高性价比：<span style='color:red'>纳芯微</span>推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列
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高性价比：纳芯微推出面向RS485通信隔离的三通道数字隔离器SP301H/L系列

　　纳芯微宣布推出基于其自研的第三代电容隔离技术的三通道数字隔离器——SP301H/L系列。作为面向RS485通信隔离应用打造的新一代产品，SP301H/L在传输速率、功耗表现、抗干扰能力及封装尺寸等方面实现全面升级。　　相比前代SP301A及NIRS31系列产品，SP301H/L支持最高8Mbps通信速率，采用低静态功耗设计，并进一步优化电磁抗扰性能;小巧紧凑的SSOW10密脚宽体封装，在提升集成度的同时有效节省PCB空间，为客户提供兼具高性能、高可靠性与高性价比的隔离解决方案。　　RS485通信因其传输距离远、抗干扰能力强、多节点组网灵活等优势，被广泛应用于电力终端设备、工业自动化控制、新能源储能系统等场景。在这些应用中，隔离器件是保障通信稳定性和系统安全性的关键环节。传统的RS485通信隔离中，三路光耦的隔离方案存在器件数量多、速率受限、易老化漂移及占板面积大等问题，难以满足高速通信、长寿命和小型化需求。随着系统性能要求不断提升，数字隔离正成为RS485通信隔离方案的重要发展方向。　　高性价比：　　单芯片替代三路光耦，简化设计降本增效　　传统隔离RS485通信方案通常需要3颗光耦隔离器及多颗外围阻容器件，不仅BOM复杂、采购管理成本较高，还占用大量PCB空间。　　SP301H/L通过单芯片集成三路隔离通道，可直接替代分立光耦及外围器件，在显著简化BOM清单的同时，减少器件数量与布线复杂度，提升整体方案集成度。　　此外，SP301H/L采用紧凑型SSOW10密脚宽体封装，相比传统光耦方案可节省超过60%的PCB占板面积，进一步释放板级空间资源。　　三路光耦隔离方案和SP301H/L的尺寸对比　　性能方面，SP301H/L数据通道支持最高8Mbps通信速率，使能控制通道支持最高1Mbps，有效突破传统光耦方案的带宽瓶颈，满足智能电表、工业现场总线等应用对高速通信和低时延传输的需求;方案适配方面，SP301H使能引脚默认高电平，SP301L使能引脚默认低电平，可灵活满足不同软件方案中MCU的使能逻辑需求。　　同时，芯片采用低静态功耗设计，适用于电池供电及现场仪表等对功耗敏感的应用场景，并且支持-40℃～125℃的环境工作温度，充分满足工业应用需求。凭借高集成度、小尺寸封装、优异的性能及精简的外围设计，SP301H/L能够更好地满足智能电表等设备对小型化、轻量化和高可靠性的设计需求，实现光耦方案的无缝升级替换。　　高可靠性：　　抗扰能力全方位提升，保障通信稳定运行　　以智能电表应用为例，其通常部署于复杂电磁环境中，通信链路需要承受电网浪涌、开关噪声及长距离布线带来的各类干扰挑战。　　SP301H/L通过优化隔离架构与抗扰设计，有效提升RS485通信链路的电磁抗扰(EMS)能力，降低通信误码率和掉线风险，保障电表数据传输的稳定性与可靠性。相较于前代SP301A及NIRS31系列，SP301H/L在电磁抗扰方面表现更为出色：　　EOS性能提升约10%，Latch up电压达到10V以上，显著增强器件对电源过应力的耐受能力，有效避免因电源异常波动导致的损坏，延长系统运行寿命。　　电源噪声抗扰性优异：在MHz级高频和大电压幅值的系统噪声干扰下，芯片仍能保持正常输出且无误码，进一步提升系统在复杂电磁环境下的可靠性。　　共模瞬态抗扰度(CMTI)典型值高达200kV/μs，能够有效抵抗共模瞬态干扰，确保信号传输的准确性与稳定性。　　此外，SP301H/L系列基于纳芯微领先的第三代电容隔离技术打造，具备卓越的隔离耐压能力：可达5kVrms(1分钟)，并能够承受超过10kV的浪涌电压，满足增强绝缘要求。SP301H/L系列现已量产，可登录纳芯微官网进行样品申请。　　丰富的“隔离+”产品　　引领隔离芯片标杆　　凭借在隔离技术方面的积累和领先优势，纳芯微提供涵盖数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等一系列“隔离+”产品，以全生态“隔离+”产品矩阵，为高压系统筑造安全可靠的防线：　　“+”代表增强安全：纳芯微“隔离+”产品提供超越基本隔离标准的安全等级，为客户系统构筑更坚固的高低压安全边界。　　“+”代表全产品生态：纳芯微以成熟的电容隔离技术IP为核心，拓展出包括数字隔离器、隔离采样、隔离接口、隔离电源、隔离驱动等完整产品组合，为客户提供隔离器件的一站式解决方案。　　“+”代表深度赋能应用：纳芯微“隔离+”产品可满足电动汽车高压平台、大功率光储充系统，以及高集成、高效率AI服务器电源等场景的核心需求，实现系统级安全、可靠与高效。　　截至2025年，纳芯微隔离相关芯片已累计出货超27亿颗，作为全球领先的隔离芯片供应商，纳芯微致力于通过全面的“隔离+”产品布局，以核心技术IP和全产品生态，引领隔离芯片标杆，为全球客户提供一站式的隔离芯片解决方案。
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发布时间：2026-06-18 10:04 阅读量：274 继续阅读>>
第九届<span style='color:red'>纳芯微</span>技术大会圆满落幕，创新回响持续激荡！
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第九届纳芯微技术大会圆满落幕，创新回响持续激荡！

　　近日，第九届纳芯微技术大会 (NOVOSENSE Technology Conference，简称 NTC) 在上海举办。作为纳芯微一年一度的重要技术交流活动，本届大会吸引近 700 位研发与技术人员参与，共征集技术投稿 155 篇，规模创历届新高。　　自 2018 年首届举办以来，NTC 历经九届沉淀。从最初的小型交流活动，逐步发展成为覆盖芯片设计、工艺开发、工程制造、系统架构、应用创新等多个技术领域的重要技术平台，也成为纳芯微工程师文化的重要载体之一。　　今年 NTC 继续以“Innovation · Share · Lead” (创新、分享、引领)为使命，通过技术分享及研讨、Demo Show、特邀报告及 AI 创新赛事等多种形式，鼓励工程师分享经验、交流思想、探索前沿技术方向，持续营造开放创新的技术氛围。　　01　　创新驱动成长：　　市场驱动迈向技术与市场双轮驱动　　大会开幕式上，纳芯微 CTO 盛云表示，随着智能化、低碳化的持续演进，以及 AI 算力基础设施和机器人等新兴应用的快速发展，模拟与混合信号芯片产业正迎来新一轮创新机遇。客户对于差异化解决方案的需求不断提升，也对芯片企业的技术创新能力提出更高要求。　　他指出：“纳芯微需要通过技术和产品创新持续提升产品竞争力和客户价值。从主要依靠市场驱动，逐步走向技术与市场双轮驱动，既要坚持以客户为中心，也要重视以技术为中心。”　　盛云认为，无论是产品定义、工艺开发、电路设计还是工程实现，模拟芯片领域仍然存在广阔的创新空间。持续创新不仅是企业发展的重要动力，也是构建长期竞争力的重要基础。　　02　　专家引领创新，　　持续夯实技术能力建设　　近年来，纳芯微深耕技术能力建设，不断完善创新平台与人才发展机制，推动核心技术能力长期积累与传承。　　目前，公司已建立覆盖多个专业领域的专家体系，并完成技术专家评审与认定，进一步畅通专业人才发展通道。大会期间还举行了第二届专家委员会成员聘任仪式。盛云表示：“专家不仅是技术体系的支柱，也是知识传承和人才培养的重要力量。”他同时透露，未来纳芯微将持续完善技术创新机制，将创新能力建设进一步融入产品定义、技术预研及研发流程管理中，为工程师创造更加开放高效的创新环境。　　03　　AI 创新实践首次亮相 NTC　　与往届相比，AI 成为本届 NTC 最受关注的新议题。随着大模型和 AI Agent 技术快速发展，人工智能正在从辅助工具逐步走向复杂任务执行和自主协同的新阶段。面对这一趋势，纳芯微首次将 AGI 二次开发大赛纳入 NTC 整体议程，旨在推动 AI 技术与实际业务场景深度融合。　　本次大赛自 4 月启动以来，吸引了来自多个技术领域和业务团队的踊跃参与。参赛项目聚焦研发、工程和业务运营等实际场景，围绕效率提升、流程优化、知识沉淀与智能辅助等方向展开探索，充分展现了工程师将前沿 AI 技术转化为实际生产力的创新能力。　　盛云在致辞中表示：“对于公司和工程师个人而言，最好的选择是积极拥抱变化。”他希望通过 AI 大赛激发全员探索热情，为未来 AI 能力建设和业务应用落地奠定基础。　　04　　Demo Show：　　从创意灵感走向应用落地　　除了精彩纷呈的理论分享，纳芯微 Demo Show 为各类创新灵感提供落地实践载体。从最初的创意萌芽、严苛的初审入围，到精细的实物制作，再到 NTC 现场的惊艳亮相——生动展现了工程师们对前沿技术的实践转化。　　05　　让热爱同行，　　共享荣耀时刻　　两天精彩的技术研讨与成果展示后，本届大会特别举办了“芯光无界”工程师晚宴。在晚宴现场，大会表彰了在技术创新、Demo Show 及专家评选中表现突出的团队与个人，并特设拍照打卡区定格一个个值得纪念的瞬间。来自不同领域的工程师们因技术相聚、因创新共鸣，在交流与分享中碰撞灵感，也让属于纳芯微的工程师文化更加深入人心。　　历届 NTC 见证着纳芯微技术底蕴的延续与沉淀，也记录着工程师们对创新与卓越的不懈追求。正如盛云在大会总结中所说：“以卓越之心，铸创新之芯，乘 AI 之势，聚专家之力。”　　面向未来，纳芯微将继续坚持技术创新，拥抱 AI 带来的变革，与更多工程师共同探索技术边界，为客户创造更大价值。
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发布时间：2026-06-17 09:29 阅读量：237 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器
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纳芯微推出通过IBEE/FTZ-Zwickau EMC认证最高Class III等级、全国产化的CAN收发器

　　纳芯微宣布推出全国产化供应链的汽车级CAN收发器芯片NCA1043D-Q1，新器件凭借业内领先的抗干扰特性，在欧洲权威测试机构IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证中，实现无特殊条件备注、全测试项通过最高Class III等级。　　NCA1043D-Q1同时满足大众集团VW80121-3，2023-12标准，纳芯微现可提供相关测试报告，支持汽车制造商简化系统认证流程，加速产品上市。　　CAN收发器是整车系统通信链路上的核心器件，通信过程中任何EMC问题带来的扰动都可能演变为整车系统的功能异常，因此车厂和Tier 1通常将CAN收发器视为EMC设计和验证的重点器件之一。尤其在800V高压平台、SiC功率器件和复合材料电池包逐渐普及后，CAN收发器的EMC性能已经成为影响整车开发周期和系统可靠性的重要因素。　　纳芯微NCA1043D-Q1全部通过四项测试　　全面通过最高Class III等级测试　　简化系统设计　　IBEE/FTZ-Zwickau认证根据IEC 62228-3标准进行，测试项包括：发射射频干扰(Emission RF Disturbances), 抗射频干扰(Immunity RF Disturbances)，瞬变免疫力(Immunity Transients)和抗静电(Immunity ESD)，纳芯微NCA1043D-Q1在测试中表现优异，各种条件下均能通过器件最高Class III等级，以优异的EMC性能助力用户简化系统设计，加速产品开发和上市。　　NCA1043D-Q1的相关测试项全部通过最高Class III等级　　支持振铃抑制功能　　满足复杂拓扑和提速需求　　NCA1043D-Q1采用纳芯微自研的振铃抑制专利，允许工程师在多节点、复杂拓扑情况下有效减少总线中的信号反射，降低振铃现象发生的概率，同时维持系统级≤5Mbps的通信传输速率，使得用户可以在部分应用场景中采用性价比更高的CAN FD而非CAN SIC芯片，在保障车载通信质量的同时，降低物料成本。　　全国产供应链加持　　提升交付效率与供应韧性　　NCA1043D-Q1在芯片设计、晶圆制造、封装测试等关键环节均实现国产化布局，构建了自主可控的全国产供应链体系。在保障供应安全与稳定供货能力的同时，依托本土产业链协同优势，有效缩短交付周期、提升响应速度，并降低综合供应链成本，为客户提供更具确定性和竞争力的供应保障。　　封装和选型　　NCA1043D-Q1将于近期量产，提供SOP14和DFN14两种封装，支持低至1.8V的VIO和睡眠模式唤醒;NCA1043D-Q1满足AEC-Q100，Grade 1要求，支持-40°C~125°C的宽工作温度范围。可通过纳芯微官网进行样片申请。　　平台化接口IP　　赋能全面产品布局　　纳芯微在通信接口领域布局已久，通过平台化IP和自研专利的协同，实现了快速的产品迭代，并且在CAN/LIN/RS485/I2C/I3C/SerDes接口等方面完成了全面的产品布局。技术层面，纳芯微在EMC增强的CAN/LIN接口技术、专有协议接口技术、高速接口技术等方面不断突破，达到业内领先的水平。　　以EMC为例，纳芯微全面通过IBEE/FTZ-Zwickau的EMC认证的器件还包括CAN FD收发器NCA1044-Q1，NCA1057-Q1，NCA1145B-Q1以及CAN SIC收发器NCA1462-Q1;其中NCA1044-Q1和NCA1462-Q1亦通过日本VeLIO认证，相关器件均已量产，欢迎垂询。
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发布时间：2026-06-10 10:19 阅读量：376 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨低资源占用、快速切换：单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析
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纳芯微丨低资源占用、快速切换：单 Bank Flash MCU 在线升级方案解析

　　随着智能产品进入规模化应用，现场固件更新能力已成为产品持续迭代的重要支撑。对于 MCU 系统而言，固件升级不仅要完成新版本程序写入，还需尽量降低升级过程对设备运行状态和用户使用体验的影响。　　针对单 Bank Flash MCU 平台，本文提出一种不断电固件升级方案，通过软件架构设计实现安全、快速、用户低感知的现场固件更新，为单 Bank Flash MCU 提供在线升级能力。　　01 方案背景　　目前，MCU 常见固件升级方式包括 IAP(In Application Programming)、ISP(In System Programming)、双 Bank 升级、OTF(On The Fly)、LFU(Live Firmware Update)以及 LiveUpdate 等。其中，不断电升级通常要求系统在升级过程中保持业务运行，不依赖设备重启，并实现新旧固件的平稳切换。　　现阶段，OTF 和 LFU 是较为常见的不断电升级方案，但通常依赖 MCU 具备双 Bank 架构的 Flash 存储器。而在实际应用中，单 Bank Flash MCU 仍然占据较大存量。由于单 Bank Flash 不具备动态 Bank 切换能力，如何在不依赖双 Bank Flash 架构的前提下，实现无停机、无复位、业务连续的现场固件升级，成为单 Bank Flash MCU 在线升级设计中的关键问题。　　02 系统架构与核心技术点　　由于单 Bank 架构的 Flash 不具备动态切换 Bank 或启动时自动切换 Bank 的功能，因此需增加 Bootload 程序，负责系统引导、启动选择及运行环境构建。Bootload 支持烧录 App 固件、读取 App 信息区、并为 App 区配置运行环境。　　这种架构可支持多个 App 区，每个 App 区均设有独立的信息区。信息区用于存储对应固件分区的关键参数，包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度(Length)以及中断初始化程序等必要信息。　　整体方案的组成框架如图 1.1 所示。需要实现的关键技术包括：　　① APP 区信息的保存与动态分析;　　② 切换 APP 区时的定点切换;　　③ 在主循环内更新主循环本身。　　图 1.1 单 Bank 不断电升级方案框架　　03 固件分区与信息提取　　Bootload 与 App 区在运行过程中需动态读取固件信息，以便为后续执行的目标代码构建运行环境。需特别说明的是，Bootload 跳转至 App 区的机制与 App 区之间的跳转机制并不相同。在本文提供的方案中，Bootload 跳转至 App 区采用传统的 IAP 跳转方式;而 App 区之间的跳转则基于固定代码区的锁定机制，以确保跳转过程的安全性。　　Flash 存储器需要通过 FMC 模块与 CPU 进行通信，Flash 在执行擦除操作时需耗费一定时间，若在此期间 CPU 发起对 Flash 的读取请求，将会因为等待 FMC 完成擦除而导致阻塞。　　这引入了第一个需要解决的问题—— App 区内擦除 Flash 阻塞。为避免该问题，在擦除 Flash 时应避免 CPU 同时读取 Flash，相关操作需置于 SRAM 或 ITCM 中执行。　　为简化实现流程，本方案将 App 区固定运行于 SRAM 中。Bootload 在启动阶段将 App 代码从 Flash 手动拷贝至 SRAM，从而有效避免擦写冲突，确保升级过程的稳定与可靠。　　App 区的分区功能使用的是 Sct 分散加载脚本功能，如程序清单 1.1 所示。　　程序清单 1.1 App 区的 Sct 文件　　以 App0 为例，其分区信息与作用描述如表 1.1 所示。　　表 1.1 App 区的分区功能描述　　固件信息区 FIRM_DROM 用于存储程序清单 1.1 中各个分区的关键参数，包括加载地址(LoadAddress)、运行地址(RunAddress)、代码长度，以及用户自定义和其他辅助信息。这些信息通过编译器自动生成的全局环境变量进行记录，具体声明方式如程序清单 1.2 所示。　　程序清单1.2 分区信息保存方法　　清楚如何将 Load 地址拷贝到 Image 、和复制长度，即可动态搭建不同固件的运行环境。　　04 固定代码区　　堆栈污染防护机制　　在 C 程序运行过程中，堆(Heap)用于程序源动态申请和释放临时变量，而栈(Stack)则用于在子函数调用或中断触发时保存临时变量、返回地址等上下文信息，通过“进栈-出栈”机制实现函数调用链的正确返回与运行环境恢复。　　基于上述机制，引入本方案需解决第二个关键问题——App区相互跳转前后，堆栈中保存的返回地址与新固件无法对接，即“堆栈污染”问题。由于 App0 与 App1 区的代码随用户程序迭代而不断变化，若直接跳转极易因堆栈不一致导致系统异常。为此，方案引入固定代码区以保障跳转过程的稳定性。　　固定代码区本质上位于 main() 函数内的主循环(如 while(1) )中。该循环具备一个重要特性：所有子函数执行完毕后均会返回至主循环入口，中断服务程序执行完毕后也同样返回到此位置。根据堆栈行为特点，当程序运行于主循环内部时，堆栈中不会保留函数调用信息，此时堆栈处于“最干净”状态，从而有效避免了跳转过程中的堆栈污染问题。　　要做到这点，需要将 main() 放到 FIXCODE 区域内，然后 main 内部的初始化和主循环内统一调用子函数，增减的代码都在子函数内处理，让切换 App 区执行代码不发生偏移。如程序清单 1.3 所示。　　程序清单 1.3　　05 运行时固定代码区更新策略　　FIXCODE 本身是 main() 和主循环，里面同样包含用户层的应用代码，所以更新固件这部分也同样需要更新到最新版本。本方案需要解决第三个关键问题——程序运行期间不能被擦除，否则会导致指令读成乱码，所以在更新固定代码区的操作要放在非固定代码区，且保证执行完后能回到正确的堆栈点。　　图1.2 更新固定代码区　　06 中断向量表与函数分区更新实现　　中断处理包括中断向量表处理和中断函数处理。中断函数通过声明中断服务函数以及其调用的子函数分配到 RW_APP0_ITCM 区，这样就可以通过分区更新功能统一更新。本方案需要重点处理中断向量表。　　中断向量表涉及的方面包含以下几处地方：　　① Sct 文件内声明的 RESET 区域，如程序清单 1.1 所示;　　② SDK 包内默认的中断向量表地址，包括 Flash 中断向量表和 VT_DTCM 的中断向量表;　　③ 在切换新固件的中断部分，准备好内存空间，最后修改 VTOR;　　在第二点中，SDK 内对中断向量表的操作如程序清单 1.4 所示。　　程序清单 1.4 SDK 包中断表处理　　代码路径：interrupt.c　　VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 是指固件的头部装载地址，需要留意的是，这个表里还包含了默认处理函数句柄以及 Reset 等前面不可屏蔽的处理函数。　　SDK内默认将 VECTOR_TABLE_FLASH_ADDRESS 设置为 0x08000000，对每个 APP 区必须在 interrupt.h 内改为对应地址。　　程序清单 1.3 内的函数实现的主要目的，是将存放在 DTCM 空间内的 vectorTableDTCM 表重初始化。　　在 App 区内的操作流程如图 1.3 所示。可看到板级初始化做的是 App 本身所占用的中断表地址，而切换则是搭建新固件的中断表地址。　　07 变量偏移防护与共享内存设计　　由于业务逻辑要持续运行，所以对于关键的状态变量、计数变量等需要做特殊处理。这里就提出第四个问题——由于编译器为节省空间，会将变量紧密排序，从而导致全局变量在切换到新固件时产生不可预计的偏移。简单而言就是将这类需要继承的变量，存放在 ShareMemory 空间内，并以绝对地址的形式固定下来。这种方案相较于其他依赖编译器的固定方式最直接快速。
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发布时间：2026-06-04 10:23 阅读量：480 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨AI 服务器电源功率密度提升，隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战？
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纳芯微丨AI 服务器电源功率密度提升，隔离采样芯片如何应对采样与保护挑战？

　　随着 AI 服务器电源功率密度和运行频率持续提升，系统对关键节点电压、电流的采样精度、响应速度和隔离安全提出了更高要求。　　在服务器电源系统中，从 AC/DC PFC 输入级到 DC/DC LLC 谐振级，各级功率转换均依赖精确的电压、电流监测数据，以支撑系统高效、稳定运行。在高压、高频、高功率密度工作条件下，如何在高压侧与低压控制侧之间实现可靠的物理隔离，并保障关键信号的准确、及时传输，成为系统设计中的重要问题。　　隔离采样技术可在高压侧与低压控制侧之间建立安全隔离，同时实现电压、电流等关键信号的采集与传输，帮助降低高压串扰、雷击或瞬态过压等因素对低压控制电路的影响，并为系统控制与保护提供必要反馈。　　01　　隔离采样技术演进　　从基础隔离到智能集成　　纳芯微隔离采样产品矩阵体现了从基础隔离采样向集成化、智能化方向的演进。　　以 0–2V 单端输入的 NSI1311 为起点，纳芯微隔离采样产品逐步向隔离电压采样、隔离电流采样和隔离比较器等方向拓展。　　在隔离电压采样方向，产品由单端输入的 NSI1311，发展至差分输入的隔离运放 NSI1312 和差分输入的隔离 ADC NSI1316，进一步覆盖不同应用需求。随着产品迭代，集成化趋势更加明显。NSI36xx 系列将隔离 DC-DC 电源集成于采样芯片内部，有助于简化高压侧供电设计。其中，NSI36CxxR 版本进一步集成比较器和运放，可简化系统电路，并支持硬件过流、过压保护。　　在隔离电流采样方向，产品由 NSI1300 演进至 NSI1400/1200C 系列，并推出了集成隔离电源的 NSI360x 系列。　　面向快速响应和简化设计需求，纳芯微推出隔离比较器 NSI22C12。该产品集成窗口比较器、隔离通道及高压侧 LDO，可用于实现过压或过流保护，尤其适用于服务器电源 LLC 谐振腔的快速过流保护场景。　　在服务器电源系统中，PFC 电路通常负责对输入交流电进行整形和升压，LLC 谐振拓扑随后完成 DC/DC 变换并形成最终输出。整个能量转换链路的安全、稳定运行，依赖于对关键节点电压和电流的精确监测。　　纳芯微隔离采样芯片可部署于服务器电源各核心监测点，覆盖 PFC 输入电压/电流检测、PFC 输出电压检测、LLC 谐振腔电流检测与快速过流保护，以及 DC/DC 输出电流检测等环节，支持电源系统实现从输入到输出的全链路监测与保护。　　02　　三款新品详解　　面向服务器电源的集成化设计　　服务器电源对功率密度、可靠性和效率要求较高。围绕不同层面的设计挑战，纳芯微推出了三款新品。　　首先是集成隔离电源的 NSI36xx 系列。相较于上一代 NSI13xx 系列，NSI36xx 系列进一步提升了集成度。传统方案通常需要分别为高压侧和低压侧设计供电电路，在浮地采样等场景下，设计复杂度和 PCB 占板面积较高。　　NSI36xx 系列仅需在低压侧提供单一电源即可正常工作，可省去高压侧供电电路设计，降低电源设计复杂度，并节省约 30%–50% 的板上面积，在空间受限的服务器电源系统中具备应用优势。　　NSI36CxxR 是该系列的差异化产品，集成内部比较器和单端准差分运放，可在百纳秒级时间内检测异常并触发保护机制，提升系统安全性和可靠性。　　第二款新品是 0–4V 宽压输入的隔离电压采样运放 NSI1611。面向服务器电源向更高电压发展的趋势，NSI1611 将输入范围扩大一倍，有助于提升系统抗干扰能力和采样精度。　　在相同扰动电压下，更宽的输入范围可降低扰动对采样结果的相对影响。同时，NSI1611 在保持 1GΩ 高阻输入的基础上拓宽输入范围，可进一步提升系统采样精度。　　NSI1611 提供单端输出或比例输出版本。其中，比例输出版本可将后级参考电压直接接入芯片 Reference 引脚，由芯片完成差分转单端转换及简单自适应放大，帮助客户充分利用后级 ADC 满量程，提升整体采样精度。　　第三款新品是面向快速保护设计的隔离比较器 NSI22C12。在服务器电源谐振腔过流采样中，传统方案通常采用 CT 方案或分立方案。CT 方案体积较大，输入端还需增加额外调理电路，会增加成本和 PCB 占板面积;在 DC 负载过流保护中，部分客户则采用普通比较器搭配高速光耦或数字隔离器的分立方案。　　NSI22C12 采用单芯片集成设计，集成窗口比较器，支持正负阈值设定;同时集成内部隔离通道，比较后可直接输出隔离数字信号。其高压侧集成高压 LDO，供电范围为 3.1V 至 27V，可直接接入驱动供电，简化外围供电设计。　　该产品保护延时最大仅 250 纳秒，可用于快速过压、过流检测，帮助服务器电源系统在异常工况下及时触发保护机制，提升系统控制的安全性和可靠性。　　03　　服务器电源应用　　从PFC到DC/DC全链路保护　　在典型服务器电源架构中，隔离采样芯片可部署于电能转换链路的关键环节，用于实现电压、电流检测及保护反馈。　　电源系统通常始于 PFC 电路。PFC 电路负责对输入交流电进行整形和升压，优化电网供电质量，并为后级电路提供稳定的高压直流电源。纳芯微隔离采样芯片可部署于 PFC 输入端和输出端，实时监测输入电压/电流及输出电压，为 PFC 控制回路提供关键反馈信号。　　随后，LLC 谐振电路完成 DC/DC 转换，将高压直流电转换为服务器主板所需的低压直流电。在这一环节，谐振腔电流检测与过流保护尤为关键。纳芯微隔离比较器 NSI22C12 凭借低于 250 纳秒的快速响应时间，可检测异常电流并触发保护机制，帮助降低功率器件损坏风险。　　在输出端，DC/DC 输出电流检测同样需要高精度隔离采样。通过监测输出电流，电源管理系统可根据不同负载条件调整工作状态，提升系统运行效率与稳定性。　　通过覆盖 PFC 输入/输出、LLC 谐振腔及 DC/DC 输出等关键环节，纳芯微隔离采样产品可支持服务器电源实现从输入到输出的全链路监测与保护。　　04　　精度、安全与成本　　隔离采样的三重优势　　纳芯微隔离采样芯片从采样精度、隔离安全和系统成本三个方面，为服务器电源设计提供支持。　　在采样精度方面，NSI1611 系列输入偏置电压优化至 ±0.8mV，较前代产品的 ±1.5mV 进一步降低;增益温漂由前代的 45ppm/℃ 优化至 40ppm/℃，提升全温区精度稳定性。其采样带宽达到 330kHz，可适配 SiC、GaN 等高频开关器件控制需求，满足系统高动态响应要求;　　在隔离安全方面，纳芯微“隔离+”产品提供高于基础隔离要求的安全等级，帮助系统建立高低压安全边界。NSI1611 系列隔离耐压可达 5700Vrms，最大浪涌隔离耐压 VIOSM 可达 10kV，可适配高温、高压等严苛应用环境;　　在系统成本方面，集成隔离电源的 NSI36xx 系列可省去外置隔离电源模块，降低整体 BOM 成本约 10%–20%;同时可节省 PCB 面积约 30%–50%，有助于实现更小型化的电源设计。NSI1611 的单端输出信号可直接接入 MCU 的 ADC 接口，省去传统差分输出方案所需的后级运放及调理电路，进一步降低 BOM 成本和 PCB 布局复杂度。
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发布时间：2026-06-03 10:02 阅读量：492 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>丨AI服务器电源揭秘 ，水有水源，算力有电源
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纳芯微丨AI服务器电源揭秘 ，水有水源，算力有电源

　　从市电输入到约0.8V芯片内核供电，AI服务器电源就像一套高标准供水系统：　　源头要稳，备援要快，调压要准，终端要稳。　　PSU：源头水厂|转换市电，稳定母线　　CBU/BBU：应急蓄水|快速补能，持续供电　　IBC：减压配水|逐级降压，高效分配　　Vcore：终端供水|直达内核，支撑算力　　面对高功耗、高波动、高密度，电源系统不仅要供得上，更要供得稳、供得久、护得住。　　从PSU源头转换、CBU/BBU应急备电，到IBC逐级降压、Vcore内核供电，纳芯微以丰富的芯片方案，支撑AI服务器电源高效转换、稳定控制与可靠保护，为算力持续输出提供底层保障。
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发布时间：2026-05-26 10:59 阅读量：572 继续阅读>>
<span style='color:red'>纳芯微</span>荣获联合电子2026生态伙伴峰会“优秀供应商奖”
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纳芯微荣获联合电子2026生态伙伴峰会“优秀供应商奖”

　　5月21号，纳芯微在联合电子(UAES)2026 “品质于心 创新于行”生态伙伴峰会上，凭借在深度协同、技术创新、质量管控以及稳定交付等方面的突出表现，斩获大会优秀供应商最高荣誉，纳芯微CEO王升杨代表公司上台领奖。　　这份荣誉既是联合电子对纳芯微技术实力、质量体系、交付运营的权威认可，也是双方过去几年深厚互信、协同共赢的重要成果。纳芯微始终将联合电子视为最重要的战略合作伙伴之一，未来将继续坚守质量零缺陷目标，深化技术协同、提升交付保障、持续创新降本，以长期稳定、高质量的芯片产品与方案，服务联合电子及全球汽车客户，携手共拓新境、共赢长远未来。　　面向汽车电动化、智能化浪潮，纳芯微将继续以客户为中心，深耕汽车芯片赛道，共同推动中国汽车电子供应链更高质量发展与全球化布局。
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发布时间：2026-05-26 09:48 阅读量：431 继续阅读>>
让驱动状态可视可控，<span style='color:red'>纳芯微</span>发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux
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让驱动状态可视可控，纳芯微发布集成电源状态反馈的隔离半桥驱动NSI6602Ux

　　纳芯微推出车规级隔离半桥驱动芯片NSI6602Ux系列，该系列基于明星产品NSI6602全面升级，驱动侧电压提升至32V，相比上一代产品具备更强的抗冲击能力与系统适配能力。　　此外，NSI6602Ux集成输入/输出侧电源状态反馈功能，并兼具高隔离电压、低延时、死区可配、输入互锁、欠压阈值可选等特性，适用于驱动SiC、IGBT等器件，可广泛应用于新能源汽车OBC、DC-DC、主动悬架等场景。　　输入/输出侧电源状态反馈，　　助力功率器件开关安全　　在OBC/DC-DC、工业电源、电机驱动等功率电子系统中，驱动芯片的可靠性直接决定功率器件的开关安全。随着SiC、GaN等第三代功率器件的应用，器件驱动阈值更敏感、响应速度更快，这使得系统对驱动芯片的状态监测精度和响应及时性的要求大幅提升。　　传统方案通常依赖外部电压监测电路来判断驱动芯片是否就绪，这不仅增加系统复杂度，还可能因延迟或干扰带来误驱动风险，进而引发功率器件损坏、系统失控等潜在安全隐患，同时也限制了第三代功率器件性能的充分发挥。　　纳芯微NSI6602Ux创新性集成了RDY状态反馈功能，可实时输出芯片供电状态，直接反馈至MCU/DSP，实现芯片级“就绪可见”。无需额外监测电路，即可有效避免未就绪驱动、误触发等风险，从系统架构层面提升功率器件开关安全性。　　NSI6602Ux(右图)与NSI6602(左图)功能框图对比　　高性能驱动与多重保护协同，　　提升系统可靠性与效率　　NSI6602Ux具备4A峰值拉电流与6A峰值灌电流的强劲驱动能力，可直接驱动IGBT、SiC等功率器件，支持最高2MHz开关频率，无需额外增设缓冲器或驱动放大电路，显著简化外围设计。　　器件支持最高32V驱动电压，并集成欠压锁定(UVLO)保护，可有效应对高压冲击场景。同时，内置输入侧IN+/IN-互锁功能，从硬件层面避免上下桥臂直通风险，大幅提升了系统的可靠性和抗干扰能力。此外，通过DT引脚可灵活配置死区时间，搭配多档UVLO阈值选择，进一步提升系统设计的安全裕量与适配能力。　　在性能方面，NSI6602Ux具备45ns传播延时、5ns延迟匹配、4ns脉宽失真，处于行业领先水平。并支持±150kV/μs高CMTI，有效抑制共模干扰，避免延时波动，在复杂工况下仍可保持稳定运行。　　灵活控制与接口兼容设计，　　降低系统复杂度与BOM成本　　NSI6602Ux支持DIS/EN两种使能逻辑配置，可灵活适配不同控制架构;输入侧支持2.8V~5.5V宽电压供电，可直接兼容MCU、DSP，无需额外电平转换电路。　　通过减少外围器件、简化接口设计与控制逻辑，有效降低系统设计复杂度与BOM成本，同时提升整体方案的通用性与可扩展性。　　NSI6602Ux产品特性：　　5.7kVrms隔离耐压，可驱动高压SiC和IGBT　　高CMTI：150kV/μs　　输入侧电源电压：2.8V~5.5V并支持欠压2.35V保护　　驱动侧电源电压：最高可达 32V　　峰值拉灌电流：+4A/-6A　　驱动电源欠压：8V/17V两档可选　　支持输入、输出侧电源监控上报RDY　　可编程死区时间　　支持使能逻辑控制　　典型传播延时：45ns　　工作环境温度：-40℃~125℃　　符合面向汽车应用的AEC-Q100 标准　　符合RoHS标准的封装类型：SOW14/16，SOP16　　通过UL、VDE、CQC等多项安全认证　　NSI6602Ux典型应用电路　　封装与选型　　纳芯微NSI6602Ux系列现已全面量产，产品覆盖多种隔离电压等级、UVLO选项及封装，可灵活适配不同应用场景。进一步咨询NSI6602Ux产品，可邮件sales@novosns.com;更多产品信息、技术资料敬请访问www.novosns.com。　　NSI6602Ux系列选型表
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发布时间：2026-05-22 10:31 阅读量：562 继续阅读>>
全球出货量Top4，<span style='color:red'>纳芯微</span>磁传感器如何贯穿整车系统？
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全球出货量Top4，纳芯微磁传感器如何贯穿整车系统？

　　随着汽车电动化、智能化、网联化持续深入，电流、位置、角度、速度等核心状态感知需求快速攀升，磁传感器已成为汽车电子系统的基础器件。据Yole Group《2026 磁传感器产业报告》预测，2031年全球汽车与移动出行领域磁传感器出货量将突破42亿颗。　　目前，纳芯微磁传感器已可覆盖整车关键系统，应用于车身、底盘、动力总成及热管理等领域。Yole Group数据显示，纳芯微在汽车磁传感器市场出货量全球第四、营收全球第七，位居国产厂商首位。　　构建多维技术体系：支撑复杂应用需求　　完整磁传感器产品矩阵：围绕汽车多样化感知需求，纳芯微已构建覆盖电流、角度、位置与速度的磁传感器产品矩阵。　　多技术路线协同布局：纳芯微持续布局并推进多种磁感知技术协同发展，包括平面霍尔、垂直霍尔、AMR、TMR及电感式传感技术在内的多个关键技术路线，结合自研BendingMag™ BFC聚磁技术，实现不同应用场景的精准适配，在精度、功耗与抗干扰能力之间取得平衡。　　同时，依托自主IP与核心专利，纳芯微磁传感器在温度补偿、低噪声信号链及零点漂移控制等关键环节持续优化，进一步提升产品在复杂车规环境下的稳定性与一致性。　　规模量产，全球市场领先：纳芯微磁传感器累计出货量超过20亿颗，市场表现位居全球前列。　　多场景渗透，磁传感器贯穿整车系统　　动力域：关键电流检测　　在逆变器、电驱、OBC/DC-DC及电池管理系统中，磁传感器广泛应用于新能源汽车动力系统的各类电流监测场景。纳芯微提供高精度的电流传感器产品系列：　　NSM201x与NSM211x系列集成式电流传感器：覆盖约5A至200A电流检测范围，兼具高带宽与精度表现。NSM211x可支持MHz级带宽，满足快速响应需求;　　NSM204x系列集成式电流传感器：通过小型化封装与稳定性能输出，提升系统集成度，适配多样化电流检测场景;　　MT9519系列线性电流传感器：支持不同结构下的开环电流检测方案，具备250kHz高带宽与快速响应能力，可覆盖几十安培至1000A电流检测范围，适用于电驱系统等高可靠性电流检测场景;　　NSM203x系列线性电流传感器：面向基于聚磁环的大量程电流检测场景，面向电驱系统等大电流检测场景，具备400kHz高带宽、1.5μs快速响应及优异噪声表现。　　车身域：高频位置检测　　在车身控制系统中，磁传感器广泛应用于车窗、门把手、电动尾门、天窗及座椅等位置检测场景。针对高可靠感知、低干扰传输的核心诉求，纳芯微提供丰富磁开关产品系列：　　MT72xx系列：采用两线制电流型输出，降低线束复杂度，提升长线束抗干扰能力;　　MT73xx系列：基于3D霍尔技术，提供双路正交信号输出，可同步获取速度与方向信息，提升检测精度与系统响应一致性;　　NSM101x系列：三线制霍尔开关/锁存器，支持宽电压输入与灵活参数配置，具备完善保护机制与良好系统兼容性。　　底盘域：高精度安全感知　　在电动助力转向、制动及悬架系统中，磁传感器承担关键角度、轮速与位置检测任务，对精度、实时性及可靠性要求严苛。　　NSM4xxx轮速传感器系列：集成功能安全诊断机制及振动抑制模块，具备良好的抗干扰能力与宽温稳定性，为ABS、ESP等系统提供可靠速度信号;　　MT6511 角度传感器：基于差分霍尔技术，角度检测精度<±1°max，提供<10μs的低系统延时，具备较强抗杂散磁场干扰能力及多接口输出特性;　　MT652x角度传感器：基于水平霍尔与BendingMag™ BFC聚磁技术，实现多平面磁场感知与高精度角度测量(精度<±1°)，支持灵活曲线编程与多接口输出。　　热管理系统：执行层关键感知　　随着热管理系统复杂度提升，执行部件对角度与电流感知的要求持续提高。纳芯微角度传感器支持高精度位置检测与多接口输出，满足复杂控制需求;同时配合电流传感器实现从高隔离到高带宽的检测能力覆盖，支撑系统高效稳定运行。　　传统动力系统：稳定角度检测　　在燃油车及混动车动力系统中，磁传感器广泛应用于电子节气门、EGR阀及涡轮增压器系统中的角度检测场景。纳芯微角度传感器支持0–360°连续测量，具备良好的温度稳定性与抗干扰能力，并提供多种接口形式，兼顾控制精度与长期可靠性。
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发布时间：2026-05-21 09:44 阅读量：679 继续阅读>>
开赛！<span style='color:red'>纳芯微</span>NSSine™MCU助力电力电子大赛
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开赛！纳芯微NSSine™MCU助力电力电子大赛

　　第十二届高校电力电子应用设计大赛启动仪式正式开幕!纳芯微作为合作伙伴，全程支持本届以新能源与储能竞赛的赛事开展。　　纳芯微将以实时控制 MCU、隔离栅极驱动等芯片为核心支撑，为参赛团队提供技术支持，助力学子完成方案设计。　　优选芯片|用 MCU & 栅极驱动，赢在自适应与损耗优化　　纳芯微NSSine™系列实时控制 MCU/DSP —— 用作高速策略大脑　　• 高性能实时 M7 内核;高速 ADC+高精度 PWM;自研 IDE Novo Studio。　　• 赛场用途：导通压降检测、工况识别、自适应驱动算法调度、保护逻辑管理。　　• 更多信息：www.novosns.com/real-time-mcu　　纳芯微隔离栅极驱动 —— 驱动模块核心器件　　• 针对宽禁带器件开发;2kV 工作耐压 + 5700V 冲击耐压;高集成化;驱动能力强、延时低。　　• 赛场用途：SiC MOSFET 开关控制、负压关断、串扰抑制、快速短路保护。　　• 更多信息：www.novosns.com/gate-drivers
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发布时间：2026-05-15 10:22 阅读量：849 继续阅读>>

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