颠覆:从“芯片成本”到“系统成本”的胜利  这才是森国科此次产品的核心破局点。微型化Die的直接优势是:  单颗芯片成本大幅降低:在同等晶圆上,更小的尺寸意味着可切割的芯片数量呈指数级增长,直接摊薄了单片晶圆的制造成本。  --封装成本显著下降:小芯片可采用更小、更简单的封装,封装材料(塑封料、引线框)和工艺成本随之降低。  --系统级成本优化:由于SiC的高频、高效特性,电源系统中的散热器、磁性元件(电感、变压器)和滤波电容都可以做得更小、更轻,从而在整体系统层面实现显著的体积缩减和成本节约。  02应用蓝图:灵活封装策略覆盖广阔市场  森国科此次提供晶圆形态的产品,赋予了下游客户极大的设计灵活性,精准瞄准两大应用方向:  合封(Chip-in-Package):赋能超紧凑电源  对于追求极致功率密度的应用,如氮化镓快充充电器、服务器AC/DC电源模块、通信电源模块等,这两颗小尺寸Die可与控制器、驱动IC等合封在一个多芯片模块(MCPM)内。这种“All-in-One”的方案能最大限度地减少寄生参数,提升频率和效率,是实现拇指大小百瓦级快充的理想选择。  独立封装:替代传统硅基MOSFET  对于工业电源、光伏逆变器辅助电源、电机驱动、LED照明驱动等需要独立器件的应用,这两颗晶圆可被封装为成本极具竞争力的分立器件。其目标正是直接替代目前市场中广泛使用的750V-800V高压平面MOSFET和超结MOSFET(SJ-MOSFET),让终端产品在几乎不增加成本的情况下,轻松获得效率提升、体积缩小和可靠性增强的优势。  03市场展望:开启“硅基成本,碳化硅性能”的新纪元  森国科KWM2000065PM与KWM1000065PM的推出,具有深远的市场意义。它标志着SiC技术不再仅仅是高端应用的奢侈品,而是可以通过创新的设计与制造工艺,下沉到主流功率市场,成为替代硅基产品的“性价比之选”。  森国科的这两款微型化750V SiC MOSFET晶圆,是一次精妙的“四两拨千斤”。它们没有盲目追求极致的单一性能参数,而是通过芯片尺寸的微型化革命,巧妙地平衡了性能、可靠性与成本,精准击中了市场普及的痛点。这不仅是两款优秀的产品,更代表了一种清晰的市场战略:让碳化硅的强大性能,以客户乐于接受的成本,渗透到每一个可能的电力电子角落,加速全球电气化的高效与节能进程。对于所有寻求产品升级换代的电源工程师而言,这无疑是一个值得密切关注的技术风向标。
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发布时间:2026-01-26 17:43 阅读量:342 继续阅读>>
<span style='color:red'>国科微</span>以人民币 36,000万元正式收购华电通讯
发布时间:2018-12-25 00:00 阅读量:2150 继续阅读>>
动作频频!<span style='color:red'>国科微</span>拟并购一家IC设计公司
  5月22日晚间,湖南国科微电子股份有限公司(以下简称“国科微”)发布重大事项停牌公告,称公司正在筹划购买资产的重大事项,并表示自2018年5月22日(星期二)开市起停牌,预计停牌时间不超过10个交易日。  国科微表示,本次收购的交易方式拟采用支付现金购买资产,交易金额为2亿至5亿元人民币(具体金额尚需进一步洽谈)。目前该资产收购事项仍处于洽谈阶段,双方正在积极协商沟通中,相关中介机构尚未确定。  公告显示,国科微此次拟收购的标的资产为深圳华电通讯有限公司(以下简称“华电通讯”),属于计算机、通信和其他电子设备制造业,主要从事通讯设备的技术开发、设计与生产,有线电视系统、安防系统的设计、生产及工程安装等业务。  而国科微成立于2008年,是专门从事IC设计的企业,长期致力于广播电视、智能监控、固态存储、物联网等领域大规模集成电路及解决方案开发。在成都、上海、深圳、北京、美国硅谷等地设有子公司及研发中心。  资料显示,国科微不仅是国家规划布局内的重点集成电路设计企业,也是中南地区规模最大的集成电路设计企业之一。近几年来,受大基金投资和上市等事件的影响,国科微在市场上受到了越来越多的关注。  2015年,国科微成为国内首家获得国家集成电路产业投资基金注资的集成电路设计企业,大基金也成为国科微第二大股东;2017年7月,国科微成功登陆深交所,成为该所第2000家上市公司。  2018年4月,国科微公布了其上市后的年报首秀。财报显示,2017年国科微实现营收4.12亿元,归属于上市公司股东净利润为5264.48万元,同比增长3.01%。  尤其是固态存储芯片、物联网芯片、集成电路设计三项着眼未来的新业务更是实现了全线增长,其中集成电路营收大增217.78%,物联网芯片营收则暴增逾13倍。  值得注意的是,此次计划收购华电通讯并不是国科微上市后的第一笔对外投资。  今年4月,国科微发布对外投资公告称,拟以自有资金方式出资1亿元在江苏常州投资设立全资子公司“江苏国科微电子有限公司”(以下简称“江苏国科微”),占江苏国科微股权比例的100%。  公告称,新设立的子公司将主要经营集成电路、电子产品的设计、研发、制造及销售;计算机软件的技术研发及销售等。  目前,江苏国科微已于近日完成了工商注册登记手续,并取得常州市武进区市场监督管理局颁发的《营业执照》。
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发布时间:2018-05-24 00:00 阅读量:2641 继续阅读>>

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