<span style='color:red'>瑞萨</span>电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益
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瑞萨电子：高性能系统如何从GaN和低压MOSFET中受益

　　Gabriele Clapier，Power System Marketing Manager："随着汽车、工业和机器人应用对效率、功率密度和可靠性的要求不断提高，功率半导体技术也取得了长足的发展。氮化镓(GaN)和低压MOSFET是推动这一发展的两项最具影响力的创新。Renesas一直处于这些进步技术的最前沿，为这些要求苛刻的行业提供量身定制的高性能解决方案。在这里，我想探讨GaN和MOSFET在这些应用中的作用、它们的优势和挑战，并探讨一些行业用例。"　　GaN和Cascode D-Mode架构的优势　　与传统的硅基器件相比，GaN具有许多优势，包括更高的效率、更快的开关速度和卓越的热性能。这些优势源于GaN较低的导通电阻和更少的栅极电荷，这有助于降低导通和开关损耗。GaN还允许更高的开关频率，从而实现更紧凑、更高效的电力电子设计。　　GaN最有效的实现方式之一是Cascode D-Mode(耗尽模式)配置，通过常开GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)与低压硅MOSFET配对，以创建常闭器件。　　这种组合可以发挥GaN的高效率和快速开关特性，同时保持了使用传统硅栅极驱动器的易控制的特性。 Cascode方法提供更强的耐用性、高电压作以及与现有电路拓扑的兼容性，使其成为高效电源应用的首选解决方案。　　主要应用–能源、电动汽车充电、电机控制和汽车　　可再生能源的兴起也增加了对便携性和高效系统的需求。基于GaN的解决方案被广泛使用，因为它们支持紧凑、轻便和高效的USB-C电源系统，通过提供更快的充电和更高的能源转换率，实现便携性的设计目标。　　随着电动汽车的加速采用，智能充电解决方案对于效率和监控至关重要。基于GaN和MOSFET的电力电子器件可帮助实现这关键系统的高效率、低散热和快速开关速度的目。访问这些应用页面，了解这如何有利于X-in-1集成和其他安全、高效且可扩展的电动和混合动力汽车(EV/HEV)解决方案。　　现代AI驱动型电机控制解决方案利用GaN和低压 MOSFET来提高精度和效率。边缘AI在机器人和工业自动化中发挥着重要作用，可实现实时调整、预测性维护和更高能源效率。基于AI的控制算法与高性能功率器件的集成确保了卓越的电机性能，同时降低了能耗。 高压GaN技术通过降低损耗和提高功率密度，正在彻底改变功率转换，这些进步使工业和汽车应用都受益。 基于高压GaN的转换器可实现更紧凑、更轻便的设计，并具有卓越的功率转换能力。在1.2kW高压GaN逆变器解决方案中查看其实际应用。在电机驱动和机器人应用页面上查看其他高功率交流驱动器设计。　　GaN FET和MOSFET通过实现最小的功率损耗、更强的安全性和稳健的性能，在汽车应用中发挥着至关重要的作用。例如，在上述EV系统中，将多种动力功能集成到单个X-in-1E-Axle解决方案中，可显著提高效率并降低系统复杂性。氮化镓技术提高了功率转换效率，减小了尺寸和重量，最终延长了行驶里程和可靠性，这是将逆变器、车载充电器(OBC)、DC/DC转换器和配电单元(PDU)组合在一起时的关键因素。　　在不断增长的电动两轮车市场中，高效的48V无刷直流 (BLDC)电机控制解决方案至关重要。具有优化 FOM(品质因数，RDSon xQG)的低压MOSFET可实现更高的开关频率、更低的损耗和更好的热性能，从而可帮助实现紧凑、轻便的动力系统，延长电池寿命并改善加速性能。　　总结　　GaN和低压MOSFET正在彻底改变多个领域的电力电子技术，瑞萨电子通过为可再生能源、电动汽车充电、电机控制和下一代汽车架构提供高效、高性能的解决方案来推动这些创新。随着技术的不断进步，这些技术将进一步提高未来工业和汽车应用的能效、可靠性和集成度。
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发布时间：2025-07-24 13:33 阅读量：285 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU，涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景
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瑞萨电子推出面向单电机应用优化的卓越MCU，涵盖电动工具、家用电器等广泛应用场景

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出基于Arm® Cortex®-M23处理器的RA2T1微控制器(MCU)产品群。该系列产品针对电机控制系统进行优化，专为风扇、电动工具、吸尘器、冰箱、打印机、吹风机等单电机应用而设计。　　专为电机控制优化的功能集　　全新RA2T1产品包含多项提升电机控制功能的设计，尤其适用于单电机系统。其显著特点之一是具备3通道S&H(采样保持)功能，可同时检测无刷直流(BLDC)电机的三相电流值。与顺序测量方式相比，这种方案可提高控制精度。RA2T1 MCU还提供具备互补脉宽调制(PWM)功能的定时器，可实现死区时间的自动插入和不对称PWM生成，这一针对逆变器驱动进行优化的功能，有助于控制算法的实施。　　RA2T1产品集成对电机控制应用至关重要的安全功能，包括端口输出使能功能和高速比较器。当检测到过流时，二者协同工作，能够快速关闭PWM输出。关断状态可根据逆变器规格进行配置。　　瑞萨在电机控制嵌入式处理领域的卓越地位　　瑞萨面向电机控制提供专用MCU已有超过20年历史。公司每年向全球数千家客户出货超过2.3亿颗电机控制专用MCU。除多个RA MCU产品群外，瑞萨还在其32位RX产品家族、16位RL78 MCU和64位RZ MPU产品线中推出电机控制专用器件。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“历经多年实践验证，瑞萨电机控制解决方案已在数千个系统中赢得客户信赖。全新RA2T1 MCU凭借前沿的技术和低功耗运行特性，结合瑞萨在单电机系统领域优异的质量与安全标准，进一步巩固我们在该领域的卓越市场地位。”　　RA2T1产品群MCU的关键特性　　内核：64MHz Arm® Cortex®-M23　　存储：64KB闪存、8KB SRAM、2KB数据闪存　　模拟外设：12位ADC(带3通道采样保持)、温度传感器、内部参考电压、2通道高速比较器　　系统：高、中、低速片上振荡器;时钟输出;上电复位;电压检测;数据传输、事件链接和中断控制器;低功耗模式　　安全功能：PWM强制关闭、SRAM奇偶校验错误检测、ADC自诊断、时钟频率精度测量、非法内存访问检测　　工作温度范围：Ta=-40°C至125°C　　工作电压：1.6V至5.5V　　封装：48LQFP、32-LQFP、48-QFN、32-QFN、24-QFN(4mm x 4mm)　　全新RA2T1产品群MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的所有基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接、网络和安全堆栈，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可轻松将现有设计迁移至其它RA系列产品。　　成功产品组合　　瑞萨将全新RA2T1 MCU产品群与其产品组合中的众多可兼容器件相结合，创建广泛的“成功产品组合”，包括便携式电动工具、智能BLDC吊扇、无线吸尘器、无线吹叶机。“成功产品组合”基于相互兼容且无缝协作的产品，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，以加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。更多信息，请访问：renesas.com/win。　　供货信息　　RA2T1产品群MCU以及FSP软件现已上市。全新MCU由瑞萨的灵活电机控制开发套件和瑞萨电机工作台开发工具提供支持，前者可实现永磁同步电机(无刷直流电机)控制的便捷评估。该开发套件搭建了一个通用设计平台，支持瑞萨RA和RX产品家族中的众多电机控制MCU，从而助力跨多个平台的IP迁移。有关所有这些产品的信息可点击阅读原文获取，客户可以在瑞萨网站或通过分销商订购样品及套件。　　瑞萨MCU优势　　作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间：2025-07-10 13:42 阅读量：295 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
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瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出三款新型高压650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，适用于人工智能(AI)数据中心和服务器电源(包括新型800V高压直流架构)、电动汽车充电、不间断电源电池备份设备、电池储能和太阳能逆变器。此类第四代增强型(Gen IV Plus)产品专为多千瓦级应用设计，将高效GaN技术与硅基兼容栅极驱动输入相结合，显著降低开关功率损耗，同时保留硅基FET的操作简便性。新产品提供TOLT、TO-247和TOLL三种封装选项，使工程师能够灵活地针对特定电源架构定制热管理和电路板设计。　　这三款新型产品基于稳健可靠的SuperGaN®平台打造。该平台采用经实际应用验证的耗尽型(d-mode)常关断架构，由Transphorm公司(瑞萨已于2024年6月收购该公司)首创。与硅基、碳化硅(SiC)和其它GaN产品相比，基于低损耗耗尽型技术的产品具有更高的效率。此外，它们通过更低的栅极电荷、输出电容、交叉损耗和动态电阻影响，以最大限度地减少功率损耗，并具备更高的4V阈值电压——这是当前增强型(e-mode)GaN产品所无法达到的性能。　　新型Gen IV Plus产品比上一代Gen IV平台的裸片小14%，基于此实现30毫欧(mΩ)的更低导通电阻(RDS(on))，较前代产品降低14%，并且在导通电阻与输出电容乘积这一性能指标(FOM)上提升20%。更小的裸片尺寸有助于降低系统成本，减少输出电容，进而提升效率和功率密度。这些优势使Gen IV Plus产品成为对成本敏感且对散热要求较高应用的理想选择，特别是在需要高性能、高效率和紧凑体积的场景中。它们与现有设计完全兼容，便于升级，同时保护已有的工程投入。　　这些产品采用紧凑型TOLT、TO-247和TOLL封装，为1kW至10kW的电源系统提供广泛的封装选择，满足热性能与布局优化的要求，还可并联更高功率的电源系统。新型表面贴装封装包括底部散热路径(TOLL)和顶部散热路径(TOLT)，有助于降低外壳温度，方便在需要更高导通电流时进行器件并联。此外，常用的TO-247封装为客户带来更高的热容量，以实现更高的功率。　　Primit Parikh, Vice President of the GaN Business Division at Renesas表示：“Gen IV Plus GaN产品的成功发布，标志着瑞萨自去年完成对Transphorm的收购后，在GaN技术领域迈出具有里程碑意义的第一步。未来，我们将深度融合经市场场验证的SuperGaN技术与瑞萨丰富的驱动器及控制器产品阵容，致力于打造完整的电源解决方案。这些产品不仅可作为独立FET使用，更能与瑞萨控制器或驱动器产品集成到完整的系统解决方案设计中，这一创新组合将为设计者提供更高功率密度、更小体积、更高效率，且总系统成本更低的产品设计方案。”　　独特的耗尽型常关断设计，实现可靠性与易集成性　　与此前的耗尽型GaN产品一样，瑞萨全新GaN产品采用集成低压硅基MOSFET的独特配置，拥有无缝的常关断操作，同时充分发挥高电压GaN在低损耗和高效率开关方面的优势。由于其输入级采用硅基FET，SuperGaN FET可以使用标准现成的栅极驱动器进行驱动，而无需通常增强型GaN所需的专用驱动器。这种兼容性既简化设计流程，又降低系统开发者采用GaN技术的门槛。　　为满足电动汽车(EV)、逆变器、AI数据中心服务器、可再生能源和工业功率转换等领域的高要求，基于GaN的开关产品正迅速成为下一代功率半导体的关键技术。与SiC和硅基半导体开关产品相比，它们具有更高的效率、更高的开关频率，和更小的尺寸。　　瑞萨在GaN市场上独具优势，提供涵盖高功率与低功率的全面GaN FET解决方案，这与其它许多仅在低功率段取得成功的厂商形成鲜明对比。丰富的产品组合使瑞萨能够满足更广泛的应用需求和客户群体。截至目前，瑞萨已面向高、低功率应用出货超过2,000万颗GaN器件，累计现场运行时间超过300亿小时。
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发布时间：2025-07-04 10:41 阅读量：317 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器，树立MCU性能新标杆
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瑞萨电子推出搭载AI加速功能的1GHz微控制器，树立MCU性能新标杆

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)宣布推出针对人工智能(AI)、机器学习(ML)应用以及实时分析的RA8P1微控制器(MCU)产品群。该系列MCU通过将1GHz Arm® Cortex®-M85和250MHz Cortex-M33 CPU核心与Arm EthosTM-U55神经处理单元(NPU)相结合，从而树立MCU性能的新标杆。这一组合可实现超过7300 CoreMark的最高CPU性能和500 MHz下256 GOPS的AI性能。　　专为边缘/终端AI设计　　RA8P1专为边缘AI应用优化，利用Ethos-U55 NPU卸载CPU在卷积神经网络(CNN)和递归神经网络(RNN)中的计算密集型操作，实现高达256 MAC per/cycle的性能，在500MHz下可达256 GOPS。新款NPU支持大多数常用神经网络，包括DS-CNN、ResNet、Mobilenet TinyYolo等。根据所用神经网络的不同，Ethos-U55相较于单独使用的Cortex-M85处理器，可获得高达35倍的每秒推理次数。　　先进技术　　RA8P1 MCU采用台积电22ULL(22nm ultra-low leakage，超低漏电)工艺制造，在实现超高性能的同时保持极低的功耗。该工艺还支持在新款MCU中集成嵌入式磁性随机存取存储器(MRAM)。与闪存相比，MRAM具备更快的写入速度、更高的耐久性和更强的数据保持能力。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“高性能边缘AIoT应用的需求正呈现爆炸式增长，而RA8P1正是我们为应对这一趋势而推出的MCU产品。它不仅充分彰显了我们在技术和市场领域的深厚积累，更体现了我们与行业伙伴建立的广泛合作生态。瑞萨的客户对在多样化AI场景中部署这款全新MCU表现出了强烈意愿。”　　Paul Williamson, Senior Vice President and general manager, IoT Line of Business at Arm表示：“人工智能时代的创新步伐比以往任何时候都快，新的边缘应用对设备端性能和机器学习提出了更高的要求。瑞萨RA8P1 MCU依托Arm计算平台的先进AI功能，能够满足下一代语音和视觉应用的需求，助力扩展智能、情境感知的AI体验。”　　Chien-Hsin Lee, Senior Director of Specialty Technology Business Development at TSMC表示：“我们非常高兴看到瑞萨充分利用台积电22ULL嵌入式MRAM技术的性能和可靠性，为其RA8P1带来卓越的成果。随着台积电不断推进嵌入式非易失性存储器(eNVM)技术，我们期待加强与瑞萨长期合作，共同推动未来突破性产品的创新。”　　丰富的外设，专为AI设计　　瑞萨推出的RA8P1集成专用外设、充足的内存和高阶安全功能，以支持语音和视觉AI以及实时分析应用。对于视觉AI，该设备包含一个16位摄像头接口(CEU)，支持高达500万像素的图像传感器，从而实现需要接入摄像头和算力要求苛刻的视觉AI应用。独立的MIPI CSI-2接口提供一个低引脚数接口，具有两个通道：每个通道速率最高可达720Mbps。此外，多个音频接口(包括I2S和PDM)支持麦克风输入，满足语音AI应用需求。　　RA8P1集成了片上存储和可扩展的外部存储，以实现高效、低延迟的神经网络处理。该MCU内置2MB SRAM，用于存储中间变量或缓冲区。此外，该产品配备1MB片上MRAM，用于存储应用程序代码、模型权重或图形资源。对于更大规模的模型，可提供高速外部存储器接口。对于更严苛的AI应用需求，这一MCU还提供单封装内含4MB或8MB外部闪存的SIP选型。　　全新RUHMI框架　　与RA8P1 MCU一同推出的，还有瑞萨RUHMI(瑞萨统一异构模型集成)。作为一款面向MCU与MPU的综合性AI编译器和框架，RUHMI提供高效的AI工具，能够部署多种最新神经网络模型。它支持模型优化、量化、图编译和转换，并生成高效、适用于MCU的源代码。RUHMI原生支持TensorFlow Lite、Pytorch和ONNX等机器学习AI开发框架，还提供部署预训练神经网络所需的工具、API、代码生成器与运行时环境，包括适用于RA8P1的演示用例。此外，RUHMI与瑞萨自有的e2Studio IDE集成，可实现无缝AI开发，此集成将为MCU和MPU提供一个通用的开发平台。　　高阶安全功能　　RA8P1 MCU为关键应用构建前沿的安全保障。全新的瑞萨安全IP(RSIP-E50D)集成众多加密加速器，包括CHACHA20、Ed25519、最高达521位的NIST ECC曲线、增强型最高达4K的RSA、SHA2和SHA3。与Arm TrustZone协同工作，该IP可实现全面且完全集成的类似安全元件的功能。新款MCU还具备强大的硬件信任根，和通过第一阶段引导加载程序(FSBL)在不可变存储器(ROM)中实现的安全启动功能。支持实时解密(DOTF)的XSPI接口允许将加密的代码程序存储在外部闪存中，并在安全传输到MCU执行时进行实时解密。　　即用型解决方案　　瑞萨为RA8P1 MCU打造了一系列易用的工具及解决方案，包括灵活软件包(FSP)、评估套件和开发工具，支持FreeRTOS、Azure RTOS，以及Zephyr。瑞萨还提供多个软件示例项目和应用说明，以帮助客户加快产品上市速度。此外，众多合作伙伴解决方案也可支持RA8P1 MCU的开发，其中包括来自Nota.AI的驾驶员监控解决方案，和来自Irida Labs的交通/行人监控解决方案。其它更多解决方案，可查阅RA合作伙伴生态系统解决方案。　　RA8P1 MCU的关键特性　　- 处理器：1GHz Arm® Cortex®-M85、500MHz Ethos-U55、250MHz Arm Cortex-M33(可选)　　- 存储：1MB/512KB片上MRAM、4MB/8MB外部闪存SIP选项、2MB完全受ECC保护的SRAM、每核心32KB I/D缓存　　- 图形外设：支持最高WXGA(1280x800)分辨率的图形LCD控制器、并行RGB和MIPI-DSI显示接口、强大的2D绘图引擎、并行16位CEU和MIPI CSI-2摄像头接口、32位外部存储器总线(SDRAM和CSC)接口　　- 其它外设：千兆以太网和TSN交换机、带XIP和DOTF的XSPI(八线SPI)、SPI、I2C/I3C、SDHI、USBFS/HS、CAN-FD、PDM和SSI音频接口、带S/H电路的16位ADC、DAC、比较器、温度传感器、定时器　　- 安全特性：高阶RSIP-E50D加密引擎、TrustZone、不可变存储器、安全启动、防篡改、DPA/SPA攻击防护、安全调试、安全工厂编程、设备生命周期管理　　- 封装：224BGA、289BGA
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发布时间：2025-07-04 10:33 阅读量：382 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>RH850/U2A MCU现支持MediaTek天玑汽车座舱平台，提升软件定义汽车的安全性和效率
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瑞萨RH850/U2A MCU现支持MediaTek天玑汽车座舱平台，提升软件定义汽车的安全性和效率

　　随着车辆从交通工具向智能“第三空间”演变，对高性能、安全认证解决方案的需求不断增长。作为先进汽车半导体领域的领导者，瑞萨电子凭借其RH850/U2A区域/域微控制器系列满足了这些需求，该系列是为在不断发展的电子电气架构下实现统一控制而设计的下一代解决方案。　　针对智能汽车的产品和技术需求，瑞萨提供多样化车用解决方案和多款高性能车用MCU。其中RH850/U2A区域/域微控制器系列作为新一代车载控制器件，是瑞萨跨域MCU产品系列的首款产品，旨在满足日益增长的将多种应用集成到单颗芯片中的需求，以实现针对不断发展的电子电气架构(E/E架构)的统一电子控制单元，尤其适用于要求高性能和高安全性的应用。　　截至目前，RH850/U2A系列产品已完成多家客户的平台适配。近期，RH850/U2A MCU以及一颗用于为该 MCU供电、可支持达到ASIL D要求的系统功能安全要求的车用PMIC也已成功搭载于MediaTek新近发布的天玑汽车旗舰座舱平台C-X1中，以车规级安全标准打造出具备更高可靠性的AI智能座舱方案，助力实现平台安全等级和能效的强化，推动软件定义汽车的趋势加速落地。至此瑞萨也成为MediaTek生态合作伙伴之一。　　作为连接与控制“中枢”，瑞萨RH850/U2A MCU基于28纳米(nm)先进制程，搭载四个400MHz CPU内核，采用双核锁步架构，支持ISO 26262 ASIL D功能安全要求，且通过硬件虚拟化技术实现多系统独立运行，完美兼容座舱控制、区域与网关通信的复杂需求。　　瑞萨RH850/U2A MCU的关键优势　　- ASIL-D安全：双核锁步架构符合ISO 26262的最高安全标准，适用于座舱、区域、ADAS、底盘、域控制器等。　　- 高性能：28纳米工艺的四个400MHz CPU内核，可实现无缝的多系统操作。凭借内置的虚拟化管理程序硬件支持，它还能实现ECU集成，降低整体系统成本。　　- 增强安全性：集成HSM(Evita Full)和多个加密核心，提供强大的网络攻击防护，支持安全的OTA软件更新。　　- 生态系统与软件支持：提供符合AUTOSAR标准的工具、软件和合作伙伴关系，加速软件开发。　　- 值得信赖的合作伙伴：凭借数十年的汽车微控制器专业知识，具有经过验证的可靠性和极小开发风险。　　通过整合瑞萨MCU技术，汽车制造商为下一代座舱系统获得了可靠的基石——集安全性、高性能和灵活性于一体。
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发布时间：2025-06-27 11:49 阅读量：362 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子推出全新超低功耗RA2L2微控制器，支持USB-C Rev. 2.4标准
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瑞萨电子推出全新超低功耗RA2L2微控制器，支持USB-C Rev. 2.4标准

　　全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE：6723)今日宣布推出RA2L2微控制器(MCU)产品群，率先在业内支持USB-C Revision 2.4新标准。这款MCU基于48MHz Arm Cortex-M23处理器，拥有丰富的功能特性，使其成为便携式设备和个人电脑(PC)的理想选择。　　全新USB Type-C线缆和连接器规范2.4版本可降低电压检测阈值(1.5A电源为0.613V，3.0A电源为1.165V)。RA2L2 MCU是业内首款支持这一新标准的MCU。　　RA2L2 MCU采用专有低功耗技术，提供87.5µA/MHz工作电流，仅250nA的软件待机电流。还为低功耗UART提供独立的工作时钟，在接收来自Wi-Fi和/或低功耗蓝牙®模块的数据时可用于唤醒系统。包括对USB-C的支持，这些特性使RA2L2成为USB数据记录仪、充电箱、条码扫描仪等便携式设备的理想解决方案。　　新型MCU不仅支持具有CC检测功能和最高15W(5V/3A)的USB-C，以及USB FS外，还可提供LP UART、I3C和CAN接口，帮助设计人员减少所需元件数量，有效降低BOM成本、节省电路板空间并减少功耗。　　RA2L2 MCU由瑞萨灵活配置软件包(FSP)提供支持。FSP提供所需的基础架构软件，包括多个RTOS、BSP、外设驱动程序、中间件、连接和网络功能，以及用于构建复杂AI、电机控制和云解决方案的参考软件，从而加快应用开发速度。它允许客户将自己的既有代码和所选的RTOS与FSP集成，为应用开发提供充分的灵活性。借助FSP，可简化现有IP在不同RA产品之间迁移。　　Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing Marketing Division at Renesas表示：“RA2L2产品群MCU作为我们首款全面支持全速USB与USB-Type C连接器的产品，通过减少外部元件，可有效控制系统成本保持在较低水平;同时，延续了瑞萨广受欢迎的RA2L1产品的低功耗优势，这些新产品彰显了我们快速响应客户需求、提供高效解决方案的实力与承诺。”　　RA2L2 MCU的关键特性　　内核：48MHz Arm Cortex-M23　　存储：128-64KB闪存、16KB SRAM、4KB数据闪存　　外设：USB-C、USB-FS、CAN、低功耗UART、SCI、SPI、I3C、I2S、12位ADC(17通道)、低功耗定时器、实时时钟、高速片上振荡器(HOCO)、温度传感器　　封装：32、48和64引脚LQFP;32和48引脚QFN　　安全性：唯一ID、TRNG　　宽环境温度范围：Ta = -40°C至125°C　　工作电压：1.6V-5.5V;USB工作电压：3.0V-3.6V　　成功产品组合　　将全新RA2L2 MCU与瑞萨产品阵容中的众多可兼容器件相结合，创建了广泛的“成功产品组合”，包括USB数据记录器、配备GNSS(全球导航卫星系统)的电子收费系统、游戏键盘和游戏鼠标等。这些设计方案基于相互兼容的产品，可以无缝地协作工作，具备经技术验证的系统架构，带来优化的低风险设计，从而加快产品上市。瑞萨现已基于其产品阵容中的各类产品，推出超过400款“成功产品组合”，使客户能够加速设计过程，更快地将产品推向市场。　　瑞萨MCU优势　　作为全球卓越的MCU产品供应商，瑞萨电子MCU近年来的平均年出货量超35亿颗，其中约50%用于汽车领域，其余则用于工业、物联网以及数据中心和通信基础设施等领域。瑞萨电子拥有广泛的8位、16位和32位产品组合，所提供的产品具有出色的质量和效率，且性能卓越。同时，作为一家值得信赖的供应商，瑞萨电子拥有数十年的MCU设计经验，并以双源生产模式、业界先进的MCU工艺技术，以及由250多家生态系统合作伙伴组成的庞大体系为后盾。
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发布时间：2025-06-11 11:04 阅读量：630 继续阅读>>
车载便携式电源需求激增，<span style='color:red'>瑞萨</span>解决方案赋能创新之路
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车载便携式电源需求激增，瑞萨解决方案赋能创新之路

　　在当今科技飞速发展且生活节奏日益加快的时代，便携式电源设备应用越来越广泛。其中，太阳能充电功能与精确电池管理的电量计虽极具价值，但也面临诸多挑战，如充电效率起伏不定，难以保障设备持续稳定供电;以及太阳能充电模块的集成设计需兼顾便携性与转换效率，在有限空间内实现高效转化等。　　面对这些趋势与挑战，瑞萨的便携式电源系统解决方案应运而生，其专为多功能、高功率充电而精心设计，具备多种输入和输出选项，完美契合当下多样化的用电需求。　　瑞萨便携式电源系统解决方案　　瑞萨的便携式电源系统方案集成了一个数字控制升降压电池充电器，搭配用于充电和放电的USB Type-C®端口控制器(TCPC)，符合USB供电(PD)3.1扩展功率范围(EPR)标准，可从车载电源向USB Type-C®端口提供高达240W的功率。该方案配备3.6KW双向功率因数校正(PFC)和双有源桥(DAB)数字电源，不仅实现了高效稳定的充电，还能灵活应对不同设备的连接需求。　　值得一提的是，该方案还具备太阳能充电功能，能够充分利用可再生能源，为电源系统提供更多的能量来源途径，进一步提升其在各种环境下的适用性。此外，用于精确电池管理的电量计IC在单个封装中集成了MCU和模拟前端(AFE)，能够实时监控电池状态，有效延长电池续航能力。　　该系统由中央控制板、供电端和负载端三个模块组成。　　控制部分，中央控制板采用瑞萨入门级MCU RA2E1，该MCU基于48MHz Arm Cortex®-M23内核打造,具有高达128KB代码闪存和16KB SRAM存储器，支持构建各种通用设计。RA2E1具有1.6V至5.5V宽工作电压范围，拥有各种内存和封装可供选择。　　为系统提供电池电量测量和管理的电量计模块采用瑞萨旗下3至10串锂离子电池电量计IC RAJ240100GFP，它将一个MCU器件和AFE器件集成在单个封装中，具备多种电池管理功能。此外，瑞萨还提供用于电池管理的RAJ240090/100评估套件和快速入门指南，该套件具有用户可配置的设置，用于确定器件的不同阈值，实现从评估到客户认证的无缝过渡，而无需进行固件开发。　　方案中的双向PFC+DC/DC是一个数字电源系统，采用瑞萨高性能MCU RA6T2，专为支持650V GaN FET而设计，通过DAB和图腾柱拓扑结构，提供3.6kW双向转换，可实现>98.5%的效率。　　在太阳能应用的部分，本方案搭载的智能太阳能电池充电器模块通过MPPT和降压升压优化太阳能电池阵列的功能，实现高效充电、可调电压、可编程速率和强大的电池保护，从而获得最佳性能。供电端的240W USB PD AC/DC适配器模块则是一个符合USB PD 3.2 EPR标准的电源，具有紧凑的设计。其内置的零电压开关(ZVS)最大限度地减少了开关损耗，确保高转换效率(>94%)。　　100W USB Type-C DC输入模块支持宽输入电压范围(4-20V，高达8A)。它提供符合USB PD标准的 VBUS电源，具有可编程电压选项(3.3至21V)，并支持双 USB Type-C® 输出。此外，该模块具有多端口电源管理器功能，可为现代USB供电应用提供可扩展的系统。　　负载端的12V同步降压稳压器RAA211650是一个集成式60V 5A同步降压稳压器，开关频率200kHz-2.5MHz可调。其集成的低导通电阻MOSFET、栅极驱动器和控制器，使之成为一个高效的降压解决方案。　　瑞萨的便携式电源系统方案专为快速原型设计而构建，适合移动电源、离网能源解决方案和现场应用的便携式电源。
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发布时间：2025-06-05 09:16 阅读量：326 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>AI行车记录仪解决方案如何“玩转”出行安全
行业新闻

瑞萨AI行车记录仪解决方案如何“玩转”出行安全

　　在繁忙的城市道路上，行车记录仪在交通事故定责、共享出行、车队监控等方面发挥着举足轻重的作用，在汽车安全领域受到高度重视，这也正是全球行车记录仪需求大幅增长的原因所在。　　瑞萨采用AI技术的行车记录仪系统解决方案进一步扩展了相关功能，使高级驾驶辅助系统(ADAS)、更高分辨率的视频处理和实时智能分析成为可能，为出行安全提供了全方位的保护。　　瑞萨AI行车记录仪解决方案　　功能完备，优势明显　　瑞萨AI行车记录仪系统配备高性能视觉AI MPU与高能效AI加速器，利用AI驱动的DRP-AI进行实时视觉推断，视频质量更佳，能够实现车牌、面部及远距离物体检测。　　该系统拥有较高的计算效率，可实现ADAS功能(如防碰撞警报)，进而增强车辆和驾驶员的整体安全性。双摄像头支持增强了感知能力，兼顾前置ADAS摄像头与驾驶员监控系统(DMS)。低功耗待机模式可延长运行时间，加速度计在检测到撞击或运动时，立即唤醒系统并进行记录，确保捕捉到关键事件。人机界面(HMI)集成支持触摸、LCD和语音控制，可提供直观、多功能和解放双手的用户体验。　　瑞萨AI行车记录仪系统由MPU和输入端的时钟发生器、环境光传感器、降压稳压器、电源管理以及输出端的无线通信和音频编解码器等部分构成。各部分协同运作，各司其职，保障系统高效运行。　　01MPU　　RZ/V2N是一款视觉AI微处理器(MPU)，配备瑞萨专有的AI加速器(DRP-AI3)，支持高达4TOPS(Dense模型)和15TOPS(Sparse模型)的AI性能。其CPU为四核Arm® Cortex®-A55(1.8GHz)和Arm Cortex-M33(200MHz)。RZ/V2N配备了ISP(图像信号处理器)和双通道MIPI® CSI-2®摄像头接口，可支持双摄像头信号处理，这对实现视觉系统至关重要。它还配备了PCIe®和USB 3.2等高速接口，可扩展外部设备，适用于需要低功耗和高级人工智能推理的应用，如DMS(驾驶员监控系统)、监控摄像头、移动机器人等。　　02可编程时钟发生器　　系统中的时钟发生器5L35023属于VersaClock 3S可编程时钟发生器系列，工作电压为1.8V，适用于工业、消费及PCI Express应用。它采用3 PLL架构，各PLL可单独编程，最多有6个独特频率输出。5L35023还具备主动节能(PPS)、性能功率平衡(PPB)、超调减少技术(ORT)以及极低功耗数字振荡器(DCO)等内置功能，能有效满足系统多样化时钟需求，助力系统稳定高效运行。　　03环境光传感器　　该系统中的环境光传感器ISL76682是带I²C(SMBus兼容)接口的汽车用集成光传感器，具有低功耗和高灵敏度。先进的光电二极管阵列可模拟人眼响应并具良好的红外抑制能力。该ADC还能抑制人工光源引起的50Hz和60Hz闪烁。　　04降压稳压器　　ISL80015等小型同步降压转换器能够以2.7V-5.5V输入电源提供高达2A连续输出电流。其峰值电流模式控制架构可实现非常低的占空比操作。1MHz或2MHz的开关频率能提供卓越的瞬态响应，并允许使用小型电感器。　　05电源管理　　RAA215300是一款高性能、低成本的9通道PMIC，适配32位和64位MCU、MPU应用，满足DDR3、DDR3L、DDR4和LPDDR4等多种内存电源要求。内部补偿稳压器、实时时钟(RTC)、32kHz晶体振荡器和纽扣电池充电器共同提供了一个高度集成、占位面积小、稳定运行的电源解决方案，是MPU电源的理想之选。　　此外，多通道电源管理集成电路(PMIC)DA9215等是针对智能手机、平板电脑和其他便携式应用中的CPU、GPU和DDR内存轨供电优化的PMU，具有快速瞬态响应(10 A/µs)和负载调节能力。　　06无线通信　　无线通信模块中的DA16600是高度集成的超低功耗Wi-Fi®+蓝牙®低功耗组合模块方案，包含802.11b/g/n无线电(PHY)、基带处理器、媒体访问控制器(MAC)、片上存储器和主机网络应用处理器。其中的DA14531包含2.4GHz收发器与Arm®Cortex-M0+® MCU、48kB RAM及32kB一次性可编程(OTP)存储器。无线电收发器、基带处理器以及合格的Bluetooth®低功耗堆栈，完全契合蓝牙低功耗5.1标准，能满足多种场景需求。　　07编解码器　　DA7212是面向便携式音频设备的超低功耗音频编解码器(Codec)。其输入路径支持立体声FM线路输入和最多四个模拟(或两个模拟和两个数字)麦克风，有两个独立的麦克风偏置。输出驱动器具有全面模拟混合和旁路路径。耳机输出为真实接地Class G，内置电荷泵;此外，还有差分Class AB扬声器驱动器，可作单声道输出，充分满足便携式音频设备的多样需求。　　瑞萨AI记录仪方案适用于消费类AI行车记录仪、车队AI记录仪及前舱/后舱DMS摄像头等。它能够为记录行车状况、监测驾驶行为提供支持，通过高效的数据采集与智能分析处理获得精准的结果，保证驾驶安全。
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发布时间：2025-05-29 11:09 阅读量：398 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子：使用RAA2S426x解决汽车传感器信号调理中的关键挑战
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瑞萨电子：使用RAA2S426x解决汽车传感器信号调理中的关键挑战

　　随着汽车行业的发展，传感器系统越来越需要提供精确的数据，以确保最佳的车辆性能和安全性;然而，许多现有的信号调理解决方案无法满足要求，从而带来可能损害车辆功能和安全性的挑战。　　挑战　　信号失真：许多传感器解决方案会导致信号失真，从而导致数据不可靠。　　读数不准确：不准确的传感器读数会影响车辆的性能和安全性。　　延长开发周期：低效的解决方案会延长制造商的开发时间并增加成本。　　解决方案：瑞萨电子的RAA2S426x传感器信号调理芯片(SSC)旨在应对这些挑战。这种先进的CMOS集成电路为差分桥式传感器信号提供精确的放大和传感器特定的校正。通过提供可靠、准确的数据，RAA2S426x有助于提高整个汽车系统的性能和安全性。　　主要优点　　卓越的精度：RAA2S426xB具有超过900倍的前置放大和增强的模拟传感器偏移校正 (XSOC)，可确保精确的信号调节，最大限度地减少失真和不准确。　　增强保护：过压和反极性保护增强了器件的可靠性，即使在恶劣的汽车环境中也是如此。　　温度补偿：三阶温度补偿可保持信号完整性，确保在条件变化的情况下保持一致的性能。　　简化的集成：RAA2S426x支持多种通信接口(SENT、I2C和One-Wire)，从而降低了布线复杂性并实现了更快的校准，从而简化了系统集成。　　多功能应用：RAA2S426x是一种多功能解决方案，可优化整个行业的传感器性能，是新能源汽车和燃油汽车的发动机控制、线控制动系统、燃料电池技术和热管理的理想选择。　　结论　　RAA2S426x以无与伦比的精度和可靠性解决了这些问题。其强大的功能，包括具有超过900倍放大倍率的模拟前端、XSOC和卓越的保护电路，确保传感器数据保持准确可靠。其结果是提高了车辆性能，增强了安全性，并缩短了开发时间和成本。　　RAA2S426x SSC解决了关键的信号调理挑战，为汽车创新树立了新标准，帮助制造商满足下一代汽车的需求。立即申请样品或RAA2S426XKIT评估套件开始您的下一个设计。
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发布时间：2025-05-27 10:08 阅读量：596 继续阅读>>
<span style='color:red'>瑞萨</span>电子与美的楼宇科技共建变频联合实验室，开启暖通空调智能化新篇章
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瑞萨电子与美的楼宇科技共建变频联合实验室，开启暖通空调智能化新篇章

　　2025年5月21日，瑞萨电子与美的集团楼宇科技事业部在美的集团08空间签署变频技术联合实验室共建协议并举行揭牌仪式。该实验室将聚焦下一代暖通空调无感升级技术与边缘端AI场景化应用的深度研发，推动智能楼宇领域的技术革新与用户体验升级，为未来市场拓展奠定坚实基础。　　▲左：美的集团楼宇科技事业部氟机研发中心主任 罗彬　　▲右：瑞萨电子全球高级副总裁 Davin Lee　　合作背景：强强联合，深化技术赋能　　作为美的集团核心半导体供应商，瑞萨凭借其RX系列MCU，已在美的楼宇科技事业部的变频空调、智能控制系统等领域实现规模化应用。此次合作基于瑞萨和美的集团2025年3月签署的供应商合作协议，进一步聚焦暖通空调垂直场景，通过联合实验室实现技术深度融合与创新突破。　　合作目标：技术升级与用户体验双驱动　　01无感升级技术革新：依托瑞萨RX26T芯片的Dual Bank技术，实验室将研发空调系统运行时不停机无缝升级方案，显著减少设备停机维护时间，提升系统稳定性与用户使用体验。　　02边缘AI场景化落地：通过瑞萨Reality AI技术，实验室将开发轻量化AI模型，实现边缘端智能技术落地。　　03长期生态构建：联合实验室还将搭建软硬件调试环境与数据采集平台，为后续产品迭代提供标准化流程支持，并探索AI技术在美的全产品线的拓展应用。　　展望未来：共筑智能楼宇新生态　　联合实验室的成立标志着瑞萨与美的的合作从单一产品供应迈向全链路技术共创。未来，双方将围绕智慧建筑、能源效率优化等方向持续探索，推动半导体技术与暖通系统的深度融合，为全球用户提供更安全、智能、可持续的楼宇解决方案。　　揭牌仪式后，双方团队合影留念。　　▲双方团队合影留念
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发布时间：2025-05-27 10:03 阅读量：659 继续阅读>>

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