拓展感知维度，连接智能控制｜<span style='color:red'>纳芯微</span>亮相SENSOR CHINA 2026
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拓展感知维度，连接智能控制｜纳芯微亮相SENSOR CHINA 2026

　　2026年9月16日至18日，中国(上海)国际传感器技术与应用展览会(SENSOR CHINA 2026)在上海举行。纳芯微围绕汽车、工业控制与机器人、可穿戴医疗等应用中的感知与控制需求，集中展示多类传感及实时控制产品，重点带来车规级压力传感器、机器人角度编码器、电化学传感器AFE等新品。展会期间，纳芯微参与多场主题论坛，围绕AI与传感器融合、机器人关节与电机角度检测、压力传感芯片与信号调理技术等议题展开交流。　　2026年上半年，纳芯微传感器产品收入占主营业务收入的25.3%，达6.43亿元，同比增长55.63%。根据Yole Group数据，纳芯微磁传感器出货量位列全球第四、国产厂商第一。　　01　　汽车被AI重新定义，　　传感器深入更多系统环节　　纳芯微传感器产品线负责人赵佳博士受邀参加“AI和传感器：如何赋能边缘与物理AI，让终端设备‘能感知、会思考’?”圆桌论坛，与产业上下游嘉宾交流AI与传感器融合趋势。　　会议谈及汽车智能化带来的变化时，赵佳表示：“汽车被AI重新定义，传感器芯片被寄予厚望，在系统应用中的重要性也愈发凸显。”　　汽车电动化、智能化持续推进，电池管理、热管理、座舱控制、辅助驾驶等系统愈发依赖电流、压力、环境、距离等传感数据，这对传感器精度、可靠性、响应速度和适配能力要求更高。　　在电流检测方面，纳芯微集成式及线性电流传感器覆盖毫安级至千安级检测范围，并提供不同封装形态及电流检测结构，以适配不同量程、安装空间及系统设计需求。　　在角度位置检测方面，纳芯微提供新一代车规级差分霍尔角度芯片，提升了抗外磁场谐波干扰能力和双路同步性能，进一步丰富角度传感器产品矩阵。　　在压力检测领域，纳芯微已布局MEMS敏感单元、信号调理ASIC及合封式压力传感器，覆盖表压、绝压和差压检测，累计出货量近3亿颗。　　本次展会现场展示了新一代车规级压力传感器信号调理芯片NSA9268和车规级合封式绝压传感器NSPAD3N。　　NSA9268采用3 mm × 3 mm MSOP-10封装，尺寸约为上一代SSOP-16封装产品的三分之一，可降低PCB占用面积。产品支持VDDHV及输出端±40 V过压与反压保护，并在全温精度、启动及响应速度、ESD、EMC和系统诊断等方面进一步提升。　　NSPAD3N提供40 kPaA至400 kPaA可定制量程和16位SPI输出，支持低功耗、全温补偿、快速响应及可编程压差检测，可通过压力变化触发系统唤醒，适用于电池包热失控监测及ECU大气压力检测。　　面向座舱及车辆周边感知，车规级阳光雨量传感器芯片NSUC183x支持阳光强度和雨量检测，可为座舱温控及雨刮控制提供感知信息;超声波测距芯片NSUC180x支持车辆周边距离检测，可应用于辅助泊车、自动泊车等场景。　　02　　机器人与工业控制　　提升角度感知和实时控制要求　　机器人关节、工业伺服等应用需要持续获取角度、位置及电流信息，同时对检测精度、抗干扰能力和控制实时性提出更高要求。不同机械结构和工作环境，也对应不同的传感技术选择。　　在磁传感器领域，纳芯微已布局霍尔、AMR、TMR、电感及磁通门五类技术路线，产品覆盖电流、角度、位置、开关及速度检测。　　现场展示了面向机器人角度检测的霍尔双码道游标算法磁编码器NSM350x与电感编码器MT6901，以及电流检测的集成式电流传感器NSM204x。　　NSM350x支持最高22 bit绝对角度输出及自校准，可适配中空关节等机械结构;　　MT6901采用电感式检测原理，具备较强的抗外部磁场干扰能力，适用于复杂磁环境下的高精度角度检测;　　NSM204x 采用3*3/4*4 QFN封装，适用于紧凑空间的板上电流检测，差分霍尔原理可有效抵抗共模磁场干扰。　　面向工业伺服、机器人及新能源设备的实时控制需求，NSSine™ NS800RTA7系列实时控制MCU/DSP最高支持三核，集成EtherCAT 从站控制器(ESC)及数学运算加速能力，可支持复杂控制算法、多电机协同及高速通信。　　03　　可穿戴医疗聚焦微弱信号　　采集、低功耗与小型化　　连续血糖监测(CGM)、智能手表等可穿戴设备始终追求芯片的更小尺寸、更低功耗及更高的测量精度。　　面向连续血糖监测，纳芯微此次发布专用电化学传感器AFE NSA1080。产品集成双通道电化学检测单元、高分辨率ADC、温度校准模块及自动采样扫描引擎，可高灵敏度采集微弱电化学信号，并配合传感器及算法支持血糖和酮体双指标监测。　　NSA1080采用1.96 mm × 1.96 mm遮光WLCSP-25封装，并通过低功耗设计及出厂增益标定，适配CGM贴片对尺寸、续航及量产一致性的要求。　　面向可穿戴设备的精准测温需求，NST113x系列数字温度传感器采用0.75 mm × 0.75 mm DSBGA(4) CSP封装，在25℃至45℃范围内测温精度可达±0.1℃(max)。产品在1 Hz工作频率下功耗为2.9 μA，Shutdown模式下功耗为0.25 μA，可用于智能手表、智能戒指、CGM等需要长期连续监测的电池供电设备。
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发布时间：2026-09-18 10:05 阅读量：178 继续阅读>>
国产首家！<span style='color:red'>纳芯微</span>LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计
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国产首家！纳芯微LIN收发器NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，全栈CAN/LIN方案简化车载通信设计

　　近日，纳芯微宣布其推出的汽车级LIN收发器芯片NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1成为国产首家全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的LIN收发器芯片。　　在此之前，纳芯微CAN收发器芯片 NCA1044-Q1、NCA1057-Q1、NCA1145B-Q1、NCA1462-Q1、NCA1043D-Q1、NCA1463-Q1已率先通过IBEE/FTZ-Zwickau全项测试。LIN收发器顺利通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微全国产化汽车级CAN/LIN接口解决方案的EMC性能达到行业领先水平，助力车企与零部件客户简化车载总线EMC系统性认证流程，加速国产替代落地。　　全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证的　　CAN/LIN收发器系列，简化EMC验证　　鉴于CAN/LIN收发器芯片的EMC性能对车身控制、智能座舱等系统的稳定运行至关重要，各地区均制定了严格的汽车电子电磁兼容标准与认证流程，如美国汽车工程师协会(SAE)的J2962标准和欧洲IBEE/FTZ-Zwickau认证均对汽车通信接口的EMC性能提出了明确要求。其中，IBEE/FTZ-Zwickau认证依据IEC 62228-2开展，排除了外围电路差异对结果的干扰，更聚焦于收发器芯片本身的EMC特性，且考核等级更为严苛，已获全球主流车企广泛认可。　　此次IBEE/FTZ-Zwickau认证包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬态抗扰度(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)共四项测试，纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过。　　表-1：纳芯微NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全部通过四项测试　　在此次 IBEE/FTZ-Zwickau 认证中，NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1的抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)能力表现优异。测试覆盖正常通信、休眠唤醒等关键工作状态及误唤醒防护维度，即便在无总线滤波电容的最恶劣条件下，所有测试项均一次性通过测试，达到IEC 62228-2标准的最高Class III等级。尤其在休眠状态下，芯片不会因外界电磁干扰发生异常唤醒，可有效保障整车静态电流合规。　　表-2：纳芯微NCA1021A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　表-3：纳芯微NCA1029A-Q1 RF Immunity测试全项结果　　达到Class III等级　　全国产化的汽车级CAN/LIN接口解决方案　　增强供应链韧性和选型便利性　　NCA1021A-Q1、NCA1029A-Q1全面通过IBEE/FTZ-Zwickau认证，标志着纳芯微由此成为国产首家可同时提供经权威认证、EMC性能领先的、全国产化的汽车级CAN/LIN收发器厂商，有效增强了供应链的韧性与客户选型便利性。　　目前纳芯微可提供完整的汽车级CAN/LIN收发器产品，覆盖客户的全场景需求：　　表-4：CAN收发器选型表　　表-5：LIN收发器选型表　　平台化接口IP　　快速响应定制开发需求　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN、LIN、RS485、I2C、I3C、SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　在技术迭代的同时，纳芯微全面落地全国产供应链体系，打通晶圆制造、封装测试、核心物料配套的全链路国产化。目前，纳芯微车载CAN/LIN/SerDes等汽车通信接口芯片，均已实现全国产供应链落地，精准匹配新能源汽车等领域的国产化替代需求。高度自主可控的本土供应链，不仅大幅提升了产品交付稳定性与成本可控性，还能快速响应客户定制开发与批量供货需求，为终端客户提供安全可靠、高适配的国产化接口芯片解决方案。
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发布时间：2026-09-16 13:52 阅读量：199 继续阅读>>
让小小贴片承载更多监测需求 | <span style='color:red'>纳芯微</span>推出CGM专属电化学传感器AFE NSA1080，支持血糖+酮体监测
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让小小贴片承载更多监测需求 | 纳芯微推出CGM专属电化学传感器AFE NSA1080，支持血糖+酮体监测

　　一枚连续血糖监测(CGM)贴片，需要无缝融入用户的日常生活：吃饭、睡觉、工作、运动。既要持续输出可靠监测数据，又要做到轻巧无感，降低用户更换负担。如何在有限的贴片体积与电池容量约束下，捕捉微弱的生化信号，同时为更多监测功能预留设计空间?　　近日，纳芯微正式推出面向CGM应用的电化学传感器模拟前端(AFE)芯片——NSA1080。产品采用小尺寸遮光 WLCSP‑25 封装，片内集成双通道电化学检测单元、高分辨率 ADC、高精度温度校准模块以及自动采样扫描引擎，兼具极高的电流检测灵敏度与微安级超低功耗。　　连续监测(CGM)为何流行?　　承载不同人群的监测需求　　指尖采血 VS 连续监测：补齐血糖数据盲区　　传统指尖采血血糖仪仅能获取单点时刻的血糖读数，无法还原两次采血间隙，尤其是餐后、夜间的血糖波动。　　CGM 通过贴于手臂或腹部的贴片，依靠皮下微型传感器持续采集组织液葡萄糖信号，经系统运算生成完整血糖变化曲线，如同为身体配备一台慢病 “行车记录仪”。　　不同群体有哪些监测需求?　　糖尿病患者：连续的血糖趋势信息可以反映血糖波动，为日常管理和治疗方案提供参考。　　高危酮症酸中毒(DKA)筛查群体：部分DKA发作时，血糖并不会显著升高，仅依靠血糖读数会造成风险漏判，因此亟需连续血酮监测。　　泛健康与运动人群：越来越多的人希望借助小巧舒适的贴片了解身体代谢的实时反馈。　　产品迭代趋势　　不同人群关注的监测指标各有差异，但所有设备都面临同一个核心命题：如何尽可能减少对日常生活的干扰，持续获得有效监测数据?　　更小的体积、更长的有效佩戴周期，以及与应用需求相匹配的测量能力，都需要从传感器、电路、算法和结构设计共同入手。　　贴片趋向微型化、高精度　　传感器AFE面临四大设计挑战　　电化学检测的原理是传感器将生化物质浓度变化转化为微弱电流信号，模拟前端 AFE 负责完成这类微弱信号的读取。随着 CGM 贴片越做越小、功能不断拓展，对 AFE 芯片提出四大考验：　　(1)生理信号极微弱，容易被噪声淹没　　传统血糖测量仅需约 3nA 级电流分辨率，而血酮、尿酸等指标要求达到0.5nA级的分辨率与1%的高精度，对芯片噪底、跨阻放大器(TIA)输入漏电流提出极高要求。一旦底噪偏高或者芯片存在漏电，本就微弱的生理信号就会被噪声掩盖。　　(2)全天候连续采样，同时要求超长续航　　贴片内置的纽扣电池容量有限，但要维持7~30天不间断工作。系统平均功耗需要控制在微安级别(典型要求：0.5Hz 采样率下整机功耗低于 8 µA)，芯片任何不必要的功耗开销，都会缩短贴片的可用周期。　　(3)出厂校准繁琐，拉高整机生产成本　　每个生化传感器个体有微小差异。如果芯片本身出厂时没有经过高精度的单片出厂标定，医疗设备厂商就需要在产线搭建昂贵的多点精密电流源，完成逐片校准。该流程耗时耗力，会拉低直通率，抬升整机生产成本。　　(4)微型封装易受光照干扰，传统遮光工艺增加生产负担　　为了让贴片足够薄，行业普遍选用 WLCSP 裸片级小封装。但这种封装容易透光，硅片受光线照射会产生光生电流，导致测量基准漂移、数据失真。传统方案里，厂商需要在外面涂上一层黑胶来遮光，工艺繁琐且容易产生贴片不良。　　纳芯微 NSA1080：　　全方位优化，针对性解决 CGM 的工程痛点　　针对上述临床应用与量产制造层面的挑战，NSA1080 从信号采集、功耗控制、出厂标定、硬件封装多个维度完成全方位优化：　　(1)0.5pA 超低噪底与双通道架构，兼顾血酮与微量监测　　NSA1080模拟链路具备极低的底噪与皮安(pA)级漏电控制。NSA1080在反馈电阻Rf=3.2 MΩ配置下，RMS噪声低至0.5 pA，在5～45°C范围内，跨阻放大器(TIA)输入偏置电流为较小。NSA1080集成24位ADC，提供100 kΩ～12.8 MΩ多档可编程TIA增益，并支持滤波配置。研发团队可根据传感器输出的电流范围和采样需求，灵活配置采样参数。　　在此基础上，NSA1080集成的双通道恒电位仪支持两个工作电极同时工作，可为电化学检测提供所需的电极偏置条件，并支持双路信号采集。配合相应传感器和算法，设备厂商可进一步开发血糖+酮体双指标监测应用。　　(2)分级功耗管理，灵活适配电池方案　　自动掉电机制：NSA1080采用自动状态机流转，在非测量间歇期，硬件上可单独动态关断TIA、ADC、基准源等高功耗模块，减少间歇期不必要的耗电。　　滑动平均滤波：NSA1080硬件内置滑动平均算法，保持高输出数据率(ODR)的同时显著降低ADC的实际唤醒次数，MCU拥有更多休眠时间。　　拓宽电池方案选择：NSA1080支持2～3.3 V电池直接供电，也支持1.2～1.8 V低压供电，便于研发团队结合贴片尺寸、电池容量和续航目标，选择合适的供电方案。　　(3)出厂标定+片上温度传感，简化系统测试与电路设计　　出厂标定，即插即用。NSA1080在出厂测试中完成增益标定，增益误差控制在±0.1%以内，客户端不再需要在测试产线上架设多点精密电流源进行逐片系统标定，显著提升生产线直通率，降低测试硬件折旧成本。　　芯片还内置温度传感器，在5～45°C范围内测温精度为±0.5°C，无需片外挂载分立温度传感器即可完成电化学反应的温漂算法补偿，简化电路和物料配置。　　NSA1080 采用 WLCSP-25 封装，本体尺寸仅 1.96 mm × 1.96 mm，适合空间受限的贴片设备布局。该封装选用遮光材质，能够降低环境光对芯片内部电路的干扰，产线无需增加黑胶涂覆工序。同时可提供定制化小尺寸 QFN 封装供选型。　　(4)小尺寸遮光封装，适配贴片紧凑设计　　NSA1080 采用 WLCSP-25 封装，本体尺寸仅 1.96 mm × 1.96 mm，适合空间受限的贴片设备布局。该封装选用遮光材质，能够降低环境光对芯片内部电路的干扰，产线无需增加黑胶涂覆工序。同时可提供定制化小尺寸 QFN 封装供选型。
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发布时间：2026-09-15 11:06 阅读量：215 继续阅读>>
充分释放GaN潜能：<span style='color:red'>纳芯微</span>GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题
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充分释放GaN潜能：纳芯微GaN驱动芯片破解高功率密度应用难题

　　随着AI算力爆发以及人形机器人产业的快速演进，电源系统向着更高功率、更高效率、更小体积的方向快速迭代。氮化镓 (GaN) 作为宽禁带代表性器件，凭借开关速度快、损耗低、面积小等先天优势，已经成为超高功率密度系统不可或缺的核心拼图。但GaN是一把双刃剑，其优越性能落地到实际硬件设计时会遇到诸多工程挑战，如何通过驱动IC的技术创新，把GaN的理论性能充分释放，已经成为行业关注的焦点。　　本文将从GaN应用与市场洞察、GaN关键应用痛点与驱动IC技术演进、纳芯微宽禁带半导体驱动及系统级解决方案三个维度展开，剖析GaN规模化落地背后的技术逻辑。　　GaN市场迎来跃迁：　　从消费电子走向高端高功率场景　　GaN器件早已不再局限于消费类快充等传统场景，AI数据中心与人形机器人关节正在成为GaN两大里程碑式核心战场，同时新能源汽车OBC、激光雷达、户用光储储能、伺服驱动、D类功放等领域，也在加速导入GaN方案，充分挖掘器件在效率与功率密度等方面的价值。　　数据中心供电：　　功率密度激增，GaN的核心战场　　AI大模型算力需求爆发直接带动GPU单板功耗持续攀升。从A100单卡400W、算力312TFlops，迭代到Rubin平台单卡约2300W、算力4PFlops，算力提升12倍的同时功耗提升6倍，算力与功耗同步高速增长。　　行业已经全面进入Rack‑Scale机架级算力时代，计算单元由单张GPU显卡升级为整机柜。短短数年内，单机柜功率由60kW一路走高至600kW，未来规划将迈向1MW机柜，然而机柜物理体积并没有同步放大，对供电链路的功率、效率、集成度提出前所未有的严苛要求。　　以数据中心PSU电源单元为例，当前54V架构主流 PSU功率密度为18‑33kW/U;下一代HVDC高压直流PSU将达到50‑100kW/U;后续机架式DC‑DC转换环节功率密度可达90‑120kW/U;更进一步，高压上板的板载DC‑DC模块，功率密度目标突破 2000W/in³。这一系列极具挑战的指标，也直接推动 GaN在数据中心供应链迎来爆发式的用量增长。　　机器人关节：　　下一个高功率密度主战场　　人形与四足机器人属于电池供电移动式设备，自由度高、关节数量众多。每一处关节模组同时承受高峰值功率、毫秒级电流响应、长期间歇/连续运行、严苛的体积、重量与散热等多重约束。机器人关节功率覆盖10W‑4000W每轴，要在极小的结构空间里面实现全部性能，GaN凭借高频小型化的能力，成为机器人伺服驱动极具竞争力的技术路线，目前行业头部客户已经开启规模化方案验证与导入。　　综合两大场景可以看到，消费电子应用会优先权衡成本因素;而在AI算力、机器人、车载OBC、光储等高端工业场景，系统更看重GaN带来的高效率、高功率密度收益，GaN的产业重心已经发生明显迁移。　　GaN工程落地痛点：　　驱动IC如何破解器件固有难题　　GaN材料拥有优异的理论性能，但器件本身的电气特性带来诸多设计难点。超高功率密度系统追求高频高速运行，需要在有限PCB空间内部署全部器件并稳定工作，这就对GaN驱动芯片提出多重硬性要求：高抗共模干扰、极低传输延时、封装极致小型化;同时还要直面增强型GaN导通阈值低易误导通、需要安全关断、第三象限反向导通引发自举过压这三大固有痛点。　　针对上述工程挑战，纳芯微打造了完整的GaN专用驱动产品矩阵，通过高CMTI抗扰设计、超短传输延时、多规格小型化封装，搭配独立开通关断驱动通道、芯片内集成负压、米勒钳位、智能有源自举控制、内置LDO稳压等系列核心技术，从芯片硬件层面一一对应化解各类应用风险，帮助开发者充分释放GaN器件的理论性能，降低整机系统的设计调试门槛。　　痛点一：　　高频高速工况，对驱动抗扰、延时、　　封装提出极限要求　　GaN开关速度极快，节点电压可在纳秒级别大幅跳变，电磁环境恶劣，驱动芯片必须具备很高的共模瞬态抗扰能力;同时全链路传输延时需要做到足够低，匹配器件高速开关特性。纳芯微GaN驱动系列产品可实现100V/ns以上的CMTI抗扰能力，最小传输延时低至2.6ns。　　极致小型化不只是针对GaN功率器件、磁性元器件，而是电源全链路器件共同的诉求。驱动芯片作为核心配套，封装尺寸也必须同步压缩。纳芯微提供最小1.2×0.8mm WLCSP超小封装NSD2017，此外还覆盖2×2mm、3×3mm、5×7mm多种封装规格，覆盖从激光雷达高频小体积，到大功率工业电源的多元布板需求。　　痛点二：　　导通阈值低，易发生误导通风险　　主流E‑mode增强型GaN导通阈值仅1V左右，很小的栅极电压扰动就会引发器件误开启，带来系统损坏风险。　　传统驱动方案采用二极管构建开通、关断共用回路。二极管导通会产生约0.7V压降，器件关断状态下栅极电压被抬高至0.7V，距离1.1V阈值十分接近，电路任何微小扰动，都可能造成GaN误导通。　　纳芯微GaN驱动芯片内部集成独立开通/关断双驱动通道，硬件层面舍弃关断二极管，从根源降低误导通风险，该技术已是纳芯微GaN驱动产品的标配。　　为进一步保障650V高压GaN器件可靠关断，行业普遍采用负压关断方案。目前分立搭建负压电路主要分为三类：　　双绕组变压器方案：正负绕组分别输出正压、负压，性能好，但绕组数量多，成本高;　　单绕组搭配稳压管方案：绕组数量减少，成本折中，但正负电压互相牵制;　　自举搭配分立器件方案：成本最低，但需要持续发波建立负压，对半桥占空比存在限制，工况适配范围受限。　　三类分立方案各有短板，很难同时兼顾负压稳定性、PCB面积、硬件成本。纳芯微推出NSD2622N高压半桥GaN驱动，芯片内部集成负压生成电路，无需外部复杂分立负压网络，一站式实现稳定负压输出、精简外围器件、控制整体BOM成本。　　针对双向GaN开关应用，驱动调试难度更高，纳芯微推出GaN驱动NSD2622NB，为双向开关场景提供集成负压、通道可灵活配置的专用驱动方案，大幅简化双向拓扑硬件设计。　　痛点三：　　第三象限反向导通，　　带来自举上管VGS过压隐患　　GaN在半桥拓扑第三象限反向导通时，SW节点电压可低至‑2V。该负压会给自举电容充电，造成上管栅源电压VGS被充到7V附近，对GaN的稳定运行带来高风险。　　行业传统分立解决思路存在明显短板：一是上管栅极并联齐纳稳压管做钳位，会带来额外损耗、温升，占用PCB面积;二是在GaN DS两端并联肖特基二极管，试图拉低反向负压，却会增加寄生参数，牺牲功率密度，违背选用GaN器件的初衷。　　理想的解决思路是在GaN反向导通阶段，直接切断自举充电通路，阻断负压向上管栅极传递。该逻辑对时序、逻辑控制精度要求极高，分立器件很难落地，却是集成电路的优势所在。　　纳芯微NSD2123半桥GaN驱动内置Smart Bootstrap Charge智能自举有源开关，在器件进入第三象限导通瞬间精准断开自举链路，规避VGS过压风险，且集成米勒钳位功能，有效避免误导通，在外围电路极度精简下实现了安全自举与可靠关断。除此之外，半桥GaN驱动NSD2012N与NSD2622N在芯片内集成LDO稳压，不依赖外部自举供电，同样可以一站式解决负压关断与自举过压两大难题，排除寄生电容影响，提升开关速度。　　纳芯微提供完整产品矩阵，　　赋能超高功率密度系统开发　　针对不同应用场景，纳芯微形成完整GaN驱动产品矩阵，客户可以按需选型：　　NSD2017：WLCSP 1.2×0.8mm超小封装，2.6ns超低延时，适配激光雷达等高频、极致小型化应用;　　NSD2123：110V半桥驱动，集成米勒钳位与Smart Bootstrap智能自举有源开关，面向数据中心IBC、机器人关节等中低压场景;　　NSD2012N：单管GaN驱动，集成LDO+负压关断，QFN 3×3mm小封装;　　NSD2622N：700V高压半桥驱动，集成LDO与负压关断，面向650V高压大功率电源、双向开关拓扑;　　NSD2621：700V半桥驱动，芯片内集成LDO稳压。　　同时需要注意的是，GaN带来的系统升级，挑战不只来源于功率器件本身，也不局限于栅极驱动芯片。整套系统链路都需要同步迭代：采样链路需要更高带宽、更强抗干扰;MCU需要更高算力与更快响应速度;通信接口抗干扰能力需要升级;面向HVDC高压架构，系统隔离性能也需要同步匹配。　　作为全品类数模混合信号芯片提供商，除了GaN驱动以外，纳芯微还提供带死区控制、保护功能、采样功能的隔离智能栅极驱动，同时配套隔离器件、信号链、电源管理、MCU等多类芯片，覆盖从驱动、采样、控制到通信的全链路需求，帮助客户完成超高功率密度系统的整体设计落地。
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发布时间：2026-09-11 10:37 阅读量：264 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>亮相2026 DVN上海汽车照明研讨会，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”
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纳芯微亮相2026 DVN上海汽车照明研讨会，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”

　　9月8日至9日，第41届DVN上海汽车照明研讨会在上海举行。纳芯微携车内外照明一站式芯片方案亮相展区，覆盖前灯、尾灯与座舱照明等关键应用。值得一提的是，多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527与前灯驱动芯片Pre-Boost恒压控制器NSL31682及Buck LED驱动NSL31520在9月8日晚举行的“DVN上海创新之夜”颁奖典礼上荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”。会议期间，纳芯微技术工程师周陈旺发表主题演讲，分享了软件定义汽车趋势下的动态氛围灯与整车OTA创新方案。　　01　　车内外照明一站式芯片方案　　集中亮相　　在外饰照明方向，纳芯微展示了覆盖1/3/6/12/16/24通道的车规级线性LED驱动芯片，广泛应用于传统尾灯、贯穿式动态尾灯及发光格栅等场景。此外，针对前灯应用，纳芯微展出了Pre-Boost恒压控制器 NSL31682、Buck LED驱动器 NSL31520 及LED矩阵管理器 NSL31664/5 三大新品，助力前照灯两级架构的三大核心环节：前级升压、恒流驱动与矩阵控制，持续推进照明系统应用创新。　　在内饰照明方向，纳芯微展示了单RGB氛围灯驱动芯片NSUC1500与多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527，覆盖单点光源和多区域面光源的应用需求。同时，车载屏幕背光驱动NSL6103/4也为智能座舱的光效设计提供了灵活、高集成度的选择。　　02　　双引擎产品荣获　　高可靠性照明控制IC解决方案奖　　在9月8日晚的“DVN上海创新之夜”颁奖典礼上，纳芯微以多RGB氛围灯驱动芯片NSUC1527与前灯驱动芯片Pre-Boost恒压控制器NSL31682及Buck LED驱动NSL31520，荣获“高可靠性照明控制IC解决方案奖”。　　NSUC1527单芯片集成27路高精度LED驱动器与控制内核，支持CAN FD与LIN通信，并具备基于LED正向电压测量的温度与老化补偿能力，使座舱氛围灯在长期使用中保持稳定的色彩表现;其高集成度设计可帮助主机厂省去LCM(灯光控制模块)，显著降低氛围灯系统成本，为多区域、高像素的氛围灯系统提供更简洁的实现路径。目前，该芯片已在多家主机厂开展台架测试。　　NSL31682 与 NSL31520 则面向汽车前照灯系统，构成从前级升压供电到后级恒流驱动的完整 LED 电源解决方案。两款产品均支持 SPI 接口及展频功能，并集成丰富的故障诊断与保护机制，同时支持 Limp Home 与 Standalone 模式，可在异常工况及通信故障情况下保障系统稳定运行，以高可靠、高精度的控制能力满足 ADB 等智能前照灯应用需求。　　03　　软件方案让车灯持续进化：　　光效可控，升级可达　　9月9日，纳芯微技术工程师周陈旺在研讨会现场发表主题演讲，围绕软件定义汽车趋势下车载照明电子的创新方向，分享了纳芯微在动态氛围灯解决方案与整车OTA升级方案上的思考与实践。　　随着汽车电子电气架构的持续演进，车灯正在从单一功能部件升级为可持续进化的智能交互载体。纳芯微以芯片级的集成设计与系统级的技术能力，帮助客户简化方案架构、提升光效控制精度，并为车载照明系统的远程升级与全生命周期管理提供支持。　　纳芯微技术工程师周陈旺发表主题演讲
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发布时间：2026-09-10 09:58 阅读量：268 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>与您相约 2026 DVN 上海研讨会
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纳芯微与您相约 2026 DVN 上海研讨会

　　时间：2026 年 9 月 8–9 日　　地点：上海 · 黄浦滨江 1353 会议中心　　纳芯微期待与您相约DVN上海汽车照明研讨会，共同探索汽车照明体验!　　【洞察设计】　　当动态氛围灯遇见软件定义汽车，芯片与软件如何协同?纳芯微将在 DVN 上海研讨会现场分享：　　动态氛围灯： NSUC1527x 系列多通道氛围灯驱动芯片，支持 CAN-FD / LIN / UART 多种通信接口，灵活适配各类动态氛围灯应用。　　OTA 升级： 基于 NovoGenius® 系列芯片提供完整 BOOTLOADER 解决方案，助力客户高效落地 OEM 级 OTA 升级需求。　　(具体演讲场次以会议议程为准)　　还有动态音乐氛围灯、智能交互照明、车身控制、汽车充电口动态指示灯等多套方案现场演示，欢迎到场交流!
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发布时间：2026-09-02 10:21 阅读量：284 继续阅读>>
简化多维位置感知设计，<span style='color:red'>纳芯微</span>推出NSM903x三轴线性位置传感器
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简化多维位置感知设计，纳芯微推出NSM903x三轴线性位置传感器

　　近日，纳芯微推出三轴线性位置传感器NSM903x，该产品集成X、Y、Z三轴磁场检测能力，采用I²C数字接口，具备可配置中断功能，磁场检测范围最高达±2400Gs，面向智能穿戴、折叠屏手机、学习平板及智能家居等消费电子产品。　　消费电子产品形态和交互方式不断丰富，需要识别的位置变化也更加多样。传统单轴线性霍尔方案在应对部分多维位置或角度检测需求时，通常需要多颗器件协同，同时还需考虑有限空间内的磁铁布局和系统资源配置。凭借单芯片多维感知能力，NSM903x有助于减少多器件组合带来的设计复杂度，提升位置与角度检测设计的灵活性。　　三轴检测结合角度计算　　一颗芯片覆盖更多感知需求　　NSM903x内部集成三个独立霍尔感应单元，分别检测X、Y、Z三个方向的磁场信息，芯片内置CORDIC角度计算引擎，支持基于不同轴向的磁场组合完成角度解算，输出0°至360°角度数据。　　凭借单芯片集成的磁场检测与角度解算能力，NSM903x减少了器件数量，简化磁铁与传感器的布局设计，可广泛应用于智能手表旋钮、折叠屏手机开合角度、学习平板折叠摄像头、家居安防云台及摇杆等场景，实现线性位置、旋转角度等不同类型的角度检测。　　最高±2400Gs磁场检测范围　　为结构设计提供更多空间　　在消费电子产品中，磁铁材质、尺寸及其与传感器之间的距离往往受到内部结构影响，传感器接收到的磁场强度也会随之变化。　　NSM903x提供±400Gs、±800Gs、±1200Gs和±2400Gs多档可选线性磁场检测范围。更宽的检测范围意味着在磁铁选型以及磁铁与芯片间距设计上有更大的调整余量，也便于根据终端内部空间进行布局。　　I²C数字输出与多器件支持　　简化系统集成　　NSM903x采用I²C数字通信接口直接向主控输出数字信号，并支持多个器件ID，同一条I²C总线最多可连接四颗NSM903x，在部署多个位置传感器时无需分别占用I²C接口，节省主控接口资源。　　此外，NSM903x支持可配置中断功能。可设置相应的触发条件，当检测状态达到设定阈值时，通过独立引脚输出中断信号。以智能手表旋钮应用为例，中断信号可用于功能唤醒等交互，主控无需持续轮询角度数据。　　完善线性位置传感器布局　　覆盖更多终端应用　　NSM903x进一步完善了纳芯微线性位置传感器产品布局。目前，纳芯微已形成覆盖单轴和三轴检测的线性位置传感器产品组合，可根据检测维度、接口、性能及成本等不同要求，应用于智能穿戴、智能手机、智能家居及工业控制等场景。
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发布时间：2026-08-28 16:14 阅读量：329 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器IC技术趋势
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纳芯微出席2026APEC汽车对话会议，分享汽车AK2超声雷达传感器IC技术趋势

　　2026年8月19日至21日，亚太经合组织(APEC)汽车对话第44次会议(AD44)于大连举行，来自多个成员经济体的政府部门、行业协会及企业代表围绕亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业及先进车辆技术等议题展开交流。　　作为汽车芯片代表厂商，纳芯微受邀参与此次会议，公司信号链产品线技术市场负责人王良藩先生在会上分享了AK2超声波雷达芯片的技术趋势与实践方案，共探汽车智能化感知技术的挑战与机遇。　　从AK1到AK2：超声波雷达进入数字架构阶段　　超声波雷达正从模拟架构向数字架构演进。与传统AK1模拟架构相比，AK2采用数字编码调制与回波信号处理，在探测距离、测量精度及抗干扰能力上有所提升;接口从点对点升级为多传感器共享总线，支持多传感器协同工作。目前，AK2超声波雷达已应用于超声波泊车辅助(UPA)、自动泊车辅助(APA)、自主代客泊车(AVP)等场景。　　从测距到多维感知：超声波传感的演进方向　　功能更广泛：感知维度从1D/2D测距向3D/4D演进，同时向低速AEB触发、障碍物类型检测、路面分类、微碰撞检测等场景延伸，在与毫米波雷达、UWB、摄像头共存的格局下保持其短距优势;　　刷新率更快：保险杠级传感周期压缩到100毫秒以内，支持更早的障碍物检测与更高效的AVP运行，对IC的多发多收协同与抗干扰能力提出更高要求;　　性能提升：目标分类(车辆、行人、路沿)、路面识别(铺装路、碎石、草地)、传感器污染检测(水、泥、冰、雪)及近场盲区缩减，要求传感器IC具备原始数据上传能力，支持各级原始数据上传;　　成本更优化：成本评估从单模块延伸向系统级，通过去MCU化、DSI3二线制(电源与通信同线)、直驱架构(省去外部变压器)等方案降低BOM与线束成本。　　多发多收与灵活编码：压缩传感周期　　针对刷新率提升需求，纳芯微通过任意频率模式发生器(AFG)支持固定频、线性/非线性频率编码、FSK+chirp组合编码等多种波形;支持多发多收提升抗干扰能力，保险杠扫描可在2个扫描周期内完成。　　原始数据上传与全量程优化：扩展感知边界　　在性能层面，纳芯微提供可配置的原始数据上传链路，支持1–16倍抽取、MCU侧压缩后经DSI3上传，可选择ADC原始数据(2ms窗口)、混频后I/Q数据、事件前后包络数据等节点;通过时变LNA(TVLNA)自动增益切换抑制近场饱和，探测范围覆盖约10cm至6.5m。　　DSI3标准协议：实现跨品牌互操作　　在系统集成层面，纳芯微采用基于标准DSI3协议的跨品牌互操作性设计，支持纳芯微芯与其他行业标准DSI3芯片组合，拓扑支持点对点、并行及菊花链。产品方面，NSUC1800支持厂商定义CRM命令，NSUC1802提供每通道2KB DSI3缓冲区，在功能扩展与数据访问灵活性上各有侧重。　　关于亚太经合组织(APEC)汽车对话　　亚太经合组织(APEC)汽车对话设计于1998年，旨在为各经济体政府主管部门与汽车产业界搭建常态化沟通平台，围绕发展战略、标准法规、技术创新等方面开展交流合作。本届AD44设置了亚太汽车市场趋势、供应链韧性、氢能汽车产业发展、先进车辆技术面临的机遇与挑战等议题。
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发布时间：2026-08-24 13:05 阅读量：340 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨NSSine™ MCU 串口性能优化实战：如何用 DMA 提升数据吞吐效率
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纳芯微丨NSSine™ MCU 串口性能优化实战：如何用 DMA 提升数据吞吐效率

　　文章导读　　在嵌入式系统设计中，串口通信被广泛应用。传统轮询方式需要 CPU 持续参与数据收发，在多接口并发或控制任务负载较高时，可能造成CPU 占用较高、硬件 FIFO 溢出、数据丢失或系统响应延迟等问题。　　针对上述资源占用与数据吞吐问题，本文以纳芯微NSSine™系列实时控制MCU/DSP芯片NS800RT1137 为载体，重点解析：　　核心方案：基于DMA自动触发数据搬运，减少CPU对串口数据搬运的参与;　　性能提升：在不提升波特率的前提下，提高数据吞吐效率，降低系统延迟与CPU资源占用;　　应用价值：为串口吞吐受限、CPU资源紧张及大数据量传输场景提供可落地的解决方案。　　硬件信号驱动DMA搬运　　事件触发与自动搬移机制剖析　　本方案的核心在于利用芯片内的DMA(负责数据搬运)和DMAMUX(负责信号路由)模块，与UART模块协同工作，实现“信号触发-自动搬运”的闭环。　　整个系统的数据流可以清晰地概括为：　　1. 事件触发：UART接收到数据，当其FIFO达到预设水位时会产生接收满信号，线路变为空闲时会产生空闲信号;　　2. 信号路由：DMAMUX模块负责将UART的硬件事件信号路由至指定的DMA通道，作为DMA传输的硬件触发信号;　　3. 自由搬运：DMA通道被触发后，无需CPU干预，自动将数据从UART数据寄存器搬运到指定的内存缓冲区(对于发送功能则反之);　　4. 状态管理：软件通过查询DMA传输状态(如已传输字节数)或结合串口空闲状态标志位，来感知数据接收完成，从而在应用层进行处理。　　在UART与内存之间，DMA模块承担了数据搬运的工作：数据到达后由DMA直接完成传输，整个过程无需 CPU干预，从而大幅提升数据吞吐效率。　　实战详解　　如何配置关键模块(以接收为例)　　第一步：配置UART，使其产生接收空闲信号(通知应用已完成接收)与接收满信号(触发DMA自动搬运)。　　接收空闲信号(IDLE)：用于判断一帧不定长数据的结束。通过配置ILT(空闲位检测起始点)和IDLECFG(空闲字符数长度)等寄存器，当总线上连续出现特定数量的空闲为后，UART便会置位IDLE标志。　　接收满信号(RDRF)：当接收FIFO中的数据量超过预设的水位(RXWATER)时，会产生此信号。通过使能UART_BAUD寄存器中的RDMAE位，将此信号转换为DMA请求。　　DMAMUX 模块负责实现信号源与DMA通道的映射：将特定外设的硬件事件信号(如UART接收请求)路由至指定的DMA通道。通过配置相应寄存器(CHCONFIG)完成绑定与使能后，即可建立事件与通道的对应关系。　　核心引擎　　DMA通道的精细配置　　本方案最核心的部分：配置DMA，需要理解其传输机制(次循环、主循环)。关键配置项包括：　　源/目的地址：数据传输的源地址与目标地址;　　传输数据宽度：单次传输的数据宽度(如8位);　　地址偏移：单次传输及主循环完成后，源地址与目标地址的增减方式;　　次循环字节数：单次触发后连续传输的字节数;　　主循环次数：完成整个DMA传输(如填满缓冲区)所需的触发次数。　　实际应用中：在主循环完成后，通过配置TCDn_DLASTSGA(目标地址最后调整值)为负的缓冲区长度，可使DMA的目标地址自动复位到缓冲区起始处，实现环形缓冲，为连续接收数据打下基础。　　应用层技巧　　巧妙管理不定长数据　　启用DMA后，无法通过直接读取UART寄存器来获取数据深度。应用层需要通过计算DMA控制结构体(TCD)中的初始主循环计数(BITER)与当前主循环计数(CITER)的差值，来实时获取已接收到的字节数。　　需要注意的是，此方法仅在每次次循环搬运1字节(NBYTES=1)时成立，即“已接收字节数 = BITER − CITER”;若 NBYTES>1，则需乘以单次次循环字节数(已接收字节数 = (BITER − CITER) × NBYTES)。　　软件在接收过程中通过实时查询DMA传输计数，不断从DMA目标缓冲区“分段式”迁移数据到应用层的环形缓冲区，而DMA通道则与UART的接收FIFO自动同步，在硬件层面完成数据的连续、无感搬运。　　具体流程如下：　　DMA自动搬运：DMA通道被UART接收FIFO满硬件信号自动触发，将数据从UART数据寄存器实时、分段地搬运到一块专用于DMA的中间内存缓冲区;　　实时分段迁移：应用层软件(在主循环或低优先级任务中)不断查询DMA的已传输字节数，并据此计算出自上次查询后新到达的字节数量，进而将这部分新到达的数据，从DMA的中间缓冲区复制到应用层的软件环形缓冲区中。这个过程是持续、分段进行的，而非等到一帧结束;　　空闲标志用于帧同步与DMA重置：当串口空闲状态(IDLE)发生时，这标志着一帧完整数据的传输“间隙”或结束。此时软件会完成最后一小段数据的迁移，并对DMA通道进行重置;　　应用层处理：应用层代码可从软件环形缓冲区中，按自身节奏和协议解析完整的数据帧，不受底层数据接收过程的阻塞。　　这种“DMA自动搬运 + 实时分段迁移 + 空闲时同步重置”的模式，正是实现高带宽、低延迟处理异步不定长串口通信的核心机制。它确保了数据从物理层到应用层持续高效流转，避免了在数据接收期间CPU的轮询等待，也防止了因数据延迟导致的数据覆盖或丢失。　　方案优势　　核心优势　　高带宽：DMA的硬件自动搬运机制，无需CPU频繁查询等待，最大化串口物理带宽的利用率;　　低损耗：CPU仅在数据帧接收完成或需要发送时接入，资源占用极低，可更专注于关键控制任务;　　高可靠性：从根本上避免了因CPU繁忙、多个串口同时收发导致的硬件FIFO溢出问题;　　高吞吐：软件FIFO的增加大大解决了硬件FIFO的深度限制，用户不再担心硬件溢出问题。
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发布时间：2026-08-21 13:09 阅读量：330 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span> x Yole Group：全球磁传感器市场迈向43亿美元，解读技术演进与应用机遇
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纳芯微 x Yole Group：全球磁传感器市场迈向43亿美元，解读技术演进与应用机遇

　　未来六年，全球磁传感器市场预计将增加约10亿美元。Yole Group数据显示，全球市场规模将从2025年的约33亿美元增长至2031年的约43亿美元，复合年均增长率约为4.5%。　　市场增长的背后，不只是传感器需求量的增加。汽车电动化、光伏储能系统向更高电压演进，人形机器人和智能设备加快发展，正在进一步分化系统对精度、功耗、带宽、安装结构和可靠性的要求，也带来新的技术选择与产品机会。　　近日，纳芯微与Yole Group联合举办磁传感器媒体交流会。Yole Group围绕全球市场规模、应用趋势与技术走向作出分析，纳芯微分享了其丰富的传感器产品布局和技术路线，可围绕不同行业应用，提供对应的感知方案，并在会上发布了最新的数款磁传感器芯片。　　未来六年约10亿美元的市场增量将由哪些产品与技术推动?　　面对持续分化的应用需求，不同感知技术应如何选择?　　纳芯微如何通过系统理解、多技术路线与产品创新回应这些需求?　　应用需求持续分化，多种感知技术协同发展　　Yole Group数据显示，2025年全球磁传感器市场规模约为33亿美元，预计到2031年将增长至约43亿美元，复合年均增长率约为4.5%。汽车与出行是规模最大的应用市场，工业、消费电子及医疗等领域也在持续释放新的感知需求。　　根据Yole Group数据，按出货量计，纳芯微磁传感器位列全球第四、国产厂商第一。截至目前，相关产品累计出货量已超过20亿颗，2025年单年出货量突破10亿颗，并已广泛应用于汽车、工业和消费电子等领域。　　市场增长的背后，是应用需求的进一步分化。汽车应用重视可靠性、长期稳定性及复杂环境适应能力，光伏、储能等能源系统关注电流检测的精度、带宽与绝缘能力;机器人应用需要兼顾角度检测精度与安装结构，智能设备则对功耗、尺寸和集成度提出更高要求。　　应用场景的检测对象、系统架构和工作环境各不相同，感知技术并非简单的替代关系，而是需要结合具体需求，在性能、成本、结构和可靠性之间进行选择。　　基于对各类应用系统的深入理解，纳芯微已形成涵盖霍尔、AMR、TMR、电感、磁通门等磁传感技术的多路线布局，并构建了电流传感器、磁开关与锁存器、角度编码器、线性位置传感器、速度传感器及传感器信号调理芯片六大产品系列。　　深入汽车系统，覆盖更多关键感知环节　　汽车是全球磁传感器规模最大的应用市场，也是纳芯微长期重点投入的方向之一。随着汽车电子化程度不断提高，磁传感器已广泛应用于车身、热管理、动力总成和底盘等系统，并持续进入更多关键感知环节。　　围绕不同系统的检测需求，纳芯微已形成覆盖汽车四大系统的磁传感器产品布局：　　在车身系统中，可用于车窗、座椅、雨刮、天窗、尾门及安全带卡扣等位置与状态检测;　　在热管理系统中，可用于电子节温器、水阀及各类泵阀执行器的位置反馈;　　在动力总成中，可用于OBC、DC-DC及牵引逆变器等系统的电流检测;　　在底盘系统中，可用于方向盘转角、主动悬架位置及车轮速度检测。　　以新能源汽车电驱系统为例，电机逆变器需要在有限空间内实现快速、精准的大电流检测。针对这一需求，纳芯微推出线性电流传感器NSM2025。产品内置U型聚磁结构，可直接贴装于PCB，全温范围内整体精度约为1.5%，带宽达270kHz，典型响应时间为2μs。　　面向光伏与储能系统，覆盖多元电流检测需求　　在光伏、储能、充电桩和UPS等能源系统中，电流传感器承担电流检测、控制反馈和系统保护等功能，同时需要满足相应的电气隔离要求。以光伏与储能系统为例，从光伏面板、MPPT升压、储能电池到并网逆变，各环节均存在电流检测需求，但对电流量程、检测精度、带宽和隔离能力的要求各不相同。　　围绕不同环节的系统需求，纳芯微提供覆盖不同电流量程和工作电压等级的电流传感器产品。　　针对光伏系统向1100VDC、1500VDC乃至2000V高压平台演进带来的绝缘需求，纳芯微推出集成式电流传感器NSM2051。产品采用超宽体封装，爬电距离和电气间隙达到15mm，基本绝缘工作电压达2800VDC，为高压光伏系统提供兼顾绝缘能力、集成度与贴片安装的电流检测选择。　　适配多种关节结构，丰富高精度角度检测方案　　机器人关节与工业伺服系统依靠编码器获取角度和位置信息。随着机器人关节向小型化、中空化发展，编码器不仅需要满足精度要求，还要适应不同的安装结构与工作环境。其中，中空关节需要预留轴心空间用于线缆穿行，对离轴检测方案的需求更加突出。　　面向不同安装结构与性能需求，纳芯微已推出基于霍尔、AMR、电感编码器产品，覆盖在轴与离轴安装方式。　　代表性产品包括：　　NSM350x霍尔双码道游标编码器：面向离轴应用，最高支持22 bit单圈绝对角度输出;简洁自校准后INL典型值可达±0.3°，匀速自校准后可达±0.1°，可适配需要中空走线的机器人关节;　　MT6901双码道游标电感编码器：支持离轴检测，在复杂工业环境下兼顾高精度与温度稳定性;　　MT6835 AMR磁编码器：适用于在轴安装，可在精度、成本与高速性能之间提供差异化选择。　　通过不同安装方式与感应原理的组合，纳芯微可根据关节结构、精度、转速及工作环境等要求，为机器人关节、伺服电机及其他工业运动控制设备提供更加灵活的角度检测选择。　　从状态检测到多维感知，支持智能设备交互升级　　在游戏外设、智能穿戴与智能家居等应用中，位置感知正在从简单的开关状态，逐步延伸至方向、幅度和角度等多维信息。摇杆、表冠及折叠手机结构需要在有限空间内完成多轴磁场检测与角度解算;TWS充电盒、门磁等长期待机场景则更加关注灵敏度与功耗。　　面向多维位置感知需求，纳芯微推出NSM903x三轴线性位置传感器。产品基于3D霍尔架构，可输出X、Y、Z三轴磁场数据，并集成CORDIC算法，支持360°角度解算，可用于摇杆、智能穿戴、折叠设备及智能家居等场景;　　面向低功耗状态检测，纳芯微已量产纳安级TMR磁开关，在保证检测灵敏度的同时降低系统待机功耗。　　以应用理解推动感知技术持续落地　　从汽车、能源到机器人和智能设备，不同系统对精度、功耗、带宽、绝缘能力与安装结构的要求各不相同。理解具体应用中的检测需求，是选择技术路线、定义产品形态的基础。　　未来，纳芯微将继续深化重点市场的系统与应用理解，完善多技术路线与产品组合，为客户提供更加丰富、灵活、可靠的感知解决方案。
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发布时间：2026-08-19 15:27 阅读量：364 继续阅读>>

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