纳芯微发布带可配置逻辑块（CLB）的 实时控制 MCU/DSP NS800RT503xC/5049C 系列" alt="把外部逻辑"装"进芯片：纳芯微发布带可配置逻辑块（CLB）的 实时控制 MCU/DSP NS800RT503xC/5049C 系列">
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把外部逻辑"装"进芯片：纳芯微发布带可配置逻辑块（CLB）的 实时控制 MCU/DSP NS800RT503xC/5049C 系列

　　纳芯微近日推出NSSine™系列实时控制MCU/DSP新成员——NS800RT503xC与NS800RT5049C系列。新品在已量产的NSSine™实时控制平台基础上，新增4个可配置逻辑块(CLB)。工程师可通过软件在芯片内搭建自定义硬件逻辑，将原本依赖外部逻辑器件的功能集成到主控芯片中，从而简化系统设计，降低BOM成本与PCB面积，并获得更确定、更低延迟的控制响应。　　实时控制之外，工程师还需要处理“逻辑”难题　　在电机驱动、数字电源、储能变流器等应用中，工程师除运行控制算法外，还需处理编码器位置解码、PWM保护逻辑组合、自定义串行协议等“小逻辑”。主控芯片中没有现成模块承接这类功能，传统做法是外挂CPLD或FPGA等逻辑器件。这不仅增加BOM成本与PCB面积，芯片间的信号传输还会带来额外的延迟与可靠性风险。　　针对这一需求，NS800RT503xC/5049C系列在已量产的NSSine™实时控制平台基础上，新增4个可配置逻辑块(CLB)。　　　　新增4个可配置逻辑块(CLB)：　　把外部逻辑“装”进芯片　　NS800RT503xC/5049C型号中的“C”即代表带CLB的产品。这4个可配置逻辑块在延续NSSine™平台高性能内核与丰富外设的基础上，将可编程硬件逻辑能力引入主控芯片。　　CLB是一组可通过软件进行互连逻辑设计的模块，用于实现自定义数字逻辑功能或增强现有片上外设，能够通过交叉开关与ePWM、eCAP、eQEP等控制外设互联，也可连接外部GPIO引脚。　　借助CLB，工程师可在芯片内实现在电机控制应用中的高精度位置编码器协议解码(BISS-C，ENDAT2.2，T-Format，SSI等主流编码器协议)，实时脉冲序列输出(正交编码器信号分频输出，绝对值位置信号转QEI信号输出)，复杂故障组合逻辑的PWM保护功能和用来扩展PWM输出通道，也可以处理数字电源应用中的LLC谐振变换的同步整流控制和三电平逆变器的延迟保护等功能，无需再增加外部类似CPLD或FPGA的逻辑器件。　　上述功能处理完全由片内CLB硬件并行完成、不占用CPU资源，带来更确定、更低延迟的响应;同时减少板级互联，有助于提升系统可靠性。纳芯微同步提供图形化的CLB配置工具(NOVOCLBConfig)与示例应用，降低工程师的开发与迁移门槛。　　两个子系列，选型梯度更灵活　　在平台选择上，本次发布的C系列提供更灵活的梯度：　　NS800RT503xC系列：涵盖NS800RT5039C(512KB Flash)与NS800RT5037C(256KB Flash)，提供LQFP48至HLQFP128多种封装(最多67个GPIO)，并支持QSPI(XIP)片外存储扩展，适合对封装尺寸、成本梯度有不同要求的电机控制与工业应用;　　NS800RT5049C系列：提供512KB Flash与100/64引脚封装选项，面向对控制性能与集成度要求更高的数字电源、伺服与汽车应用。　　成熟NSSine™平台，既有方案平滑迁移　　NS800RT503xC/5049C系列基于Arm® Cortex®-M7内核，最高工作频率240MHz，支持双精度浮点运算单元(FPU)与DSP指令集，片上集成eMATH数学加速核与mMATH数字处理单元，可为电机FOC、数字电源环路等复杂控制算法提供充足算力;存储最高512KB Flash与256KB SRAM，可满足大程序与高速数据缓冲的需求。　　模拟与控制外设方面，产品集成高速ADC、高分辨率PWM(HRPWM)、Σ-Δ调制器滤波器(SDFM)等模拟与控制资源完整保留，覆盖从信号采样到功率控制的全链路，可充分发挥SiC、GaN等宽禁带功率器件的性能优势。　　产品满足AEC-Q100 Grade 1车规可靠性标准，功能安全符合ISO 26262 ASIL-B与IEC 61508 SIL2，并提供车规级与工规级产品选项。　　此外，开发工具支持Keil、IAR、NovoStudio等主流环境——无论是光伏储能、工业自动化、数字电源还是新能源汽车三电应用，客户基于既有NSSine™项目的开发经验均可平滑迁移。
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发布时间：2026-10-30 10:50 阅读量：321 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出Mini SBC NCA1169V-Q1系列，助力汽车电子控制单元高集成度升级
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纳芯微推出Mini SBC NCA1169V-Q1系列，助力汽车电子控制单元高集成度升级

　　纳芯微近日推出集成CAN收发器、LDO稳压器的Mini SBC产品NCA1169V-Q1系列。该系列产品满足ISO 11898-2:2024 标准要求，为汽车电子控制单元提供集成化的电源管理与CAN FD通信支持，可应用于汽车车身控制、智能座舱、车载照明、底盘转向及安全传感器等多种应用场景。凭借高集成度与低功耗设计，NCA1169V-Q1系列有助于简化外围电路设计，兼顾汽车电子系统对成本及可靠性的综合需求。　　集成双路LDO　　搭配看门狗保障系统稳定运行　　NCA1169V-Q1集成两路内部LDO稳压器，提供强大的带载能力，支持灵活的负载配置。其中，主LDO(V1)提供350mA的电流驱动能力，辅LDO(V2)提供100mA的电流驱动能力。同时，NCA1169V-Q1内置看门狗功能，支持窗口模式、超时模式和自主模式三种工作模式，可根据不同系统运行状态与应用场景灵活配置，为MCU运行状态监控及系统异常管理提供支持，进一步提升系统运行的可靠性。　　凭借双路LDO稳压器的集成设计，NCA1169V-Q1系列能够有效简化系统架构，减少外围器件需求，助力汽车电子控制单元实现更紧凑的设计，为整车电子系统的小型化与集成化发展提供支持。　　　　图-1：NCA1169V-Q1功能框图　　集成CAN FD满足最新标准，自研振铃抑制电路助力高速稳定通信　　NCA1169V-Q1集成的CAN FD满足ISO 11898-2:2024 标准要求，CAN FD通信速率达5Mbps，在特定应用条件下最高可达8Mbps，充分满足汽车电子系统对高速数据传输的需求。　　在CAN总线信号传输过程中，阻抗不匹配等因素可能会引发信号反射，形成振铃现象，影响信号完整性，并对高速通信的稳定性带来挑战。NCA1169V-Q1集成纳芯微自研振铃抑制电路，有效抑制总线信号振荡，改善信号质量，提升高速数据传输的稳定性，为汽车电子系统实现高速、可靠的CAN通信提供支持。　　低功耗待机与多种唤醒机制，兼顾能耗与响应需求　　NCA1169V-Q1具有极低功耗设计，在睡眠模式下电流仅34.3μA，待机模式下电流仅49.6μA，有效降低车辆非活跃状态下的静态能耗，为整车低功耗管理提供有力支持。　　此外，NCA1169V-Q1支持标准唤醒、WAKE引脚本地唤醒及选择性唤醒等多种唤醒机制，并具备唤醒源识别功能，可根据系统需求灵活配置唤醒策略，在降低功耗的同时实现快速响应，助力汽车电子系统兼顾低功耗运行与高效响应的需求。　　多重保护机制，提升汽车电子系统运行可靠性　　面对复杂多变的汽车电子应用环境，NCA1169V-Q1集成多种保护功能，为芯片及外围电路提供多层次的安全保障。在总线故障保护方面，器件可承受最高±58V的电压，有效应对总线短路及异常电压冲击;在热保护方面，支持过热预警与关断机制，可在芯片温度过高时及时采取保护措施，防止器件损坏;在ESD防护方面，CDM静电放电耐受能力达±2000V，并针对CAN引脚提供相应的ESD防护，增强器件在装配及使用过程中的静电耐受能力。　　封装与选型　　NCA1169V-Q1系列产品采用DFN20封装，满足AEC-Q100汽车级要求，与市场主流器件P2P兼容。收发器的I/O电平可根据需要调整为微控制器的I/O电平，包括1.8V、3.3V和5V，灵活适配各类微控制器。NCA1169V-Q1系列现已支持送样，预计今年年底量产。　　平台化接口IP，快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
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发布时间：2026-10-29 17:04 阅读量：291 继续阅读>>
大电流、高集成、小尺寸，<span style='color:red'>纳芯微</span>发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动
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大电流、高集成、小尺寸，纳芯微发布NSD7308系列H桥有刷电机驱动

　　随着汽车车身、底盘、发动机和智能终端中的电机及电磁阀功能不断丰富，系统对大电流驱动的需求日益增长，这对H桥直流有刷电机驱动提出了新的挑战：传统 “预驱+外置MOS” 的分立方案不仅器件多、PCB占用面积大，而且在狭小空间内实现大电流驱动时容易出现各类问题，系统调试复杂、故障定位困难，制约了整机模块的小型化与可靠性提升。　　NSD7308系列具备40V耐压、12A峰值输出电流，内部MOS导通电阻低至84mΩ (HS+LS)，输出压摆率(Slew Rate)和输出电流阈值(Itrip)均可配置，并内置电流采样，提供全面的诊断与保护功能，包括开路/短路诊断、过流、过温、欠压和过压保护。该系列提供硬件输入和SPI输入两种版本，无论是大电流带载能力、紧凑的尺寸，还是完备故障诊断能力，均表现出色，可帮助客户简化硬件设计、提升可靠性并降低BOM成本。　　NSD7308系列提供车规和工规两种版本，车规版本满足AEC‑Q100 Grade 1标准，可广泛适用于车身电子中的有刷电机、发动机ECU阀门、空气悬架CDC等应用场景。工规版本适用于智能电器、电动工具、自动升降桌、清洗机器人等多元化智能终端设备。　　大电流驱动，具备强大带载能力　　NSD7308上下管总导通电阻仅为84mΩ，峰值输出电流可达12A，可替代传统“预驱+外置MOS”的分立方案，直接驱动中大功率的有刷电机及电磁阀等负载。　　实际对比测试表明，相较于国产同类产品，NSD7308在常温及85℃环温下均具备更优的温升表现，在高温环境下拥有更强的PWM带载能力;同时，无论直流还是PWM工况下，NSD7308的OCP触发电流阈值显著更高，展现出更强的冲击电流承载能力，为复杂负载工况下的稳定运行提供有力保障。　　1. 常温下直流带载温升测试：Ta=25℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/1, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升明显优于国产友商的同类产品。　　图1 常温下直流带载5.5A的芯片温升对比　　2. 85°C环温下直流带载温升测试：Ta=85℃ (PH/EN mode, IN1/IN2=1/0, VM=13.5V)，带载后待IC温度稳定30分钟以上，使用测温枪进行IC表面温度测量。如下图示，温升优于国产友商的同类产品。　　图2 85°C环温下直流带载4A的芯片温升对比　　3. 85°C环温下最大PWM带载能力测试：Ta=85℃, PWM mode (10kHz PWM, 负载1ohm+1mH, VM=13.5V)，如下图示，最大PWM带载电流能力优于国产友商的同类产品。　　图3 85°C环温下最大PWM带载电流对比　　4. 不触发OCP的最大冲击电流测试：Ta=25℃ (15kHz PWM, 负载 2mH+1Ω, VM=25V)，如下图所示，不论是DC负载还是PWM带载，OCP过流阈值都大幅高于国产友商的同类产品。　　图4 不触发OCP的最大DC冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　图5 不触发OCP的最大PWM冲击电流对比　　(图中：紫色为IPROPI电压，绿色为负载电流，蓝色为OUT1电压，黄色为OUT2电压)　　内部集成电流采样和电流调节功能，　　减少系统面积和成本　　NSD7308集成电流采样功能，无需外部采样电阻和电流运放即可实现电流检测。结合VQFN14倒装封装技术，NSD7308可实现3mm*4.5mm的超小封装尺寸，特别适用于紧凑空间。　　NSD7308可通过IPROPI管脚，按比例输出内部MOS管的正向导通电流(即从Drain到Source的电流)。在H-Bridge模式下，IPROPI输出对应两个下管MOS电流之和的比例信号，即(ILS1+ILS2)/AIPROPI;在半桥(Half-Bridge)模式下，IPROPI输出对应两个上管MOS电流之和的比例信号，即(IHS1+IHS2)/AIPROPI。　　此外，NSD7308还集成了电流调节功能，且电流调节阈值Itrip可配置。当负载电流超过设定的Itrip阈值时，芯片会自动执行电流调节功能，抑制电机启动或堵转等工况下的过大电流，降低芯片过热风险;同时，该功能也可用于负载电流及扭矩的精确控制。　　支持多工况负载状态诊断，精准定位故障　　NSD7308支持输出端负载状态诊断，可在电机启动前或运行过程中及时发现异常，提升系统可靠性。芯片支持两种检测模式：待机模式下的负载检测(OLP)和工作模式下的负载开路检测(OLA)。　　待机模式下的负载检测(OLP)　　芯片通过配置输入引脚状态，依次使能内部上拉和下拉电阻，测量OUTx端电压，并与内部比较器的电压阈值进行比较，从而检测诊断以下异常：　　输出端对电源VM或者地GND短路(阻值<100Ω)　　全桥负载或半桥低边负载开路(阻值>2kΩ)　　半桥高边负载开路(阻值>10kΩ)　　工作模式下的负载开路检测(OLA)　　支持高边续流和低边续流两种工况，可根据不同的驱动模式和负载连接方式进行实时开路检测：　　全桥模式(Full-Bridge)： 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对地负载： 芯片通过检测死区时间内低边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　半桥模式(Half-Bridge)，驱动对电源负载： 芯片通过检测死区时间内高边续流MOS管体二极管的导通压降，并与内部VOLA电压阈值进行比较，实现实时开路检测。　　封装与选型　　纳芯微H桥直流有刷电机驱动NSD7308系列现已全面量产，具备更小内阻、更大驱动电流的NSD7305系列也即将送样，产品兼具高集成度、小尺寸与高可靠性，可在有限空间内实现更大负载的驱动。
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发布时间：2026-10-22 10:26 阅读量：274 继续阅读>>
支持1.5W功率输出满足多场景供电需求，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列
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支持1.5W功率输出满足多场景供电需求，纳芯微推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列

　　纳芯微近日宣布推出集成变压器的隔离电源NSIP505S15系列。该系列产品输出功率可达1.5W，满载条件下5V转5V转换效率接近60%，可充分满足光储充、工控、AI服务器电源等领域客户在多接口供电、MCU及采样电路单板供电、GaN驱动供电、STO安全电源等场景下的多样化需求。作为传统电源模块的IC化替代方案，该系列产品在保证隔离可靠性的前提下，能够实现更小体积与更高效率。　　1.5W足额输出与高效转换兼顾　　从容应对重载启动与多样化供电架构　　NSIP505S15系列在提供1.5W高输出功率的同时，实现了优异的转换效率：5V转5V效率接近60%，5V转3.3V效率接近50%，3.3V转3.3V效率同样接近60%，覆盖主流系统供电架构，帮助客户在不同应用场景中实现功耗与性能的均衡。此外，该系列器件静态功耗低至10μA，在待机或轻载工况下可助力降低系统整体功耗。　　表-1：NSIP505S15系列5V-5V、5V-3.3V、3.3V-3.3V效率转换图　　强容性负载带载能力　　为系统可靠供电保驾护航　　在光储充、工控、AI服务器电源等应用中，隔离电源输出侧往往需要挂载多颗滤波电容以保障后级电路稳定工作，但大容量电容上电瞬间近似短路，极易触发电源过流保护导致启动失败。NSIP505S15系列针对这一痛点进行了专门优化，满载条件下容性负载能力超过2.5mF，能够从容驱动GaN栅极容性负载、多路采样电路并联电容等重容性负载场景，确保系统冷启动可靠、不反复打嗝。　　集成多维度全面保护　　强化系统鲁棒性　　NSIP505S15系列集成了完备的保护功能：输入/输出过压保护(VDD OVP、VISO OVP) 防止电压异常冲击，输入/输出欠压锁定(VDD UVLO、VISO UVLO) 确保供电窗口安全，短路保护与过温保护在异常工况下及时关断，避免器件损坏;采用软启动机制，在上电时限制浪涌电流，确保启动可靠，若软启动超时(如输出短路或负载异常)，器件将进入保护性关断模式，持续保障系统安全。　　EMC性能优化　　轻松通过CISPR32 Class B测试　　NSIP505S15系列针对EMC性能进行了大幅优化：在EMI方面，两层PCB板、外围电路仅串联2个磁珠的测试条件下，可轻松通过CISPR32 Class B测试并保有5dB以上裕量，显著简化系统EMI设计难度，降低外围滤波器件成本;在EMS方面，系统级ESD接触放电能力超过±10kV，从容应对生产组装与现场安装中的静电风险，进一步提升系统鲁棒性。　　封装与选型　　NSIP505S15系列器件提供两种封装版本：LGA14封装为紧凑型设计，隔离耐压达3kVrms，爬电距离4.1mm，可实现与竞品同类器件的pin-to-pin兼容，适用于体积受限的高密度布局场景;SSOW20封装隔离耐压达5kVrms，爬电距离8.2mm，为需要更大隔离耐压或特定PCB布局的应用提供了灵活选择。同时，该系列支持250kV/μs(典型值)的共模瞬态抗扰度(CMTI)，并可在-40℃～125℃宽温范围内稳定工作，充分满足工业及汽车级应用的可靠性要求，客户可根据系统空间、安规要求及布板策略灵活选用。　　持续丰富隔离电源产品矩阵　　覆盖多元应用场景　　NSIP505系列的发布进一步丰富了纳芯微隔离电源产品组合。目前，纳芯微可提供一系列高集成度的隔离电源方案，包括：　　集成隔离电源与数字隔离器的二合一产品NSIP95/98系列;　　集成隔离电源与隔离接口的NSIP93086(隔离RS485收发器)和NSIP9042(隔离CAN收发器);　　可自选配置外部变压器的推挽式变压器驱动NSIP605x系列，为需要更灵活变压器选型的应用提供了高性价比选择;　　专为隔离驱动供电设计的全桥变压器驱动NSIP3266/E，集成晶振与多种保护功能，并支持软启动，进一步满足驱动供电场景的严苛需求。　　从高集成方案到灵活驱动方案，纳芯微持续完善隔离电源产品生态，为工业、汽车、光储充等应用提供更多高可靠性选择。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　截至2025年，纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗，作为全球领先的隔离芯片供应商，纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
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发布时间：2026-10-21 09:54 阅读量：306 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>“隔离+”覆盖光储系统关键隔离环节，支撑高压平台可靠运行
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纳芯微“隔离+”覆盖光储系统关键隔离环节，支撑高压平台可靠运行

　　文章导读　　在新能源装机持续增长的背景下，储能系统逐渐从传统配套设备向电网关键设备演进。光储系统向高压化、构网型方向发展，对功率转换效率、绝缘可靠性和控制响应提出更高要求，推动芯片隔离方案向高性能、高集成方向发展。　　本文重点介绍：　　隔离驱动：面向SiC高频开关应用，优化驱动能力、EMI控制和系统效率;　　隔离采样：面向光伏、电池及交流侧检测，实现高精度、高带宽电流与电压采样;　　数字隔离与接口：满足高压系统中的信号通信、增强隔离和接口防护需求;　　隔离电源：通过集成化设计，为隔离链路提供独立供电支持。　　光储逆变器隔离需求解析　　“隔离+”覆盖驱动、采样、通信与供电关键环节　　光储逆变器分为四大部分：主功率部分(高压部分)、主控部分(MCU)、监控面板、对外接口。　　隔离应用主要分布在以下环节：　　主功率部分在1700V碳化硅或1500V工况下采用隔离驱动;　　主回路中的电流采样采用霍尔传感器，电压采样采用隔离运放实现隔离检测;　　MCU控制侧与监控面板之间的CAN、SPI等通信链路，采用隔离方案;　　监控面板与外部接口之间面临静电、浪涌等干扰，采用隔离SPI、隔离RS-485或隔离CAN方案。　　纳芯微光储逆变器隔离方案介绍　　隔离驱动　　纳芯微目前已量产的隔离驱动主要包括四类：NSI6801系列是电流型隔离驱动，采用容隔技术实现与光耦驱动pin-to-pin兼容，支持原有光耦驱动方案替换;电压型隔离驱动适配MCU IO口PWM输出，用于单管驱动;NSI6602系列是半桥(双路)隔离驱动;智能驱动集成ASC功能、DESAT(退饱和检测)以及PowerReady(电源就绪)等保护功能。　　纳芯微隔离驱动介绍　　NSI6601SRC(驱动斜率可调)隔离驱动，面向SiC应用中的EMI控制、效率优化和大功率驱动需求设计：　　第一，降低EMI。碳化硅工作频率提升后，EMI问题更加突出。通过驱动调节，在MOS管米勒平台以下用更大电流驱动，驱动上升到高压时切小驱动电流，从而减小dV/dt，实现EMI降低;　　第二，提升效率。储能系统在不同母线电压下所需驱动能力不同，通过驱动参数调节适配不同工况，提升系统效率;　　第三，驱动电流提升。两路可并联使用，满足大功率并管需求(多个碳化硅或IGBT并联)，并联后驱动能力可达25A以上。　　霍尔电流传感器　　霍尔电流传感器在光储系统中有四个应用环节，各环节对性能要求不同：　　第一，PV侧(太阳能光伏板)　　直流电流采样，带宽要求较低，总误差小于2%，电流较小但绝缘要求高。户储系统约1100VDC，光伏电站达1500VDC。针对该应用，纳芯微NSM20系列采用增强隔离设计，支持1500V工作电压，带宽约200kHz。　　第二，MPPT部分　　多路电流采样，检测范围10A到120A，带宽要求200kHz即可，但对响应时间要求较高。碳化硅短路耐受时间仅2到3微秒，纳芯微霍尔响应时间小于300纳秒，可缩短异常情况下的保护响应时间，提高系统可靠性。　　第三，电池侧　　精度要求高，绝缘耐压取决于电池电压。针对该应用，纳芯微NSM211X系列带宽达1MHz。　　第四，AC电流检测　　精度要求更高。由于AC侧存在DC注入(DCI)限制，通常要求直流分量控制在0.5%以内，部分应用要求更严格，对霍尔传感器的VOS(失调电压)提出更高要求。　　霍尔在光储系统中的应用　　隔离采样　　隔离采样用于光储系统高压侧电压、电流信号采集，在实现高低压电气隔离的同时，为系统控制和保护提供采样数据。　　纳芯微提供隔离运放、隔离ADC等隔离采样方案，满足光储系统中隔离电压采样和隔离电流采样需求。　　在通用隔离采样领域，纳芯微NSI13xx系列提供隔离电压、电流采样运放及隔离ADC产品。其中，NSI1311支持0～2V直流电压采样，NSI1312支持±1.2V差分输入，可用于光储系统电压采样;NSI1300及NSI1400系列适用于电流检测，提供不同输入范围和带宽选择;　　在高精度隔离采样领域，纳芯微推出NSI16xx系列隔离采样方案。其中，NSI1611将输入范围拓展至0～4V，并优化失调误差、增益误差及温漂性能，在10%～100%满量程范围内无需校准即可实现1.2%以内的采样精度，满足高精度电压、电流检测需求;　　在高集成度隔离采样领域，纳芯微NSI36xx系列将隔离电源集成至采样芯片内部，部分型号进一步集成快速保护比较器和比例式输出功能，无需额外配置高压侧隔离供电及部分外围电路，简化系统设计;　　在快速保护领域，纳芯微NSI22C1x系列隔离比较器集成窗口比较器、高压LDO及高精度阈值设置电流源，可实现快速过流、过压检测。其中，NSI22C12最大传输延时仅250ns，满足光储功率变换系统快速故障检测和硬件保护需求。　　纳芯微隔离采样产品路线图　　数字隔离器(MCU到监控面板)　　光储逆变器中，高压功率部分与MCU控制侧处于不同电压区域，两者之间需要增强隔离。针对1500V系统应用，纳芯微提供15mm爬电距离隔离方案。　　纳芯微数字隔离器覆盖单路、双路、4路和6路产品，支持4mm、8mm和15mm三档爬电距离规格。CMTI达200kV/μs，浪涌耐受电压达12kV，适用于光伏逆变器等户外应用场景。　　纳芯微数字隔离器单路、双路、4路和6路产品　　对于采用高速光耦方案的客户，纳芯微提供光耦兼容封装的数字隔离器方案。该方案采用容隔技术，封装兼容光耦，支持原有设计替换。　　光耦采用LED作为信号传输器件，长期运行存在光衰问题。数字隔离器采用二氧化硅作为隔离介质，具备更稳定的长期可靠性表现，并支持相同封装下的pin-to-pin替换。　　NSI721x-DSWWAR 15mm 爬电距离隔离光耦兼容器　　隔离接口与集成隔离电源的隔离接口　　监控面板与外部设备之间采用隔离I2C、隔离RS-485和隔离CAN进行通信。传统方案通常采用数字隔离器与CAN/RS-485芯片组合实现隔离通信，并通过外部隔离电源提供隔离供电。纳芯微进一步集成数字隔离器、通信接口和隔离电源，减少外围器件，简化系统设计。　　纳芯微隔离接口方案从单一隔离接口，发展到隔离接口+数字隔离器，再到隔离电源+数字隔离器+隔离CAN/RS-485三合一方案。　　纳芯微ISO-Power隔离接口方案演进
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发布时间：2026-10-15 11:39 阅读量：326 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>发布四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列 ，赋能汽车与工业自动化应用
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纳芯微发布四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列 ，赋能汽车与工业自动化应用

　　在汽车域控、底盘及发动机ECU和工业PLC系统中，多路电磁阀、继电器等负载的驱动普遍面临MCU的IO资源紧张、感性负载关断时电压尖峰高、故障难以定位、预测性维护困难等挑战。如何节约IO资源以实现多路负载控制，并对各路负载进行独立监测与保护，是系统设计中的核心挑战。　　NSD5614系列支持SPI串口与并口双输入接口，具备四通道独立诊断与保护功能，内置60V高压钳位，增强ESD性能可达±4kV，支持输出并联及最高200kHz PWM开关频率，全面简化多路负载驱动的系统开发，显著提升整机鲁棒性。　　NSD5614系列提供车规和工规两种版本，满足不同应用领域的需求。车规版本适用于12V/24V/48V汽车应用场景，可驱动底盘、发动机ECU及车身域控中的各类电磁阀、继电器等负载。工规版本面向工业自动化PLC与智能终端等领域的各类低边负载应用。　　SPI接口支持多芯片菊花链级联，　　大幅减少输入IO和信号隔离数量，　　降低系统成本　　NSD5614系列除了支持简单的并口输入控制输出外，还支持通过SPI接口控制输出。SPI通信支持两种连接方式：　　下图左为SPI并行连接方式，多个NSD5614从设备共用通信线SDI/SDO/SCK，每个芯片单独连接片选信号NCS。　　下图右为SPI菊花链(Daisy Chain)连接方式，多个NSD5614从设备共用时钟信号SCK和片选信号NCS，每个芯片的SDI和SDO采用菊花链连接。　　图1 多芯片SPI接口控制连接方式　　采用SPI串口连接多个NSD5614芯片，可大幅减少控制IO口数量。特别是在菊花链级联模式下，针对工业PLC中N个四通道低边驱动的应用，仅需1个SPI口和1个四通道数字隔离器，即可替代原本所需的4N个输入IO口和4N个光耦隔离器件。　　关断状态下的的负载开路(OL)和　　短路到地(SCG)诊断，　　精准定位反馈故障　　NSD5614支持负载开路(OL)和短路到地(SCG)诊断功能，可在驱动芯片关断状态(Off state)下进行检测，帮助系统在驱动负载前及时发现异常，提升系统的可预测性和可维护性。　　Off state诊断的原理是在芯片内部的MOS管关断时，通过对OUT端施加上下拉电流，使OUT端电压处于不同电位，从而检测OUT端的负载连接状态。　　当VOUT>0.6*VDD时，判定OUT端负载连接正常(Normal)。　　当0.4*VDD<vout<0.6*vdd，且持续超过110Μs时，判定out端负载开路(opl)。< p="">　　当VOUT<0.4*VDD，且持续超过110μs时，判定OUT端短路到地(SCG)。　　内置高压钳位管与通道独立保护机制，　　全面提升系统可靠性　　NSD5614用于驱动感性负载时，当低边MOS关断后，感性负载开始退磁(Demagnetization)。为防止OUT端产生过高电压而损坏内部MOS管，芯片内置的高压钳位管将VDS电压钳位至VDS(CL)，使续流电流逐渐衰减至零，如下图3所示，对应t从0到t1的阶段。　　高压钳位管的EAS钳位能量可参考下图中的计算公式，也可通过示波器计算该阶段的输出电压、电流和时间的积分。　　图2 输出钳位及钳位能量　　NSD5614具备全面的保护和诊断功能，包括四通道独立的过温保护、过流保护、负载开路和短路到地诊断检测，以及VM电压欠压保护，有助于提升系统可靠性。　　封装与选型　　纳芯微四通道SPI接口智能低边驱动NSD5614系列现已全面量产，更大电流、更低内阻的NSD5624系列正在样品阶段。两款产品均支持输出通道独立控制，并具备全面的智能诊断与保护功能，可满足汽车及工业领域的高可靠性应用需求。　　图3 NSD5614系列选型表　　纳芯微MotivDrive®：　　面向汽车、工业和智能终端市场的　　高可靠电机驱动方案　　MotivDrive®是纳芯微倾力打造的电机驱动产品家族，以高集成、安全可靠、品类丰富为核心优势，产品覆盖直流有刷电机、步进电机、直流无刷电机的集驱和预驱(NSD7系列、NSD8系列、NSD3系列)，继电器、电磁阀与螺线管的低边驱动(NSD56系列、NSD1x4系列)等多种品类。　　MotivDrive®电机驱动产品支持高精度电流采样，并集成过流、过温、欠压保护及堵转、负载开路检测等全面的保护与诊断功能，帮助客户减少外围器件，实现小型化与高可靠性的系统设计。
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发布时间：2026-10-14 10:17 阅读量：332 继续阅读>>
采用BendingMag™聚磁技术，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出U型聚磁线性电流传感器NSM2025
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采用BendingMag™聚磁技术，纳芯微推出U型聚磁线性电流传感器NSM2025

　　纳芯微推出车规级线性电流传感器NSM2025，采用纳芯微BendingMag™聚磁技术，内置集磁片并配合外部U型磁芯，满足AEC-Q100 Grade 0要求，为需要检测大电流、安装空间受限的新能源汽车电驱系统，提供便于与PCB、母排组合安装的结构选择，可用于新能源汽车电机逆变器、BMS及过流检测等应用。　　采用聚磁技术，　　提供灵活电流检测结构选择　　NSM2025采用BendingMag™聚磁技术，配合外部U型磁芯完成电流检测。外部磁芯将载流导体产生的磁场引导至芯片，内置集磁片将水平方向的磁场转换至霍尔敏感单元可检测的垂直方向，芯片据此输出与电流大小对应的电压信号。　　相较传统C型磁芯方案，U型聚磁方案结构更简洁，传感器芯片的安装位置可根据母排形态和系统内部空间灵活调整，有利于系统小型化与成本优化。　　快速响应、宽温精度，　　支持闭环控制与过流保护　　快速捕捉电流变化：NSM2025具备270kHz带宽，典型响应时间为2μs，可及时跟踪电机控制及功率变换系统中的电流变化，为闭环控制和过流保护提供信号反馈。　　准确测量，降低温度漂移：NSM2025在25℃下的典型精度为±1.0%，非线性误差为±0.4%。针对温度变化带来的测量偏差，产品采用Spin Current技术，并优化测试及标定程序，在−40℃至150℃范围内将灵敏度漂移控制在±1.5%以内、失调漂移控制在±8 mV以内，为系统在不同工作温度下的电流闭环控制提供稳定的测量反馈。　　丰富的电流检测结构与磁传感产品布局　　在新能源汽车电机逆变器等应用中，电流传感器既要满足快速、准确的检测要求，也要适配母排结构、安装空间及系统成本要求。纳芯微线性电流传感器已覆盖C型磁芯、U型聚磁及Coreless无磁芯结构，可针对不同的检测性能、母排结构、安装空间和成本要求，提供适配的产品方案。　　在磁传感器芯片领域，纳芯微已形成涵盖霍尔、AMR、TMR、电感及磁通门等技术的产品布局，提供电流传感器、磁开关与锁存器、角度编码器、线性位置传感器、速度传感器及传感器信号调理芯片，为汽车电子、光伏、储能、工业控制、机器人、消费电子等应用提供丰富、灵活、可靠的感知解决方案。
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发布时间：2026-10-10 10:58 阅读量：310 继续阅读>>
拓展感知维度，连接智能控制｜<span style='color:red'>纳芯微</span>亮相SENSOR CHINA 2026
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拓展感知维度，连接智能控制｜纳芯微亮相SENSOR CHINA 2026

　　2026年9月16日至18日，中国(上海)国际传感器技术与应用展览会(SENSOR CHINA 2026)在上海举行。纳芯微围绕汽车、工业控制与机器人、可穿戴医疗等应用中的感知与控制需求，集中展示多类传感及实时控制产品，重点带来车规级压力传感器、机器人角度编码器、电化学传感器AFE等新品。展会期间，纳芯微参与多场主题论坛，围绕AI与传感器融合、机器人关节与电机角度检测、压力传感芯片与信号调理技术等议题展开交流。　　2026年上半年，纳芯微传感器产品收入占主营业务收入的25.3%，达6.43亿元，同比增长55.63%。根据Yole Group数据，纳芯微磁传感器出货量位列全球第四、国产厂商第一。　　01　　汽车被AI重新定义，　　传感器深入更多系统环节　　纳芯微传感器产品线负责人赵佳博士受邀参加“AI和传感器：如何赋能边缘与物理AI，让终端设备‘能感知、会思考’?”圆桌论坛，与产业上下游嘉宾交流AI与传感器融合趋势。　　会议谈及汽车智能化带来的变化时，赵佳表示：“汽车被AI重新定义，传感器芯片被寄予厚望，在系统应用中的重要性也愈发凸显。”　　汽车电动化、智能化持续推进，电池管理、热管理、座舱控制、辅助驾驶等系统愈发依赖电流、压力、环境、距离等传感数据，这对传感器精度、可靠性、响应速度和适配能力要求更高。　　在电流检测方面，纳芯微集成式及线性电流传感器覆盖毫安级至千安级检测范围，并提供不同封装形态及电流检测结构，以适配不同量程、安装空间及系统设计需求。　　在角度位置检测方面，纳芯微提供新一代车规级差分霍尔角度芯片，提升了抗外磁场谐波干扰能力和双路同步性能，进一步丰富角度传感器产品矩阵。　　在压力检测领域，纳芯微已布局MEMS敏感单元、信号调理ASIC及合封式压力传感器，覆盖表压、绝压和差压检测，累计出货量近3亿颗。　　本次展会现场展示了新一代车规级压力传感器信号调理芯片NSA9268和车规级合封式绝压传感器NSPAD3N。　　NSA9268采用3 mm × 3 mm MSOP-10封装，尺寸约为上一代SSOP-16封装产品的三分之一，可降低PCB占用面积。产品支持VDDHV及输出端±40 V过压与反压保护，并在全温精度、启动及响应速度、ESD、EMC和系统诊断等方面进一步提升。　　NSPAD3N提供40 kPaA至400 kPaA可定制量程和16位SPI输出，支持低功耗、全温补偿、快速响应及可编程压差检测，可通过压力变化触发系统唤醒，适用于电池包热失控监测及ECU大气压力检测。　　面向座舱及车辆周边感知，车规级阳光雨量传感器芯片NSUC183x支持阳光强度和雨量检测，可为座舱温控及雨刮控制提供感知信息;超声波测距芯片NSUC180x支持车辆周边距离检测，可应用于辅助泊车、自动泊车等场景。　　02　　机器人与工业控制　　提升角度感知和实时控制要求　　机器人关节、工业伺服等应用需要持续获取角度、位置及电流信息，同时对检测精度、抗干扰能力和控制实时性提出更高要求。不同机械结构和工作环境，也对应不同的传感技术选择。　　在磁传感器领域，纳芯微已布局霍尔、AMR、TMR、电感及磁通门五类技术路线，产品覆盖电流、角度、位置、开关及速度检测。　　现场展示了面向机器人角度检测的霍尔双码道游标算法磁编码器NSM350x与电感编码器MT6901，以及电流检测的集成式电流传感器NSM204x。　　NSM350x支持最高22 bit绝对角度输出及自校准，可适配中空关节等机械结构;　　MT6901采用电感式检测原理，具备较强的抗外部磁场干扰能力，适用于复杂磁环境下的高精度角度检测;　　NSM204x 采用3*3/4*4 QFN封装，适用于紧凑空间的板上电流检测，差分霍尔原理可有效抵抗共模磁场干扰。　　面向工业伺服、机器人及新能源设备的实时控制需求，NSSine™ NS800RTA7系列实时控制MCU/DSP最高支持三核，集成EtherCAT 从站控制器(ESC)及数学运算加速能力，可支持复杂控制算法、多电机协同及高速通信。　　03　　可穿戴医疗聚焦微弱信号　　采集、低功耗与小型化　　连续血糖监测(CGM)、智能手表等可穿戴设备始终追求芯片的更小尺寸、更低功耗及更高的测量精度。　　面向连续血糖监测，纳芯微此次发布专用电化学传感器AFE NSA1080。产品集成双通道电化学检测单元、高分辨率ADC、温度校准模块及自动采样扫描引擎，可高灵敏度采集微弱电化学信号，并配合传感器及算法支持血糖和酮体双指标监测。　　NSA1080采用1.96 mm × 1.96 mm遮光WLCSP-25封装，并通过低功耗设计及出厂增益标定，适配CGM贴片对尺寸、续航及量产一致性的要求。　　面向可穿戴设备的精准测温需求，NST113x系列数字温度传感器采用0.75 mm × 0.75 mm DSBGA(4) CSP封装，在25℃至45℃范围内测温精度可达±0.1℃(max)。产品在1 Hz工作频率下功耗为2.9 μA，Shutdown模式下功耗为0.25 μA，可用于智能手表、智能戒指、CGM等需要长期连续监测的电池供电设备。
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发布时间：2026-09-18 10:05 阅读量：433 继续阅读>>
国产首家！<span style='color:red'>纳芯微</span>LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计
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国产首家！纳芯微LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计

　　近日，纳芯微宣布其推出的汽车级LIN收发器芯片NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1成为国产首家全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的LIN收发器芯片。　　在此之前，纳芯微CAN收发器芯片 NCA1044-Q1、NCA1057-Q1、NCA1145B-Q1、NCA1462-Q1、NCA1043D-Q1、NCA1463-Q1已率先通过IBEE/FTZ-Zwickau全项测试。LIN收发器顺利通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微全国产化汽车级CAN/LIN接口解决方案的EMC性能达到行业领先水平，助力车企与零部件客户简化车载总线EMC系统性认证流程，加速国产替代落地。　　全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的　　CAN/LIN收发器系列，简化EMC验证　　鉴于CAN/LIN收发器芯片的EMC性能对车身控制、智能座舱等系统的稳定运行至关重要，各地区均制定了严格的汽车电子电磁兼容标准与认证流程，如美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲IBEE/FTZ-Zwickau认证均对汽车通信接口的EMC性能提出了明确要求。其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证依据IEC 62228-2开展，排除了外围电路差异对结果的干扰，更聚焦于收发器芯片本身的EMC特性，且考核等级更为严苛，已获全球主流车企广泛认可。　　此次IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬态抗扰度(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试，纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过。　　表-1：纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过四项测试　　在此次 IBEE/FTZ-Zwickau 认证中，NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1的抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)能力表现优异。测试覆盖正常通信、休眠唤醒等关键工作状态及误唤醒防护维度，即便在无总线滤波电容的最恶劣条件下，所有测试项均一次性通过测试，达到IEC 62228-2标准的最高Class III等级。尤其在休眠状态下，芯片不会因外界电磁干扰发生异常唤醒，可有效保障整车静态电流合规。　　表-2：纳芯微NCA1021A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　表-3：纳芯微NCA1029A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　全国产化的汽车级CAN/LIN接口解决方案　　增强供应链韧性和选型便利性　　NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微由此成为国产首家可同时提供经权威认证、EMC性能领先的、全国产化的汽车级CAN/LIN收发器厂商，有效增强了供应链的韧性与客户选型便利性。　　目前纳芯微可提供完整的汽车级CAN/LIN收发器产品，覆盖客户的全场景需求：　　表-4：CAN收发器选型表　　表-5：LIN收发器选型表　　平台化接口IP　　快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN、LIN、RS485、I2C、I3C、SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
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发布时间：2026-09-16 13:52 阅读量：425 继续阅读>>
让小小贴片承载更多监测需求 | <span style='color:red'>纳芯微</span>推出CGM专属电化学传感器AFE NSA1080，支持血糖+酮体监测
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让小小贴片承载更多监测需求 | 纳芯微推出CGM专属电化学传感器AFE NSA1080，支持血糖+酮体监测

　　一枚连续血糖监测(CGM)贴片，需要无缝融入用户的日常生活：吃饭、睡觉、工作、运动。既要持续输出可靠监测数据，又要做到轻巧无感，降低用户更换负担。如何在有限的贴片体积与电池容量约束下，捕捉微弱的生化信号，同时为更多监测功能预留设计空间?　　近日，纳芯微正式推出面向CGM应用的电化学传感器模拟前端(AFE)芯片——NSA1080。产品采用小尺寸遮光 WLCSP‑25 封装，片内集成双通道电化学检测单元、高分辨率 ADC、高精度温度校准模块以及自动采样扫描引擎，兼具极高的电流检测灵敏度与微安级超低功耗。　　连续监测(CGM)为何流行?　　承载不同人群的监测需求　　指尖采血 VS 连续监测：补齐血糖数据盲区　　传统指尖采血血糖仪仅能获取单点时刻的血糖读数，无法还原两次采血间隙，尤其是餐后、夜间的血糖波动。　　CGM 通过贴于手臂或腹部的贴片，依靠皮下微型传感器持续采集组织液葡萄糖信号，经系统运算生成完整血糖变化曲线，如同为身体配备一台慢病 “行车记录仪”。　　不同群体有哪些监测需求?　　糖尿病患者：连续的血糖趋势信息可以反映血糖波动，为日常管理和治疗方案提供参考。　　高危酮症酸中毒(DKA)筛查群体：部分DKA发作时，血糖并不会显著升高，仅依靠血糖读数会造成风险漏判，因此亟需连续血酮监测。　　泛健康与运动人群：越来越多的人希望借助小巧舒适的贴片了解身体代谢的实时反馈。　　产品迭代趋势　　不同人群关注的监测指标各有差异，但所有设备都面临同一个核心命题：如何尽可能减少对日常生活的干扰，持续获得有效监测数据?　　更小的体积、更长的有效佩戴周期，以及与应用需求相匹配的测量能力，都需要从传感器、电路、算法和结构设计共同入手。　　贴片趋向微型化、高精度　　传感器AFE面临四大设计挑战　　电化学检测的原理是传感器将生化物质浓度变化转化为微弱电流信号，模拟前端 AFE 负责完成这类微弱信号的读取。随着 CGM 贴片越做越小、功能不断拓展，对 AFE 芯片提出四大考验：　　(1)生理信号极微弱，容易被噪声淹没　　传统血糖测量仅需约 3nA 级电流分辨率，而血酮、尿酸等指标要求达到0.5nA级的分辨率与1%的高精度，对芯片噪底、跨阻放大器(TIA)输入漏电流提出极高要求。一旦底噪偏高或者芯片存在漏电，本就微弱的生理信号就会被噪声掩盖。　　(2)全天候连续采样，同时要求超长续航　　贴片内置的纽扣电池容量有限，但要维持7~30天不间断工作。系统平均功耗需要控制在微安级别(典型要求：0.5Hz 采样率下整机功耗低于 8 µA)，芯片任何不必要的功耗开销，都会缩短贴片的可用周期。　　(3)出厂校准繁琐，拉高整机生产成本　　每个生化传感器个体有微小差异。如果芯片本身出厂时没有经过高精度的单片出厂标定，医疗设备厂商就需要在产线搭建昂贵的多点精密电流源，完成逐片校准。该流程耗时耗力，会拉低直通率，抬升整机生产成本。　　(4)微型封装易受光照干扰，传统遮光工艺增加生产负担　　为了让贴片足够薄，行业普遍选用 WLCSP 裸片级小封装。但这种封装容易透光，硅片受光线照射会产生光生电流，导致测量基准漂移、数据失真。传统方案里，厂商需要在外面涂上一层黑胶来遮光，工艺繁琐且容易产生贴片不良。　　纳芯微 NSA1080：　　全方位优化，针对性解决 CGM 的工程痛点　　针对上述临床应用与量产制造层面的挑战，NSA1080 从信号采集、功耗控制、出厂标定、硬件封装多个维度完成全方位优化：　　(1)0.5pA 超低噪底与双通道架构，兼顾血酮与微量监测　　NSA1080模拟链路具备极低的底噪与皮安(pA)级漏电控制。NSA1080在反馈电阻Rf=3.2 MΩ配置下，RMS噪声低至0.5 pA，在5～45°C范围内，跨阻放大器(TIA)输入偏置电流为较小。NSA1080集成24位ADC，提供100 kΩ～12.8 MΩ多档可编程TIA增益，并支持滤波配置。研发团队可根据传感器输出的电流范围和采样需求，灵活配置采样参数。　　在此基础上，NSA1080集成的双通道恒电位仪支持两个工作电极同时工作，可为电化学检测提供所需的电极偏置条件，并支持双路信号采集。配合相应传感器和算法，设备厂商可进一步开发血糖+酮体双指标监测应用。　　(2)分级功耗管理，灵活适配电池方案　　自动掉电机制：NSA1080采用自动状态机流转，在非测量间歇期，硬件上可单独动态关断TIA、ADC、基准源等高功耗模块，减少间歇期不必要的耗电。　　滑动平均滤波：NSA1080硬件内置滑动平均算法，保持高输出数据率(ODR)的同时显著降低ADC的实际唤醒次数，MCU拥有更多休眠时间。　　拓宽电池方案选择：NSA1080支持2～3.3 V电池直接供电，也支持1.2～1.8 V低压供电，便于研发团队结合贴片尺寸、电池容量和续航目标，选择合适的供电方案。　　(3)出厂标定+片上温度传感，简化系统测试与电路设计　　出厂标定，即插即用。NSA1080在出厂测试中完成增益标定，增益误差控制在±0.1%以内，客户端不再需要在测试产线上架设多点精密电流源进行逐片系统标定，显著提升生产线直通率，降低测试硬件折旧成本。　　芯片还内置温度传感器，在5～45°C范围内测温精度为±0.5°C，无需片外挂载分立温度传感器即可完成电化学反应的温漂算法补偿，简化电路和物料配置。　　NSA1080 采用 WLCSP-25 封装，本体尺寸仅 1.96 mm × 1.96 mm，适合空间受限的贴片设备布局。该封装选用遮光材质，能够降低环境光对芯片内部电路的干扰，产线无需增加黑胶涂覆工序。同时可提供定制化小尺寸 QFN 封装供选型。　　(4)小尺寸遮光封装，适配贴片紧凑设计　　NSA1080 采用 WLCSP-25 封装，本体尺寸仅 1.96 mm × 1.96 mm，适合空间受限的贴片设备布局。该封装选用遮光材质，能够降低环境光对芯片内部电路的干扰，产线无需增加黑胶涂覆工序。同时可提供定制化小尺寸 QFN 封装供选型。
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发布时间：2026-09-15 11:06 阅读量：525 继续阅读>>

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